JP2009070940A - 半導体集積回路及びmems型可変容量キャパシタの制御方法 - Google Patents
半導体集積回路及びmems型可変容量キャパシタの制御方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ドライバIC20は、供給能力の大きいポンプ回路24aとバイアス電流の大きいリミッタ回路25aを用いてリプル用キャパシタ27を維持電圧vholdにまで充電して立ち上げ時間を短縮しながら、この維持電圧Vholdを所定値に維持するため、これらの回路25a、26aに代えて、より供給能力の小さいポンプ回路24bとバイアス電流の小さいリミッタ回路25bとを用いる。
【選択図】図1
Description
図1に、本実施の形態に係る半導体集積回路の構成を示す。この半導体集積回路は、MEMS型可変容量キャパシタ10と、これを制御するためのドライバIC20とを備えている。MEMS型可変容量キャパシタ10と、ドライバIC20とは、同一のシリコン基板(図示せず)上に形成し得る。ただし、両者を別の基板上に形成して配線で接続することも可能である。
Claims (5)
- MEMS構造を有し周波数変調のための主電極、及び前記主電極の間の距離を変化させてキャパシタの静電容量を変化させるための補助電極を備えたMEMS可変容量キャパシタを制御するための半導体集積回路において、
前記主電極間の距離を縮めるための第1電圧を生成する第1ポンプ回路と、
前記第1電圧を所定の上限値に制限する第1リミッタ回路と、
前記主電極間の距離を一定に保つための第2電圧を生成し第1の供給能力を有する第2ポンプ回路と、
前記第2ポンプ回路で生成された前記第2電圧を所定の上限に制限する第2リミッタ回路と、
前記第2電圧を生成し前記第1の供給能力よりも小さい第2の供給能力を有する第3ポンプ回路と、
前記第3ポンプ回路で生成された前記第2電圧を所定の上限に制限する第3リミッタ回路と、
前記第2電圧のリプルを抑えるためのリプル用キャパシタと、
を備え、
前記第1ポンプ回路及び前記第1リミッタ回路とで前記第1電圧を生成している時間内に、前記第2ポンプ回路及び前記第2リミッタ回路とで前記リプル用キャパシタを前記第2電圧まで充電すると共に、
前記第1電圧の生成が終了した後は、前記第2電圧を、前記第2ポンプ回路及び前記第2リミッタ回路に代えて前記第3ポンプ回路及び前記第3リミッタ回路により発生させる
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第2リミッタ回路におけるバイアス電流は、前記第3リミッタ回路におけるバイアス電流よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記第1電圧と、前記第2電圧とを選択的に前記補助電極に供給するためのスイッチング回路を更に備えた請求項1記載の半導体集積回路。
- MEMS構造を有し周波数変調のための主電極、及び前記主電極の間の距離を変化させてキャパシタの静電容量を変化させるための補助電極を備えたMEMS可変容量キャパシタを制御する制御方法において、
第1ポンプ回路を用いて、前記主電極間の距離を縮めるための第1電圧を生成している時間内に、第2ポンプ回路を用いて、前記主電極間の距離を一定に保つため補助電極に供給されるべき第2電圧を生成するステップと、
前記第1電圧の生成が終了した後、前記第2ポンプ回路に代えて、前記第2ポンプ回路より供給能力が小さい第3ポンプ回路を用いて前記第2電圧を生成して前記補助電極に供給するステップと
を備えたことを特徴とする制御方法。 - 前記第2電圧は、前記第1電圧よりも小さいことを特徴とする請求項4記載の制御方法。
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