JP2007258064A - 検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ウェハのエッジ部の側面、上面及び下面から発生する二次電子や反射電子等の荷電粒子が干渉することなく、良好な精密画像を得て、ウェハのエッジ部を観察・検査することができるようにする。
【解決手段】 複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する。複数の電子顕微鏡装置を配置する場合、ウェハの表面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、裏面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、側面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが一致しないように複数の電子顕微鏡装置が互いに離して配置されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、ウェハ、例えば半導体ウェハのエッジを観察・検査するための検査装置に関する。
従来から、ウェハのエッジ部の、マイクロクラックによる半導体デバイス作製工程中のウェハ割れや、半導体プロセス中のウェハのエッジ変形、欠けによるウェハ割れ、異物発生が問題になってきている。
また、Cu、low−k膜、ARC、CVD膜、スパッタ膜、ドライエッチ後のポリマー残りなどの、ウェハのエッジ部表面あるいは裏面の付着物による、その後の工程における、はがれ等に起因する半導体デバイスの歩留まり低下が問題になってきている。
このため、非特許文献1に示すように、上記付着物を取り除くための研磨装置や、上記付着物の有無を検査する検査装置が使用されている。
例えば、特許文献1の0015、0022段落と図1に記載されているように、アライメント機構によりウェハの中心位置を駆動機構の回転中心に位置決めし、ステージ上に搭載されたウェハの外周部で、ウェハの表面と裏面からそれぞれ観察するTVカメラと、ウェハの側面から観察するTVカメラをそれぞれ配置し、ウェハの周辺部、側面、下部の観察をカメラで位置精度よく行なう観察装置が知られている。
特許文献2の0031段落と図1〜2に記載されているように、ウェハの周端縁の側面、上面及び下面に対応し各面に対して撮像方向を略直角に対応させて夫々配置した側面用撮像カメラ、上面用撮像カメラ及び下面用撮像カメラを備え、ウェハの周端縁の側面、上面及び下面をカメラで観察してエッジ検査を行なう検査装置が知られている。
特許文献3においても、同様に、カメラで観察してエッジ検査が行われている。
また、特許文献4の第7頁左欄第11行〜同頁同欄第31行、第9図に示されているように、超小型の電子顕微鏡を、ウェハを挟むように、ウェハの上側及び下側にそれぞれ配置し、ウェハの表裏を同時に観察するパターン検査装置が知られている。
また、検査装置により検出した欠陥を詳細に観察するために、例えば特許文献5に示すように、ステージを60度傾斜させ、ウェハの下BevelからApex、ウェハ表面までの観察を可能にし、360°にわたってエンドレスな回転移動によりウェハのエッジ全周の観察を行なう電子顕微鏡装置(SEM)も提案されている。
Electron Journal 2006年 2月号 第84頁〜第86頁 特開2001−221749号公報 特許3629244号公報 アメリカ特許第6947588号公報 特許2810216号公報 特開平11−162386号公報
しかしながら、特許文献4の電子顕微鏡装置では、ステージを60度傾けて観察をするため、エッジの側面と裏面の観察が困難である。
また、特許文献1、2、3では、撮像カメラを用いているため、ウェハエッジの微細な欠陥などを発見することができない。
また、特許文献4のように、ウェハの表裏の両側に複数の電子顕微鏡の光軸を近づけて設けると、ウェハエッジの側面、上面及び下面から発生する二次電子や反射電子等の荷電粒子が誤って他の電子顕微鏡の検出器によって検出されてしまい、信号が混乱して、画像が乱れ、精密な画像を得ることができない虞がある。
そこで、本発明は、上記問題点を解決できるように複数の電子顕微鏡を配置した検査装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本願の請求項1に係る発明は、複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置が、ウェハの表面側、裏面側、側面側において互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置である。
また、請求項2に係る発明は、複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、ウェハの表面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、裏面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが一致しない形で、複数の電子顕微鏡装置が互いに離して配置されていることを特徴とする検査装置である。
また、請求項3に係る発明は、複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、ウェハの表面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、側面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置である。
また、請求項4に係る発明は、複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、ウェハの裏面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、側面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置である。
また、請求項5に係る発明は、前述の検査装置において、少なくとも2つの電子顕微鏡装置の荷電粒子線をパルス状にし、パルスの間隔あるいはパルスの位相を異なるようにし、夫々の電子顕微鏡装置から得られる信号について、上記パルスに対して同期検波を行なうようにしたことを特徴とする検査装置である。
また、請求項6に係る発明は、前述の検査装置において、少なくとも1つの電子顕微鏡装置は、磁界型レンズであり、他の電子顕微鏡装置は静電型レンズを有するものであることを特徴とする検査装置である。
また、請求項7の発明は、前述の検査装置において、電子顕微鏡装置は静電型レンズを有するものであることを特徴とする検査装置である。
また、請求項8の発明は、前述の検査装置において、静電型レンズを有する電子顕微鏡装置の内部に、2次電子検出器が配置されていることを特徴とする検査装置である。
また、請求項9の発明は、前述の検査装置において、ウェハのエッジ上面観察用の光学顕微鏡が、アライメント及び高速検査のために用いられることを特徴とする検査装置である。
また、請求項10の発明は、前述の検査装置において、ウェハのエッジ上面観察用の光学顕微鏡を有し、ズーム、若しくは、少なくとも2つの倍率の切り替え機能を有することを特徴とする検査装置である。
また、請求項11の発明は、前述の検査装置において、複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置の配置位置は、可変であることを特徴とする検査装置である。
また、請求項12の発明は、光学式のウェハエッジ検査装置を用いて検出した欠陥の位置座標を入力し、当該位置座標を荷電粒子線を用いてレビューする機能を有することを特徴とする前述の検査装置である。
本発明の検査装置は、ウェハの表裏の両側で荷電粒子が干渉を生じないように、複数の電子顕微鏡装置が互いに空間的に離して配置されていることから、ウェハエッジ部の側面、上面及び下面から発生する二次電子や反射電子等の荷電粒子が誤って別の電子顕微鏡装置の検出器によって検出されることがなく、良好な精密画像を得て、ウェハエッジを観察・検査することができる。
図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
図1は、本発明に係る検査装置を示す概略説明図である。
図2は、3つの小型電子顕微鏡装置の配置関係を上から概略的に示している。
なお、図1〜2の実施例では、3つの小型電子顕微鏡装置を使用しているが、本発明は、これに限定されず、2つ又は4つ以上の小型電子顕微鏡装置を配置してもよい。
検査対象であるウェハ1は、例えば半導体ウェハ1である。
ウェハ1は回転テーブル2上に載置されている。図示しない微動XYステージに回転テーブル2の支軸が載置されている。図示しない駆動機構により、回転テーブル2はXY方向に移動可能で、かつ、回転するように構成されている。
光学顕微鏡であるアライメント検査用のカメラ3が、ウェハ1の上側に配置されている。図示しない制御装置により、ウェハ1の中心位置は、前述の駆動機構の回転中心に位置決め制御されている。
図1〜2に示されている検査装置は、アライメント及び高速検査のための使用が可能であり、ズーム機能や、少なくとも2つの倍率の切り替え機能を有する。
ウェハ1のオリフラあるいはノッチの位置を検出してアライメントをする。回転テーブル2に対してウェハ1の中心位置は偏心しているので、図示しない微動XYステージにより偏心をとって、回転テーブル2の支軸中心とウェハ1の中心位置とを一致させる。
ウェハ1の上側近くには、ウェハエッジ部1aのエッジ上面を観察するためのエッジ上面観察用の小型電子顕微鏡装置4(走査型電子顕微鏡装置)が設けられている。
また、ウェハ1の側面近くには、ウェハエッジ部1aのエッジ側面(サイド)を観察するためのエッジ側面観察用の小型電子顕微鏡装置5(走査型電子顕微鏡装置)が設けられている。
さらに、ウェハ1の下側近くには、ウェハエッジ部1aの下面を観察するためのエッジ裏面観察用の小型電子顕微鏡装置6(走査型電子顕微鏡装置)が設けられている。
これらの小型電子顕微鏡装置4、5、6は、図2に示すように、二次電子検出器や反射電子検出器により検出される二次電子や反射電子が干渉しないように間隔をおいて空間的に離して配置されていて、ウェハ1の表面・裏面とくにエッジ部1aの異なる部分(互いに離れた部分)を観察・検査する。これは、3つの電子顕微鏡装置4、5、6から得られた信号(2次電子、反射電子等)を分離するためである。
ウェハ1の表裏の両側で全ての電子顕微鏡装置4、5、6が互いに空間的に離れるように配置する形態をより具体的に説明すると、夫々の電子顕微鏡装置4、5、6の電子線がエッジ部1aに照射され検査される測定点の距離は50mm以上離れており、夫々の電子顕微鏡装置4、5、6が配置される。
具体的には、ウェハ1のエッジ側面に配置される電子顕微鏡装置5と、ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡装置4は、ウェハ1の周縁に沿った距離ではなく、直線距離で50mm以上離して配置する。ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡装置4と、ウェハ1の下面に配置される電子顕微鏡装置6も、ウェハ1の周縁に沿った距離ではなく、直線距離で50mm以上離して配置する。
なお、図2に示す電子顕微鏡装置4、5、6の配置は一例であり、これに限定されず、ウェハ1のエッジ側面に配置される電子顕微鏡装置5を、ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡4と、ウェハ1の下面に配置される電子顕微鏡装置6の間に配置してもよいし、ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡装置4と、ウェハ1の下面に配置される電子顕微鏡装置6との配置位置を入れ替えて配置してもよい。
なお、各々の電子顕微鏡装置4、5、6の光軸が一致せず、接近しない間隔を置いてもいいし、空間的に各々の電子顕微鏡装置4、5、6が離隔して配置されていてもよい。
本願で、「荷電粒子の干渉を回避する」とは、以下に示す事項を意味する。例えば電子顕微鏡装置4でウェハ1のエッジ部1aから得られた信号(2次電子、反射電子等)は、電子顕微鏡装置4の検出器(2次電子検出器、反射電子検出器等)でのみ検出され、ウェハ1のエッジ側面(サイド)に配置された電子顕微鏡5の検出器(2次電子検出器、反射電子検出器等)で検出されることがなく、かつ電子顕微鏡装置5でウェハ1のエッジ部1aから得られた信号(2次電子、反射電子等)は、電子顕微鏡5の検出器でのみ検出され、ウェハ1のエッジ1aの上面に配置された電子顕微鏡4の検出器で検出されることがない。同様に、電子顕微鏡装置6でウェハ1のエッジ部1aから得られた信号(2次電子、反射電子等)は、電子顕微鏡装置6の検出器(2次電子検出器、反射電子検出器等)でのみ検出され、ウェハ1のエッジ側面に配置された電子顕微鏡5の検出器で検出されることなく、かつ電子顕微鏡装置5でウェハ1のエッジ部1aから得られた信号は、電子顕微鏡5の検出器でのみ検出され、ウェハ1のエッジ1aの下面に配置された電子顕微鏡6の検出器で検出されることがない。3つの電子顕微鏡装置4、5、6の夫々で発生した電子線をウェハ1のエッジ部1aに照射して発生した信号(2次電子、反射電子等)は、夫々の電子顕微鏡装置の検出器(2次電子検出器、反射電子検出器等)でのみ検出され、別の電子顕微鏡装置の検出器(2次電子検出器、反射電子検出器等)で検出されることがない。
また、ウェハのエッジ部(周端縁)のエッジ上面を観察するためのエッジ上面観察用小型電子顕微鏡装置4の光軸と、ウェハエッジ部のエッジ側面(サイド)を観察するためのエッジ側面観察用の小型電子顕微鏡装置5の光軸は、互いに空間的に離して配置されている。例えば、夫々の光軸は、例えば直交することもなく、平行でもない、ねじれの位置にある。この点をより具体的に説明すると、ウェハ1のエッジ側面に配置される電子顕微鏡装置5と、ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡装置4は、ウェハ1の周縁に沿った距離ではなく、直線距離で50mm以上離して配置する。
同様に、ウェハ1の下側近くには、ウェハエッジ部の下面を観察するためのエッジ裏面観察用の小型電子顕微鏡装置6の光軸と、ウェハ周端縁のエッジ側面(サイド)を観察するためのエッジ側面観察用の小型電子顕微鏡装置5の光軸とが、互いに空間的に離して配置されている。すなわち、夫々の光軸は、例えば直交することもなく、平行でもない、ねじれの位置にある。この点をより具体的に説明すると、ウェハ1の上面に配置される電子顕微鏡装置4と、ウェハ1の下面に配置される電子顕微鏡装置6も、ウェハ1の周縁に沿った距離ではなく、直線距離で好ましくは50mm以上離して配置する。
また、3つの小型電子顕微鏡装置4、5、6に限定されず、本発明は、それ以外の複数の小型電子顕微鏡装置をウェハ1のエッジ部(周端縁)1aの周辺近くに配置した例を含む。
これらの小型電子顕微鏡装置4、5、6から得られた画像はモニタ(図示せず)に表示され、画像処理装置(図示せず)により画像処理され、ディスプレイ(図示せず)に表示される。
また、上述した3つの小型電子顕微鏡装置4、5、6のうち、少なくとも2つの電子顕微鏡装置の荷電粒子ビームをパルス状にし、パルスの間隔を異なるようにするのが好ましい。
パルスの位相を異なるようにしてもよい。
各々の小型電子顕微鏡装置4、5、6に内蔵された2次電子検出器、反射電子検出器などからの信号に対して、上記パルスに対して同期検波を行うのが好ましい。荷電粒子ビームをパルス波にすることにより、ウェハ1のコンタクトホール等の微細な領域にまでビームが瞬時に到達することができ、微細な領域における観察・検査を可能にするからである。
また、上述した3つの小型電子顕微鏡装置4、5、6のうち、1つの電子顕微鏡装置は、磁界型のレンズを有するもの(従来の電子顕微鏡装置)にして、他の2つの電子顕微鏡装置は、静電型レンズを有するものにしてもよい。磁界型レンズが配置された従来の電子顕微鏡装置に、静電型レンズを内蔵させることにより、製造コストを低減させることができる。
また、上述した3つの小型電子顕微鏡装置4、5、6のすべてが静電型レンズを有するものであってもよい。
なお、上述した静電型レンズを有する電子顕微鏡装置の内部には、通例、2次電子検出器が配置されている。
また、3つの小型電子顕微鏡装置4、5、6は図示しないXYZθアクチュエータで可動させることもできる。
さらに、本発明による検査装置には、例えば光学顕微鏡のような光学式のウェハエッジ検査装置を用いて、ウェハを検査し、検出された欠陥、異物等の位置座標を、本発明の検査装置に入力し、光学式のウェハエッジ検査装置により検出された欠陥、異物等を、電子線等の荷電粒子ビームを用いて微細に検査してレビューする機能をもたせるのが好ましい。これによって、迅速かつ微細に、検出された欠陥、異物等の位置を特定でき、電子線等の荷電粒子ビームを用いて微細に検査することが可能となる。
以上のように、ウェハ1の表裏の両側で全ての電子顕微鏡装置4、5、6を好ましくは50mm以上空間的に互いに離して配置すると、複数の電子顕微鏡装置(SEM)から得られた信号(2次電子、反射電子等)を容易に分離することができ、微細で乱れのない鮮明な画像を得ることができる。そのため、ウェハ1のエッジ部1aのマイクロクラックによるウェハプロセスの歩留まりを向上させることができる。その結果、Cu、low−k、ARC、CVD、スパッタ膜、ドライエッチ後のポリマー残りなどの、微細な異物、ゴミ等を、ウェハ1のエッジ部1aの表面、あるいはエッジ部1aの裏面において容易に発見できる。また、半導体ウェハ1の製造工程におけるはがれ等をなくすことができる。
上記実施例では、小型電子顕微鏡装置4、5、6をウェハ1のエッジ部1aの周辺に複数配置したが、これに限定されず、小型X線装置等の荷電粒子ビーム装置をウェハ1のエッジ部1aの表裏の両側に配置した検査装置でもよい。この場合、図1〜2に図示した小型電子顕微鏡装置4、5、6の各位置に電粒子ビーム装置を配置すればよい。
本発明に係る検査装置を示す概略説明図である。 図1に示された3つの小型電子顕微鏡装置の配置関係を上から示している。
符号の説明
1 ウェハ
2 回転テーブル
3 カメラ
4 エッジ上面観察用の小型電子顕微鏡装置
5 エッジ側面観察用の小型電子顕微鏡装置
6 エッジ裏面観察用の小型電子顕微鏡装置

Claims (12)

  1. 複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、
    複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置が、ウェハの表面側、裏面側、側面側において互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置。
  2. 複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、
    ウェハの表面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、裏面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが一致しない形で、複数の電子顕微鏡装置が互いに離して配置されていることを特徴とする検査装置。
  3. 複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、
    ウェハの表面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、側面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置。
  4. 複数の電子顕微鏡装置を配置してウェハに荷電粒子線を照射してウェハを検査する検査装置において、
    ウェハの裏面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸と、側面側に配置した電子顕微鏡装置の光軸とが互いに空間的に離して配置されていることを特徴とする検査装置。
  5. 請求項1、2、3又は4のいずれか1項に記載の検査装置において、
    少なくとも2つの電子顕微鏡装置の荷電粒子線をパルス状にし、パルスの間隔あるいはパルスの位相を異なるようにし、夫々の電子顕微鏡装置から得られる信号について、上記パルスに対して同期検波を行なうようにしたことを特徴とする検査装置。
  6. 請求項1、2、3又は4のいずれか1項に記載の検査装置において、
    少なくとも1つの電子顕微鏡装置は、磁界型レンズを有するものであり、他の電子顕微鏡装置は静電型レンズを有するものであることを特徴とする検査装置。
  7. 請求項1、2、3、4又は5のいずれか1項に記載の検査装置において、
    電子顕微鏡装置は静電型レンズを有するものであることを特徴とする検査装置。
  8. 請求項1、2、3、4又は5のいずれか1項に記載の検査装置において、
    静電型レンズを有する電子顕微鏡装置の内部に、2次電子検出器が配置されていることを特徴とする検査装置。
  9. 請求項1、2、3、4、5、6、7又は8のいずれか1項に記載の検査装置において、
    ウェハのエッジ上面観察用の光学顕微鏡が、アライメント及び高速検査のために用いられることを特徴とする検査装置。
  10. 請求項1、2、3、4、5、6、7又は8のいずれか1項に記載の検査装置において、
    ウェハのエッジ上面観察用の光学顕微鏡が、ズーム、若しくは、少なくとも2つの倍率の切り替え機能を有することを特徴とする検査装置。
  11. 請求項1、2、3、4、5、6、7又は9のいずれか1項に記載の検査装置において、複数の電子顕微鏡装置又は荷電粒子ビーム装置の配置位置は、可変であることを特徴とする検査装置。
  12. 光学式のウェハエッジ検査装置を用いて検出した欠陥の位置座標を入力し、当該位置座標を荷電粒子線を用いてレビューする機能を有することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の検査装置。

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