JP2009061667A - シリコン基板の加工方法、及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】開口部5を有するエッチングマスク層4をシリコン基板1の裏面に形成する工程と、シリコン基板1の裏面からエッチングマスク層4の開口部5にレーザ光を照射してシリコン基板1の内部に変質層6を形成する工程と、シリコン基板1の裏面からエッチングマスク層4の開口部5にレーザ光を照射してシリコン基板1の裏面からシリコン基板1の表面まで貫通しない複数の先導孔7を、変質層6におけるシリコン基板1の表面に平行な領域に複数列で配置し、先導孔7の先端が変質層6に達するように形成する工程と、先導孔7及び変質層6が形成されたシリコン基板1に異方性エッチングを施してシリコン基板1の表面まで貫通する貫通穴であるインク供給口8を形成する工程と、を有する。
【選択図】図2
Description
(a)シリコン基板の表面のインク供給口形成部位に、基板材料に対して選択的にエッチングが可能な犠牲層を形成する工程と、
(b)シリコン基板上に犠牲層を被覆するように耐エッチング性を有するパッシベイション層を形成する工程と、
(c)犠牲層に対応した開口部を有するエッチングマスク層をシリコン基板の裏面に形成する工程と、
(d)エッチングマスク層の開口部から犠牲層が露出するまでシリコン基板を結晶軸異方性エッチングでエッチングする工程と、
(e)シリコン基板のエッチング工程によって露出させた部分から犠牲層をエッチングして除去する工程と、
(f)パッシベイション層の一部を除去してインク供給口を形成する工程と、を有している。
2 パッシベイション層
3 電気熱変換素子
4 エッチングマスク層
5 開口部
6 変質層
7 先導孔
8 インク供給口(貫通穴)
Claims (8)
- 開口部を有するエッチングマスク層をシリコン基板の裏面に形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面から前記エッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射して、前記シリコン基板の内部に変質層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面から前記エッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射して、前記シリコン基板の裏面から前記シリコン基板の表面まで貫通しない複数の未貫通穴を、前記変質層における前記シリコン基板の表面に平行な領域に複数列で配置し、該未貫通穴の先端が前記変質層に達するように形成する工程と、
前記未貫通穴及び前記変質層が形成された前記シリコン基板に異方性エッチングを施して前記シリコン基板の表面まで貫通する貫通穴を形成する工程と、
を有するシリコン基板の加工方法。 - 前記未貫通穴を形成する工程では、前記変質層の前記領域の中心線に対して対称に1列以上をなすように前記未貫通穴をそれぞれ形成する、請求項1に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記未貫通穴を形成する工程では、レーザ光のアブレーションによって前記未貫通穴を形成する、請求項1または2に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記変質層を形成する工程では、レーザ光による多光子吸収を利用して前記変質層を形成する、請求項1または2に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記未貫通穴を形成する工程では、前記シリコン基板の表面から前記シリコン基板の厚みの5%以上20%以下の範囲の深さで前記未貫通穴を形成する、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記変質層を形成する工程では、前記シリコン基板の表面から前記シリコン基板の厚みの20%以内の深さの位置に前記変質層を形成する、請求項1ないし5のいずれか1項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記変質層を形成する工程では、前記シリコン基板の表面に平行な面において前記変質層を複数の列状に配列して形成する、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のシリコン基板の加工方法を用いて、液体を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する液体流路と、前記吐出口から液体を吐出するエネルギを発生する吐出エネルギ発生素子とが表面側にそれぞれ設けられたシリコン基板に、前記液体流路に液体を供給する液体供給口を形成する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記シリコン基板の裏面から前記貫通穴を形成することで、前記液体流路に連通する前記液体供給口を形成する、液体吐出ヘッドの製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011000755A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Canon Inc | シリコン基板の加工方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
JP2011051253A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
JP2011098384A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | レーザ加工方法 |
WO2013051245A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for laser-beam processing and method for manufacturing ink jet head |
US8709266B2 (en) * | 2009-04-01 | 2014-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing substrate for liquid discharge head |
JP2014172202A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
CN106132627A (zh) * | 2015-01-13 | 2016-11-16 | 罗芬-新纳技术公司 | 用于对脆性材料进行划割并随后进行化学蚀刻的方法和系统 |
JP2017076068A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 日立造船株式会社 | 光学機能素子の製造方法 |
JP2019014164A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法 |
JP2020169109A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | Tdk株式会社 | 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法 |
JP2021118327A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN114643428A (zh) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 钛昇科技股份有限公司 | 基板的贯通孔形成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59182529A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体層のパタ−ン形成方法 |
JP2003258285A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sharp Corp | 表面凹凸構造の作製方法及び太陽電池 |
JP2003266185A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2004255869A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Canon Inc | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2005116844A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006315017A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | レーザ切断方法および被切断部材 |
JP2006352171A (ja) * | 1998-12-16 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
-
2007
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59182529A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体層のパタ−ン形成方法 |
JP2006352171A (ja) * | 1998-12-16 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2003258285A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sharp Corp | 表面凹凸構造の作製方法及び太陽電池 |
JP2003266185A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2004255869A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Canon Inc | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2005116844A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006315017A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | レーザ切断方法および被切断部材 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8709266B2 (en) * | 2009-04-01 | 2014-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing substrate for liquid discharge head |
JP2011000755A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Canon Inc | シリコン基板の加工方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
JP2011051253A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
JP2011098384A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | レーザ加工方法 |
WO2013051245A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for laser-beam processing and method for manufacturing ink jet head |
JP2013144312A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-07-25 | Canon Inc | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びインクジェットヘッドの製造方法 |
JP2014172202A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
CN106132627A (zh) * | 2015-01-13 | 2016-11-16 | 罗芬-新纳技术公司 | 用于对脆性材料进行划割并随后进行化学蚀刻的方法和系统 |
JP2017076068A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 日立造船株式会社 | 光学機能素子の製造方法 |
JP2019014164A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法 |
JP6991760B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-01-13 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法 |
JP2020169109A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | Tdk株式会社 | 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法 |
US11478874B2 (en) | 2019-04-05 | 2022-10-25 | Tdk Corporation | Method of processing inorganic material substrate, device, and method of manufacturing device |
JP7230650B2 (ja) | 2019-04-05 | 2023-03-01 | Tdk株式会社 | 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法 |
JP2021118327A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7153183B2 (ja) | 2020-01-29 | 2022-10-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN114643428A (zh) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 钛昇科技股份有限公司 | 基板的贯通孔形成方法 |
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