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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI479660B (zh) * 2006-08-31 2015-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體，其製造方法，及半導體裝置
FR2922325B1 (fr) * 2007-10-12 2010-06-11 Ecole Polytech Homogeneiseur a lame de phase
KR101041137B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR20100107253A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
ES2398787B1 (es) * 2010-12-16 2014-02-18 BSH Electrodomésticos España S.A. Procedimiento para fabricar una placa de campo de cocción para un campo de cocción
FR2974183B1 (fr) * 2011-04-13 2013-12-13 Proton World Int Nv Dispositif de perturbation du fonctionnement d'un circuit integre.
KR20140018081A (ko) * 2011-06-02 2014-02-12 파나소닉 주식회사 박막 반도체 장치의 제조 방법, 박막 반도체 어레이 기판의 제조 방법, 결정성 실리콘 박막의 형성 방법, 및 결정성 실리콘 박막의 형성 장치
WO2013061383A1 (ja) * 2011-10-28 2013-05-02 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
KR102388723B1 (ko) * 2015-08-07 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 레이저 어닐링 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법
DE102015216342B3 (de) * 2015-08-26 2016-12-22 Laser-Laboratorium Göttingen e.V. Technik zur Herstellung periodischer Strukturen
KR102467462B1 (ko) * 2017-12-05 2022-11-16 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003593B1 (en) * 1992-09-03 1997-03-20 Samsung Electronics Co Ltd Projection exposure method and device using mask
US5985704A (en) * 1993-07-27 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5789762A (en) * 1994-09-14 1998-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor active matrix circuit
JP3239661B2 (ja) * 1994-12-27 2001-12-17 キヤノン株式会社 ノズルプレートの製造方法及び照明光学系
US5817548A (en) * 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
WO1997045827A1 (en) * 1996-05-28 1997-12-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith
JP4454720B2 (ja) * 1998-07-13 2010-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 光学レンズ、ビームホモジェナイザー、レーザー照射装置、及びレーザー照射方法
JP4663047B2 (ja) * 1998-07-13 2011-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
US6246524B1 (en) * 1998-07-13 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
JP3562389B2 (ja) * 1999-06-25 2004-09-08 三菱電機株式会社 レーザ熱処理装置
JP2001053020A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Sony Corp 半導体薄膜の結晶化方法及び薄膜半導体装置の製造方法
US6548370B1 (en) * 1999-08-18 2003-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer by applying laser irradiation that vary in energy to its top and bottom surfaces
JP3958941B2 (ja) * 2000-04-28 2007-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置、基板の整合マークの位置を決定するための方法およびデバイス製造方法
US7078321B2 (en) * 2000-06-19 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7217605B2 (en) * 2000-11-29 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method of manufacturing a semiconductor device
JP4397571B2 (ja) * 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
JP2004119919A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Hitachi Ltd 半導体薄膜および半導体薄膜の製造方法
JP4583004B2 (ja) * 2003-05-21 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブ・マトリクス基板の製造方法
JP2005116558A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 半導体薄膜の結晶化方法並びに結晶化装置、及び、半導体装置並びに製造方法、及び表示装置
JP2005129769A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hitachi Ltd 半導体薄膜の改質方法、改質した半導体薄膜とその評価方法、およびこの半導体薄膜で形成した薄膜トランジスタ、並びにこの薄膜トランジスタを用いて構成した回路を有する画像表示装置
KR101188356B1 (ko) * 2003-12-02 2012-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법
JP4610201B2 (ja) * 2004-01-30 2011-01-12 住友重機械工業株式会社 レーザ照射装置
EP1728271B1 (en) * 2004-03-26 2016-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation apparatus
JP5250181B2 (ja) * 2004-05-06 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US7667821B2 (en) * 2004-06-04 2010-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-focus scanning with a tilted mask or wafer
JP2006024753A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、半導体装置の製造方法および表示装置
US7772523B2 (en) * 2004-07-30 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
CN101667538B (zh) * 2004-08-23 2012-10-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
JP5153086B2 (ja) * 2005-05-02 2013-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
EP1770443B1 (en) * 2005-09-28 2016-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and exposure method
KR101299604B1 (ko) * 2005-10-18 2013-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2007157894A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法
TWI400758B (zh) * 2005-12-28 2013-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US7662703B2 (en) * 2006-08-31 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and semiconductor device
TWI479660B (zh) * 2006-08-31 2015-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體，其製造方法，及半導體裝置
TWI438823B (zh) * 2006-08-31 2014-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 晶體半導體膜的製造方法和半導體裝置

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