JP2009075459A - 二軸性複屈折体の製造方法、二軸性複屈折体及び液晶プロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】位相差補償素子は二軸性複屈折体からなり、基板上に無機材料を斜方蒸着することによって作製される。蒸着材料の飛来する方向(極角)は基板の表面の法線方向に対して所定範囲内に保たれ、かつ、基板は表面に平行な方向に振動的な往復回転が行われている状態で斜方蒸着は行われる。位相差補償素子は、液晶素子の液晶分子のうち黒色を表示する場合にも傾斜して配向する表面付近の傾斜配向成分に応じて、傾斜配向成分の正面位相差の遅相軸方向と位相差補償素子の正面位相差の遅相軸方向とが垂直になるように、かつ、位相差補償素子の屈折率楕円体が表面に対して傾斜する方向が傾斜位相差成分の屈折率楕円体が表面に対して傾斜する方向と逆向きになるように配置される。
【選択図】図7
Description
液晶プロジェクタが投影表示する画像のコントラストを向上するためには、液晶プロジェクタが内蔵する液晶表示素子が黒色を表示する配向状態のときに、画像の投影に使用する視野角範囲内での位相差を可能な限り補償することが必要となる。
(1) 傾斜配向成分24a(24b)の対称面と位相差補償素子の屈折率楕円体の対称面とが略一致すること、
(2) 傾斜配向成分24a(24b)が素子表面に対する傾斜方向と、位相差補償素子の屈折率楕円体の素子表面に対する傾斜方向とが逆向きであること、
(3) 傾斜配向成分24a(24b)によって生じる正面位相差の遅相軸と位相差補償素子の正面位相差の遅相軸とが直交していること、
の3つの条件を満たすことが必要となる。
無機材料の斜方蒸着によって位相差補償素子(二軸性複屈折体)を作製すると、図2に示すように、基板に対する蒸着材料の飛来方向(以下、蒸着方向)と基板表面の法線とを含む平面内に主屈折率n1の方向が定まり、主屈折率n1の方向に垂直かつ基板表面に平行な方向に主屈折率n2の方向が定まり、そして、主屈折率n1及びn2に垂直な方向に主屈折率n3の方向が定まる。一方、蒸着方向と、この位相差補償素子40の屈折率楕円体41が表面に対して傾斜する方向とは一般に一致しない。すなわち、位相差補償素子40の表面の法線方向をz軸の正方向とすれば、z軸と蒸着方向のなす角(極角)αと、屈折率楕円体41の主屈折率n1がz軸からなす角θとは一致しない。この極角αと屈折率楕円体41の傾斜角度θとの関係は、斜方蒸着に用いる装置の特性や、蒸着材料の特性等の種々の実際的な要因によって定まる。
上述のような条件を満たす位相差補償素子は、無機材料からなる斜方蒸着膜によって実現される。すなわち、基板に対して蒸着材料の飛来する方位角を移動させながら斜方蒸着を行うことで、上述の条件を満たす位相差補償素子が作製される。
上述のように作製される位相差補償素子の液晶素子に対する配置は、必要な視野角範囲内の光線に対して液晶素子の傾斜配向成分の方向と位相差補償素子の正面位相差の遅相軸とが略直交するように配置する。さらに、基板平面の法線から傾斜した光線に対する液晶素子の傾斜配向成分による位相差と位相差補償素子による位相差の増減が逆になる方向に配置する。
蒸着源と基板との距離が600mmとなる揺動蒸着装置60で、極角αが70度となるようにホウ珪酸ガラスからなる基板を配置し、この基板上に毎秒0.2nmの成膜速度で物理膜厚が1.5μmとなるまでZrO2とTiO2とからなる組成物を斜方蒸着した。このとき、基板は±30度の範囲で1分間に10回の速さで揺動させた。このように作製した斜方蒸着膜の断面をSEMで観察したところ、基板法線から35度の傾斜角度の節理状微細構造が観察されたが、基板を揺動させたことに対応する周期の微細構造は認められなかった。
膜厚を2.0μmとしたほかは、実施例1と同じ条件で位相差補償素子を作製した。この位相差補償素子は、波長550nmの光に対して正面位相差10nmであり、主屈折率n1=1.800、主屈折率n2=1.782、主屈折率n3=1.743、T=0.68であり、基板表面の法線に対する屈折率楕円体の傾斜角度θは24度であった。また、正面位相差の遅相軸もまた、実施例1と同様に、基板から見た蒸着源の回転中心方向を基板に正射影した方向と直角を成す方位であった。さらに、この位相差補償素子を、VAN液晶素子を搭載する液晶プロジェクタに1層適用すると、位相差補償素子を用いない場合に800:1であった投影画像のコントラストが1500:1に向上した。
五酸化タンタルをガラスからなる基板上に、毎秒0.2nmの成膜速度で物理膜厚が1.0μmとなるように斜方蒸着膜を作製した。この位相差補償素子の作製には、回転蒸着装置82を用いた。使用した回転蒸着装置82の蒸着源と台座の回転軸との距離は400mmであり、基板は回転軸から450mmで高さ1000mmの位置に設置した。また、台座は1分間に10回の速さで回転させ、この回転の間に、蒸着方向の極角αは72度から35度まで変化し、方位角βは±23度の範囲で変化した。
21 液晶分子
22 垂直配向成分
23,24 傾斜配向成分
40 位相差補償素子(二軸性複屈折体)
41 屈折率楕円体
60 蒸着装置
α 極角
β 方位角
θ 屈折率楕円体の傾斜角度
L1,L2 平均の蒸着方位
L3,L4 遅相軸
Claims (6)
- 斜方蒸着によって基板上に堆積された無機材料からなり、蒸着方向と基板表面の法線を含む面内に主屈折率n1が定まり、基板表面に平行な方向に主屈折率n2が定まり、主屈折率n1及びn2に垂直な方向に主屈折率n3が定まる二軸性複屈折体において、
前記主屈折率n1の方向が前記基板表面の法線から10度以上50度以下の角度をなして傾斜し、
各主屈折率の値が n1>n3 かつ (n2−n3)/(n1−n3)>0.3 なる関係を満たし、
前記基板表面の法線方向から測定した位相差の遅相軸が、前記主屈折率n2の方向と略平行であることを特徴とする二軸性複屈折体。 - 無機材料を斜方蒸着によって基板上に堆積させる二軸性複屈折体の製造方法において、
前記基板に対して蒸着材料が基板に飛来する方向の方位角を、所定の角度振幅の範囲内で振動的に変化させながら蒸着することを特徴とする二軸性複屈折体の製造方法。 - 前記基板の表面の法線に平行な回転軸を中心とする円軌道の一部分を往復するように、前記基板を揺動させることを特徴とする請求項2に記載の二軸性複屈折体の製造方法。
- 所定の回転軸を中心に前記基板を所定方向に移動させながら、前記回転軸から所定距離隔てて配置された蒸着源から蒸着材料を飛散させることを特徴とする請求項2に記載の二軸性複屈折体の製造方法。
- 回転移動する前記基板の軌道の一部を前記蒸着源から遮蔽することを特徴とする請求項4記載の二軸性複屈折体の製造方法。
- 請求項1に記載の二軸性複屈折体を位相差補償素子として用いることを特徴とする液晶プロジェクタ。
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