JP2009092407A - マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法ならびに半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクブランク検査装置は、反射型マスクブランクMを載置するステージ2と、検査光BMを発生する光源1と、照明光学系としてのミラー10と、暗視野結像光学系Lと、ビームスプリッタBSと、2個の2次元アレイセンサSa,Sbと、信号蓄積部6,7と、画像処理部8と、装置全体の動作を制御する主制御部9などで構成される。センサSaは、光束14aの結像面IPaから光進行方向に沿って所定距離d1だけ変位した位置に配置される。センサSbは、光束14bの結像面IPbから光進行方向とは反対方向に所定距離d2だけ変位した位置に配置される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係るマスクブランク検査装置の一例を示す構成図である。マスクブランク検査装置は、反射型マスクブランクMを載置するためのステージ2と、検査光BMを発生する光源1と、照明光学系としてのミラー10と、結像光学系Lと、ビームスプリッタBSと、2個の2次元アレイセンサSa,Sbと、信号蓄積部6,7と、画像処理部8と、装置全体の動作を制御する主制御部9などで構成される。ここで、理解容易のため、ステージ面をXY面とし、ステージ面の法線方向をZ軸とする。
本実施形態では、図1に示した検査装置において、ビームスプリッタBSの代わりに、回折格子で構成された光分岐素子を使用した例を説明する。
本実施形態では、上述の反射型露光マスクを用いた投影露光方法および半導体集積回路の製造方法について説明する。
接続孔の面積は小さく、またパターン密度も5%%程度であるため、接続孔付近に欠陥が発生する比率は少なく、この方法により使用できるマスクブランクの歩留まりは高くなる。従って、本実施形態により作製した半導体集積回路の歩留まりは、従来のマスクブランク欠陥検査を行って作製したものより高くなる。
5 ステージ駆動部、 6,7 信号蓄積部、 8 画像処理部、 9 主制御部、
10 ミラー、 12 レーザ光源、 13 センサ、 14,14a,14b 光束
18 基準マーク、 BS ビームスプリッタ、 DS 表示部、
IP,IPa,IPb 結像面、 L 結像光学系、 M マスクブランク、
MS マスク基板、 ML 多層膜、 Sa,Sb 2次元アレイセンサ、
103s 基板、 106n n型ウエル、 106p p型ウエル、
108 ゲート絶縁膜、 109 ゲート電極、 116L1 第1配線層。
Claims (11)
- 検査対象となる反射型マスクブランクを載置するためのステージと、
検査光を発生するための光源と、
光源からの検査光を用いて、前記マスクブランクの被検査領域を照明するための照明光学系と、
被検査領域から反射した光のうち鏡面反射光を除く散乱光を捕集して、所定の結像面に拡大結像するための暗視野光学系と、
暗視野光学系から出射した光を第1光束および第2光束に分岐するための光分岐素子と、
第1光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置され、複数の検出画素を有する第1画像センサと、
第2光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置され、複数の検出画素を有する第2画像センサと、
第1画像センサおよび第2画像センサからの各信号に基づいて、マスクブランクの欠陥の有無を判定するための画像処理部とを備えることを特徴とするマスクブランク検査装置。 - 前記光分岐素子は、多層膜で構成されることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査装置。
- 前記光分岐素子は、透過型の回折格子で構成されることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査装置。
- 前記光分岐素子は、反射型の回折格子で構成されることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査装置。
- 前記ステージを面内方向に移動するためのステージ駆動部をさらに備え、
第1画像センサおよび第2画像センサは、ステージの連続移動と同期して時間遅延積分動作が可能なイメージセンサであることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査装置。 - 前記検査光は、極端紫外域の波長を含むことを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査装置。
- 検査対象となる反射型マスクブランクに向けて検査光を照射し、被検査領域を照明するステップと、
被検査領域から反射した光のうち鏡面反射光を除く散乱光を捕集し、捕集した光を第1光束および第2光束に分岐した後、第1光束の結像面から光進行方向に沿って所定距離だけ変位した位置に配置された第1画像センサ、および第2光束の結像面から光進行方向とは反対方向に所定距離だけ変位した位置に配置された第2画像センサをそれぞれ用いて、第1光束および第2光束が形成する各検査画像の強度分布を計測するステップと、
第1画像センサおよび第2画像センサからの各信号に基づいて、マスクブランクの欠陥の有無を判定するステップとを含むことを特徴とする請求項1記載のマスクブランク検査方法。 - 欠陥の有無を判定するステップは、
第1画像センサの信号と所定の第1閾値とを比較するステップと、
第2画像センサの信号と所定の第2閾値とを比較するステップと、
第1画像センサの信号と第2画像センサの信号とを比較するステップとを含み、
比較結果に基づいて、表面形状の凸型欠陥と凹型欠陥を識別することを特徴とする請求項7記載のマスクブランク検査方法。 - 反射型マスクブランクの上に吸収体パターンを形成するための反射型露光マスクの製造方法であって、
請求項7または8に記載されたマスクブランク検査方法を用いて、マスクブランクの欠陥を検査するステップと、
欠陥の位置情報を記憶するステップと、
記憶した欠陥位置情報に基づいて、吸収体パターンの形成位置を規定するための吸収体パターンとマスクブランクとの相対位置を決定するステップと、
決定した相対位置に基づいて、マスクブランクの上に吸収体パターンを形成するステップとを含むことを特徴とする反射型露光マスクの製造方法。 - 請求項9記載の反射型露光マスクの製造方法を用いて得られたマスクを反射型露光装置に載置して、吸収体パターンを半導体基板に縮小投影することを特徴とする反射型露光方法。
- 請求項10記載の反射型露光方法を用いて、半導体基板に集積回路パターンを形成することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007260796A JP5039495B2 (ja) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法 |
US12/241,614 US7911600B2 (en) | 2007-10-04 | 2008-09-30 | Apparatus and a method for inspection of a mask blank, a method for manufacturing a reflective exposure mask, a method for reflective exposure, and a method for manufacturing semiconductor integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
JP2007260796A Active JP5039495B2 (ja) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法 |
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---|---|
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010282192A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Euvマスク用空間映像測定装置及び方法 |
JP2011043810A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Asml Netherlands Bv | 検査方法及び装置 |
WO2010148293A3 (en) * | 2009-06-19 | 2011-03-31 | Kla-Tencor Corporation | Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers |
JP2011090169A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Lasertec Corp | マスク検査方法、マスク検査装置 |
JP2011108726A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | Euvマスクの欠陥検査方法、euvマスクの製造方法、euvマスク検査装置、および、半導体装置の製造方法 |
JP4822471B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2011-11-24 | レーザーテック株式会社 | Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法 |
JP2012059984A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nuflare Technology Inc | マスク検査装置及び露光用マスク製造装置 |
JP2012142468A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | Euvマスク用ブランクの良否判定方法及びeuvマスクの製造方法 |
WO2012121159A1 (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-13 | 旭硝子株式会社 | 多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法 |
JP2012185031A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | マスク検査方法およびその装置 |
JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
JP2012256695A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Toshiba Corp | マスク基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2013062294A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Renesas Electronics Corp | Euvマスクの製造方法 |
US8986913B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for inspecting a mask substrate for defects, method of manufacturing a photomask, and method of manufacturing a semiconductor device |
KR20150120419A (ko) * | 2013-02-22 | 2015-10-27 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
KR20160042235A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-19 | 삼성전자주식회사 | 광학 장치 |
JP2017049207A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 |
KR20180025276A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
US10274370B2 (en) | 2012-02-21 | 2019-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method |
WO2020054527A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012058206A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | マスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5924267B2 (ja) | 2010-12-14 | 2016-05-25 | 株式会社ニコン | 検査方法、検査装置、露光管理方法、露光システムおよび半導体デバイスの製造方法 |
WO2012114147A1 (en) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | Nano-Uv | Method for detecting defects in a microscopic scale on a surface of a sample, and device implementing this method |
JP6021909B2 (ja) | 2011-07-21 | 2016-11-09 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 低温試料グループホルダーにおける寸法変化の補正のための方法と装置 |
US10197501B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
JP5126917B1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-01-23 | レーザーテック株式会社 | 欠陥座標測定装置、欠陥座標測定方法、マスクの製造方法、及び基準マスク |
JP6009787B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2016-10-19 | 株式会社東芝 | 最適撮像位置検出方法、最適撮像位置検出装置、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US9496425B2 (en) * | 2012-04-10 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer |
US8953869B2 (en) | 2012-06-14 | 2015-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles |
US9601299B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including silicon substrate with boron layer |
US9426400B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination |
US9632411B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9417515B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-16 | Applied Materials, Inc. | Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9612521B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
US9448343B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same |
US9478402B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-10-25 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor |
WO2014200648A2 (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Kla-Tencor Corporation | System and method for determining the position of defects on objects, coordinate measuring unit and computer program for coordinate measuring unit |
US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
US9748294B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Anti-reflection layer for back-illuminated sensor |
US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
DE102014211362B4 (de) | 2014-06-13 | 2018-05-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Analysieren eines optischen Elements für den EUV-Wellenlängenbereich |
JP6251647B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2017-12-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10748730B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer |
US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
JP6891795B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-06-18 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 |
EP3355115B1 (en) * | 2017-01-26 | 2022-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Methods and system for defect inspection, sorting and manufacturing photomask blanks |
KR20190052516A (ko) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 삼성전자주식회사 | 표면 검사 장치 |
US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
KR102632562B1 (ko) | 2018-08-22 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | Si 기반 검사 장치와 검사 방법, 및 그 검사 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 |
US10943760B2 (en) | 2018-10-12 | 2021-03-09 | Kla Corporation | Electron gun and electron microscope |
US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
JP7257853B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2023-04-14 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、露光装置および物品製造方法 |
US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04328549A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nikon Corp | フォトマスクの検査方法および装置 |
JP2000241121A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Lasertec Corp | 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 |
JP2001174291A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Olympus Optical Co Ltd | 光学式エンコーダ |
JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
JP2002181723A (ja) * | 1995-10-24 | 2002-06-26 | Nkk Corp | 表面検査装置 |
JP2002286409A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 干渉計装置 |
JP2004193269A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006010599A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レンズ特性検査方法およびそれに用いるレンズ特性検査装置 |
JP2007041600A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Kla Tencor Technologies Corp | レティクル設計パターン内の欠陥を検出するための方法および装置 |
JP2007219130A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Renesas Technology Corp | マスクブランクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3336361B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 縮小投影露光用反射型x線マスクの検査装置および検査方法 |
JPH11354404A (ja) | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 |
JP3614741B2 (ja) | 1999-12-17 | 2005-01-26 | 日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 | 欠陥検出光学系および表面欠陥検査装置 |
JP4230674B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2009-02-25 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
US6617603B2 (en) * | 2001-03-06 | 2003-09-09 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Surface defect tester |
JP4084580B2 (ja) | 2001-03-06 | 2008-04-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面欠陥検査装置 |
US6657714B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Defect detection with enhanced dynamic range |
JP3728495B2 (ja) | 2001-10-05 | 2005-12-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 多層膜マスク欠陥検査方法及び装置 |
US6914723B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-07-05 | Xradia, Inc. | Reflective lithography mask inspection tool based on achromatic Fresnel optics |
JP2005156516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP4723362B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
US7782452B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and method for simultaneously inspecting a specimen with two distinct channels |
-
2007
- 2007-10-04 JP JP2007260796A patent/JP5039495B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-30 US US12/241,614 patent/US7911600B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04328549A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nikon Corp | フォトマスクの検査方法および装置 |
JP2002181723A (ja) * | 1995-10-24 | 2002-06-26 | Nkk Corp | 表面検査装置 |
JP2000241121A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Lasertec Corp | 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 |
JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
JP2001174291A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Olympus Optical Co Ltd | 光学式エンコーダ |
JP2002286409A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 干渉計装置 |
JP2004193269A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006010599A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レンズ特性検査方法およびそれに用いるレンズ特性検査装置 |
JP2007041600A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Kla Tencor Technologies Corp | レティクル設計パターン内の欠陥を検出するための方法および装置 |
JP2007219130A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Renesas Technology Corp | マスクブランクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法 |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101535230B1 (ko) * | 2009-06-03 | 2015-07-09 | 삼성전자주식회사 | Euv 마스크용 공간 영상 측정 장치 및 방법 |
JP2010282192A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Euvマスク用空間映像測定装置及び方法 |
JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
US8711346B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks |
WO2010148293A3 (en) * | 2009-06-19 | 2011-03-31 | Kla-Tencor Corporation | Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers |
US8692986B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-04-08 | Kla-Tencor Corporation | EUV high throughput inspection system for defect detection on patterned EUV masks, mask blanks, and wafers |
US8553217B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-10-08 | Kla-Tencor Corporation | EUV high throughput inspection system for defect detection on patterned EUV masks, mask blanks, and wafers |
US9377414B2 (en) | 2009-06-19 | 2016-06-28 | Kla-Tencor Corporation | EUV high throughput inspection system for defect detection on patterned EUV masks, mask blanks, and wafers |
JP2016145989A (ja) * | 2009-06-19 | 2016-08-12 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
KR101234188B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2013-02-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 방법 및 장치 |
JP2011043810A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Asml Netherlands Bv | 検査方法及び装置 |
US8830455B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus |
JP2011090169A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Lasertec Corp | マスク検査方法、マスク検査装置 |
JP2011108726A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | Euvマスクの欠陥検査方法、euvマスクの製造方法、euvマスク検査装置、および、半導体装置の製造方法 |
JP2012059984A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nuflare Technology Inc | マスク検査装置及び露光用マスク製造装置 |
JP4822471B1 (ja) * | 2010-11-30 | 2011-11-24 | レーザーテック株式会社 | Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法 |
JP2012142468A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | Euvマスク用ブランクの良否判定方法及びeuvマスクの製造方法 |
JP2012185031A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | マスク検査方法およびその装置 |
US8921017B2 (en) | 2011-03-07 | 2014-12-30 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer substrate, manufacturing method for multilayer substrate, and quality control method for multilayer substrate |
TWI569089B (zh) * | 2011-03-07 | 2017-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | Multi-layer substrate, multi-layer substrate manufacturing method, multi-layer substrate quality management methods |
JP5910625B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2016-04-27 | 旭硝子株式会社 | 多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法 |
WO2012121159A1 (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-13 | 旭硝子株式会社 | 多層基板、多層基板の製造方法、多層基板の品質管理方法 |
JP2012256695A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Toshiba Corp | マスク基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2013062294A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Renesas Electronics Corp | Euvマスクの製造方法 |
US10274370B2 (en) | 2012-02-21 | 2019-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method |
US8986913B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for inspecting a mask substrate for defects, method of manufacturing a photomask, and method of manufacturing a semiconductor device |
KR102219307B1 (ko) | 2013-02-22 | 2021-02-23 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
KR20150120419A (ko) * | 2013-02-22 | 2015-10-27 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
KR20210021141A (ko) * | 2013-02-22 | 2021-02-24 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
KR102330533B1 (ko) | 2013-02-22 | 2021-11-24 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
KR20160042235A (ko) * | 2014-10-07 | 2016-04-19 | 삼성전자주식회사 | 광학 장치 |
KR102299921B1 (ko) * | 2014-10-07 | 2021-09-09 | 삼성전자주식회사 | 광학 장치 |
JP2017049207A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 |
KR20180025276A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
KR102231933B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2021-03-26 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
WO2020054527A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
CN112673314A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-16 | Hoya株式会社 | 掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5039495B2 (ja) | 2012-10-03 |
US7911600B2 (en) | 2011-03-22 |
US20090091752A1 (en) | 2009-04-09 |
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