TWI384582B - 基板支撐單元及其基板處理設備 - Google Patents

Description

基板支撐單元及其基板處理設備 相關申請案的對照

此一美國非臨時性申請案係根據35 U.S.C. § 119以2007年10月12日提出之韓國專利申請案第10-2007-0102967號一案主張優先權，在此藉由參考完整引用其內容。

本發明係關於一種基板支撐單元以及使用該基板支撐單元以處理一基板之設備，更特別地，係關於一種在一製程中穩固地支撐該基板的基板支撐單元以及使用該基板支撐單元以處理一基板的設備。

半導體記憶體裝置或是平面顯示裝置等電子裝置都會包括一基板，基板可能是矽晶圓或玻璃基板，基板上形成有複數個導電層圖樣(conductive layer pattern)和用以隔絕複數個導電層圖樣的絕緣層圖樣(insulating layer pattern)，導電層圖樣和絕緣層圖樣係使用像是曝光、顯影與蝕刻等一系列的製程而形成。

這一系列的製程係於填滿處理溶液(treating solution)的處理槽(treating bath)中執行，每一個處理槽具有同樣的處理溶液以執行同樣的製程，或者不同的處理溶液以執行不同的製程。這些處理槽中可包括一具有清潔液體之處理槽，用以清洗經過處理溶液處理過後的基板。

不論處理槽或處理溶液為何，基板在製程中會被浸入處理槽內的處理溶液，基板會與處理溶液作用而執行一製程。因此，在製程中，基板有必要於處理槽中被穩固地支撐，特別是，由於在一製程中會同時處理大量的基板以提升製程效率，因此有必要使用一種設備，能夠通用於各種處理槽中，同時也可用以穩固地支撐各種基板。

示範實施例提供一種基板支撐單元。該基板支撐單元包含一底板與一支撐部。該至少一個支撐部係形成於該底板上並支撐複數個以一第一方向配置之基板。該支撐部包含兩個支撐桿與及複數個支撐構件，該兩個支撐桿向該第一方向延伸並且彼此分隔，該複數個支撐構件被配置為在該第一方向彼此分隔、與該等支撐桿連接，並與每一該基板接觸。

示範實施例提供一種基板支撐單元。該基板支撐單元包含一底板與一支撐部。該至少一個支撐部係形成於該底板上並支撐複數個被配置於一第一方向之基板。該支撐部包含兩個彼此相對之側壁與一連接該兩個側壁之主體。複數個插槽係形成於該主體內以便接觸該等基板。

示範實施例提供一種基板處理設備。該基板處理設備包含一處理槽與一基板支撐單元。一程序係於該處理槽中針對基板執行，該基板支撐單元於一程序中係被設置於該處理槽內並支撐該等基板，使得該等基板係垂直地位於該基板支撐單元上。該基板支撐單元包含一底板以及至少一個形成於該底板上的支撐部，該支撐部支撐複數個被配置於一第一方向之基板，並包含兩個支撐桿與複數個支撐構件，複數個支撐構件被配置為在該第一方向彼此分隔、與該等支撐桿連接，並與每一該基板接觸。

示範實施例提供一種基板處理設備，該基板處理設備包含一處理槽與一基板支撐單元。一程序係於該處理槽中針對基板執行，該基板支撐單元於一程序中係被設置於該處理槽內並用以支撐該等基板，使得該等基板係垂直地位於該基板支撐單元上。該基板支撐單元包含一底板以及一至少一個形成於該底板上的支撐部，該支撐部支撐複數個被配置於一第一方向之基板，該支撐部包含兩個彼此相對之側壁與一連接該兩個側壁之主體。複數個插槽係形成於該主體中以便接觸該等基板。

以下將透過附隨圖式詳細描述本發明，其中將解釋較佳實施例。要注意的是，本發明可以許多不同的形式加以實施，並不應解釋為限於在此所述之較佳實施例，而這些實施例只是用來完整地說明本發明，以便完全地將本發明的範疇表達給熟悉此技藝者，在圖表中，各層與區域的大小與相對尺寸可能會稍微誇大，以清楚呈現本發明，而類似的標號代表相似的元件。

第一圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板處理設備之立體圖。

參考第一圖，一基板處理設備包括一載入埠(load port)10、一傳輸單元(transfer unit)20與一處理單元(treating unit)30。如一半導體晶圓之一基板，會於載入埠10被載入或卸載，利用一匣盒(cassette)11可於同一時間處理複數片晶圓，一個匣盒11最多可容納25片晶圓，所以，使用兩個匣盒可以在同一時間處理最多50片晶圓。

傳輸單元20接收晶圓，並將晶圓傳送至處理單元30，一用以傳送晶圓的傳送機器人(圖中未顯示)係設置於該傳輸單元20的下部。

處理單元30處理自傳輸單元20輸送的晶圓，處理單元30包括複數個子處理單元(sub treating unit)，也就是說，處理單元30包括一第一子處理單元31、一第二子處理單元32，以及一第三子處理單元33。若有更多的需求，處理單元30除了第一至第三子處理單元31、32與33外，可進一步包括額外的子處理單元，若有需要的話，第一至第三子處理單元31、32與33的一部分也可省除。

第一至第三子處理單元31、32與33的每一個包括一處理槽，其具有製程溶液(process solution)，用以執行施加於晶圓上的各種製程。舉例來說，製程可為蝕刻、清洗或乾燥程序。氫氟酸(hydrofluoric acid)、硫酸(sulphuric acid)、去離子水(deionized water)、異丙醇(isopropyl alcohol)，以及氮氣等都可以作為製程中的製程溶液或製程氣體。

第一至第三子處理單元31、32與33的每一個處理槽內所填入的製程溶液，可為具有相同成分的製程溶液以執行相同的製程。第一至第三子處理單元31、32與33的每一個處理槽內所填入的製程溶液，可為具有不同成分的製程溶液但執行相同的製程。第一至第三子處理單元31、32與33的每一個處理槽內所填入的製程溶液，可為具有不同成分的製程溶液以執行不同的製程。

第二圖所示為第一圖所述之一子處理單元之示意圖，第二圖描述第一至第三子處理單元31、32與33的其中一個，而第二圖中所描述的結構可應用於所有第一至第三子處理單元31、32與33。

參考第二圖，一子處理單元包括一處理槽100、一安裝於處理槽100內之基板支撐單元200、一供應部(supply portion)300與一循環部(circulation portion)400。針對一如一晶圓W之半導體基板的一製程係於處理槽100中執行，供應部300提供製程溶液給處理槽100，循環部400將製程溶液循環提供給處理槽100。

更明確地，處理槽100包括內槽(inner bath)110與外槽(outer bath)120，內槽110具有一開放頂端，讓製程溶液可由上部提供，內槽110包括一位於底表面的排放孔(圖中未顯示)，用以排放製程溶液。外槽120圍繞內槽110的一外側，以容納從內槽110溢出的製程溶液。

一支撐晶圓W的支撐單元200係於一製程中被安裝於內槽110內，稍後將描述支撐單元200的詳細結構。

外槽120包括出口130，而內槽110包括入口140，出口130與入口140係連接至循環部400，循環部400循環從出口130流出之製程溶液，並將製程溶液透過入口140提供至處理槽100。製程溶液的成分會因為在製程中與晶圓W作用而有所變化，所以應用於該製程的製程溶液的功能可能會減弱，循環部400循環製程溶液，並且在製程中維持製程溶液的成分。

供應部300提供二種不同的製程溶液，在此，這二種製程溶液會分別被稱為第一製程溶液與第二製程溶液。供應部300包括一儲存第一製程溶液之第一容器(vessel)310與一讓第一製程溶液在其中流動之第一供應管311，一第一輔助供應管312係由第一供應管311的一預先決定的位置分支出來，第一輔助供應管312連接至處理槽100。第一供應管311的一側係連接至該第一容器310，而第一供應管311的另一側係連接至處理槽100。第一輔助容器313係被設置於第一供應管311上。閥門315與316係分別被安裝於被設置於第一供應管311上的第一輔助容器313的兩側。同樣地，閥門317係被設置於第一輔助供應管312上，閥門315、316與317控制第一製程溶液的流動。

同樣地，供應部300包括一第二容器320、第二供應管321、第二輔助供應管322、第二輔助容器323與複數個閥門325、326與327。

第一供應管311提供第一製程溶液給處理槽100，第一輔助容器313控制提供給處理槽100的第一製程溶液的量，而第一輔助供應管312補足第一製程溶液的供應。同樣地，第二供應管321提供第二製程溶液給處理槽100，第二輔助容器323控制提供給處理槽100的第二製程溶液的量，而第二輔助供應管322補足第二製程溶液的供應。

如果在處理槽100內所執行的製程為清洗晶圓W的清洗製程，則製程溶液可為硫酸和過氧化氫的混合物。在此例中，第一製程溶液為硫酸，而第二製程溶液為過氧化氫。硫酸與過氧化氫係分別儲存於獨立的第一與第二容器310、320，分開地供應給處理槽100並於其中混合。

一如SC-1方法的濕式清洗也可應用於晶圓清洗，在此例中，製程溶液包括過氧化氫、氫氧化銨及去離子水。如果製程溶液包括三種具有不同成分的溶液，則供應部300額外地需要一獨立的容器、一供應管、一輔助供應管、一輔助容器及複數個閥門。如果製程溶液為超過四種溶液的混合物，則根據各種類的製程溶液會需要分開的容器。如果製程溶液只有使用一種溶液，則可省略第二容器320、第二供應管321、第二輔助供應管322、第二輔助容器323及複數個閥門325、326與327。

第三圖所示為第二圖所述之一基板支撐單元之立體圖，第四A圖所示為第三圖所述之一基板支撐單元的支撐部之立體圖，第四B圖所示為第三圖所述之一基板支撐單元的支撐部之俯視圖。

參考第三圖，基板支撐單元200包括一底板201與支撐部210、220。底板201為V形，因此底板201的中心為凹的。支撐部210、220係由一個以上的支撐部所組成。支撐部210、220包括一第一支撐部210與一第二支撐部220，第一與第二支撐部210、220彼此相對並被設置於底板201的邊緣，晶圓W的圓周的一部分係由第一與第二支撐部210、220在二點支撐。

第一與第二支撐部210、220由底板201突出並可與底板201整合。替代地，第一與第二支撐部210、220可分開製造並連接至底板201。在此例中，如第三圖所示，一第一連接桿206與一第二連接桿207係形成於底板201上。第一支撐部210係藉由如一螺絲的一連接構件205連接至第一連接桿206，而第二支撐部220係藉由如一螺絲的一連接構件205連接至第二連接桿207。

參考第四A圖，第一支撐部包括兩個支撐桿(supporting rod)211與複數個支撐構件212，兩個支撐桿211彼此相對並向一預先決定的方向延伸。在此，支撐桿211延伸的方向被稱為一第一方向D1，而與第一方向垂直的方向被稱為一第二方向D2。兩個支撐桿211係藉由支撐構件212彼此連接，複數個支撐構件212係於第一方向D1平均地被配置。

每一個支撐構件212具有部分的環形，而環形部分讓兩個支撐桿211彼此連接。儘管在第四A圖中支撐構件212具有一圓環形，不過支撐構件212並不限於環形，舉例來說，支撐構件212可具有方的環形或三角的環形。

兩個支撐桿211與複數個支撐構件212形成一主體，一插槽(slot)212h係在鄰接的支撐構件212之間形成於該主體中，而晶圓W係藉由插入插槽212h而被支撐。

該兩支撐桿的每一個包括一向下延伸的連接板(connecting plate)213，而一穿孔(penetrating hole)214係形成於該連接板213中。第一支撐部210係藉由連接構件205置入穿孔214而連接至第一連接桿206。第一連接桿206係一體形成，兩個支撐桿211的其中一個支撐桿211a係連接至第一連接桿206的一側，而另一支撐桿211b係連接至第一連接桿206的另一側。替代地，第一連接桿206可具有兩個分開的主體，使得被分開的第一連接桿206係分別連接至兩個支撐桿211。上述的連接板213與穿孔214係一種將支撐部210連接至第一連接桿206的實施例，在此也可使用各種不同的連接結構。

第二支撐部220與第二連接桿207具有對應第一支撐部210與第一連接桿206的結構，因此不再詳細描述。

參考第四B圖，晶圓W係於第二方向D2被置入在鄰接的支撐構件212之間的插槽212h，在鄰接的支撐構件212之間的距離係對應晶圓W的厚度，晶圓的一側係與兩個支撐構件212中的任何一個支撐構件212的一側接觸，而晶圓的另一側則與另一個支撐構件212接觸。

因此，晶圓W可由鄰接的兩個支撐構件212在晶圓W的兩側平均地支撐，由於支撐構件212具有環形，環形的一區域係與晶圓W接觸。由於支撐構件212與晶圓W接觸的面積大，支撐構件212具有可以穩固地支撐晶圓W的優點。

使用環形的支撐構件來穩固地支撐晶圓之基板支撐單元可具有各種實施方式，以示範的一個觀點來說，以下將描述其中一些實施例，而上述已經討論的通用特點為了簡潔而予以省略。

第五圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖，第六A圖所示為第五圖所述之一基板支撐單元的支撐部的立體圖，而第六B圖所示為第五圖所述之一基板支撐單元的支撐部的俯視圖。

參考第五圖、第六A圖與第六B圖，基板支撐單元200包括一底板201與複數個支撐部210、220與230。底板201在其中心具有凹部，一第一支撐部210與一第二支撐部220係設置於底板201的邊緣，而一第三支撐部230係設置於底板201的中心的凹部，晶圓W的圓周的一部分係由第一、第二與第三支撐部210、220與230在三點支撐，第三支撐部230係於晶圓W以直立方式設置於支撐部上時，支撐晶圓W的最底部。

第一至第三支撐部210、220與230具有彼此對應的結構，舉例來說，第一支撐部210包括兩個支撐桿211與一支撐構件212，兩個支撐桿211於一第一方向D1延伸並彼此相對。一第一支撐桿211a與一第二支撐桿211b構成該兩個支撐桿211，第一支撐桿211a與第二支撐桿211b係藉由支撐構件212而彼此連接。

如第六A圖所示，複數個支撐構件212係平均地被配置於第一方向D1，並形成於相對第二方向D2傾斜的第三方向D3，其中第二方向D2係與第一方向D1垂直。支撐構件212為環形，而插槽212h係形成於鄰接的支撐構件212之間。複數個支撐構件212部分具有的螺旋形狀。如果支撐構件212係傾斜地形成，則晶圓W係設置於在第一方向D1上彼此鄰接的支撐構件212之間，兩個彼此鄰接的支撐構件212的其中一個係與晶圓W的一上側接觸，而兩個鄰接的支撐構件212的另一個係與晶圓W的一下側接觸，如第六B圖所示。

晶圓W的上側與兩個鄰接的支撐構件212的其中一個接觸，而晶圓W的下側係與兩個鄰接的支撐構件212的另外一個接觸，其中上側與下側的位置並沒有對應，晶圓W的上側與晶圓W的下側係對應地位於相對於插槽212h的中心之位置。所以兩個鄰接的支撐構件212可防止晶圓W晃動，而晶圓W可由兩個鄰接的支撐構件212更穩固地支撐。晶圓W與支撐構件212接觸的接觸區域比先前提到的實施例的面積減縮。由於化學溶液無法接觸到晶圓W接觸到支撐構件212的接觸區域，因此在本實施例中，有助於提升製程的效率。

如果支撐構件212的傾斜角(declined angle)變得太大，晶圓W無法在大幅傾斜的支撐構件212之間維持平坦狀態，所以支撐構件212的傾斜角度有限制，其角度可為10度或更小。在同樣的角度下，具有較薄厚度的晶圓W可輕易地維持平坦狀態，支撐構件212的傾斜角對應晶圓W的厚度，因此，晶圓W越厚，傾斜角會越小。

第二與第三支撐部220、230對應第一支撐構件210，並包括兩個支撐桿與複數個支撐構件。第二與第三支撐部220、230的支撐構件向第三方向D3傾斜，有關第二與第三支撐部220、230的詳細說明將略而不提。

第七圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖，第八A圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之立體圖，而第八B圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之俯視圖。

參考第七圖，其中有底板201與支撐部210、220。支撐部210、220包括被設置於底板201的邊緣之第一支撐部210與第二支撐部220，第一與第二支撐部210、220具有與上述實施例相同的結構，只不過每一個支撐構件的傾斜方向為對稱的，也就是說，第一支撐部210的支撐構件係向第三方向D3傾斜，而第二支撐部220的支撐構件係向一第四方向D4傾斜，該第四方向係與相對於第二方向D2的第三方向對稱。支撐構件的傾斜方向可被設置為相同的。

底板201在第一與第二支撐部210、220之間的中心部份具有下凹的形狀，輔助支撐部(auxiliary supporting portion)250係設置於底板201的中心部份上，因此，晶圓W的圓周的一部分係由第一支撐部210、輔助支撐部250與第二支撐部220支撐。

參考第八A圖，輔助支撐部250係向第一方向延伸並包括彼此間隔之一第一輔助支撐桿251a與一第二輔助支撐桿251b。插槽252h係形成於第一輔助支撐桿251a與第二輔助支撐桿251b的每一根之上，穿孔253係形成於第一輔助支撐桿251a與第二輔助支撐桿251b的每一根之上，使得第一輔助支撐桿251a與第二輔助支撐桿251b係連接至底板201。

參考第八B圖，形成於第一輔助支撐桿251a與第二輔助支撐桿251b上的插槽252h係對應地設置於第二方向D2，因此，晶圓W係藉由被插入對應的兩個插槽252h中而得到支撐。由於輔助支撐部250僅用來協助支撐部210、220支撐晶圓W，因此輔助支撐部250並不需要具有像是支撐部210、220一樣的支撐力量。所以，構成輔助支撐部250的輔助支撐桿的數目可為有撓性，舉例來說，第二輔助支撐桿251b可省略，或者是除了第一與第二支撐桿251a、251b外，可加上其他的輔助支撐桿。

第九圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖，第十A圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之立體圖，以及第十B圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之俯視圖。

參考第九圖，其中有底板201、輔助支撐部250、第一與第二支撐部210、220。輔助支撐部250、第一與第二支撐部210、220係依次地沿著一第二方向D2被安裝在底板201上。第一與第二支撐部210、220的每一個的支撐構件係形成為相對於一第三方向D3傾斜。

參考第十A圖，輔助支撐部250向一第一方向D1延伸，並包括一第一輔助支撐桿251a與一第二輔助支撐桿251b。插槽252h係形成於第一輔助支撐桿251a與第二輔助支撐桿251b的每一根上，第一輔助支撐桿251a的插槽252h係被稱為第一插槽252h1，而第二輔助支撐桿251b的插槽252h係被稱為第二插槽252h2，第一插槽252h1的一中心線並不重合第二插槽252h2的一中心線。

參考第十B圖，第一與第二插槽252h1、252h2係對應地設置於第三方向D3。因此，第一插槽252h1係與晶圓W的一側接觸，而第二插槽252h2係與晶圓W的另一側接觸，此一結構避免晶圓W晃動並且更穩固地支撐晶圓W。

10．．．載入埠

11．．．匣盒

20．．．傳輸單元

30．．．處理單元

31．．．第一子處理單元

32．．．第二子處理單元

33．．．第三子處理單元

100．．．處理槽

110．．．內槽

120．．．外槽

130．．．出口

140．．．入口

200．．．基板支撐單元

201．．．底板

205．．．連接構件

206．．．第一連接桿

207．．．第二連接桿

210．．．支撐部

210．．．支撐部

211．．．支撐桿

211a．．．支撐桿

211b．．．支撐桿

212．．．支撐構件

212h．．．插槽

213．．．連接板

214．．．穿孔

220．．．支撐部

230．．．第三支撐部

250．．．輔助支撐部

251．．．輔助支撐桿

251a．．．第一輔助支撐桿

251b．．．第二輔助支撐桿

252h．．．插槽

252h1．．．第一插槽

252h2．．．第二插槽

253．．．穿孔

300．．．供應部

310．．．第一容器

311．．．第一供應管

312．．．第一輔助供應管

313．．．第一輔助容器

315．．．閥門

316．．．閥門

317．．．閥門

320．．．第二容器

321．．．第二供應管

322．．．第二輔助供應管

323．．．第二輔助容器

325．．．閥門

326．．．閥門

327．．．閥門

400．．．循環部

D1．．．第一方向

D2．．．第二方向

D3．．．第三方向

D4．．．第四方向

W．．．晶圓

附隨圖式係用以更深入了解本發明，並被納入與構成本說明書的一部分。圖式所示為本發明的示範實施例，並與詳細實施例說明一同用以解釋本發明的原則，其中：

第一圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板處理設備之立體圖；

第二圖所示為第一圖所述之一子處理單元之示意圖；

第三圖所示為第二圖所述之一基板支撐單元之立體圖；

第四A圖所示為第三圖所述之一基板支撐單元的支撐部之立體圖；

第四B圖所示為第三圖所述之一基板支撐單元的支撐部之俯視圖；

第五圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖；

第六A圖所示為第五圖所述之一基板支撐單元之支撐部立體圖；

第六B圖所示為第五圖所述之一基板支撐單元之支撐部俯視圖；

第七圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖；

第八A圖所示為第七圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之立體圖；

第八B圖所示為第七圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之俯視圖；

第九圖所示為根據本發明的一些實施例的一基板支撐單元之立體圖；

第十A圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之立體圖；以及

第十B圖所示為第九圖所述之一基板支撐單元的輔助支撐部之俯視圖。

200．．．基板支撐單元

201．．．底板

205．．．連接構件

206．．．第一連接桿

207．．．第二連接桿

210．．．支撐部

220．．．支撐部

D1．．．第一方向

D2．．．第二方向

Claims (18)

1. 一種基板支撐單元，包含：一底板；以及至少一個支撐部，其形成於該底板上且支撐複數個以一第一方向配置之基板，其中該支撐部包含：兩個支撐桿，其以該第一方向延伸且彼此分隔；以及複數個支撐構件，其被配置為在該第一方向彼此分隔之，該等支撐構件連接該等支撐桿並與每一該基板接觸；其中該等支撐構件係相對於一第二方向傾斜，該第二方向係與該第一方向垂直。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐單元，更包含一連接桿，其以該第一方向延伸並自該底板突出，其中該等支撐桿係連接至該連接桿。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板支撐單元，其中兩個在該第一方向彼此鄰接的支撐構件係用以支撐一被插設於該兩個支撐構件之間的單一基板，以及該兩個鄰接的支撐構件的其中一個係與該單一基板的一上側接觸，而另一支撐構件係與該單一基板的一下側接觸。
4. 如申請專利範圍第2項所述之基板支撐單元，其中該支撐部包括平行地形成並彼此分隔之一第一支撐部與一第二支撐部，以及該第一支撐部與該第二支撐部的該等支撐構件係向同一方向傾斜。
5. 如申請專利範圍第2項所述之基板支撐單元，其中該支撐部包括平行地形成並彼此分隔之一第一支撐部與一第二支撐部，以及該第一支撐部與該第二支撐部的該等支撐構件係向一對稱的方向傾斜。
6. 如申請專利範圍第2項所述之基板支撐單元，其中該等支撐構件相對於該第二方向之一傾斜角為10度以下。
7. 如申請專利範圍第1項至第6項的任一項所述之基板支撐單元，其中當朝向該第一方向觀看時，該等支撐構件具有部分為一圓的環形。
8. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐單元，更包含至少一個輔助支撐部形成於該底板上且包括在該第一方向的插槽，從而支撐該複數個基板。
9. 如申請專利範圍第8項所述之基板支撐單元，其中該輔助支撐部包括至少兩個輔助支撐桿，該等輔助支撐桿向該第一方向延伸，以便彼此分隔，並具有該等插槽形成於該兩個支撐桿的每一個之上。
10. 如申請專利範圍第8項所述之基板支撐單元，其中該支撐部包括一第一支撐部與一第二支撐部，其對稱地設置以便與該輔助支撐部的兩側分隔。
11. 一種基板支撐單元，包含：一底板；以及至少一個支撐部，其形成於該底板上且支撐複數個以一第一方向配置之基板，其中該支撐部包含兩個彼此相對之側壁與一連接該兩個側壁之主體，以及複數個插槽形成於該主體中以便接觸該等基板；其中該等插槽係相對於一第二方向傾斜，該第二方向係與該第一方向垂直。
12. 如申請專利範圍第11項所述之基板支撐單元，其中該等基板係被插入該等插槽以便與該第二方向平行。
13. 如申請專利範圍第11項至第12項任一項所述之基板支撐單元，其中當朝向該等插槽所形成的一區域觀看時，該主體具有部分為一圓形的環形。
14. 一種基板處理設備，包含：一處理槽，而一程序係於其中針對基板執行；以及一基板支撐單元，其於一程序中係被設置於該處理槽內並支撐該等基板，使得該等基板係垂直地位於該基板支撐單元上，其中該基板支撐單元包含：一底板；以及至少一個支撐部，其形成於該底板上且支撐複數個以一第一方向配置之基板，其中該支撐部包含：兩個支撐桿，其以該第一方向延伸且彼此分隔；以及複數個支撐構件，其被配置為在該第一方向彼此分隔，該等支撐構件連接該等支撐桿並與每一該基板接觸；其中該等支撐構件係相對於一第二方向傾斜，該第二方向係與該第一方向垂直。
15. 如申請專利範圍第14項所述之基板處理設備，其中該等支撐構件向一第二方向傾斜，該第二方向係與該第一方向垂直。
16. 如申請專利範圍第15項所述之基板處理設備，其中兩個在該第一方向彼此鄰接的支撐構件係用以支撐一被置於該兩個支撐構件之間的單一基板，以及該兩個鄰接的支撐構件的其中一個係與該單一基板的一上側接觸，而另一支撐構件係與該單一基板的一下側接觸。
17. 一種基板處理設備，包含：一處理槽，而一程序係於其中針對基板執行；以及一基板支撐單元，其於一程序中係被設置於該處理槽內並支撐該等基板，使得該等基板係垂直地位於該基 板支撐單元上，其中該基板支撐單元包含：一底板；以及至少一個支撐部，其形成於該底板上且支撐複數個以一第一方向配置之基板，其中該支撐部包含兩個彼此相對之側壁與一連接該兩個側壁之主體，以及複數個插槽形成於該主體中以便接觸該等基板；其中該等插槽係相對於一第二方向傾斜，該第二方向係與該第一方向垂直。
18. 如申請專利範圍第17項所述之基板處理設備，其中該等基板係被插入該等插槽以便與該第二方向平行。