JP2009037619A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009037619A5 JP2009037619A5 JP2008198333A JP2008198333A JP2009037619A5 JP 2009037619 A5 JP2009037619 A5 JP 2009037619A5 JP 2008198333 A JP2008198333 A JP 2008198333A JP 2008198333 A JP2008198333 A JP 2008198333A JP 2009037619 A5 JP2009037619 A5 JP 2009037619A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- flash memory
- reading
- page
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 9
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2007-0078262 | 2007-08-03 | ||
| KR1020070078262A KR20090014036A (ko) | 2007-08-03 | 2007-08-03 | 읽기 디스터번스로 인한 에러를 방지하는 메모리 시스템 및그 방법 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009037619A JP2009037619A (ja) | 2009-02-19 |
| JP2009037619A5 true JP2009037619A5 (enExample) | 2011-09-15 |
| JP5505922B2 JP5505922B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=40337962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008198333A Active JP5505922B2 (ja) | 2007-08-03 | 2008-07-31 | メモリシステム及びその読み出し方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7751238B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5505922B2 (enExample) |
| KR (1) | KR20090014036A (enExample) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809203B2 (ja) | 1996-06-05 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | ヘリカルアンテナ |
| JP4776307B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-09-21 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム、データ転送方法及びプログラム |
| KR100882841B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2009-02-10 | 삼성전자주식회사 | 읽기 디스터번스로 인한 비트 에러를 검출할 수 있는메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법 |
| US9471418B2 (en) * | 2007-06-19 | 2016-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system that detects bit errors due to read disturbance and methods thereof |
| KR20090014036A (ko) * | 2007-08-03 | 2009-02-06 | 삼성전자주식회사 | 읽기 디스터번스로 인한 에러를 방지하는 메모리 시스템 및그 방법 |
| EP2077559B1 (en) * | 2007-12-27 | 2012-11-07 | Hagiwara Solutions Co., Ltd. | Refresh method of a flash memory |
| US8031521B1 (en) * | 2008-05-20 | 2011-10-04 | Marvell International Ltd. | Reprogramming non-volatile memory devices for read disturbance mitigation |
| KR101609367B1 (ko) | 2009-06-29 | 2016-04-20 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 시스템 및 플래시 메모리의 프로그래밍 방법 |
| JP4703753B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 情報処理装置、半導体記憶装置、及びプログラム |
| KR101658479B1 (ko) | 2010-02-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
| US9378831B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
| US9324440B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
| KR101691092B1 (ko) | 2010-08-26 | 2016-12-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
| KR101691088B1 (ko) | 2010-02-17 | 2016-12-29 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
| US8923060B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and operating methods thereof |
| US8908431B2 (en) * | 2010-02-17 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Control method of nonvolatile memory device |
| JP5788183B2 (ja) | 2010-02-17 | 2015-09-30 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム |
| JP2011170956A (ja) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム |
| US8792282B2 (en) | 2010-03-04 | 2014-07-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, memory systems and computing systems |
| JP5523379B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-06-18 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 記憶制御装置、画像形成装置および記憶制御方法 |
| CN103065678B (zh) * | 2011-10-21 | 2016-01-13 | 点序科技股份有限公司 | 闪速存储器装置及其数据储存方法 |
| KR20130136343A (ko) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
| KR102025263B1 (ko) | 2012-10-05 | 2019-09-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 읽기 교정 방법 |
| KR20140045168A (ko) | 2012-10-08 | 2014-04-16 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 메모리 시스템 및 불휘발성 메모리 장치의 동작방법 |
| KR101379883B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2014-04-01 | 한국과학기술원 | 플래시 메모리의 소모 전력 감소 방법 및 그 장치 |
| KR102025193B1 (ko) * | 2013-02-19 | 2019-09-25 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 |
| CN105683926A (zh) * | 2013-06-25 | 2016-06-15 | 美光科技公司 | 按需块管理 |
| KR102164630B1 (ko) | 2013-06-28 | 2020-10-12 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
| TWI509624B (zh) * | 2013-07-01 | 2015-11-21 | Asolid Technology Co Ltd | 快閃記憶體裝置、記憶體控制器及快閃記憶體的控制方法 |
| KR102242022B1 (ko) | 2013-09-16 | 2021-04-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법 |
| US9230689B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Finding read disturbs on non-volatile memories |
| KR102530905B1 (ko) | 2016-02-15 | 2023-05-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작 방법 |
| KR102606490B1 (ko) | 2016-06-30 | 2023-11-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 |
| US10204693B2 (en) * | 2016-12-31 | 2019-02-12 | Western Digital Technologies, Inc. | Retiring computer memory blocks |
| KR20190017550A (ko) | 2017-08-11 | 2019-02-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
| JP6884675B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-06-09 | 株式会社東芝 | ビデオサーバ、及び放送システム |
| KR102653843B1 (ko) | 2018-04-19 | 2024-04-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 이의 리드 디스터번스 방지 방법, 이를 이용한 스토리지 시스템 |
| US10656995B2 (en) * | 2018-10-03 | 2020-05-19 | Micron Technology, Inc. | Copy-back operations in a memory device |
| US10592351B1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-03-17 | EMC IP Holding Company LLC | Data restore process using a probability distribution model for efficient caching of data |
| KR102674620B1 (ko) | 2018-10-17 | 2024-06-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작방법 |
| US11287998B2 (en) * | 2019-08-02 | 2022-03-29 | Micron Technology, Inc. | Read count scaling factor for data integrity scan |
| KR102891044B1 (ko) * | 2019-09-10 | 2025-11-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터를 분산 리드할 수 있는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 |
| CN119620914A (zh) * | 2023-09-12 | 2025-03-14 | 上海江波龙数字技术有限公司 | 数据管理方法以及存储装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8027194B2 (en) * | 1988-06-13 | 2011-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and method of accessing a semiconductor memory device |
| JPH06110793A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP3176019B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2001-06-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
| US7318117B2 (en) * | 2004-02-26 | 2008-01-08 | Super Talent Electronics, Inc. | Managing flash memory including recycling obsolete sectors |
| JP2003007051A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | メモリおよびその動作方法 |
| JP4113423B2 (ja) | 2002-12-04 | 2008-07-09 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びリファレンスセルの補正方法 |
| JP2006113648A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Hitachi Ltd | ディスクアレイ装置 |
| US8010764B2 (en) * | 2005-07-07 | 2011-08-30 | International Business Machines Corporation | Method and system for decreasing power consumption in memory arrays having usage-driven power management |
| JP2007048191A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | メモリカード |
| JP4776307B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-09-21 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム、データ転送方法及びプログラム |
| JP4597829B2 (ja) | 2005-09-27 | 2010-12-15 | パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー | メモリ |
| US20070115960A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Mediatek Inc. | De-interleaver for data decoding |
| TWI350448B (en) * | 2006-12-13 | 2011-10-11 | Compal Electronics Inc | Method for data preservation |
| KR20090014036A (ko) * | 2007-08-03 | 2009-02-06 | 삼성전자주식회사 | 읽기 디스터번스로 인한 에러를 방지하는 메모리 시스템 및그 방법 |
-
2007
- 2007-08-03 KR KR1020070078262A patent/KR20090014036A/ko not_active Ceased
-
2008
- 2008-07-29 US US12/181,408 patent/US7751238B2/en active Active
- 2008-07-31 JP JP2008198333A patent/JP5505922B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-01 US US12/791,077 patent/US8125825B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010282252A5 (enExample) | ||
| JP2015535118A5 (enExample) | ||
| JP2015530685A5 (enExample) | ||
| JP2013025793A5 (enExample) | ||
| JP2009026271A5 (enExample) | ||
| JP2012104110A5 (enExample) | ||
| JP2015535119A5 (enExample) | ||
| RU2007142136A (ru) | Интерфейс для энергонезависимого запоминающего устройства | |
| JP2011028741A5 (enExample) | ||
| JP2012198811A5 (ja) | メモリシステム、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶装置の制御方法、及びプログラム | |
| JP2011530731A5 (enExample) | ||
| JP2007310637A5 (enExample) | ||
| WO2008132725A4 (en) | A method for efficient storage of metadata in flash memory | |
| JP2009527820A5 (enExample) | ||
| JP2010113702A5 (enExample) | ||
| JP2004164633A5 (enExample) | ||
| JP2013508857A5 (enExample) | ||
| JP2008181399A5 (enExample) | ||
| JP2012252576A5 (enExample) | ||
| CN101777024B (zh) | 数据移动方法及系统 | |
| CN102591783A (zh) | 可编程存储器控制器 | |
| JP2010287303A5 (enExample) | ||
| TW200707186A (en) | Method for improving writing data efficiency and storage subsystem and system implementing the same | |
| JP2014212426A5 (enExample) | ||
| TW200608200A (en) | Method and device to improve USB flash write performance |