TWI727137B - 空白光罩之缺陷檢查方法、分選方法及製造方法 - Google Patents

空白光罩之缺陷檢查方法、分選方法及製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之解決手段：對於在透明基板上形成有至少1層的薄膜之空白光罩的表面，照射檢查光，通過檢查光學系統收集來自照射有檢查光的區域之反射光，形成上述區域的放大影像，以從放大影像所抽出的光強度分布之特徵量與空白光罩之光學膜的構造所對應的缺陷之判定基準為基礎，判定在空白光罩之表面部所存在的缺陷之凹凸形狀。 　　本發明之效果：能使用光學的缺陷檢查方法，以高可靠性區別缺陷的凹凸形狀，檢查空白光罩的缺陷。又，藉由應用本發明之缺陷檢查方法，可以更低成本且高良率提供不含針孔缺陷的空白光罩。

Description

空白光罩之缺陷檢查方法、分選方法及製造方法
本發明關於一種用於製造在半導體裝置(semiconductor device)等之製造中所使用的光罩(轉印用遮罩)的空白光罩之缺陷檢查方法，尤其關於一種空白光罩之缺陷檢查方法，其有效於空白光罩上所形成的厚度為10nm以下之薄膜中所存在的針孔等凹形狀之判定。又，本發明關於一種空白光罩之分選方法及製造方法，其應用空白光罩的缺陷之凹缺陷檢查方法。
半導體裝置(semiconductor device)係藉由重複使用對於描繪有電路圖型的光罩等之圖型轉印用遮罩照射曝光光線，將遮罩上所形成的電路圖型透過縮小光學系統轉印至半導體基板(半導體晶圓)上的光微影技術而製造。隨著半導體裝置的電路圖型之持續的微細化，曝光光線的波長係使用氟化氬(ArF)準分子雷射光的193nm成為主流，藉由採用複數次組合曝光程序或加工程序之多圖型化的程序，最終可形成與曝光波長相比充分小的尺寸之圖型。
圖型轉印用遮罩係藉由在形成有光學膜的基板(空白遮罩)上，形成電路圖型而製造。如此的光學膜(薄膜)一般為以過渡金屬化合物作為主成分之膜或以含有過渡金屬的矽化合物作為主成分之膜，按照目的，選擇作為遮光膜發揮機能的膜或作為相位偏移膜發揮機能的膜等。再者，亦包含以光學膜的高精度加工為目的之加工輔助膜的硬遮罩膜。
光罩等的轉印用遮罩由於係使用作為用以製造具有微細圖型的半導體元件之底版，故要求無缺陷，如此當然地對於空白光罩亦要求無缺陷。又，於形成電路圖型時，在形成有膜的空白光罩上，形成加工用的光阻膜，經過電子束描繪法等通常的微影步驟，最終形成圖型。因此，對於光阻膜亦要求無針孔等缺陷。基於如此的情況，對於檢測出光罩或空白光罩的缺陷之技術，進行有許多的探討。
於日本特開2001-174415號公報(專利文獻1)或日本特開2002-333313號公報(專利文獻2)中，記載有將雷射光照射至基板，從漫反射的光來檢測出缺陷或異物之方法，尤其記載有對於檢測訊號給予非對稱性，判別是凸部缺陷或凹部缺陷之技術。又，於日本特開2005-265736號公報(專利文獻3)中，記載有將用於進行一般的光學遮罩之圖型檢查的DUV(Deep Ultra Violet)光使用為檢查光之技術。再者，於日本特開2013-19766號公報(專利文獻4)中，記載有將檢查光分割成複數的光點，在基板上掃描複數的光點，藉由光檢測元件接收各反射束之光的技術。另一方面，於日本特開2007-219130號公報(專利文獻5)中，揭示有以波長為13.5nm附近的EUV(Extreme Ultra Violet)光作為檢查光之判定EUV空白遮罩的缺陷之凹凸形狀的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-174415號公報 　　[專利文獻2]日本特開2002-333313號公報 　　[專利文獻3]日本特開2005-265736號公報 　　[專利文獻4]日本特開2013-19766號公報 　　[專利文獻5]日本特開2007-219130號公報
[發明所欲解決的課題]
前述專利文獻1～4中記載的檢查裝置皆採用光學的缺陷方法，使比較短時間的廣域缺陷檢查與缺陷的凹凸判定成為可能。再者，若限於EUV空白遮罩，則專利文獻5中記載有能判斷相位缺陷的凹凸之方法。
然而，本發明者們探討後，結果得知若藉由併用原子力顯微鏡或電子顯微鏡的檢查實驗，以調查空白光罩的檢查訊號之明部與暗部的配置之習知方法，有無法判定凹凸之情況。即，於針孔缺陷的檢查訊號中，區別凹凸用的明部與暗部之配置位置關係有不清晰之情況。特別地，可知於為了尖端遮罩的加工形成之加工輔助層即厚度為10nm以下的硬遮罩薄膜之缺陷檢查中，容易發生如上述的凹凸判定為困難之問題。
基於如此的狀況，若藉由以前述專利文獻1～4中記載的檢查裝置為基礎的實際之檢查實驗，未必能以高精度判斷缺陷部表面的凹凸形狀。又，專利文獻5中記載的方法係應用於EUV空白遮罩固有之相位缺陷，為難以適用於現在主流的ArF微影術中使用的空白光罩之方法。因此，希望建立在習知手法為困難的以高精度判斷硬遮罩薄膜中存在的缺陷之凹凸形狀的手法。
本發明係為了解決上述課題而完成者，目的在於提供：能使用光學的缺陷檢查方法，以高可靠性判斷缺陷部的表面形狀之凹凸的空白光罩之缺陷檢查方法，特別是，存在於作為遮罩圖型加工時的加工輔助層使用之硬遮罩薄膜的缺陷部之凹凸的判定方法，以及應用空白光罩的缺陷部之凹凸的判定方法，排除包含針孔缺陷的基板之空白光罩之分選方法及製造方法。 [解決課題的手段]
本發明者們為了解決上述課題，從檢查實驗與模擬之兩面來重複探討存在於各種的光學膜的缺陷中之檢查訊號的光強度分布。結果，發現依賴於上述的光學膜與其下層的光學膜之對於檢查光的複折射率之值，缺陷的觀察圖像之明暗的變化或明部與暗部之配置位置關係不同，進一步重複各種探討，結果達成本發明。
因此，本發明提供以下的空白光罩之缺陷檢查方法，以及應用其方法的空白光罩之分選方法及製造方法。 　　[1]一種空白光罩之缺陷檢查方法，其係對於在光學透明的基板上形成有至少1層的薄膜在表面之空白光罩的該薄膜表面，照射檢查光，捕捉來自照射有檢查光的區域之反射光，檢查存在於空白光罩之表面部的缺陷之方法，其特徵為包含： 　　(A1)準備具有至少1層的薄膜之空白光罩之步驟， 　　(A2)移動此空白光罩，使在該空白光罩之表面部所存在的缺陷移動到檢查光學系統的觀察位置，將檢查光照射到包含上述缺陷的區域，通過檢查光學系統收集來自照射有檢查光的區域之反射光，作為上述區域的放大影像之步驟， 　　(A3)抽出上述放大影像的特徵量之步驟，與 　　(A4)以上述特徵量與空白光罩的薄膜之態樣之組合為基礎，判斷缺陷的形狀之步驟。 　　[2]如[1]記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A2)步驟中的放大影像係以反射光中通過檢查光學系統的繞射成分所生成，同時以相對於反射光的0次繞射成分(正反射成分)而言正負的非對稱之高次繞射成分所形成的放大影像。 　　[3]如[1]或[2]記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A3)步驟包含將上述放大影像中的缺陷部之光強度水準的變化與缺陷周邊部之光強度水準比較之處理步驟，且係抽出光強度高的明部與光強度低的暗部之強度差及明部與暗部的配置位置關係之缺陷檢查圖像的特徵量。 　　[4]如[1]、[2]或[3]記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A4)步驟係以上述放大影像的特徵量與空白光罩的薄膜之態樣的資訊為基礎，參照預先以光學模擬或實驗數據為基礎所作成之能選擇針孔缺陷或凸缺陷的表格，判斷缺陷的形狀之步驟。 　　[5]如[4]記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出明部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面對於檢查光而言為透明的薄膜，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷。 　　[6]如[4]記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出暗部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面的薄膜之檢查光反射率比下層之檢查光反射率更高的膜構造，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷。 　　[7]如[1]～[6]中任一項記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述薄膜之膜厚為10nm以下。 　　[8]如[1]～[7]中任一項記載的空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述檢查光為波長210～550nm之光。 　　[9]一種空白光罩之缺陷檢查系統，其包含： 　　對於在光學透明的基板上形成有至少一層的薄膜之空白光罩的該薄膜表面，照射檢查光，捕捉來自照射有檢查光的區域之反射光，檢查存在於空白光罩之表面部的缺陷之檢查裝置，與 　　具有實行如[1]～[8]中任一項所示的空白光罩之缺陷檢查方法之步驟的程式之電腦。 　　[10]一種空白光罩之分選方法，其特徵為以藉由如[1]～[8]中任一項記載之空白光罩之缺陷檢查方法所判定的缺陷之凹凸形狀為基礎，分選不含針孔缺陷的空白光罩。 　　[11]一種空白光罩之製造方法，其特徵為包含： 　　在光學透明的基板上形成至少1層的薄膜之步驟，與 　　藉由如[10]記載的空白光罩之分選方法，分選在上述薄膜中不含針孔缺陷的空白光罩之步驟。 [發明的效果]
依照本發明，能使用光學的缺陷檢查方法，以高可靠性區別空白光罩中的凹凸形狀缺陷，特別是，能界定作為致命的缺陷之凹缺陷或針孔缺陷。又，藉由應用本發明之缺陷檢查方法，可確實地排除具有作為致命的缺陷之凹缺陷的空白光罩，可以更低成本且高良率提供不含致命的缺陷之空白光罩。
[實施發明的形態]
以下，更詳細地說明本發明。 　　若針孔等的缺陷存在於空白光罩之薄膜，則成為使用此所製作的光罩上之遮罩圖型的缺陷之原因。圖1中顯示典型的空白光罩的缺陷之例。圖1(A)係顯示在透明基板101上，形成有作為遮光膜或半色調相位偏移遮罩用的相位偏移膜等發揮機能的光學薄膜102之空白光罩100之圖。此處，針孔缺陷DEF1存在於光學薄膜102中。圖1(B)係顯示在透明基板101上，形成有作為遮光膜或半色調相位偏移遮罩用的相位偏移膜等發揮機能的光學薄膜102與進行光學薄膜102的高精度加工用的加工輔助薄膜103之空白光罩100之圖。此處，針孔缺陷DEF2存在於加工輔助薄膜103中。若從如此的空白光罩，藉由通常的製造步驟製造光罩，則會成為來自空白光罩的缺陷存在之光罩。而且，此缺陷係於使用光罩的曝光中，成為引起圖型轉印失誤之原因。因此，空白光罩的缺陷必須在加工空白光罩之前的階段中檢測出，排除具有缺陷的空白光罩，或施予缺陷之修正。
另一方面，圖1(C)係顯示空白光罩的凸缺陷之例之圖，其係顯示凸缺陷DEF3存在於光學薄膜102之上之空白光罩100的例之圖。缺陷DEF3係有與光學薄膜102一體化之凸缺陷，或如顆粒之附著異物凸缺陷之情況。即使從如此的空白光罩，藉由通常的製造步驟製造光罩，也未必形成致命的針孔缺陷。又，若表面上所附著的異物缺陷能藉由洗淨去除，則不成為致命的缺陷。
如此地，存在於空白光罩的缺陷為致命的缺陷之針孔等的凹缺陷或未必為致命的缺陷之凸缺陷的判定，係成為空白光罩的品質保證與空白光罩製造中之良率之關鍵。因此，期望可藉由光學的檢查手法以短時間的處理，且以高可靠性區別缺陷的凹凸形狀之方法。再者，若考慮現在成為主流的曝光光線之波長為使用氟化氬(ArF)準分子雷射光的193nm，則期望能區別在空白遮罩上尺寸為200nm以下、較宜100nm以下的缺陷之凹凸形狀之方法。
首先，說明適用於空白光罩的缺陷檢查之檢查裝置，具體而言，說明適用於判定空白光罩之表面部中的缺陷之凹凸形狀的檢查裝置。圖2係顯示缺陷檢查裝置150的基本構成之一例之概念圖，檢查光學系統151、控制裝置152、記錄裝置153、顯示裝置154為主要構成要素。檢查光學系統151具備發出檢查光的光源ILS、分束器BSP、物鏡OBL、載置空白光罩MB且能移動的載台STG及圖像檢測器SE。光源ILS係以能射出波長為210nm～550nm左右的光之方式構成，由此光源ILS所射出的檢查光BM1係被分束器BSP所折彎，通過物鏡OBL而照射空白光罩MB之指定區域。經空白光罩MB表面所反射的光BM2係被物鏡OBL所收集，同時穿透分束器BSP、透鏡L1而到達圖像檢測器SE的受光面。此時，調整圖像檢測器SE的位置，以便使空白遮罩MB的表面之放大檢查圖像形成在圖像檢測器SE之受光面。然後，經圖像檢測器SE所收集的放大檢查圖像之數據係藉由施予圖像處理運算，進行缺陷的尺寸運算或凹凸形狀的判定，彼等之結果係作為缺陷資訊記錄。檢查裝置150係被控制裝置152所控制而操作。控制裝置152具有控制程式或各種的圖像運算程式。再者，亦控制儲存檢查數據的記錄裝置153或進行各種顯示的顯示裝置154之動作。
放大檢查圖像例如可將圖像檢測器SE作為如CCD相機之排列有多數的光檢測元件作為畫素之檢測器，以將經空白光罩MB之表面所反射的光BM2通過物鏡OBL而形成的放大影像作為2次元圖像成批地收集之直接法來收集。又，亦可採用使檢查光BM1在空白光罩MB表面會聚而生成照明光點，同時使發出檢查光的光源ILS具有掃描機能而掃描照明光點，逐次以圖像檢測器SE收集反射光BM2的光強度，光電轉換而記錄，生成全體的2次元圖像之方法。
再者，為了判斷缺陷的凹凸，在收集反射光BM2時，亦可非對稱地收集相對於0次繞射成分(正反射成分)而言(以正反射成分為中心)正負之高次繞射成分。具體而言，可採用使照明空白光罩MB表面的檢查光BM1之主光線成為斜入射之方法，或設置主光線為垂直照明但遮蔽反射光BM2的光路之一部分的空間濾波器SPF，以圖像檢測器SE捕捉放大檢查圖像之方法。藉由採用此等之方法，一般而言可從檢查圖像光強度分布的明暗之位置關係或光強度之差，判定缺陷之凹凸形狀。
接著，使檢查光BM1以其主光線作為垂直照明，經空白光罩MB表面所會聚，同時掃描，逐次收集反射光BM2的光強度，於所得之檢查圖像中，說明凸缺陷與凹缺陷之檢查圖像的相異。於收集反射光BM2的光強度時，藉由空間濾波器SPF之作用，遮蔽朝向圖像檢測器SE的反射光BM2之右半部分。
圖3(A)及(B)分別為具有凸缺陷DEF4的空白光罩100之平面圖及剖面圖。此等表示在對於檢查光呈透明的石英基板等之透明基板101上，形成有由MoSi系材料所成之光學薄膜102，在其表面MBS上，由MoSi系材料或其他材料所成的凸缺陷DEF4存在之狀態。
若對於具有此凸缺陷DEF4的空白光罩之表面MBS，使檢查光BM1會聚而照明，同時使其掃描，通過空間濾波器SPF收集反射光，則得到圖3(C)所示之光強度分布的檢查圖像。沿著圖3(C)之A-A’線的剖面中之光強度分布係成為如圖3(D)所示之剖面輪廓PR1。剖面輪廓PR1係具有凸缺陷所特有的形狀，其係凸缺陷DEF4之左側為明部，右側為暗部。
同樣地，圖4(A)係具有凹缺陷DEF5的空白光罩100之剖面圖，圖4(B)係顯示此時所得之檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓PR2之圖。剖面輪廓PR2係具有凹缺陷所特有的形狀，其係凹缺陷DEF5之左側為暗部，右側為明部。 　　然而，取決空白光罩之膜的態樣，不僅上述檢查圖像的明暗之位置關係，而且缺陷為凹缺陷或凸缺陷，有無法正確地判定之情況。以下說明如此的情況之例。
[第1膜態樣] 　　圖5(A)係具有凹缺陷的空白光罩100之剖面圖。此係顯示在對於檢查光而言透明的石英基板等之透明基板101上，形成有由MoSi系材料所成之光學薄膜112、由Cr系材料所成之光學薄膜113及厚度5～10nm左右之對於檢查光而言實質上透明的材料，例如由氧化矽所成之硬遮罩薄膜114，針孔缺陷等的凹缺陷DEF6存在於硬遮罩薄膜114中之狀態。對於此凹缺陷DEF6，使用圖2所示的檢查光學系統，從上方將檢查光會聚照射至空白光罩之表面而掃描，通過空間濾波器SPF收集反射光時，檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓係成為圖5(B)所示的輪廓PR3。此時，檢查圖像的光強度分布係在凹缺陷DEF6之部分，實質上只有明部，不出現如圖4所示之典型的凹缺陷之檢查圖像的光強度分布之清晰的明暗位置關係。
再者，圖6中顯示即使膜構造為與圖5(A)所示的構造相同，也取決於缺陷的種類，得到各式各樣的檢查圖像之例。圖6(A)顯示凹缺陷早就存在於由Cr系材料所成之光學薄膜113，於其上形成無缺陷的均勻膜厚之硬遮罩薄膜114，結果凹形狀的缺陷DEF7存在於表面之狀態。又，圖6(B)顯示雖然在硬遮罩薄膜114之形成前無缺陷，但在其表面上附著有以矽為主成分的異物作為凸缺陷DEF8之狀態。再者，圖6(C)顯示硬遮罩薄膜114的表面之一部分作為凸狀的缺陷DEF9存在之狀態。此等之缺陷DEF7、DEF8、DEF9的檢查圖像之剖面輪廓分別成為圖6(D)所示的輪廓PR4、圖6(E)所示的輪廓PR5、圖6(F)所示的輪廓PR6。輪廓PR4雖然為典型的凹缺陷之檢查圖像，但是為缺陷不存在於最表面的硬遮罩薄膜114時之檢查圖像，輪廓PR5為典型的凸缺陷之檢查圖像，再者輪廓PR6雖然乍看下好像是凹缺陷的檢查圖像，但是於第1膜態樣之情況中，得到此輪廓PR6時，為對於檢查光而言透明的硬遮罩薄膜114之凸缺陷。
根據以上，於第1膜態樣中的缺陷之檢查圖像中，在得到明部為優勢的檢查圖像時，可判定作為致命的缺陷之針孔缺陷係存在。第1膜態樣中的缺陷之凹凸的判定基準係與圖3及圖4所示之典型的凸缺陷及凹缺陷之情況不同的基準，於第1膜態樣之情況所特有的判定基準。再者，適合於由對於檢查光實質上透明的材料所成之膜的膜厚為薄之情況，例如膜厚為10nm以下，尤其5～10nm之情況。
[第2膜態樣] 　　圖7(A)係具有凹缺陷的空白光罩100之剖面圖。此係顯示在對於檢查光而言透明的石英基板等之透明基板101上，形成有由MoSi系材料所成之光學薄膜122及由厚度10nm左右的Cr系材料所成之硬遮罩薄膜123，針孔缺陷等的凹缺陷DEF10存在於硬遮罩薄膜123中之狀態。硬遮罩薄膜123之檢查光反射率高於光學薄膜122之檢查光反射率者為第2膜態樣之特徵。對於此凹缺陷DEF10，從上方將檢查光會聚照射至空白光罩之表面而掃描，通過空間濾波器SPF收集反射光時，檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓係成為圖7(B)所示的輪廓PR7。此時，檢查圖像的光強度分布係在凹缺陷DEF10之部分，實質上只有暗部，不出現如圖4所示之典型的凹缺陷之檢查圖像的光強度分布之清晰的明暗位置關係。此時的凹缺陷作為僅暗部觀察之理由為：因為凹缺陷DEF10之深度為淺，來自缺陷的側面之反射光的光量少，對於光強度變化，檢查光的反射率之影響為大。
再者，當凸缺陷存在於硬遮罩薄膜123時，其檢查圖像係成為與圖3(D)所示的輪廓PR1同等之明部與暗部並列的檢查圖像。
根據以上，於第2膜態樣中的缺陷之檢查圖像中，在得到暗部為優勢的檢查圖像時，可判定作為致命的缺陷之針孔缺陷係存在。第2膜態樣中的缺陷之凹凸的判定基準係與圖3及圖4所示之典型的凸缺陷及凹缺陷之情況不同的基準，於第2膜態樣之情況所為特有的判定基準。
接著，沿著圖8所示的流程圖，更具體地說明本發明之缺陷檢查方法。首先，作為(A1)步驟，準備具有缺陷的檢查對象之空白光罩(被檢查空白光罩)(步驟S201)。其次，輸入存在於空白光罩上的缺陷之位置座標資訊(步驟S202)。缺陷之位置座標係可另外使用藉由眾所周知之缺陷檢查方法所界定的缺陷之位置座標。
接著，作為(A2)步驟，使缺陷的位置對準檢查光學系統的檢查位置，使檢查光通過物鏡，從空白光罩之上方照射(步驟S203)，使照射有檢查光的區域之反射光通過檢查光學系統的物鏡，作為包含缺陷的區域之放大影像收集(步驟S204)。位置對準係能以將檢查對象的空白光罩載置於可在其面內方向中移動的載台上，以檢查對象的空白光罩之缺陷的位置座標為基礎，使載台在上述面內方向中移動，而使缺陷維持在上述檢查光學系統之物鏡的對焦點面之方法來實施。
隨後，從所收集之放大影像的光強度分布(圖像數據(檢查圖像)或剖面輪廓等)，抽出缺陷部中的檢查圖像之光強度的變化部分之特徵，即放大影像的特徵量(步驟S205)。
然後，作為(A4)步驟，以在步驟S205所抽出之放大影像的特徵量與空白光罩的膜構造(膜態樣)為基礎，判定缺陷的凹凸形狀(步驟S206)。凹凸形狀的判定步驟之具體例係如後述。再者，藉由對於檢查圖像施予眾所周知的圖像處理，亦可預測缺陷尺寸。將此等的缺陷之凹凸形狀或缺陷尺寸之預測值與缺陷位置座標一起記錄作為缺陷資訊(步驟S207)。
接著，以預先輸入的缺陷位置座標資訊為基礎，對於全部的缺陷，判斷是否檢查結束(判斷D201)，若未完成，則指定新的缺陷之位置(步驟S208)，回到步驟S203，重複檢查圖像數據的收集與缺陷的凹凸判斷。然後，對於預先輸入的全部缺陷，判斷為檢查結束時(判斷D201)，缺陷檢查係結束。
接著，說明凹凸形狀之判定步驟的具體例。於圖2所示的缺陷檢查裝置之控制裝置所連接的記錄裝置153中，儲存缺陷資訊，連同如圖9所示之表示檢測出缺陷時的檢查訊號之特徵與各式各樣的空白光罩之光學膜(薄膜)的構造之關係的表格。所謂檢查訊號之特徵，就是缺陷部中明部為優勢的圖像、暗部為優勢的圖像、左側為明部且右側為暗部的圖像、左側為暗部且右側為明部的圖像等。又，作為光學膜(薄膜)之構造，例如膜構造A為前述之膜態樣1，對於檢查光而言透明且膜厚為10nm以下之硬遮罩薄膜形成在最表面之構造。又，膜構造B為前述之膜態樣2，形成在最表面的膜厚10nm以下之硬遮罩薄膜的檢查光反射率高於其下層之光學薄膜的檢查光反射率之情況。另外，所謂的膜構造C，就是在最表面形成由MoSi系材料所成之光學薄膜的構造，再者所謂的膜構造D，就是在最表面形成由厚度為20nm以上的Cr系材料所成之光學薄膜的構造。
若參照圖9所示之表格，於各種的膜構造中，若抽出缺陷檢查所得之檢查圖像的特徵，則可識別其缺陷為致命的針孔缺陷或凸缺陷。即，由於在前述之步驟S205中抽出放大影像的特徵量，而在判定缺陷的凹凸形狀之步驟S206中，可進行為了從被檢查基板的膜構造與放大影像的特徵來界定缺陷的種類而參照圖9所示的表格，識別缺陷的凹凸形狀。特別地，亦可判定是否為致命的針孔缺陷。
再者，圖9所示的表格中之凹缺陷的判斷基準係有依賴於空間濾波器SPF的光之遮蔽狀況而變化的情況。例如，於膜構造C或膜構造D中，若左右相反地設定空間濾波器的光之遮蔽部分，則放大影像之特徵的明部與暗部之配置位置所對應的凹缺陷與凸缺陷之判定亦相反。 　　又，表格係不受檢查圖像的剖面輪廓所限定，亦可為2次元光強度分布之圖像。再者，按照過去之缺陷檢查實績或新穎的膜態樣之導入，亦可逐次追加。
接著，沿著圖10所示之流程圖，說明採用本發明之缺陷檢查方法的光罩之分選方法。首先，準備被檢查空白光罩(步驟S211)，接著實施上述所示的空白光罩之缺陷檢查，記錄包含所檢測出的全部缺陷之凹凸形狀與尺寸的缺陷資訊(步驟S212)。然後，於所記錄的缺陷資訊之中，調查是否包含針孔缺陷等的凹缺陷(判斷D211)。若包含凹缺陷，則將其空白光罩作為不良品分選(步驟S213)。不含凹缺陷時，若進一步判斷缺陷的尺寸預測值為指定的容許值以下(判斷D212)，則將其空白光罩作為良品分選(步驟S214)。相反地，若判斷缺陷的尺寸預測值為指定的容許值以上(判斷D212)，則將空白光罩作為不良品分選(步驟S213)。
藉由本發明之缺陷檢查方法，於空白光罩之最表面部形成有硬遮罩薄膜等之例如膜厚為10nm以下的薄膜時，抽出缺陷檢查圖像(放大影像)的特徵量，參照在膜態樣規定固有的缺陷凹凸形狀之表格，藉此能以高可靠性區別缺陷之凹凸形狀。
藉由將能以高可靠性區別缺陷之凹凸形狀的本發明之缺陷檢查方法應用於空白光罩的製造步驟，可以高可靠性抽出具有凹缺陷尤其針孔缺陷的空白光罩，分選不含針孔缺陷等的凹缺陷之空白光罩。又，由本發明之缺陷檢查方法所得的缺陷之凹凸形狀的資訊，係可藉由附帶檢驗標識等之方法，賦予至空白光罩。
以往，因為對於依賴於膜構造而針孔缺陷之觀察圖像不同一事的理解為不充分，故有漏看致命的針孔缺陷或將具有未必是致命缺陷的缺陷之空白光罩作為不良品排除之可能性。此成為良率降低的主要原因，但藉由本發明之缺陷檢查方法，由於可選擇地排除具有成為存在於空白光罩之致命缺陷的凹缺陷之空白光罩，故能高良率地提供符合製品規格的空白光罩。 [實施例]
以下，顯示實施例，具體地說明本發明，惟本發明不受以下的實施例所限定。
[實施例1] 　　實施第1膜態樣之包含凹缺陷及凸缺陷之空白光罩的缺陷檢查。作為檢查裝置，使用圖2所示的包含檢查光學系統151之裝置。從光源ILS發出的檢查光之波長為532nm，物鏡OBL之數值孔徑NA為0.95。檢查光BM1係通過物鏡OBL，從上方會聚照明空白光罩MB。如圖11所示，經會聚的照明光點係用掃描手段(未圖示)，單向掃描包含缺陷DEF6的空白光罩100之表面MBS。另一方面，載有空白光罩MB的載台STG係在與前述掃描方向正交的方向中間歇地或連續地移動。藉由此等之照明光點的掃描與載台之移動的組合，將照明光點2次元地掃描於包含缺陷部的指定區域內。然後，使以各個照明光點所得之來自空白光罩的反射光，通過物鏡OBL與遮蔽反射光的右半部分之空間濾波器SPF與透鏡L1而會聚，以光檢測器SE收集其光強度。將所收集的光強度對準照明光點的位置而2次元地配置，藉此生成缺陷的檢查圖像(放大影像)。此處，空白遮罩之表面中的照明光點之尺寸為約400nm，包含缺陷部的2次元搜查區域為約30μm´30μm的矩形區域。
圖12(A)係第1膜態樣之包含針孔缺陷的空白光罩100之剖面圖，顯示在對於檢查光而言透明的石英基板101上，形成有由MoSi系材料所成之厚度75nm的光學薄膜112、由Cr系材料所成之厚度44nm的光學薄膜113及由氧化矽所成之厚度10nm的硬遮罩薄膜114，直徑W1的針孔缺陷DEF6存在於硬遮罩薄膜114上之狀態。設想缺陷尺寸(=直徑)W1=80nm與300nm時，以上述的照明光點掃描包含此等缺陷的區域，圖12(B)中顯示作為對應於掃描位置的反射光強度之排列，所得之檢查放大影像之包含缺陷的區域之剖面輪廓。此放大影像之特徵係在任一缺陷尺寸W1中，以無缺陷的區域之反射光強度作為基準，皆暗部幾乎不出現，成為明部為優勢的輪廓。硬遮罩薄膜114由於對於檢查光而言實質上為透明，具有抗反射膜之作用。因此，硬遮罩薄膜114的表面係反射率降低，其下層面露出的針孔缺陷部之反射率係高於周邊部的反射率。結果，檢查圖像的針孔部變成明部。於檢查空白光罩的階段中，缺陷的真實凹凸形狀為未明，但若以被檢查空白光罩為第1膜態樣之光學薄膜構造，以及缺陷觀察圖像(放大影像)之特徵係明部為優勢為基礎，參照圖9所示的表格時，缺陷係判定為針孔缺陷。
另一方面，圖13(A)係與圖12(A)所示的膜構造相同的第1膜態樣，為包含凸缺陷DEF8的空白光罩100之剖面圖。作為凸缺陷部之組成，指定與由氧化矽所成之硬遮罩薄膜114相同的組成及非晶矽(Si)之2種。圖13(B)中顯示將凸缺陷DEF8的寬度W1設為80nm將高度H1設為10nm及30nm時的檢查放大影像之包含缺陷的區域之剖面輪廓。於W1=80nm的凸缺陷之檢查放大影像中，雖然依賴於高度或組成而強度水準變化，但是成為缺陷部係暗部為優勢的檢查圖像，輪廓為與圖12(B)中所示的針孔缺陷之檢查圖像不同。因此，可與針孔缺陷區別。
再者，圖13(C)係顯示凸缺陷尺寸為W1= 400nm時的檢查放大影像之包含缺陷的區域之剖面輪廓之圖。此處，當組成為氧化矽時，缺陷高度為H1=30nm，當組成為非晶矽時，H1=10nm。此時，當組成為氧化矽時，得到缺陷部成為暗部之檢查圖像，當組成為非晶矽時，得到缺陷部係明部與暗部並列的檢查圖像。由於皆與針孔缺陷的檢查圖像不同，故可區別。
此處，藉由利用檢查圖像的輪廓或圖像的對比之運算處理，可從檢查圖像來預測缺陷尺寸。於空白遮罩製造中的缺陷檢查步驟中，得到圖13(C)之檢查圖像時，可推測缺陷尺寸為超過300nm之值。此處，例如若將容許缺陷尺寸設為100nm，則判斷為不是致命的針孔缺陷，但容許值以上之凸缺陷存在，可將其空白光罩作為不良品分選。
根據以上，在於光學薄膜之上形成有作為抗反射膜作用的薄膜之硬遮罩薄膜之空白光罩中，若缺陷之檢查圖像的光強度分布為明部優勢，則是致命的針孔缺陷，若暗部為優勢或左側為明部且右側為暗部，則是凸缺陷。將此等之資訊預先作為膜構造A中的檢查放大影像之特徵，儲存於圖9所示的表格中。然後，於第1膜態樣中之缺陷檢查中，可參照表格中的膜構造A，進行正確的凹凸判定，可界定致命的針孔缺陷。
[實施例2] 　　實施第2膜態樣之包含凹缺陷及凸缺陷之空白光罩的缺陷檢查。作為檢查裝置，使用包含圖2所示的檢查光學系統151之裝置。惟，檢查波長為355nm，物鏡OBL之數值孔徑NA為0.85，由於比實施例1所使用的檢查光學系統解析度更高，照明光點尺寸成為約380nm。2次元掃描區域係與上述之實施例1相同。圖14(A)所示的空白光罩100係顯示在對於檢查光而言透明的石英基板101上，形成有由MoSi系材料所成之膜厚75nm的光學薄膜122及厚度10nm的由Cr系材料所成之硬遮罩薄膜123，針孔缺陷等的凹缺陷DEF10存在於硬遮罩薄膜123之狀態。
圖14(B)中顯示將凹缺陷DEF10的寬度設為80nm，將深度D2設為5nm(未貫穿硬遮罩薄膜123的凹缺陷)與10nm(貫穿硬遮罩薄膜123的凹缺陷)之2種類時之檢查圖像的光強度之包含缺陷的區域之剖面輪廓。於任一深度中，皆缺陷檢查圖像係暗部為優勢的輪廓，明部未出現。
另一方面，圖15(A)係與圖14(A)所示的膜構造相同的第2膜態樣中之包含凸缺陷DEF11的空白光罩100之剖面圖。圖15(B)中顯示凸缺陷DEF11之組成亦為由Cr系材料所成之硬遮罩薄膜123本身與矽異物(顆粒)之2種，將其寬度W2設為80nm、將高度H2設為10nm時的檢查放大影像之包含缺陷的區域之剖面輪廓。凸缺陷的檢查放大影像係在任一組成中，皆成為缺陷部的左側為明部，右側為暗部。雖然依賴於組成而強度水準變化，但是成為與圖3(D)所示之典型的凸缺陷之光強度分布(剖面輪廓PR1)同樣的明暗位置關係。
根據以上，在於光學薄膜之上形成有由高反射率材料所成的硬遮罩薄膜等之薄膜的空白光罩中，若缺陷之檢查圖像的光強度分布係暗部為優勢，則是致命的針孔缺陷，若左側為明部且右側為暗部，則是凸缺陷。
將檢查波長設為355nm時的此等之資訊預先作為膜構造B中的檢查放大影像之特徵，儲存於圖9所示的表格中。然後，於第2膜態樣之缺陷檢查中，可參照表格中的膜構造B，進行正確的凹凸判定，可界定致命的針孔缺陷。
100‧‧‧空白光罩101‧‧‧透明基板102、103、112、113、122‧‧‧光學薄膜103、114、123‧‧‧加工輔助薄膜或硬遮罩薄膜150‧‧‧缺陷檢查裝置151‧‧‧檢查光學系統152‧‧‧控制裝置153‧‧‧記錄裝置154‧‧‧顯示裝置BM1‧‧‧檢查光BM2‧‧‧反射光BSP‧‧‧分束器DEF1、DEF2、DEF5、DEF6、DEF7、DEF10‧‧‧凹缺陷或針孔缺陷DEF3、DEF4、DEF8、DEF9、DEF11‧‧‧凸缺陷ILS‧‧‧光源L1‧‧‧透鏡MB‧‧‧空白光罩OBL‧‧‧物鏡SE‧‧‧光檢測器STG‧‧‧載台SPF‧‧‧空間濾波器
圖1係顯示缺陷存在於空白光罩之例的剖面圖，(A)、(B)顯示凹缺陷的針孔缺陷存在之空白光罩之圖，(C)顯示凸缺陷存在之空白光罩之圖。 　　圖2係顯示空白光罩的缺陷檢查所用的檢查裝置之構成的一例之圖。 　　圖3係顯示在空白光罩之表面所存在的凸缺陷與其檢查圖像的一例之圖，(A)係缺陷部的空白光罩平面圖，(B)係缺陷部的空白光罩剖面圖，(C)係其凸缺陷的檢查圖像，(D)係顯示檢查圖像之光強度分布的剖面圖之圖。 　　圖4係顯示在空白光罩之表面所存在的凹缺陷與其觀察圖像之例之圖，(A)係缺陷部的空白光罩剖面圖，(B)係顯示檢查圖像之光強度分布的剖面圖之圖。 　　圖5係顯示第1膜態樣中的構造與檢查圖像的剖面輪廓之圖，(A)係凹缺陷的針孔缺陷存在於最上層膜之空白光罩剖面圖，(B)係顯示缺陷的檢查圖像之圖。 　　圖6係顯示第1膜態樣中的構造與檢查圖像的剖面輪廓之圖，(A)係凹缺陷存在於從最上層起第2層中之空白光罩剖面圖，(B)係附著異物缺陷存在之空白光罩剖面圖，(C)係與最上層相同材質的凸缺陷存在之空白光罩剖面圖，(D)、(E)、(F)係分別顯示(A)、(B)、(C)中所示的缺陷之檢查圖像之圖。 　　圖7係顯示第2膜態樣中的構造與檢查圖像的剖面輪廓之圖，(A)係針孔缺陷存在於最上層膜中之空白光罩剖面圖，(B)係顯示其缺陷的檢查圖像之光強度剖面輪廓之圖。 　　圖8係顯示空白光罩的缺陷檢查方法之步驟的一例之流程圖。 　　圖9係使缺陷檢查圖像的特徵量及膜態樣與缺陷形狀對應之表格。 　　圖10係顯示判定空白光罩的良品之步驟的一例之流程圖。 　　圖11係顯示掃描檢查用的照明光點之狀況之圖。 　　圖12(A)係實施例1之具有凹缺陷的空白光罩之剖面圖，(B)係顯示檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓之圖。 　　圖13(A)係實施例1之具有凸缺陷的空白光罩之剖面圖，(B)係顯示檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓之圖，(C)係顯示不同尺寸之缺陷檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓之圖。 　　圖14(A)係實施例2之具有凹缺陷的空白光罩之剖面圖，(B)係顯示檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓之圖。 　　圖15(A)係實施例2之具有凸缺陷的空白光罩之剖面圖，(B)係顯示檢查圖像的光強度分布之剖面輪廓之圖。

Claims (18)

  1. 一種空白光罩之缺陷檢查方法，其特徵為包含下列步驟：(A1)在光學透明的基板上準備具有至少1層的薄膜之空白光罩之步驟，該空白光罩之表面部存在缺陷，(A2)移動此空白光罩，使在該空白光罩之表面部所存在的缺陷移動到檢查光學系統的觀察位置，將檢查光照射到包含上述缺陷的表面區域，通過該檢查光學系統收集來自經照射有檢查光的區域之反射光，作為上述區域的放大影像之步驟，(A3)抽出上述放大影像的特徵量之步驟，與(A4)以上述特徵量與空白光罩的薄膜之態樣之組合為基礎，判斷缺陷的形狀之步驟，且(A2)步驟中的放大影像係以反射光中通過檢查光學系統的繞射成分所生成，同時以相對於反射光的0次繞射成分(正反射成分)而言正負的非對稱之高次繞射成分所形成的放大影像。
  2. 如請求項1之空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A3)步驟包含將上述放大影像中的缺陷部之光強度水準的變化與缺陷周邊部之光強度水準比較之處理步驟，且係抽出光強度高的明部與光強度低的暗部之強度差及明部與暗部的配置位置關係之缺陷檢查圖像的特徵量。
  3. 如請求項1或2之空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A4)步驟係以上述放大影像的特徵量與空白光罩的薄膜之態樣的資訊為基礎，參照預先以光學模擬或實驗數據為基礎所作成之能選擇針孔缺陷或凸缺陷的表格，判斷缺陷的形狀之步驟。
  4. 如請求項3之空白光罩之缺陷檢查方法，其中於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出明部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面對於檢查光而言為透明的薄膜，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷。
  5. 如請求項3之空白光罩之缺陷檢查方法，其中於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出暗部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面的薄膜之檢查光反射率比下層之檢查光反射率更高的膜構造，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷。
  6. 如請求項1或2之空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述薄膜之膜厚為10nm以下。
  7. 如請求項1或2之空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述檢查光為波長210~550nm之光。
  8. 一種空白光罩之缺陷檢查系統，其包含：對於在光學透明的基板上形成有至少一層的薄膜之空白光罩的該薄膜表面，照射檢查光，捕捉來自照射有檢查光的區域之反射光，檢查在空白光罩之表面部所存在的缺陷之檢查裝置，與具有實行如請求項1至7中任一項之空白光罩之缺陷檢查方法之步驟的程式之電腦。
  9. 一種空白光罩之分選方法，其特徵為以藉由如請求項1至7中任一項之空白光罩之缺陷檢查方法所判定的缺陷之凹凸形狀為基礎，分選不含針孔缺陷的空白光罩。
  10. 一種空白光罩之製造方法，其特徵為包含：在光學透明的基板上形成至少1層的薄膜之步驟，與藉由如請求項9之空白光罩之分選方法，分選在上述薄膜中不含針孔缺陷的空白光罩之步驟。
  11. 一種空白光罩之缺陷檢查方法，其包含下列步驟：(A1)在光學透明的基板上準備具有至少1層的薄膜之空白光罩之步驟，該空白光罩之表面部存在缺陷，(A2)移動此空白光罩，使在該空白光罩之表面部所存在的缺陷移動到檢查光學系統的觀察位置，將檢查光照射到包含上述缺陷的表面區域，通過該檢查光學系統收集來自經照射有檢查光的區域之反射光，作為上述區域的放大 影像之步驟，(A3)抽出上述放大影像的特徵量之步驟，與(A4)以上述特徵量與空白光罩的薄膜之態樣之組合為基礎，判斷缺陷的形狀之步驟，其中(A4)步驟係以上述放大影像的特徵量與空白光罩的薄膜之態樣的資訊為基礎，參照預先以光學模擬或實驗數據為基礎所作成之能選擇針孔缺陷或凸缺陷的表格，判斷缺陷的形狀之步驟，且i)於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出明部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面對於檢查光而言為透明的薄膜，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷，或ii)於(A3)步驟中，當缺陷的放大影像係抽出暗部為優勢的圖像之特徵量時，只要是被檢查空白光罩之最表面的薄膜之檢查光反射率比下層之檢查光反射率更高的膜構造，則判斷所檢測出的缺陷為針孔缺陷。
  12. 如請求項11之空白光罩之缺陷檢查方法，其中(A2)步驟中的放大影像係以反射光中通過檢查光學系統的繞射成分所生成，同時以相對於反射光的0次繞射成分(正反射成分)而言正負的非對稱之高次繞射成分所形成的放大影像。
  13. 如請求項11或12之空白光罩之缺陷檢查方法，其中 (A3)步驟包含將上述放大影像中的缺陷部之光強度水準的變化與缺陷周邊部之光強度水準比較之處理步驟，且係抽出光強度高的明部與光強度低的暗部之強度差及明部與暗部的配置位置關係之缺陷檢查圖像的特徵量。
  14. 如請求項11或12之空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述薄膜之膜厚為10nm以下。
  15. 如請求項11或12之空白光罩之缺陷檢查方法，其中上述檢查光為波長210~550nm之光。
  16. 一種空白光罩之缺陷檢查系統，其包含：對於在光學透明的基板上形成有至少一層的薄膜之空白光罩的該薄膜表面，照射檢查光，捕捉來自照射有檢查光的區域之反射光，檢查在空白光罩之表面部所存在的缺陷之檢查裝置，與具有實行如請求項11至15中任一項之空白光罩之缺陷檢查方法之步驟的程式之電腦。
  17. 一種空白光罩之分選方法，其特徵為以藉由如請求項11至15中任一項之空白光罩之缺陷檢查方法所判定的缺陷之凹凸形狀為基礎，分選不含針孔缺陷的空白光罩。
  18. 一種空白光罩之製造方法，其特徵為包含： 在光學透明的基板上形成至少1層的薄膜之步驟，與藉由如請求項17之空白光罩之分選方法，分選在上述薄膜中不含針孔缺陷的空白光罩之步驟。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7320416B2 (ja) * 2018-09-28 2023-08-03 Hoya株式会社 フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置
JP7202861B2 (ja) * 2018-11-30 2023-01-12 Hoya株式会社 欠陥検査方法、並びにマスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP7192720B2 (ja) * 2019-09-04 2022-12-20 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの欠陥分類方法及び欠陥分類システム並びにフォトマスクブランクの選別方法及び製造方法
JP2022159652A (ja) 2021-04-05 2022-10-18 信越化学工業株式会社 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びフォトマスクブランクの製造方法
CN115308985B (zh) * 2022-08-22 2023-11-21 中科卓芯半导体科技(苏州)有限公司 一种用于光掩膜基版的柔性打磨控制方法及系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090091752A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Renesas Technology Corp. Apparatus and a method for inspection of a mask blank, a method for manufacturing a reflective exposure mask, a method for reflective exposure, and a method for manufacturing semiconductor integrated circuits
TW201113514A (en) * 2009-06-22 2011-04-16 Asml Netherlands Bv Object inspection systems and methods
TW201602717A (zh) * 2014-05-06 2016-01-16 克萊譚克公司 使用近場復原之光罩檢測
TW201612624A (en) * 2014-06-26 2016-04-01 Nuflare Technology Inc Mask inspection apparatus, mask evaluation method and mask evaluation system
TW201629621A (zh) * 2014-10-24 2016-08-16 信越化學工業股份有限公司 空白光罩之缺陷尺寸之評價方法、篩選方法及製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3614741B2 (ja) 1999-12-17 2005-01-26 日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 欠陥検出光学系および表面欠陥検査装置
JP4084580B2 (ja) 2001-03-06 2008-04-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面欠陥検査装置
JP2005265736A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Toshiba Corp マスク欠陥検査装置
JP2007219130A (ja) 2006-02-16 2007-08-30 Renesas Technology Corp マスクブランクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法
JP2013019766A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Lasertec Corp 検査装置及び検査方法
JP2017015692A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090091752A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Renesas Technology Corp. Apparatus and a method for inspection of a mask blank, a method for manufacturing a reflective exposure mask, a method for reflective exposure, and a method for manufacturing semiconductor integrated circuits
TW201113514A (en) * 2009-06-22 2011-04-16 Asml Netherlands Bv Object inspection systems and methods
TW201602717A (zh) * 2014-05-06 2016-01-16 克萊譚克公司 使用近場復原之光罩檢測
TW201612624A (en) * 2014-06-26 2016-04-01 Nuflare Technology Inc Mask inspection apparatus, mask evaluation method and mask evaluation system
TW201629621A (zh) * 2014-10-24 2016-08-16 信越化學工業股份有限公司 空白光罩之缺陷尺寸之評價方法、篩選方法及製造方法

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