JP2009084113A - シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 178
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001175 rotational moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
【課題の解決手段】外面層が気泡含有シリカガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されないシリカガラス層によって形成されているシリカガラスルツボにおいて、外面層と内面層の間に、直径100μm以下の気泡を体積気泡含有率で0.1%以上含む気泡含有シリカガラス層(気泡含有層)と、体積気泡含有率0.05%以下のシリカガラス層(透明ガラス層)が積層した中間層が介在されていることを特徴とするシリカガラスルツボと、その製造方法。
【選択図】図1
Description
〔1〕外面層が気泡含有シリカガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されないシリカガラス層によって形成されているシリカガラスルツボにおいて、外面層と内面層の間に、直径100μm以下の気泡を体積気泡含有率で0.1%以上含む気泡含有シリカガラス層(気泡含有層)と、体積気泡含有率0.05%以下のシリカガラス層(透明ガラス層)が積層した中間層が介在されていることを特徴とするシリカガラスルツボ。
〔2〕中間層を形成する気泡含有層の層厚が0.5mm以上であり、透明ガラス層の層厚が0.5mm以上である上記[1]に記載するシリカガラスルツボ。
〔3〕外面層と内面層の間に、気泡含有層と透明ガラス層が交互に複数積層した中間層が介在されている上記[1]〜上記[2]の何れかに記載するシリカガラスルツボ。
〔4〕回転モールド内表面に堆積した石英粉をモールド空間側から加熱溶融し、該加熱溶融の際にモールド側から石英粉堆積層内の空気を吸引して気泡を除去する真空引きを行うシリカガラスルツボの製造方法において、真空引きとリークを断続的に行うことによって、外面層と内面層の間に気泡含有層と透明ガラス層を積層して形成することを特徴とするシリカガラスルツボの製造方法。
〔5〕真空引きとリークを断続的に複数回行うことによって、外面層と内面層の間に、気泡含有層と透明ガラス層が交互に複数積層した中間層を形成する上記[4]に記載する製造方法。
〔6〕真空引きとリークを断続的に行う際に、リークガスとしてヘリウムガス50%以上含む混合ガスを導入する上記[4]〜上記[5]の何れかに記載する製造方法。
〔7〕上記[1]〜上記[6]の何れかに記載するシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法。
本発明のシリカガラスルツボは、外面層が気泡含有シリカガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されないシリカガラス層によって形成されているシリカガラスルツボにおいて、外面層と内面層の間に、直径100μm以下の気泡を体積気泡含有率で0.1%以上含む気泡含有シリカガラス層(気泡含有層)と、体積気泡含有率0.05%以下のシリカガラス層(透明ガラス層)が積層した中間層が介在されていることを特徴とするシリカガラスルツボである。
内径φ630mmの回転モールドの内面にシリカ粉末を厚さ30mmに堆積し、モールド内部空間の中央軸上に設けた炭素電極を用い、堆積した石英粉をモールド空間側から2200℃に加熱してアーク溶融を行った。このアーク溶融の際に、回転モールド側から真空引きを行って内面透明層を形成した。引き続き、真空引きを解除して大気リークを60秒実施し、さらにその後に再びモールド側から真空引きを60秒行い、このように60秒間隔でリークと真空引きを3回繰り返して中間層を形成した。その後は大気リークの状態でアーク溶融を所定時間継続して外面層を形成した。アーク終了後、冷却してシリカガラスルツボを得た。このルツボを切断し、ルツボ断面を観察したところ、内面層3mmの下側に層厚約1mmの気泡含有層と、層厚約1mmの透明ガラス層が交互に三層積層した中間層が存在し、最外面層が層厚約2mmの気泡含有層であった。
実施例1と同様の方法で、回転モールド内面にシリカ粉末を堆積してシリカガラスルツボを製造する際、内面透明層を形成後、120秒間大気をリークした後、60秒間真空引きをするパターンを2回繰り返し、その後に大気リーク状態で所定時間までアークを継続して外面層を形成した。このシリカガラスルツボの断面を観察したところ、内面層の下側に厚さ約2mmの気泡含有層と、層厚約1mmの透明ガラス層が交互に二層積層した中間層が存在し、最外面層が層厚約2mmの気泡含有層であった。このルツボを、実施例1と同様にシリコン単結晶の引き上げに使用したところ、従来の二層シリカガラスルツボを使用したときに比較して、シリコン融液を形成する際の昇温時間が約12%短縮され、ルツボ温度が3℃低下した。また、引き上げ中の湯面振動は観察されなかった。
実施例1と同様の方法で、回転モールド内面にシリカ粉末を堆積してシリカガラスルツボを製造する際、内面透明層を形成後、真空引きとリークを60秒間3回繰り返してシリカガラスガラスルツボを製造した。また、リーク時に導入するガスにヘリウムガスを用いた。このルツボを、シリコン単結晶引き上げ容器として使用したところ、従来の二層シリカガラスルツボを使用したときに比較して、シリコン融液を形成する際の昇温時間が約25%短縮され、ルツボ温度が6℃低下した。また、引き上げ中の湯面振動は観察されなかった。引き上げ後、ルツボ断面を観察したところ、気泡の膨張が観察されたが、中間層の透明ガラス層と気泡含有層が各々三層に形成された状態が維持されていることが観察された。
実施例1と同様の方法で、回転モールド内面にシリカ粉末を堆積してシリカガラスルツボを製造する際、内面透明層を形成後、真空引きとリークを交互に行うことをせず、大気リークをしたまま所定時間、アーク熔融を継続し、シリカガラスルツボを製造した。このシリカガラスルツボの断面を観察したところ、約3mmの内面層(無気泡透明ガラス層)の外側に約7mmの外面層(外側気泡含有層)が形成された二層構造(中間層を有しない)のシリカガラスルツボであった。このルツボを、シリコン単結晶引き上げ容器として使用したところ、引き上げ中に激しい湯面振動が観察された。
Claims (7)
- 外面層が気泡含有シリカガラス層によって形成されており、内面層が肉眼で気泡が観察されないシリカガラス層によって形成されているシリカガラスルツボにおいて、外面層と内面層の間に、直径100μm以下の気泡を体積気泡含有率で0.1%以上含む気泡含有シリカガラス層(気泡含有層)と、体積気泡含有率0.05%以下のシリカガラス層(透明ガラス層)が積層した中間層が介在されていることを特徴とするシリカガラスルツボ。
- 中間層を形成する気泡含有層の層厚が0.5mm以上であり、透明ガラス層の層厚が0.5mm以上である請求項1に記載するシリカガラスルツボ。
- 外面層と内面層の間に、気泡含有層と透明ガラス層が交互に複数積層した中間層が介在されている請求項1〜2の何れかに記載するシリカガラスルツボ。
- 回転モールド内表面に堆積した石英粉をモールド空間側から加熱溶融し、該加熱溶融の際にモールド側から石英粉堆積層内の空気を吸引して気泡を除去する真空引きを行うシリカガラスルツボの製造方法において、真空引きとリークを断続的に行うことによって、外面層と内面層の間に気泡含有層と透明ガラス層を積層して形成することを特徴とするシリカガラスルツボの製造方法。
- 真空引きとリークを断続的に複数回行うことによって、外面層と内面層の間に、気泡含有層と透明ガラス層が交互に複数積層した中間層を形成する請求項4に記載する製造方法。
- 真空引きとリークを断続的に行う際に、リークガスとしてヘリウムガス50%以上含む混合ガスを導入する請求項4〜5の何れかに記載する製造方法。
- 請求項1〜6の何れかに記載するシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007256155A JP5143520B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 |
US12/303,139 US20100319608A1 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | Silica glass crucible, method of manufacturing the same and pulling method |
PCT/JP2008/067651 WO2009041684A1 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 |
EP08825826.4A EP2194166A4 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | QUARTZ GLASS LEVER, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND PRODUCTION PROCESS |
KR1020087029176A KR20100066252A (ko) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | 실리카 글래스 도가니와 그 제조 방법 및 인상 방법 |
TW097137541A TWI383962B (zh) | 2007-09-28 | 2008-09-30 | 矽玻璃坩堝和其製造方法及拉晶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007256155A JP5143520B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009084113A true JP2009084113A (ja) | 2009-04-23 |
JP5143520B2 JP5143520B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=40511562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007256155A Active JP5143520B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100319608A1 (ja) |
EP (1) | EP2194166A4 (ja) |
JP (1) | JP5143520B2 (ja) |
KR (1) | KR20100066252A (ja) |
TW (1) | TWI383962B (ja) |
WO (1) | WO2009041684A1 (ja) |
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-
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- 2007-09-28 JP JP2007256155A patent/JP5143520B2/ja active Active
-
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- 2008-09-29 WO PCT/JP2008/067651 patent/WO2009041684A1/ja active Application Filing
- 2008-09-29 KR KR1020087029176A patent/KR20100066252A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-29 US US12/303,139 patent/US20100319608A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-29 EP EP08825826.4A patent/EP2194166A4/en not_active Withdrawn
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WO2021049256A1 (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 信越石英株式会社 | 反射部材及びガラス積層部材の製造方法 |
JP2021042114A (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | 信越石英株式会社 | 反射部材及びガラス積層部材の製造方法 |
JP7369573B2 (ja) | 2019-09-13 | 2023-10-26 | 信越石英株式会社 | 反射部材及びガラス積層部材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009041684A1 (ja) | 2009-04-02 |
EP2194166A1 (en) | 2010-06-09 |
JP5143520B2 (ja) | 2013-02-13 |
US20100319608A1 (en) | 2010-12-23 |
TWI383962B (zh) | 2013-02-01 |
EP2194166A4 (en) | 2014-05-21 |
KR20100066252A (ko) | 2010-06-17 |
TW200922890A (en) | 2009-06-01 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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