JP2009075189A - 薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法および固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像素子用カバー部材について、α線の放射量を少なくでき、さらに欠陥（異物）による画像不良の問題も少なくできる薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法、およびその製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】有機金属材料を原料とするＣＶＤ法により、固体撮像素子に対向するカバー部材表面に光学薄膜を形成する。この方法により得られた光学薄膜は、α線放射量が少ないだけでなく、カバー部材本体からのα線も遮蔽する。
【選択図】なし

Description

本発明は、薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法および固体撮像装置に関する。

画像解析等に用いられる固体撮像素子（イメージセンサ）にはほこり防止用としてカバーガラスが取り付けられている。しかし、カバーガラスの材料であるガラスには、不純物として極微量のＵやＴｈ等のα線放射性物質が含まれている。α線が固体撮像素子に進入すると、α線のエネルギーによって正孔電子対が誘起され、画像に輝点や白点が発生する。そのためカバーガラスの材料はＵやＴｈ等の含有量が極めて少ないガラス（いわゆる低α線ガラス）が用いられている（例えば、特許文献１、２）。
また、カバーガラス単体であると、４〜５％の光が反射するため光の利用効率が低下し、さらに反射光が固体撮像素子に入る不都合もあるので、カバーガラスに反射防止膜を設けることも提案されている（例えば、特許文献３〜７）。このような反射防止膜は、電子ビーム蒸着によりカバーガラス用ガラス基板表面に形成されるが、これらの材料にもＵやＴｈ等が含まれるため、原料の産地を選んだり、精製しやすい材料を選ぶことが重要である。

特開２００２−５７３１１号公報 特開平６−２１１５３９号公報 特開平６−２９６００５号公報 特開平６−２９６００６号公報 特開平７−１７２８６８号公報 特開平８−２７１７０４号公報 特開平９−２８３７３１号公報

しかしながら、特許文献１、２に開示されるような低α線ガラスは、製造が困難であり、製造コストも高くなる。また、特許文献３〜７に開示されるような電子ビーム蒸着による低α線の反射防止膜は、原料の調達が難しく、同様に製造コストが高くなる。さらに、固体撮像素子用カバーガラスは、固体撮像素子自体に近い位置に配設されるため、ガラス自体や反射防止膜に欠陥（異物）があると画像にそれが写ってしまうので、欠陥に対する規格も厳しく、規格をクリアするためには製造コストが非常に高いものとなる。特に、電子ビーム蒸着による反射防止膜は、異物をそのまま画像に反映しやすく、異物を簡単に除去する方法もない。
そこで本発明は、固体撮像素子用カバー部材について、α線の放射量を少なくでき、さらに欠陥による画像不良の問題も少なくできる薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法、およびその製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本適用例に係わる発明は、固体撮像素子用カバー部材表面に光学薄膜を形成する薄膜形成方法であって、有機金属材料を原料とするＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長法）により、前記固体撮像素子に対向する前記カバー部材表面に前記光学薄膜を形成することを特徴とする。
ＣＶＤ法に用いられる有機金属材料は一般に純度が高いものが手に入りやすく、液体材料では４Ｎ、気体材料では６Ｎ程度の原料は容易に入手できる。さらにまた、気体（液体は気化させて用いる）を供給する方法であるためＵ,Ｔｈ等がＣＶＤ装置の成膜室内に混入する可能性も低い。

それ故、本適用例の薄膜形成方法によれば、α線の放射量の少ない光学薄膜を固体撮像素子用カバー部材表面に形成することができる。従って、カバー部材表面からのα線放出が少ないだけでなく、Ｕ,Ｔｈ等多く含んだカバー部材（ガラス板等）を用いた場合であっても、上述の光学薄膜自体がα線遮蔽体として機能する。
さらに、ＣＶＤ法によれば、仮にカバー部材表面に異物が存在したとしても、異物を覆い隠すような薄膜形成が可能となり、実質的に欠陥数を少なくできるため固体撮像素子による画像検出時の問題を生じることが少なくなる。
ＣＶＤ法としては、いわゆる減圧ＣＶＤ法および常圧ＣＶＤ法のいずれでもよく、また、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などいずれの種類のＣＶＤ法でもよい。特にプラズマＣＶＤ法によれば、比較的低温（４００℃未満）で高品質の薄膜が得られるので好適である。

ここで、光学薄膜としては、単層でもよく、低屈折率材料層と高屈折率材料層とが交互に積層された光学多層膜でもよい。また、ＣＶＤ法に用いられる有機金属材料としては、例えば、低屈折率材料層としてのＳｉＯ_２層形成用としては、Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４（ＴＥＯＳ）、Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_４、Ｓｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４、ＳｉＯＣ_３Ｈ_１０、ＳｉＯＣ_６Ｈ_１８、ＳｉＯ_３Ｃ_７Ｈ_１８、およびＳｉ_２ＯＣ_６Ｈ_１８などが好適である。高屈折率材料層としてのＴａ_２Ｏ_５層形成用としては、Ｔａ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５、Ｔａ（ＯＣＨ_３）_５およびＴａ（ＯＣ_３Ｈ_７）_５などが好適である。同様に、ＴｉＯ_２層形成用としては、Ｔｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４、Ｔｉ（ＯＣＨ_３）_４、Ｔｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４、ＴｉＯ_４Ｃ_１２Ｈ_２８およびＴｉＯ_５Ｃ_１０Ｈ_１８などが好適であり、Ｎｂ_２Ｏ_５層形成用としては、Ｎｂ（ＯＣ_２Ｈ_５）_５、Ｎｂ（ＯＣＨ_３）_５およびＮｂ（ＯＣ_３Ｈ_７）_５などが好適である。

［適用例２］
適用例１に係る本適用例では、前記光学薄膜を形成する前に、前記カバー部材表面をドライエッチング処理することが好ましい。
本適用例によれば、光学薄膜を形成する前に、カバー部材表面をドライエッチング処理するので、ガラス板や水晶板からなるカバー部材表面の異物を除去したり、さらにはこれらの部材自体内部の異物を除去することも可能となる。
エッチング用ガスとしては、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨＦ_３、ＮＦ_３、およびＣｌＦ_３などが好ましい。

［適用例３］
適用例２に係る本適用例では、前記ドライエッチング処理および前記光学薄膜の形成が同一の成膜室内で実施されることが好ましい。
本適用例によれば、ドライエッチング処理および前記光学薄膜の形成を同一の成膜室内で実施するので、ドライエッチング処理後の清浄な表面を保持しながら、前記光学薄膜を簡便に成膜することができる。

［適用例４］
適用例２または適用例３に係る本適用例では、前記したドライエッチング処理を、フッ素を含んだエッチングガスと、アルゴンおよび酸素ガスの少なくともいずれかのガスとを用いて行うことが好ましい。
本適用例によれば、ＳｉＯ_２等から構成されるカバー部材表面をさらに容易にエッチングすることができるため、異物（欠陥）の数をより低減することができる。

［適用例５］
本適用例では、固体撮像素子用カバー部材の製造方法であって、上述したいずれかに記載の薄膜形成方法により、表面に光学薄膜を形成することを特徴とする。

本適用例によれば、カバー部材表面に光学薄膜が形成され、α線放出量が少なく、さらに異物（欠陥）の数も少ない固体撮像素子用カバー部材を提供することができる。

［適用例６］
適用例５に係る本適用例では、該光学薄膜が、反射防止膜、ＵＶ−ＩＲカット膜およびＩＲカット膜のいずれかであることが好ましい。
本適用例によれば、α線放出量が少なく、さらに異物（欠陥）の数も少ない反射防止膜、ＵＶ−ＩＲカット膜およびＩＲカット膜のいずれかを備えた固体撮像素子用カバー部材を提供することができる。なお、反射防止膜は、カバー部材の両側に形成することが好ましいが、固体撮像素子に対向する面の反対側については、必ずしも本発明の方法で反射防止膜を形成しなくとも良い。

［適用例７］
適用例５または適用例６に係る本適用例では、上述した製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置であることを特徴とする。
本適用例の固体撮像装置によれば、上述した製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えているので、α線および異物による画像欠陥を生じにくい固体撮像装置を提供することができる。

以下、本発明について実施例に基づいて説明する。

本実施例においては、ＣＶＤ法により固体撮像素子用のカバー部材（ガラス基板または水晶基板）表面に光学薄膜を形成して各種の評価を行った。光学薄膜としては、ＵＶ−ＩＲカット膜と反射防止膜の２種の光学多層膜を形成した。なお、比較用として、電子ビーム蒸着により形成した光学薄膜についても同様の評価を行った。
〔ＣＶＤ装置の構成〕
図１に本実施例で用いた平行平板プラズマＣＶＤ装置１００（以下、単に「ＣＶＤ装置１００」ともいう）を示す。
ＣＶＤ装置１００は、チャンバ２０の中に、高周波電源２２に接続された上部電極２４と、アース２６に接続された下部電極２８とを備えている。下部電極２８には薄膜形成用の基板（ガラス基板または水晶基板）１が載置される。下部電極２８は、薄膜形成用の基板１を所定の温度に加熱・制御する機構を備えている。チャンバ２０の内部は、真空排気装置３０と圧力調整機３２により所定の圧力に保たれる。また、ＣＶＤによる薄膜形成中は、図示した所定のガスが、流量制御装置３４により流量を制御されながらチャンバ２０の内部に導入される。

なお、反応性ガスとして図示したＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４およびＴｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４は、常温で液体なので、図示しない液体タンクと加熱気化装置とを備えている。また、チャンバ２０内部への配管自体も加熱・保温されている。
上部電極２４は、反応性ガスをいったん内部に導入した後、下部電極２８上の基板１付近にシャワー状に送ることができる構造を備えている。
また、基板１の表面をドライエッチングする際も基板１側をアースするが、基材１側に高周波をかけることによってさらに効率良くエッチングを行うことができる。

〔実施例１〜１０〕
図１のＣＶＤ装置１００を用い、ガラス基板１または水晶基板１の上に、低屈折率材料層（ＳｉＯ_２層）と高屈折率材料層（ＴｉＯ_２層）とが交互に積層された光学多層膜を形成（成膜）した。光学多層膜の種類は、ＵＶ−ＩＲカット膜と反射防止膜の２種類である。
以下に、各光学多層膜の構成、成膜条件および成膜方法について説明する。また、表１にこれらの内容をまとめて示す。

（ＵＶ−ＩＲカット膜の構成）
高屈折率層（Ｈ）：ＴｉＯ_２（ｎ＝２．３５）
低屈折率層（Ｌ）：ＳｉＯ_２（ｎ＝１．４７）
また、以下に説明する膜厚構成の表記では、光学膜厚ｎｄ＝１／４λの値を用いた。具体的には、高屈折率層（Ｈ）の膜厚を１Ｈとして表記し、低屈折率層（Ｌ）の膜厚を同様に１Ｌと表記した。設計波長λは８００ｎｍである。具体的な膜構成は、基板側から０．８０Ｌ、０．１１Ｈ、０．２６Ｌ、１．２０Ｈ、１．２２Ｌ、１．１７Ｈ、１．２５Ｌ、１．２１Ｈ、１．２５Ｌ、１．１８Ｈ、１．２４Ｌ、１．１７Ｈ、１．１８Ｌ、１．０４Ｈ、１．０７Ｌ、０．９７Ｈ、１．０４Ｌ、０．９３Ｈ、１．０３Ｌ、０．９２Ｈ、１．０３Ｌ、０．９２Ｈ、１．０３Ｌ、０．９４Ｈ、１．０４Ｌ、１．０１Ｈ、１．２８Ｌ、０．１９Ｈ、０．７２Ｌの２９層であり、総物理膜厚は約３．２μｍである。
図２に、実施例３のＵＶ−ＩＲカット膜について分光特性を示す。

（反射防止膜の構成）
設計波長λを５００ｎｍとした。基板側から０．２９Ｈ、０．５２Ｌ、０．４１Ｈ、１．２２Ｌの４層であり、総物理膜厚は０．１８５μｍである。
図３に、実施例１の反射防止膜について反射防止特性を示す。

（成膜条件）
上述した、ＵＶ−ＩＲカット膜および反射防止膜のいずれについても同じ条件である。
＜ＳｉＯ_２層の成膜条件＞
Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４：４０ｓｃｃｍ
Ｏ_２：１００ｓｃｃｍ
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
圧力：５０Ｐａ
温度：４００℃
ＲＦ電力密度：０．７Ｗ／ｃｍ^２

＜ＴｉＯ_２層の成膜条件＞
Ｔｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４：２０ｓｃｃｍ
Ｏ_２：１００ｓｃｃｍ
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
圧力：５０Ｐａ
温度：４００℃
ＲＦ電力密度：０．７Ｗ／ｃｍ^２

＜ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２混合物層の成膜条件＞
反射防止膜を成膜する実施例１、６について、膜厚を調製する目的で、上述のＳｉＯ_２層またはＴｉＯ_２層と基板の間に、さらにＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２の混合物からなる単層膜を追加成膜した（実施例２、７）。
Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４：３０ｓｃｃｍ
Ｔｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４：５ｓｃｃｍ
Ｏ_２：１００ｓｃｃｍ
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
圧力：５０Ｐａ
温度：４００℃
ＲＦ電力密度：０．７Ｗ／ｃｍ^２

＜クリーニング（ドライエッチング）条件＞
実施例６〜１０については、以下の条件で各基板の表面に対して事前にドライエッチングを行った。
ＣＦ_４：２０ｓｃｃｍ
Ｏ_２：１０ｓｃｃｍ
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
ＲＦ電力密度：１．１Ｗ／ｃｍ^２
圧力：３０Ｐａ
温度：４００℃
処理時間：５ｍｉｎ

（成膜方法）
各基板（水晶基板またはガラス基板）について、以下の各工程により表面に光学多層膜を成膜した。
１）基板をアルカリ洗浄液と超音波により洗浄する。
２）外観検査（後述）を行い欠陥数がゼロであることを確認する。
３）ＣＶＤ装置１００内に基板をセットし、真空排気、加熱を行う。
４）必要に応じて、基板表面のドライエッチングを行う。
５）必要に応じて、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２の混合物からなる単層膜を成膜する。
６）上述した条件で、ＳｉＯ_２膜とＴｉＯ_２膜を交互に成膜する。
７）成膜後の基板（水晶または硝子）をアルカリ洗浄液と超音波により洗浄し、評価用試料とする。

〔比較例１〜４〕
一般的な電子ビーム蒸着（イオンアシスト蒸着）により、実施例と同様な光学多層膜を成膜した。基板や膜の種類等については、表１に示す。
（成膜条件）
＜ＳｉＯ_２層の成膜条件＞
温度：１５０℃
成膜速度：０．７ｎｍ／ｓｅｃ
イオンアシスト：
・加速電圧：１０００Ｖ
・加速電流１２００ｍＡ
・Ｏ_２：５０ｓｃｃｍ

＜ＴｉＯ_２層の成膜条件＞
温度：１５０℃
成膜速度：０．４ｎｍ／ｓｅｃ
イオンアシスト条件：
・加速電圧：７００Ｖ
・加速電流：１０００ｍＡ
・Ｏ_２：６０ｓｃｃｍ

（成膜方法）
以下の各工程により、評価用試料を作成した。
１）基板（水晶基板またはガラス基板）をアルカリ洗浄液および超音波で洗浄する。
２）外観検査（後述）を行い欠陥数がゼロであることを確認する。
３）電子ビーム蒸着装置内に基板をセットし、真空排気、加熱を行う。
４）上述した条件で、ＳｉＯ_２膜とＴｉＯ_２膜を交互に成膜する。
５）基板をアルカリ洗浄液および超音波で洗浄して評価用試料とする。

〔評価方法〕
実施例および比較例の方法により光学多層膜が形成された各基板について、α線量と欠陥数を以下のようにして測定した。結果を表１に示す。
１）α線量の測定
測定装置：低レベルα線測定装置（住友化学（株）製 ＬＡＣＳ−４０００Ｍ）
測定条件：
・印加電圧 ：１．９ｋＶ
・計数ガス：ＰＲ−１０（Ａｒ９０％、ＣＨ_４１０％） １０ｃｃ／ｍｉｎ
・測定時間：約８０時間
・計数効率：８０％

２）欠陥数（異物数）の測定（外観検査）
２０ｍｍ四方の基板表面（成膜面）をマイクロスコープで観察し、７８．５μｍ^２（直径１０μｍの円の面積）を超える大きさの欠陥（異物）について数を数え、１０試料の平均値を欠陥数とした。

〔評価結果〕
表１の結果をもとに、図４に膜厚とα線量の関係を示す。また、同様に図５に膜厚と欠陥数の関係を示す。
１）α線量の測定結果
＜基板がガラスの場合＞
本発明のＣＶＤ法によって光学多層膜を形成した場合（実施例１〜３、６〜８）、光学多層膜からα線が放出されないことと、基板側からのα線を遮蔽する効果によって、検出されるα線量が非常に減少する。なお、光学多層膜が薄い場合（実施例１、６）、遮蔽の効果が必ずしも十分でないために基板側のα線がわずかに漏れてしまうが、膜厚を５００ｎｍ以上に厚くすることによってα線量を０．０５以下と非常に減少させることができる（実施例２、７）。また、実施例７、８の結果よりエッチングによる影響もほとんど無いことがわかる。
一方、基板だけの状態（参考例１）におけるα線量は０．１０５であり、非常に大きい。また、電子ビーム蒸着によって、反射防止膜またはＵＶ−ＩＲカット膜を形成した場合（比較例１、２）も０．０８９以上と高い値を示している。ここで、ガラス単体からなる基板（参考例１）と比較してα線量が若干低下しているのは、光学多層膜に含まれる放射性元素がガラス基板よりも少なく、さらにガラス基板からのα線を遮蔽したためと推定される。

＜基板が水晶の場合＞
本発明のＣＶＤ法により、反射防止膜またはＵＶ−ＩＲカット膜を形成した場合では（実施例４、５、９、１０）、α線量はほとんど変化せず低いレベルのままである。また、実施例９、１０より、エッチングによる影響もほとんど無いことがわかる。
一方、参考例に示すように、基板が水晶の場合、α線量は０．００２ｃ/ｃｍ^２・ｈでありほとんど検出できないレベルである。しかし、この基板に電子ビーム蒸着によって反射防止膜またはＵＶ−ＩＲカット膜を形成すると（比較例３、４）、α線量が多くなることがわかる。

２）欠陥数（異物数）の測定結果
ガラス基板および水晶基板について、洗浄後に検査を行い、すべて欠陥数がゼロであることを確認した後（参考例１、２参照）、成膜評価を行った。電子ビーム蒸着によって光学多層膜を形成した場合（比較例１〜４）、すべて２．９個以上になっている。これは電子ビーム蒸着に起因していると考えられる。
これに対して、本発明のＣＶＤ法によって光学多層膜を形成した場合（実施例１〜５）、いずれも欠陥数が減少している。また光学多層膜が厚いほど欠陥数が少なくなっている。詳細な理由は不明であるが、例えば、ＣＶＤ法による成膜では、電子ビーム蒸着に比べ、層内の欠陥を消す（目立たなくする）効果もあるのではないかと推定される。例えば、ＣＶＤ法による成膜では、図６（Ａ）に示すように、光学多層膜２のリフロー性により、径ａを有する基板１上の異物ｐについていわゆる異物増幅が行われず、むしろ、異物ｐの存在を光学的に覆い隠すような作用が起こったものと思われる。一方、電子ビーム蒸着では、図６（Ｂ）のように、光学多層膜２’形成時に異物増幅が起こり、異物の径ａが異物増幅により径ｂにまで拡がり、結果として欠陥数の増加につながったものと考えられる。
なお、ＣＦ系ガスによりエッチングした後、ＣＶＤによって多層膜を形成した場合（実施例６〜１０）、さらに欠陥数が低減し、０．２以下になっている。これはエッチングにより異物が除去されたか、基板がエッチングされるとともに異物が取り除かれたためと思われる。

〔実施例１１〜１３〕
図７に、ローパスフィルタ５０と、固体撮像素子６０とを備える固体撮像装置２００の概略図を示す（実施例１１）。ローパスフィルタ５０は、３枚の水晶板５１、５２、５３とその間にＩＲカットガラス５４とが積層された構造である。
固体撮像素子６０は、筐体６１に入っており、筐体６１の光線入射方向、すなわちローパスフィルタ５０に向いた部分にはガラス基板１が嵌め込まれている。このガラス基板１には、固体撮像素子６０側表面およびその反対側に、前記したＣＶＤ法を用いた薄膜形成により反射防止膜ＡＲ、ＡＲ’が形成され、本発明のカバー部材１０を構成している。
また、図８の固体撮像装置３００は、ローパスフィルタ５０の水晶板５３を分離して、カバー部材を兼用した例である（実施例１２）。さらに、図９の固体撮像装置４００は、ローパスフィルタ５０そのものをカバー部材１０として使用した例である（実施例１３）。
上述した３つの固体撮像装置２００、３００、４００では、いずれも、カバー部材１０の固体撮像素子６０側表面に、前記したＣＶＤ法を用いた薄膜形成により反射防止膜ＡＲが形成されている。なお、固体撮像素子６０に対向する面の反対側に位置する反射防止膜ＡＲ’については、必ずしも本発明の方法で反射防止膜を形成しなくとも良い。例えば、電子ビーム蒸着による方法であってもよい。
このように構成された固体撮像装置２００、３００、４００は、前述した本発明の効果を十分に発揮できるので、例えば、デジタルスチールカメラ用として好適に利用できる。

本発明は、デジタルスチールカメラなどに用いられる固体撮像装置の分野で好適に利用できる。

本発明の方法を実施するためのＣＶＤ装置の概略図。 本発明の方法で得られたＵＶ−ＩＲカット膜の光線透過率曲線を示す図。 本発明の方法で得られた反射防止膜の反射特性を示す図。 本発明の方法で得られた光学多層膜の膜厚とα線量の関係を示す図。 本発明の方法で得られた光学多層膜の膜厚と欠陥数の関係を示す図。 本発明の方法および比較方法における異物増幅を模式的に示す図。 本発明の方法で得られたカバー部材を備えた固体撮像装置の例を示す図。 本発明の方法で得られたカバー部材を備えた固体撮像装置の他の例を示す図。 本発明の方法で得られたカバー部材を備えた固体撮像装置の他の例を示す図。

符号の説明

１…基板（ガラス基板、水晶基板）、２，２’…光学多層膜（光学薄膜）、１０…カバー部材、２０…チャンバ、２２…高周波電源、２４…上部電極、２６…アース、２８…下部電極、３０…真空排気装置、３２…圧力調整機、３４…流量制御装置、５０…ローパスフィルタ、５１，５２，５３…水晶板、５４…ＩＲカットガラス、６０…固体撮像素子、６１…筐体、１００…ＣＶＤ装置、２００，３００，４００…固体撮像装置、ＡＲ…反射防止膜、ｐ…異物

Claims (7)

1. 固体撮像素子用カバー部材表面に光学薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
   有機金属材料を原料とするＣＶＤ法により、前記固体撮像素子に対向する前記カバー部材表面に前記光学薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
2. 請求項１に記載の薄膜形成方法であって、
   前記光学薄膜を形成する前に、前記カバー部材表面をドライエッチング処理することを特徴とする薄膜形成方法。
3. 請求項２に記載の薄膜形成方法において、
   前記ドライエッチング処理および前記光学薄膜の形成が同一の成膜室内で実施されることを特徴とする薄膜形成方法
4. 請求項２または請求項３に記載の薄膜形成方法において、
   前記ドライエッチング処理を、フッ素を含んだエッチングガスと、アルゴンおよび酸素ガスの少なくともいずれかのガスとを用いて行うことを特徴とする薄膜形成方法
5. 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の薄膜形成方法により、表面に光学薄膜を形成することを特徴とする固体撮像素子用カバー部材の製造方法。
6. 請求項５に記載の固体撮像素子用カバー部材の製造方法において、
   該光学薄膜が、反射防止膜、ＵＶ−ＩＲカット膜およびＩＲカット膜のいずれかであることを特徴とする固体撮像素子用カバー部材の製造方法。
7. 請求項５または請求項６に記載の製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。

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