JP2009059890A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】負荷短絡時に半導体装置の温度上昇を抑えることにより負荷短絡耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板10〜14の表面側に形成されたエミッタ電極20と裏面側に形成されたコレクタ電極21とを有し、エミッタ電極20とコレクタ電極21との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が形成されており、エミッタ電極20およびコレクタ電極21の厚さがそれぞれ5μm以上になっており、かつ、エミッタ電極20の厚さとコレクタ電極21の厚さとがそれぞれ同じになっている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板10〜14の表面側に形成されたエミッタ電極20と裏面側に形成されたコレクタ電極21とを有し、エミッタ電極20とコレクタ電極21との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が形成されており、エミッタ電極20およびコレクタ電極21の厚さがそれぞれ5μm以上になっており、かつ、エミッタ電極20の厚さとコレクタ電極21の厚さとがそれぞれ同じになっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン基板の表裏面に電極を設け、当該電極間に電流を流すように構成された半導体素子を有する半導体装置に関する。
従来より、IGBT等のパワー素子では、負荷短絡動作時にパワー素子が破壊しないように保護する必要があるため、負荷短絡時のボンディングパッド部への電流集中を防止して耐量を向上させる半導体装置が、例えば特許文献1で提案されている。具体的に、特許文献1では、一つの半導体基体の一主面上に形成された主電極のボンディングパッド部に接続導線がボンディングされるに際し、半導体基体のボンディングパッド部に近い領域における定常電流密度がボンディングパッド部から離れた領域におけるよりも小さくされた半導体装置が提案されている。
このような半導体装置では、負荷短絡時に流れる高電圧大電流はボンディングパッド部に近接した領域に集中しにくく、定常電流密度が大きい周囲の領域に分散させることができるため、半導体基体全面に大電流が流れることになり、負荷短絡耐量を向上させることができるようになっている。
特開平5−63202号公報
しかしながら、上記従来の技術では、負荷短絡耐量を向上させているものの、IGBT等のパワー素子では非常に大電流を流す能力を持っているために、負荷短絡時の短時間のうちに発生するエネルギーにより、瞬時に素子温度が上昇してしまう。これにより、保護回路が動作する前にIGBT等のパワー素子が破壊してしまうという問題がある。
本発明は、上記点に鑑み、負荷短絡時に半導体装置の温度上昇を抑えることにより負荷短絡耐量を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、半導体基板(10〜14)の表面側に形成された第1電極(20)と裏面側に形成された第2電極(21)とを有し、第1電極(20)と第2電極(21)との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が備えられてなる半導体装置であって、第1電極(20)および第2電極(21)の厚さがそれぞれ5μm以上になっており、かつ、第1電極(20)の厚さと第2電極(21)の厚さとがそれぞれ同じになっていることを特徴とする。
これにより、負荷短絡時に半導体素子が瞬時に温度上昇したとしても、半導体基板(10〜14)の表面の第1電極(20)のみならず、半導体基板裏面の第2電極(21)によっても半導体素子の熱を吸収することができ、半導体素子の温度上昇を抑えることができる。この場合、第1電極(20)および第2電極(21)の厚さを5μm以上とすることで半導体素子のエネルギーの吸収を向上させることができる。したがって、負荷短絡時における半導体素子の負荷短絡耐量を向上させることができる。
また、半導体基板(10〜14)の表裏面の第1電極(20)および第2電極(21)の厚さを同じにすることで、半導体基板(10〜14)の反りを相殺することができる。半導体基板(10〜14)が例えば200μm以下の厚さの場合は半導体基板(10〜14)の反りが特に大きくなるが、第1電極(20)および第2電極(21)の厚さを同じにすることで当該問題を解決することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。半導体装置としてはIGBTやパワーMOS等のパワー素子が採用される。以下では、パワーMOSトランジスタを例に説明する。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。半導体装置としてはIGBTやパワーMOS等のパワー素子が採用される。以下では、パワーMOSトランジスタを例に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。この図に示されるように、ドリフト層としてのN型のシリコン基板10上に、チャネル領域を設定するP型ベース領域11が形成されている。このP型ベース領域11における中央位置にはP+型ボディ層12が形成されている。また、P型ベース領域11の表層部にはN+型ソース領域13が形成されている。
さらに、シリコン基板10の裏面にはP型層14が設けられており、これらP型層14、シリコン基板10、P型ベース領域11およびN+型ソース領域13によって半導体基板が構成されている。この半導体基板には、N+型ソース領域13およびP型ベース領域11を貫通してシリコン基板10に達するようにトレンチ15が形成されている。そして、このトレンチ15の内壁にSiO2で構成されたゲート絶縁膜16とPolySiで構成されたゲート電極17とが順に形成され、これらトレンチ15、ゲート絶縁膜16、ゲート電極17からなるトレンチゲート構造が構成されている。
さらに、ゲート電極17上を含み、P型ベース領域11およびN+型ソース領域13の上にはBPSG等からなる層間絶縁膜18が形成されている。この層間絶縁膜18に形成されたコンタクトホール19を介して、P+型ボディ層12に電気的に接続されたエミッタ電極20が形成されている。他方、シリコン基板10の裏面に形成されたP型層14上にコレクタ電極21が形成されている。以上が、本実施形態に係る半導体装置の全体構成である。
なお、エミッタ電極20は本発明の第1電極に相当し、コレクタ電極21は本発明の第2電極に相当する。
上記半導体装置は、当該半導体装置をなすチップの厚さが200μm以下になっている。また、シリコン基板10の表面側に形成されたエミッタ電極20は5μm以上の厚さからなる。半導体基板の表面は層間絶縁膜18等によって凹凸が形成されるが、半導体基板の表面、すなわちP型ボディ層12の表面を基準としてエミッタ電極20の厚さを規定することができ、当該エミッタ電極20の厚さを5μm以上とすることができる。本実施形態では、エミッタ電極20の厚さは例えば5.5μmになっている。また、エミッタ電極20の材質はAl、Al中にSi、Cuを含有したもの、CuまたはCu合金からなる。
他方、シリコン基板10の裏面側に形成されたコレクタ電極21の厚さは、エミッタ電極20と同等の厚さになっており、5μm以上になっている。当該コレクタ電極21の厚さは、半導体基板裏面、すなわちP型層14の表面を基準とした厚さとして規定することができる。本実施形態では、コレクタ電極21の厚さは例えば5.5μmになっている。また、コレクタ電極21は、エミッタ電極20と同一の材質で形成されている。
次に、上記した半導体装置の製造方法について説明する。まず、N型のシリコン基板10を用意し、このシリコン基板10の表層部に、P型ベース領域11、N+型ソース領域13をイオン注入及び熱拡散によって順次形成する。
この後、マスク材となるシリコン酸化膜をCVD法によって堆積したのち、フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってシリコン酸化膜をパターニングすることで、シリコン酸化膜に開口部を形成する。続いて、パターニングされたシリコン酸化膜をマスクとして用いた異方性ドライエッチングにより、N+型ソース領域13およびP型ベース領域11を貫通してシリコン基板10に達するトレンチ15を形成する。
次に、H2OまたはO2雰囲気中での熱酸化により、トレンチ15内にゲート絶縁膜16を形成する。そして、例えばLPCVD法により、ゲート電極17を形成するためのPolySiを成膜したのち、PolySiをパターニングしてゲート電極17を形成する。
続いて、所望のマスクを用いて、イオン注入および熱拡散を行うことで、P+型ボディ層12を形成する。さらに、CVD法による層間絶縁膜18の形成、フォトリソグラフィおよび異方性エッチングによる層間絶縁膜18へのコンタクトホール19の形成、スパッタ法によるエミッタ電極20の電極形成を行う。
そして、シリコン基板10を裏面研磨することによって厚みを薄くしたのち、スパッタ法によってコレクタ電極21の形成を行うことで、図1に示すトレンチゲート型のトランジスタが備えられた半導体装置が完成する。
上記のように、シリコン基板10の表面側、裏面側にそれぞれ5μm以上の厚さのエミッタ電極20、コレクタ電極21をそれぞれ形成することにより、負荷短絡時にパワー素子から生ずるエネルギーがチップ表面の厚いエミッタ電極20に蓄積される。これにより、チップ内部の温度上昇が抑えられ、負荷短絡耐量が向上する。
しかし、チップ表面のエミッタ電極20を厚くすると、チップの厚さが200μm以下で薄い場合、エミッタ電極20やコレクタ電極21の応力によるシリコン基板10の反りが大きくなって問題となる。そこで、上述のようにチップの裏面にも表面と同等レベルの厚さのコレクタ電極21を形成する。これにより、エミッタ電極20によるシリコン基板10の反りとコレクタ電極21によるシリコン基板10の反りを相殺することができるので、シリコン基板10の反りを防止することができる。
かつ、チップ表面のエミッタ電極20と同様に、チップ裏面側からコレクタ電極21がエネルギーを吸い出すように機能するため、さらに負荷短絡耐量を向上することができる。チップの厚さが200μm以下で薄い場合、チップの熱容量が小さくなって負荷短絡耐量の点で不利となるが、シリコン基板10の裏面側にも厚いコレクタ電極21を形成することにより、負荷短絡耐量をさらに改善することができる。
(他の実施形態)
上記実施形態では、エミッタ電極20とコレクタ電極21とが同等の厚さになっているが、それぞれ異なる厚さであっても構わない。
上記実施形態では、エミッタ電極20とコレクタ電極21とが同等の厚さになっているが、それぞれ異なる厚さであっても構わない。
上記実施形態では、エミッタ電極20およびコレクタ電極21をスパッタの方法によって形成しているが、蒸着の方法によって形成することもできる。
上記実施形態では、エミッタ電極20、コレクタ電極21の各電極の材質が同じになっているが、それぞれ異なる材質のものであっても構わない。
10…N型のシリコン基板、11…P型ベース領域、12…P+型ボディ層、13…N+型ソース領域、14…P型層、20…エミッタ電極、21…コレクタ電極。
Claims (1)
- 半導体基板(10〜14)の表面側に形成された第1電極(20)と裏面側に形成された第2電極(21)とを有し、前記第1電極(20)と前記第2電極(21)との間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が備えられてなる半導体装置であって、
前記第1電極(20)および前記第2電極(21)の厚さがそれぞれ5μm以上になっており、かつ、前記第1電極(20)の厚さと前記第2電極(21)の厚さとがそれぞれ同じになっていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11018558B2 (en) | 2016-08-05 | 2021-05-25 | Interroll Holding Ag | Drum motor with frequency converter and optional belt tension sensor |
DE212020000562U1 (de) | 2019-07-12 | 2021-11-16 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
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JP2005311284A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-11-04 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パワー半導体素子およびこれを用いた半導体装置 |
JP2008305948A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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2007
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