JP6891795B2 - フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 - Google Patents
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Description
〔1〕
光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を表面に形成したフォトマスクブランクの該薄膜表面に検査光を照射し、検査光が照射された領域からの反射光を捉えてフォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査する方法であって、
(A1)少なくとも1層の薄膜を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、
(A2)このフォトマスクブランクを移動させて該フォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査光学系の観察位置に移動させ、検査光を上記欠陥を含む領域に照射し、検査光が照射された領域からの反射光を、検査光学系を介して上記領域の拡大像として収集する工程と、
(A3)上記拡大像の特徴量を抽出する工程と、
(A4)上記特徴量とフォトマスクブランクの薄膜の態様との組み合わせに基づいて欠陥の形状を判断する工程と
を含み、(A4)工程は、上記拡大像の特徴量とフォトマスクブランクの薄膜の態様との情報に基づいて、予め光学シミュレーションあるいは実験データに基づいて作成した、ピンホール欠陥か凸欠陥かを選択できるテーブルを参照して、欠陥の形状を判断する工程であることを特徴とするフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔2〕
(A2)工程における拡大像は、反射光のうち検査光学系を通過する回折成分で生成されるとともに、反射光の0次回折成分(正反射成分)に対して正負の非対称な高次回折成分で形成される拡大像であることを特徴とする〔1〕記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔3〕
(A3)工程は、上記拡大像における欠陥部の光強度レベルの変化を欠陥周辺部の光強度レベルと比較する処理工程を含み、光強度の高い明部と光強度の低い暗部の強度差及び明部と暗部の配置位置関係である欠陥検査画像の特徴量を抽出することを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔4〕
(A3)工程において、欠陥の拡大像は明部が支配的な画像であるとの特徴量を抽出した場合、被検査フォトマスクブランクの最表面が検査光に対して透明な薄膜であれば、検出した欠陥はピンホール欠陥と判断することを特徴とする〔1〕、〔2〕又は〔3〕記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔5〕
(A3)工程において、欠陥の拡大像は暗部が支配的な画像であるとの特徴量を抽出した場合、被検査フォトマスクブランクの最表面の薄膜の検査光反射率が下層の検査光反射率より高い膜構造であれば、検出した欠陥はピンホール欠陥と判断することを特徴とする〔1〕、〔2〕又は〔3〕記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔6〕
上記薄膜の膜厚が10nm以下であることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔7〕
上記検査光が、波長210〜550nmの光であることを特徴とする〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
〔8〕
光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を形成したフォトマスクブランクの該薄膜表面に検査光を照射し、検査光が照射された領域からの反射光を捉えてフォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査する検査装置と、
〔1〕〜〔7〕のいずれかに示すフォトマスクブランクの欠陥検査方法の工程を実行するプログラムを有するコンピュータと
を含むフォトマスクブランクの欠陥検査システム。
〔9〕
〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法により判定された欠陥の凹凸形状に基づき、ピンホール欠陥を含まないフォトマスクブランクを選別することを特徴とするフォトマスクブランクの選別方法。
〔10〕
光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を形成する工程と、
〔9〕記載のフォトマスクブランクの選別方法により、上記薄膜にピンホール欠陥を含まないフォトマスクブランクを選別する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
フォトマスクブランクの薄膜にピンホールなどの欠陥が存在すると、これを用いて製作したフォトマスク上のマスクパターンの欠陥の原因となる。典型的なフォトマスクブランクの欠陥の例を図1に示す。図1(A)は、透明基板101上に、遮光膜あるいはハーフトーン位相シフトマスク用の位相シフト膜などとして機能する光学薄膜102が形成されているフォトマスクブランク100を示す図である。ここで、光学薄膜102にはピンホール欠陥DEF1が存在している。図1(B)は、透明基板101上に、遮光膜あるいはハーフトーン位相シフトマスク用の位相シフト膜などとして機能する光学薄膜102と、光学薄膜102の高精度な加工を行なうための加工補助薄膜103が形成されているフォトマスクブランク100を示す図である。ここで、加工補助薄膜103にはピンホール欠陥DEF2が存在している。このようなフォトマスクブランクから通常の製造工程によりフォトマスクを製造すると、フォトマスクブランク由来の欠陥が存在するフォトマスクとなってしまう。そして、この欠陥はフォトマスクを用いた露光において、パターン転写エラーを引き起こす原因となる。そのため、フォトマスクブランクの欠陥は、フォトマスクブランクを加工する前の段階で検出して、欠陥を有するフォトマスクブランクを排除したり、欠陥の修正を施したりする必要がある。
しかし、フォトマスクブランクの膜の態様によっては、上述した検査画像の明暗の位置関係だけでは、欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを正しく判定できない場合がある。このような場合の例について、以下に説明する。
図5(A)は、凹欠陥を有するフォトマスクブランク100の断面図である。これは、検査光に対して透明な石英基板などの透明基板101上に、MoSi系材料からなる光学薄膜112、Cr系材料からなる光学薄膜113、及び厚さ5〜10nm程度の検査光に対して実質的に透明な材料、例えば酸化ケイ素からなるハードマスク薄膜114が形成されており、ハードマスク薄膜114に、ピンホール欠陥などの凹欠陥DEF6が存在している状態を示している。この凹欠陥DEF6に対して、図2に示される検査光学系を用いて、フォトマスクブランクの表面に上方から検査光を収束照射して走査し、空間フィルタSPFを介して反射光を収集した場合、検査画像の光強度分布の断面プロファイルは図5(B)に示されるプロファイルPR3となる。この場合、検査画像の光強度分布は、凹欠陥DEF6の部分で、実質的には明部のみであり、図4に示される典型的な凹欠陥の検査画像の光強度分布のような明瞭な明暗の位置関係が現われない。
図7(A)は、凹欠陥を有するフォトマスクブランク100の断面図である。これは、検査光に対して透明な石英基板などの透明基板101上に、MoSi系材料からなる光学薄膜122、及び厚さ10nm程度のCr系材料からなるハードマスク薄膜123が形成されており、ハードマスク薄膜123にピンホール欠陥などの凹欠陥DEF10が存在している状態を示している。ハードマスク薄膜123の検査光反射率が光学薄膜122の検査光反射率より高いことが、第2の膜態様の特徴である。この凹欠陥DEF10に対して、フォトマスクブランクの表面に上方から検査光を収束照射して走査し、空間フィルタSPFを介して反射光を収集した場合、検査画像の光強度分布の断面プロファイルは図7(B)に示されるプロファイルPR7となる。この場合、検査画像の光強度分布は、凹欠陥DEF10の部分で、実質的には暗部のみであり、図4に示される典型的な凹欠陥の検査画像の光強度分布のような明瞭な明暗の位置関係が現われない。この場合の凹欠陥が暗部のみとして観察される理由は、凹欠陥DEF10の深さが浅いため欠陥の側面からの反射光の光量が少なく、光強度変化に対して検査光の反射率の影響の方が大きいためであると考えられる。
また、テーブルは検査画像の断面プロファイルに限定されず、2次元光強度分布の画像でも良い。更に、過去の欠陥検査実績や新規の膜態様の導入に応じて逐次追加も可能である。
第1の膜態様の凹欠陥及び凸欠陥を含むフォトマスクブランクの欠陥検査を実施した。検査装置として、図2に示される検査光学系151を含む装置を用いた。光源ILSから発する検査光の波長は532nm、対物レンズOBLの開口数NAは0.95である。検査光BM1は対物レンズOBLを介してフォトマスクブランクMBを上方から収束照明する。図11に示すように、収束された照明スポットは走査手段(図示せず)で欠陥DEF6を含むフォトマスクブランク100の表面MBSを一方向に走査する。一方、フォトマスクブランクMBを載せたステージSTGは前記の走査方向とは直交する方向に間欠的あるいは連続的に移動する。これらの照明スポットの走査とステージの移動との組み合わせにより、照明スポットを欠陥部を含む所定領域内を2次元的に走査した。そして、個々の照明スポットで得られるフォトマスクブランクからの反射光を、対物レンズOBLと反射光の右半分を遮蔽する空間フィルタSPFとレンズL1とを通過させて収束させ、その光強度を光検出器SEで収集した。収集した光強度を照明スポットの位置に合わせて2次元的に配置することにより、欠陥の検査画像(拡大像)を生成した。ここで、マスクブランクの表面における照明スポットのサイズは約400nmであり、欠陥部を含む2次元捜査領域は約30μm×30μmの矩形領域とした。
第2の膜態様の凹欠陥及び凸欠陥を含むフォトマスクブランクの欠陥検査を実施した。検査装置として、図2に示される検査光学系151を含む装置を用いた。ただし、検査波長は355nm、対物レンズOBLの開口数NAは0.85であり、実施例1で使用した検査光学系より解像度が高いので、照明スポットサイズは約380nmとなった。2次元走査領域は、上記の実施例1と同一である。図14(A)に示されるフォトマスクブランク100は、検査光に対して透明な石英基板101上に、MoSi系材料からなる膜厚75nmの光学薄膜122、及び厚さ10nmのCr系材料からなるハードマスク薄膜123が形成されており、ハードマスク薄膜123にピンホール欠陥などの凹欠陥DEF10が存在している状態を示している。
101 透明基板
102、103、112、113、122 光学薄膜
103、114,123 加工補助薄膜又はハードマスク薄膜
150 欠陥検査装置
151 検査光学系
152 制御装置
153 記録装置
154 表示装置
BM1 検査光
BM2 反射光
BSP ビームスプリッタ
DEF1、DEF2、DEF5、DEF6、DEF7、DEF10 凹欠陥ないしピンホール欠陥
DEF3、DEF4、DEF8、DEF9、DEF11 凸欠陥
ILS 光源
L1 レンズ
MB フォトマスクブランク
OBL 対物レンズ
SE 光検出器
STG ステージ
SPF 空間フィルタ
Claims (10)
- 光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を表面に形成したフォトマスクブランクの該薄膜表面に検査光を照射し、検査光が照射された領域からの反射光を捉えてフォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査する方法であって、
(A1)少なくとも1層の薄膜を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、
(A2)このフォトマスクブランクを移動させて該フォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査光学系の観察位置に移動させ、検査光を上記欠陥を含む領域に照射し、検査光が照射された領域からの反射光を、検査光学系を介して上記領域の拡大像として収集する工程と、
(A3)上記拡大像の特徴量を抽出する工程と、
(A4)上記特徴量とフォトマスクブランクの薄膜の態様との組み合わせに基づいて欠陥の形状を判断する工程と
を含み、(A4)工程は、上記拡大像の特徴量とフォトマスクブランクの薄膜の態様との情報に基づいて、予め光学シミュレーションあるいは実験データに基づいて作成した、ピンホール欠陥か凸欠陥かを選択できるテーブルを参照して、欠陥の形状を判断する工程であることを特徴とするフォトマスクブランクの欠陥検査方法。 - (A2)工程における拡大像は、反射光のうち検査光学系を通過する回折成分で生成されるとともに、反射光の0次回折成分(正反射成分)に対して正負の非対称な高次回折成分で形成される拡大像であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- (A3)工程は、上記拡大像における欠陥部の光強度レベルの変化を欠陥周辺部の光強度レベルと比較する処理工程を含み、光強度の高い明部と光強度の低い暗部の強度差及び明部と暗部の配置位置関係である欠陥検査画像の特徴量を抽出することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- (A3)工程において、欠陥の拡大像は明部が支配的な画像であるとの特徴量を抽出した場合、被検査フォトマスクブランクの最表面が検査光に対して透明な薄膜であれば、検出した欠陥はピンホール欠陥と判断することを特徴とする請求項1、2又は3記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- (A3)工程において、欠陥の拡大像は暗部が支配的な画像であるとの特徴量を抽出した場合、被検査フォトマスクブランクの最表面の薄膜の検査光反射率が下層の検査光反射率より高い膜構造であれば、検出した欠陥はピンホール欠陥と判断することを特徴とする請求項1、2又は3記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- 上記薄膜の膜厚が10nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- 上記検査光が、波長210〜550nmの光であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法。
- 光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を形成したフォトマスクブランクの該薄膜表面に検査光を照射し、検査光が照射された領域からの反射光を捉えてフォトマスクブランクの表面部に存在する欠陥を検査する検査装置と、
請求項1乃至7のいずれか1項に示すフォトマスクブランクの欠陥検査方法の工程を実行するプログラムを有するコンピュータと
を含むフォトマスクブランクの欠陥検査システム。 - 請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの欠陥検査方法により判定された欠陥の凹凸形状に基づき、ピンホール欠陥を含まないフォトマスクブランクを選別することを特徴とするフォトマスクブランクの選別方法。
- 光学的に透明な基板上に少なくとも1層の薄膜を形成する工程と、
請求項9記載のフォトマスクブランクの選別方法により、上記薄膜にピンホール欠陥を含まないフォトマスクブランクを選別する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
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