JP2009099985A - 基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置が提供される。
【解決手段】前記基板保持ユニットは、ベース板及び前記ベース板に形成された保持部を含む。前記保持部は、二つの保持台及び複数の保持部材を含む。前記二つの保持台は、所定方向に沿って伸び、相互離隔する。前記複数の保持部材は、前記所定方向に沿って互いに離隔するように設けられ、それぞれが前記保持台を連結する。
【選択図】図3
【解決手段】前記基板保持ユニットは、ベース板及び前記ベース板に形成された保持部を含む。前記保持部は、二つの保持台及び複数の保持部材を含む。前記二つの保持台は、所定方向に沿って伸び、相互離隔する。前記複数の保持部材は、前記所定方向に沿って互いに離隔するように設けられ、それぞれが前記保持台を連結する。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置に関し、より詳細には、半導体基板に対する工程遂行時に前記基板を安定的に保持する基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置に関する。
半導体メモリ素子または平板表示装置のような電子装置は基板からなる。前記基板はシリコンウェハやガラス基板であり得る。前記基板上には複数の導電膜パターンが形成され、また、互いに異なる複数の導電膜パターンの間を絶縁する絶縁膜パターンが形成される。前記導電膜パターンや絶縁膜パターンは、露光、現像及びエッチングのような一連の工程によって形成される。
上記の一連の工程は、処理液が入った処理槽で行われる。前記処理槽は対象工程によって複数備えられる。前記複数の処理槽は、同じ工程を行なうための同じ処理液が入った処理槽であるか、または互いに異なる工程を行なうための互いに異なる処理液が入った処理槽であり得る。また、前記処理槽には、基板を工程溶液で処理した後、基板を洗浄するための洗浄液が入った処理槽を含む。
処理槽及び処理液の種類に関わらず、工程遂行時に対象基板は前記処理槽の前記処理液に浸漬され、前記対象基板が前記処理液と反応しながら該当の工程が行なわれる。従って、工程が行なわれる間、前記処理槽内部で対象基板は安定的に保持される必要がある。特に、近年、工程効率が向上するように、多数の基板が一度の工程で同時に処理されるため、様々な処理槽で共通的に使用可能で、同時に多数の基板を安定的に保持できる手段が必要とされる。
そこで、本発明は、上記従来の基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、基板を安定的に保持する基板保持ユニットを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記基板保持ユニットを利用する基板処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記基板保持ユニットを利用する基板処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に形成され、第1方向に沿って配列された複数の基板を保持する少なくとも一つ以上の保持部と、を備え、前記保持部は、前記第1方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、前記第1方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする。
また、前記目的を達成するためになされた本発明による基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第1方向に沿って配列された複数の基板を保持する保持部と、を含み、前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板に接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする。
又、前記他の目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直に配置する基板保持ユニットと、を備え、前記基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に形成され、第1方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、前記保持部は、前記第1方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、前記第1方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板の各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする。
また、前記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直にする基板保持ユニットと、を備え、前記基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第1方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする。
本実施の形態によれば、工程進行中に基板が安定的に保持されて、工程効率が向上する。
次に、本発明に係る基板処理装置を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態による基板処理装置の斜視図である。
図1を参照すると、基板処理装置にはロードポート10、トランスファユニット20及び処理ユニット30が備えられる。ロードポート10では半導体ウェハのような基板がローディング、アンローディングされる。ロードポート10では、カセット11を用いて一度に複数枚のウェハが処理される。一つのカセット11は、最大25枚のウェハを収容することができる。従って、二つのカセット11を用いて、一度に最大50枚のウェハを処理することができる。
図1を参照すると、基板処理装置にはロードポート10、トランスファユニット20及び処理ユニット30が備えられる。ロードポート10では半導体ウェハのような基板がローディング、アンローディングされる。ロードポート10では、カセット11を用いて一度に複数枚のウェハが処理される。一つのカセット11は、最大25枚のウェハを収容することができる。従って、二つのカセット11を用いて、一度に最大50枚のウェハを処理することができる。
トランスファユニット20は、ロードポート10からウェハを受け取って処理ユニットに移送する。トランスファユニット20の下端部には、ウェハを移送する移送ロボット(図示せず)が配置される。
処理ユニット30は、トランスファユニット20から移送されたウェハを工程処理する。処理ユニット30は複数のサブ処理ユニットを含む。即ち、処理ユニット30は、第1サブ処理ユニット31、第2サブ処理ユニット32及び第3サブ処理ユニット33を含む。処理ユニット30は必要に応じて、第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33の他に追加的なサブ処理ユニットをさらに含む。または、処理ユニット30は必要に応じて、第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33のうち一部を省略できる。
第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33のそれぞれは、ウェハに対する様々な工程を行なうための工程溶液が入った処理槽を含む。例えば、前記工程はエッチング、洗浄及び乾燥を含むことができる。前記エッチング、洗浄及び乾燥時に、工程溶液やガスとしてフッ酸、硫酸、脱イオン水、イソプロピルアルコール、窒素などを様々に使用できる。
第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33それぞれの処理槽に入った工程溶液は同じ工程を行なうための同じ工程溶液であり得る。または、第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33それぞれの処理槽に入った工程溶液は、同じ工程に対して互いに異なる成分を有する工程溶液であっても良い。または、第1乃至第3サブ処理ユニット31、32、33それぞれの処理槽に入った工程溶液は、相違する工程を行うための互いに異なる工程溶液であっても良い。
図2は、図1に図示されたサブ処理ユニットの構成図である。図2は、第1乃至第3処理ユニット31、32、33のうち何れか一つを示しており、ここに図示された構造は第1乃至第3処理ユニット31、32、33の全てに対して適用できる。
図2を参照すると、サブ処理ユニットは、処理槽100、処理槽100に設けられた基板保持ユニット200、供給部300及び循環部400を含む。処理槽100では、ウェハWのような半導体基板に対する工程が行なわれる。供給部300は処理槽100に工程溶液を提供する。循環部400は、処理槽100に提供された工程溶液を循環させる。
具体的に、処理槽100は内槽110及び外槽120を含む。内槽110は、上部から工程溶液が提供されるように、上部が開放されている。内槽110の底面には、工程溶液を排出するための排出口(図示せず)が形成される。外槽120は内槽110の外側を取り囲み、内槽110から溢れ出る工程溶液を収容する。
内槽110の内部には、工程進行時にウェハWが保持される基板保持ユニット200が設けられる。基板保持ユニット200は多数のウェハWを同時に保持することができる。基板保持ユニット200の詳細構造に対しては後述する。
外槽120には流出口130が形成され、内槽110には流入口140が形成される。流出口130及び流入口140は循環部400と連結される。循環部400は流出口130から流出した工程溶液を循環させて、流入口140を介して処理槽100に提供する。工程が行なわれる間、工程溶液はウェハWとの反応によりその成分が変更されて、該当の工程に対する機能が弱化する可能性がある。循環部400は前記工程溶液を循環させながら、工程が行なわれる間、工程溶液の成分を維持する。
供給部300は、互いに異なる二つの工程溶液を提供する。以下、前記二つの工程溶液を区分して、第1工程溶液及び第2工程溶液と称する。前記第1工程溶液を提供するために、供給部300は、第1工程溶液が格納された第1容器310及び第1工程溶液が移動する第1供給ライン311を備える。第1供給ライン311の所定位置で、第1補助供給ライン312が分岐する。第1補助供給ライン312は処理槽100に連結する。第1供給ライン311の一側は第1容器310に連結し、反対側は処理槽100に連結する。また、第1供給ライン311上には第1補助容器313が備えられる。第1供給ライン311上には、第1補助容器313の前/後の位置にそれぞれバルブ315、316が設けられる。また、第1補助供給ライン312上にもバルブ317が設けられる。前記バルブ315、316、317はそれぞれが設けられた位置で第1工程溶液の流れを制御する。
前記第1工程溶液と同様に、前記第2工程溶液を提供するために、供給部300には第2容器320、第2供給ライン321、第2補助供給ライン322、第2補助容器323、複数のバルブ325、326、327を備える。
第1供給ライン311は第1工程溶液を処理槽100に供給し、第1補助容器313は処理槽100に供給される第1工程溶液の量を調節し、第1補助供給ライン312は第1工程溶液の供給を補う役割を果たす。同じく、第2供給ライン321は第2工程溶液を処理槽100に供給し、第2補助容器323は処理槽100に供給される第2工程溶液の量を調節し、第2補助供給ライン322は第2工程溶液の供給を補う役割を果たす。
処理槽100での工程がウェハWを洗浄するための洗浄工程であれば、前記工程溶液は硫酸と過酸化水素の混合物であり得る。この場合、第1工程溶液は硫酸であり、第2工程溶液は過酸化水素である。前記硫酸と過酸化水素は、それぞれ別途の第1及び第2容器310、320に保管され、それぞれ別途に供給された後、処理槽100で混合される。
一方、ウェハWの洗浄のためにSC−1方式の湿式洗浄が適用できる。この場合、前記工程溶液は、過酸化水素、水酸化アンモニウム及び純水を含む。このように、前記工程溶液が互いに異なる3種類の成分の溶液を含めば、供給部200には別途の容器、供給ライン、補助供給ライン、補助容器及び複数のバルブが追加される。もし、前記工程溶液が4種類以上の溶液の混合物であれば、工程溶液の種類による別途の容器等がさらに追加される。一方、前記工程溶液として一種類の溶液だけが単独で使用されれば、供給部200から第2容器320、第2供給ライン321、第2補助供給ライン322、第2補助容器323、複数のバルブ325、326、327は省略されても良い。
図3は、図2に図示した基板保持ユニットの斜視図であり、図4(a)は、図3に図示した基板保持ユニットの保持部の斜視図であり、図4(b)は、図3に図示した基板保持ユニットの保持部の使用状態図である。
図3を参照すると、基板保持ユニット200は、ベース板201及び保持部210、220を含む。ベース板201は、中心部分が窪んでいる「V」字形状を有する。保持部210、220は複数形成され、ベース板201のエッジに第1保持部210及び第2保持部220が互いに対向するように配置される。ウェハW(図4(b)参照)は縁部で第1及び第2保持部210、220によって2ヶ所で保持される。
第1及び第2保持部210、220は、ベース板201から突出してベース板201と一体に形成される。または、第1及び第2保持部210、220は別途に加工され、ベース板201に締結される。この場合、図3に示すように、ベース板201には第1連結ロッド206及び第2連結ロッド207が形成される。第1保持部210はねじのような締結部材205によって第1連結ロッド206に締結され、第2保持部220は締結部材205によって第2連結ロッド207に締結される。
図4(a)を参照すると、第1保持部210は、二つの保持台211及び複数の保持部材212を含む。前記二つの保持台211は互いに対向しながら所定方向に伸びる。ここで、説明の便宜上、保持台211が伸びる方向を第1方向D1と称し、第1方向D1と直交する方向を第2方向D2と称する。前記二つの保持台211は保持部材212によって連結される。保持部材212は第1方向D1に沿って複数形成され、第1方向D1に沿って均一に配列される。
それぞれの保持部材212は、第2方向D2に沿って部分的にリング形状を有し、前記リング形状の部分が二つの保持台211を連結する。図4(a)で、保持部材212は円形のリング形状を有することに図示したが、保持部材212の形状はこれに限定されない。例えば、保持部材212は四角形のリング形状や三角形のリング形状を有することもできる。
二つの保持台211及び複数の保持部材212はそれぞれ分離されるが、全体的には一つの本体を形成する。前記本体では溝212hが形成され、前記溝212hにウェハWが挿入されて保持される。また、この場合においては、前記第1保持部210は互いに対向する二つの側壁体である保持台211及び前記側壁体を連結する本体である保持部材212を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されている。
前記二つの保持台211それぞれには、下部方向に延長された連結板213が形成され、連結板213には貫通ホール214が形成される。第1保持部材210は、貫通ホール214に挿入される締結部材205によって、第1連結ロッド206に締結される。第1連結ロッド206は一体に形成され、一面に前記二つの保持台211のうち一つ211aが締結され、反対面に残りの211bが締結されるこ。または、第1連結ロッド206は、前記二つの保持台211にそれぞれ対応して締結するように、相互分離された二つの本体を有する。上記の連結板213及び貫通ホール214は、第1保持部210を第1連結ロッド206に締結するための一例であり、様々な他の結合構造が適用できる。
一方、第2保持部220及び第2連結ロッド207は、第1保持部210及び第1連結ロッド206に対応する構造を有し、これに対する詳細な説明は省略する。
図4(b)を参照すると、ウェハWは互いに隣接する保持部材212の間に第2方向D2に沿って形成された溝212hに挿入される。隣接する二つの保持部材212の間の間隔はウェハWの厚さに対応する。第1方向D1に沿って隣接する二つの保持部材212のうち一つの保持部材212にウェハWの一面が接触し、残りの一つの保持部材212にウェハWの反対面が接触する。
従って、ウェハWは隣接する二つの保持部材212によって、両面で均一に保持される。また、保持部材212がリング形状を有するので、前記リング形状に該当する面積がウェハWに接触する。これは、単純に溝やスロットによってウェハを点接触方式で保持することに比べて、ウェハWに接触する面積が大きいため、ウェハWを安定的に保持できるという長所がある。
上記のように、リング形状を有する保持部材212を利用してウェハWを安定的に保持する基板保持ユニットは、様々な実施の形態を有する。以下では、例示的な観点で上記の様々な実施の形態のうち幾つかを説明する。但し、後述する実施の形態において前述した実施の形態と重複する部分に対する詳細な説明は省略する。
図5は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図6(a)は、図5に図示した基板保持ユニットの保持部の斜視図であり、図6(b)は、図5に図示した基板保持ユニットの保持部の使用状態図ある。
図5、図6(a)及び図6(b)を参照すると、基板保持ユニット200は、ベース板201及び複数の保持部210、220、230を含む。ベース板201は中心部分が窪んでおり、ベース板201のエッジに第1保持部210及び第2保持部220が位置し、ベース板201中心の窪んでいる部分に第3保持部230が位置する。従って、ウェハWの縁部分は、第1保持部210、第3保持部230及び第2保持部220の順に3ヶ所で保持される。ベース板201の形状及び第1乃至第3保持部210、220、230の位置によって、ウェハWが立てられた状態で第3保持部230がウェハWの一番下の部分を保持する。
第1乃至第3保持部210、220、230は互いに対応する構造を有する。例えば、第1保持部210は二つの保持台211及び保持部材212を含む。前記二つの保持台211は互いに対向しながら第1方向D1に伸びる。前記二つの保持台211を区分して第1保持台211a及び第2保持台211bと称すれば、第1及び第2保持台211a、211bは保持部材212によって連結される。
図6(a)に示すように、複数の保持部材212は第1方向D1に沿って均一に配列され、第1方向D1と直交する第2方向D2に対して傾いた第3方向D3に形成される。保持部材212はリング形状を有し、隣接する保持部材212の間に溝212hが形成される。複数の保持部材212は全体的に部分螺旋形状の階段模様を有するようになる。このように、保持部材212が傾くように形成される場合、図6(b)に示すように、ウェハWは第1方向D1に沿って互いに隣接する保持部材212の間に位置し、前記隣接する二つの保持部材137のうち何れか一つが単一ウェハWの上面に接触し他の一つが前記単一ウェハWの下面に接触する。
上面で保持部材212に接触するウェハWの部分と下面で他の保持部材212に接触するウェハWの部分は、互いに対応するように位置しない。概略的に、前記上面で接触する部分と下面で接触する部分は、点対称に対応するように位置し、これによってウェハWの揺れを最大限防止して、より安定的にウェハWを保持すできる。また、前記の実施の形態に比べて、ウェハWと保持部材212が接触する部分の面積が減少する。前記ウェハWと保持部材212が接触する部分には工程進行時に薬液が到逹できないので、本実施の形態でウェハWが安定的に保持されると同時に前記面積が減少して工程効率が向上する。
前記保持部材212の傾斜角度が大き過ぎると、前記大きく傾いた保持部材212の間でウェハWが平行な状態を維持し難い。従って、保持部材212の傾斜角度には一定の限界があり、概略的に前記角度は10度以下であることが好ましい。ただ、同じ角度であればウェハWの厚さが薄いほど、より容易に平行な状態を維持できる。従って、前記保持部材212の傾斜角度はウェハWの厚さに対応し、ウェハWが厚いほど減少する。
第2及び第3保持部220、230は第1保持部210に対応するように、二つの保持台及び保持部材を有する。また、第2及び第3保持部220、230の保持部材も第3方向D3に傾く。第2及び第3保持部220、230の詳細な構造に対する説明は省略する。
図7は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図8(a)は、図7に図示された基板保持ユニットの補助保持部の斜視図であり、図8(b)は、図7に図示された基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
図7を参照すると、基板保持ユニット200は、ベース板201及び保持部210、220が備える。保持部210、220はベース板201のエッジに位置する第1保持部210及び第2保持部220を含む。第1及び第2保持部210、220は、それぞれの保持部材の傾斜方向が対称になることを除いて、前述した実施の形態と同じ構造を有する。即ち、第1保持部210の保持部材は第3方向D3に傾き、第2保持部220の保持部材は第2方向D2に対して第3方向D3に対称する第4方向D4に傾く。ただ、第1及び第2保持部210、220それぞれの保持部材は、互いに同じ傾斜方向に配置できる。
第1及び第2保持部210、220の間の中心部分でベース板201は窪んでおり、前記中心部分には補助保持部250が位置する。その結果、ウェハWは縁部分に沿って第1保持部210、補助保持部250及び第2保持部220の順に保持される。
図8(a)を参照すると、補助保持部250は第1方向D1に沿って伸び、相互離隔した第1補助保持台251a及び第2補助保持台251bを含む。第1及び第2補助保持台251a、251bそれぞれには溝252hが形成される。また、第1補助保持台251a及び第2補助保持台251bそれぞれには、ベース板201に締結できるように貫通ホール253が形成される。
図8(b)を参照すると、第1補助保持台251aに形成された溝252hと第2補助保持台251bに形成された溝は、第2方向D2に沿って互いに対応するように位置する。その結果、一つのウェハWが第2方向D2に挿入され、前記対応するように位置する2ヶ所の溝252hに挿入されて保持される。但し、補助保持部250は保持部210、220を補助してウェハWを保持するので、保持部210、220と同じ程度の保持力を有する必要はない。従って、補助保持部250を構成する補助台の個数は流動的である。例えば、第2補助保持台251bが省略されるか、第1及び第2補助保持台251a、251b以外の他の補助保持台が追加できる。
図9は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図10(a)は、図9に図示した基板保持ユニットの補助保持部の斜視図であり、図10(b)は、図9に図示した基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
図9を参照すると、基板保持ユニット200は、ベース板201、補助保持部250、第1及び第2保持部210、220が備える。補助保持部250、第1及び第2保持部210、220は、第2方向D2に沿って順にベース板201に設けられる。第1及び第2保持部210、220それぞれの保持部材は、第3方向D3に対して傾くように形成される。
図10(a)を参照すると、補助保持部250は、第1方向D1に沿って伸び、相互離隔した第1補助保持台251a及び第2補助保持台251bを含む。第1及び第2補助台251a、251bそれぞれには溝252hが形成される。第1補助台251aの溝252hを第1溝252h1と称し、第2補助台251bの溝を第2溝252h2と称すれば、第1及び第2溝252h1、252h2は第2方向D2に対して互いにずれるように配置されている。
図10(b)を参照すると、第1溝252h1及び第2溝252h2は第3方向D3に沿って互いに対応するように配置される。従って、第1溝252h1はウェハWの一面に接触し、第2溝252h2は前記ウェハWの反対面に接触する。これは、傾くように形成される保持部材と同じく、ウェハWの揺れを最大限防止して、より安定的にウェハWを保持するためである。
以上で説明したように、前記実施の形態によれば、工程中に基板が安定的に保持されて、工程効率が向上する。尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。例えば、前記保持部の個数や補助保持部を含めるか否か、保持部材や補助保持部の溝が傾くか否かは、様々に組み合わされて様々な構造を有することができる。
10 ロードポート
11 カセット
20 トランスファユニット
30 処理ユニット
100 処理槽
200 基板保持ユニット
210 第1保持部
220 第2保持部
250 補助保持部
300 供給部
400 循環部
W ウェハ
11 カセット
20 トランスファユニット
30 処理ユニット
100 処理槽
200 基板保持ユニット
210 第1保持部
220 第2保持部
250 補助保持部
300 供給部
400 循環部
W ウェハ
Claims (21)
- ベース板と、
前記ベース板に形成され、第1方向に沿って配列された複数の基板を保持する少なくとも一つ以上の保持部と、を備え、
前記保持部は、
前記第1方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、
前記第1方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする基板保持ユニット。 - 前記保持部材は、前記第1方向と直交する第2方向に対して傾いていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持ユニット。
- 前記第1方向に沿って隣接する二つの保持部材が、その間に挿入される単一基板を保持し、前記隣接する二つの保持部材のうち一つが前記単一基板の上面に接触し、他の一つが前記単一基板の下面に接触することを特徴とする請求項2に記載の基板保持ユニット。
- 前記保持部は、互いに平行に離隔した第1保持部及び第2保持部を含み、前記第1及び第2保持部の保持部材は、互いに同じ方向に傾いていることを特徴とする請求項2に記載の基板保持ユニット。
- 前記保持部は、互いに平行に離隔した第1保持部及び第2保持部を含み、前記第1及び第2保持部の保持部材は、互いに対称方向に傾いていることを特徴とする請求項2に記載の基板保持ユニット。
- 前記保持部材が前記第2方向に対して傾いた角度は10度以下であることを特徴とする請求項2に記載の基板保持ユニット。
- 前記保持部材は前記第1方向から見た時、部分的に円形のリング形状を有することを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の基板保持ユニット。
- 前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、前記複数の基板を保持するように前記第1方向に沿って溝が形成された補助保持部をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板保持ユニット。
- 前記補助保持部は、前記第1方向に沿って相互離隔するように伸び、各々に前記溝が形成された少なくとも二つの補助保持台を含むことを特徴とする請求項8に記載の基板保持ユニット。
- 前記保持部は前記補助保持部を介して互いに対称的に配置された第1保持部及び第2保持部を含むことを特徴とする請求項8に記載の基板保持ユニット。
- 前記第1方向に沿って伸び、前記ベース板から突出した連結ロッドをさらに含み、前記保持台は前記連結ロッドに締結されることを特徴とする請求項1に記載の基板保持ユニット。
- ベース板と、
前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第1方向に沿って配列された複数の基板を保持する保持部と、を含み、
前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板に接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする基板保持ユニット。 - 前記溝は前記第1方向と直交する第2方向に対して傾くように形成されていることを特徴とする請求項12に記載の基板保持ユニット。
- 前記基板は前記第2方向と平行に前記溝に挿入されることを特徴とする請求項13に記載の基板保持ユニット。
- 前記本体は、前記溝が形成された領域で前記第1方向から見た時、部分的に円形のリング形状を有することを特徴とする請求項12乃至14のうちの何れか一項に記載の基板保持ユニット。
- 工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、
前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直に配置する基板保持ユニットと、を備え、
前記基板保持ユニットは、
ベース板と、
前記ベース板に形成され、第1方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、
前記保持部は、
前記第1方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、
前記第1方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板の各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記保持部材は、前記第1方向と直交する第2方向に対して傾いたことを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記第1方向に沿って隣接する二つの保持部材がその間に挿入される単一基板を保持し、前記隣接する二つの保持部材のうち一つが前記単一基板の上面に接触し、他の一つが前記単一基板の下面に接触することを特徴とする請求項17に記載の基板処理装置。
- 工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、
前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直にする基板保持ユニットと、を備え、
前記基板保持ユニットは、
ベース板と、
前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第1方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、
前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記溝は前記第1方向と直交する第2方向に対して傾くように形成されたことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
- 前記基板は前記第2方向と平行に前記溝に挿入されることを特徴とする請求項20に記載の基板処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010098017A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100921521B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-10-12 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
JP5966250B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2016-08-10 | 富士電機株式会社 | 基板支持治具 |
KR20120134523A (ko) * | 2011-06-02 | 2012-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 에칭 처리 장치 |
CN103904016A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-07-02 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 硅片承载装置 |
KR20160042704A (ko) * | 2014-10-10 | 2016-04-20 | 주식회사 엠엠테크 | 식각 장치 및 식각 방법 |
CN206961808U (zh) * | 2017-07-14 | 2018-02-02 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 硅片清洗工装 |
CN110277469A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-09-24 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种太阳能电池的制绒花篮结构 |
JP2021026601A (ja) | 2019-08-07 | 2021-02-22 | オムロン株式会社 | 表示制御装置、制御方法、情報処理プログラム、および記録媒体 |
CN110952080A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-04-03 | 晋能清洁能源科技股份公司 | 一种用于异质结高效电池pecvd舟结构 |
CN112687597B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-08-05 | 集美大学 | 一种高温基片退火架 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204195A (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-22 | Tokuyama Ceramics Kk | ウエハ洗浄装置用ウエハボート |
JPH0849073A (ja) * | 1994-05-31 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置の基板保持具 |
JPH09260480A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 半導体ウェハ保持治具 |
JPH1145933A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kaijo Corp | 薄型基板支持装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4256229A (en) * | 1979-09-17 | 1981-03-17 | Rockwell International Corporation | Boat for wafer processing |
JP3194209B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
US5704494A (en) * | 1995-06-16 | 1998-01-06 | Nihon Plast Co., Ltd. | Disc holder |
KR100273938B1 (ko) | 1995-12-28 | 2001-01-15 | 이시다 아키라 | 기판홀더 |
KR20000016189U (ko) * | 1999-01-27 | 2000-08-25 | 김규현 | 수직형 확산로의 보트 |
KR20030048682A (ko) * | 2001-12-12 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 가이드 및 이를 구비한 반도체 습식세정장치 |
KR100487541B1 (ko) * | 2002-09-06 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들 |
US6814808B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-11-09 | Sci-Tech Glassblowing, Inc. | Carrier for semiconductor wafers |
CN100377330C (zh) | 2003-08-06 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 基板支承用槽棒及使用该槽棒的基板载具 |
KR100678472B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가이드 및 이를 갖는 반도체 웨이퍼 건조장치 |
KR20070095698A (ko) * | 2006-03-22 | 2007-10-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 가이드 및 이를 이용한 기판 세정 장치 |
KR100921521B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-10-12 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
-
2007
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204195A (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-22 | Tokuyama Ceramics Kk | ウエハ洗浄装置用ウエハボート |
JPH0849073A (ja) * | 1994-05-31 | 1996-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置の基板保持具 |
JPH09260480A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 半導体ウェハ保持治具 |
JPH1145933A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kaijo Corp | 薄型基板支持装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010098017A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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TWI384582B (zh) | 2013-02-01 |
US8123900B2 (en) | 2012-02-28 |
KR100921521B1 (ko) | 2009-10-12 |
TW200929430A (en) | 2009-07-01 |
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