JP2009031765A

JP2009031765A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2009031765A
Application number: JP2008157600A
Authority: JP
Inventors: Nobutaka Fukagawa; 伸隆深川; Hajime Nakayama; 元中山; Hiroshi Toyama; 浩史遠山
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2007-06-25
Filing date: 2008-06-17
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2028-06-17
Also published as: US7990502B2; US20110001908A1; CN101784947B; JP5319966B2; CN101784947A; WO2009001952A1

Abstract

【課題】環境湿度に依存した表示性能の変動が少ない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１偏光子（１）及び第２偏光子（３）、前記液晶セル（ＬＣ）と第１偏光子との間に配置された第１位相層（１０）、及び前記第２偏光子（３）と前記液晶セル（ＬＣ）の間に配置された第２位相差層（１２）を有し、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが平行であり、及び前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置である。
０ｎｍ＜ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦５０ｎｍ・・・式（１）
ΔＲｅ₁（５４８）及びΔＲｅ₂（５４８）はそれぞれ、第１及び第２位相差層の低湿度環境下で測定した波長５４８ｎｍの面内レターデーション（Ｒｅ）から高湿度環境下で測定した同波長のＲｅを引いた値である。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特にＶＡモード液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、消費電力の小さい省スペースの画像表示装置として年々その用途が広がっている。従来、画像の視野角依存性が大きいことが液晶表示装置の大きな欠点であったが、ＶＡモードによる広視野角液晶表示装置が実用化されるに至り、テレビ等の高品位の画像が要求される市場でも液晶表示装置の需要が急速に拡大しつつある。
ＶＡモード液晶表示装置は他の液晶表示モードに比べて一般にコントラストが高いというメリットがあるが、視角によってコントラスト及び色味の変化が大きいという問題も有している。これを補償する方法として、様々な光学補償フィルムが提案されている。この中でも、特許文献１に開示の、所定の波長分散特性のレターデーションを示す第１及び第２位相差フィルムを有する液晶表示装置は、視野角に依存したコントラスト及び色味の変化が大幅に低減されている。また、位相差フィルムが偏光板保護フィルムを兼ねることにより、薄型化も達成し得る点でも優れている。
しかし、テレビ用液晶表示装置の需要が急増するに伴い、幅広い環境湿度において良好な表示性能を示すことが液晶表示装置に求められるようになってきている。上記特許文献１の液晶表示装置は、環境湿度によるコントラスト変化が大きいという問題があり、改良が求められている。
特開２００７−８６７４８号公報

本発明は、環境湿度に依存した表示性能の変動が小さい液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置を提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討した結果、光学特性の環境湿度依存性が異なる２つの位相差層を有する液晶表示装置において、光学特性の環境湿度依存性が相対的に大きい位相差層の遅相軸を偏光子の透過軸との関係で、又は光学特性の環境湿度依存性が相対的に小さい位相差層の遅相軸との関係で、所定の配置とすることにより、２つの位相差層の環境湿度に依存した光学特性の変化が相殺されることを見出し、この知見に基づいてさらに検討を重ね、本発明を完結させるに至った。

すなわち上記課題は、以下の手段によって解決される。
［１］液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１偏光子及び第２偏光子、前記第１偏光子と前記液晶セルとの間に第１位相層、並びに前記第２偏光子と前記液晶セルとの間に第２位相差層を有し、前記第２位相差層が、前記第２偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、且つ前記第２偏光子の透過軸と前記第２位相差層の遅相軸とが平行であり、及び前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置：
０ｎｍ＜ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦５０ｎｍ（１）
ここで、ΔＲｅ₁（５４８）は、第１位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍの面内レターデーション（Ｒｅ）から相対湿度８０％温度２５℃の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値であり；ΔＲｅ₂（５４８）は第２位相差層の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｅから相対湿度８０％の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値である。
［２］液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１偏光子及び第２偏光子、前記第１偏光子と前記液晶セルとの間及び前記第２偏光子と前記液晶セルとの間のうちの少なくとも一方に、第１位相層及び第２位相差層を有し、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、且つ前記第１位相差層の遅相軸と前記第２位相差層の遅相軸とが直交であり、及び前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、前記式（１）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
［３］前記第１位相差層が、少なくとも長手方向（搬送方向）に延伸処理されたポリマーフィルムであることを特徴とする［１］又は［２］の液晶表示装置。
［４］前記第２位相差層が、幅手方向に延伸処理されたポリマーフィルムであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかの液晶表示装置。
［５］前記ポリマーフィルムが、ポリマーと該ポリマーに対して１〜３０質量％の添加剤とを含有し、該添加剤中、下記一般式（Ａ）で表される化合物の全添加剤に対する比率が、３０〜１００質量％であることを特徴とする［４］の液晶表示装置：
一般式（Ａ）Ｒ¹−Ｌ−Ｘ−Ｌ−Ｒ¹
ここで、Ｘは芳香族又は脂肪族の環状構造の基を表し；Ｌは水と水素結合可能な連結基を表し、二つのＬが環状構造の基Ｘの中心に対して点対称な位置に置換し；Ｒ¹は芳香族又は脂肪族の置換基を表す。
［６］前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする［１］〜［５］のいずれかの液晶表示装置：
0.5≦|ΔRth₁(548)+ΔRth₂(548)|/|ΔRe₁(548)-ΔRe₂(548)|≦10 （２）
ここで、ΔＲｔｈ₁（５４８）は第１位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍの厚み方向レターデーション（Ｒｔｈ）から相対湿度８０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値であり；ΔＲｔｈ₂（５４８）は第２位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈから相対湿度８０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値である。
［７］前記第１位相層及び前記第２位相差層が下記式（３）の関係を満たすことを特徴とする［１］〜［６］のいずれかの液晶表示装置：
Ｒｅ₁（５４８）＜Ｒｅ₂（５４８）（３）。
ここで、Ｒｅ₁（λ）及びＲｅ₂（λ）はそれぞれ、相対湿度６０％温度２５℃の環境下で測定した波長λｎｍにおける第１及び第２の位相差層のＲｅである。
［８］前記第１位相差層が、下記式（４）及び（５）を満たすことを特徴とする［１］〜［７］のいずれかの液晶表示装置：
５ｎｍ≦Ｒｅ₁（５４８）≦３００ｎｍ（４）
５０ｎｍ≦Ｒｔｈ₁（５４８）≦４００ｎｍ（５）
ここで、Ｒｅ₁（λ）及びＲｔｈ₁（λ）はそれぞれ、２５℃相対湿度６０％の環境下で測定した波長λｎｍにおける第１の位相差層のＲｅ及びＲｔｈである。
［９］前記第２位相差層が、下記式（６）及び（７）を満たすことを特徴とする［１］〜［８］のいずれかの液晶表示装置：
４０ｎｍ≦Ｒｅ₂（５４８）≦３００ｎｍ（６）
６０ｎｍ≦Ｒｔｈ₂（５４８）≦４００ｎｍ（７）。
ここで、Ｒｅ₂（λ）及びＲｔｈ₂（λ）はそれぞれ、相対湿度６０％温度２５℃の環境下で測定した波長λｎｍにおける第２の位相差層のＲｅ及びＲｔｈである。
［１０］前記第１位相差層が前記第１偏光子の保護フィルムである、及び／又は、前記第２位相差層が前記第１偏光子もしくは前記第２偏光子の保護フィルムであることを特徴とする［１］〜［９］のいずれかの液晶表示装置。
［１１］前記第１位相差層が、下記式（８）を満たすことを特徴とする［１］〜［１０］のいずれかの液晶表示装置：１．１２≦遅相軸方向の音速/遅相軸に直交する方向の音速≦１．２５（８）。
［１２］前記第１位相差層及び前記第２位相差層のうちの少なくとも一方が、セルロースアシレートフィルムであることを特徴とする［１］〜［１１］のいずれかの液晶表示装置。
［１３］前記第１位相差層が、前記第１偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第２位相差層が、前記第２偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、及び前記第２偏光子の透過軸と前記第２位相差層の遅相軸とが平行であることを特徴とする［１］〜［１２］のいずれかの液晶表示装置。
［１４］前記第１位相差層及び第２位相差層の双方が、前記第１偏光子と前記液晶セルの間に配置され、及び前記第１位相差層の遅相軸と、前記第２位相差層の遅相軸とが直交であることを特徴とする［１］〜［１２］のいずれかの液晶表示装置。
［１５］前記液晶セルがＶＡモードであることを特徴とする［１］〜［１４］のいずれかの液晶表示装置。

本発明によれば、環境湿度に依存した表示性能の変動が小さい液晶表示装置、特にＶＡモードの液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

［フィルムのレターデーション］
本明細書において、Ｒｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
測定されるフィルムが１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
なお、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（２１）及び式（２２）よりＲｔｈを算出することもできる。

注記：
式中、Ｒｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表し、ｄは層の厚み（ｎｍ）である。

測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。

上記の測定において、平均屈折率の仮定値はポリマーハンドブック（ＪＯＨＮＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出することができる。

なお、本明細書において、Ｒｅ(λ)及びＲｔｈ(λ)について、測定時の環境湿度及び温度について注記がない場合は、湿度６０％温度２５℃で測定したＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）を意味するものとする。
また、本明細書において、ΔＲｅ（λ）及びΔＲｔｈ（λ）は、２５℃相対湿度１０％の環境下で測定したＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）から、２５℃相対湿度８０％の環境下で測定したＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）をそれぞれ引いた値であり、それぞれの条件でＲｅ(λ)及びＲｔｈ（λ）を測定する際は、測定対象サンプルをその環境下に２時間以上放置した後に、測定を開始するものとする。
また、本明細書において、Ｒｅ及びＲｔｈについて、下付きの数字、１及び２は、第１の位相差層及び第２の位相差層のいずれのＲｅ及びＲｔｈであるかを特定するために付したものである。

また、本明細書において２つの軸が「平行」及び「直交」とは、本発明の効果を奏する限り、製造上ある程度の誤差は許容されるものとし、一般的には、その許容される誤差は、±１０°である。また、本明細書において、「偏光子」及び「偏光板」の用語は区別して用い、「偏光子」は、偏光機能を有する単層の偏光膜を意味し、「偏光板」は、偏光機能を有する偏光膜の表面に保護フィルムを少なくとも一層有する偏光機能を有する積層体を意味する。

以下、図面を用いて本発明の液晶表示装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の液晶表示装置の第１の態様の概略断面図である。図１に示す液晶表示装置は、液晶セルＬＣの上下に配置された第１偏光子１及び第２偏光子３を有し、液晶セルＬＣと第１偏光子１との間に第１位相差層１０、及び液晶セルＬＣと第２偏光子３との間に第２位相差層１２を有する。第１偏光子１及び第２偏光子３は、互いの透過軸２及び４を直交にして配置されている。第１位相差層１０は、その遅相軸１１を、第１偏光子１の透過軸２と直交にして配置され、及び第２位相差層１２は、その遅相軸１３を、第２偏光子３の透過軸４と平行にして配置されている。図１中省略したが、液晶表示装置はバックライトを備え、バックライトは上下いずれの偏光子の外側に配置してもよいが、一般的には、偏光子３の外側に配置するのが好ましい。

図２は、本発明の液晶表示装置の第２の態様の概略断面図である。図２に示す液晶表示装置は、液晶セルＬＣの上下に配置された第１偏光子１及び第２偏光子を有し、液晶セルＬＣと第１偏光子１との間に第２位相差層１２’と第１位相差層１０’とを有する。第１偏光子１及び第２偏光子３は、互いの透過軸２及び４を直交にして配置されている。また、第１位相差層１０’及び第２位相差層１２’は、互いの遅相軸１１’及び１３’を直交にして配置されている。図２中省略したが、液晶表示装置はバックライトを備え、バックライトは上下いずれの偏光子の外側に配置してもよいが、一般的には、偏光子３の外側に配置するのが好ましい。

第１位相差層１０（１０’）及び第２位相差層１２（１２’）は、それぞれ第１偏光子１及び第２偏光子３の保護フィルムであってもよい。例えば、図１に示す態様では、上側偏光板ＰＬ１及び下側偏光板ＰＬ２の一部材として液晶表示装置に用いられていてもよい。図２に示す態様では、上側偏光板ＰＬ１’の一部材として、液晶表示装置に用いられてもよい。また、図１中省略したが、第１偏光子１及び第２偏光子３の外側には、それぞれを保護するポリマーフィルムからなる保護フィルムが配置され、上側偏光板ＰＬ１（又はＰＬ１’）及び下側偏光板ＰＬ２（又はＰＬ２’）の一部を構成している。

図１及び２にそれぞれ示す本発明の第１及び第２の態様において、第１位相差層１０と第２位相差層１２、及び第１位相差層１０’と第２位相差層１２’とは、下記式（１）の関係を満たす。
０ｎｍ＜ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦５０ｎｍ・・・式（１）
ここで、ΔＲｅ₁（５４８）は、第１位相差層（１０又は１０’）の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍの面内レターデーション（Ｒｅ）から相対湿度８０％の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値であり；ΔＲｅ₂（５４８）は第２位相差層（１２又は１２’）の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｅから相対湿度８０％の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値である。
本発明の第１及び第２の態様では、２つの位相差層のうち、環境湿度に依存したＲｅの変動が相対的に大きい第１位相差層（１０又は１０’）と、相対的に小さい第２位相差層（１２又は１２’）とを、図１及び図２に示す関係で配置することで、互いの環境湿度に依存したＲｅの変動を相殺し、全体として環境湿度に依存したＲｅの変動を軽減させ、それによって、表示性能の環境湿度依存性が小さい液晶表示装置を提供している。

以下に垂直配向（ＶＡ）液晶セルを例にして、本発明の効果を詳しく説明する。垂直配向液晶セルは、駆動電圧を印加しない非駆動状態では、液晶層（図１中の７）中の液晶分子は、基板面に対して概略垂直に配向する。垂直配向液晶セルにおいては、表示面に対して法線方向から観察した場合には、高いコントラストが得られるが、斜め方向ではコントラストの低下が生じる。これは、斜め方向から観察した場合は、非駆動状態においても、液晶分子に複屈折が生じていること、及び上下の偏光板透過軸の交差角が直交からずれていること、の２つの要因のためと考えられている。この２つの要因のために生じる黒表示時の斜め方向の漏れ光を軽減するため、第１位相差層（図１中では１０又は１０’）及び第２位相差層（図１中では１２又は１２’）が用いられている。

図３及び図４は、斜め視角における光漏れ現象をポアンカレ球上に表現した図である（ポアンカレ球上での偏光状態の取り扱いについては例えば、高崎宏著、「結晶光学」、森北出版、1975年、ｐ．146-163等に記載されている）。図中のＰ点は斜め視角におけるポラライザーの偏光状態を表し、Ｅ点は斜め視角においてアナライザーが最も有効に吸収できる偏光状態を表す。
図３Ａ及び図３Ｂは本発明の第１の態様における位相差層の効果を示した図である。ポアンカレ球上における位相差層の効果は位相差層透過直前の偏光状態を表す点を、ポアンカレ球上での遅相軸を中心に（２π）×（位相差）/（λ）（単位はrad）で決定される角度だけ回転移動させた点に変換することである。図３Ａにおいて、偏光子透過後の光の偏光状態Ｐは第１位相差層によって偏光状態Ｐ'に変化され、さらに液晶セルを透過することによりＰ”に変化される。さらに第２位相差層は偏光状態Ｐ”を偏光状態Ｅと一致する偏光状態Ｐ’’’に変換する効果を有し、これにより斜め視角においても光漏れの小さい良好な表示性能が得られる。図３Ｂは環境湿度が変化し、第１位相差層及び第２位相差層のレターデーションが小さくなった例を示している。第１位相差層のレターデーションによるＰからＰ'への移動角度は小さくなるが、同時に第２位相差層のレターデーションによるＰ”からＰ’’’への移動角度も小さくなるため、偏光状態Ｐ’’’は偏光状態点Ｅとほぼ一致し、環境湿度が変化しても依然として光漏れの小さい良好な画像が得られる。

一方、図３Ｃ及び図３Ｄは比較例として、第１位相差層の遅相軸が第１偏光子の透過軸と平行且つ第２位層差の遅相軸が第２偏光子の透過軸と平行な例の偏光状態の変化を示している。環境湿度が変化し、第１位層差層及び第２位層差のレターデーションが小さくなると、双方の効果が足し合わされるため、偏光状態Ｐ’’’は偏光状態点Ｅから離れてしまうため、光漏れが大きくなってしまう。

図４Ａ及び図４Ｂは本発明の第２の態様における位相差層の効果を示した図である。図４Ａ中、偏光子を透過後の光の偏光状態Ｐは第１位相差層によって偏光状態Ｐ'に変化され、さらに第２位層差層を透過することによりＰ”に変化される。さらに液晶セルを透過することにより偏光状態Ｐ”は偏光状態点Ｅと一致する偏光状態Ｐ’’’に変換される。図４Ｂは環境湿度が変化し、第１位相差層及び第２位相差層のレターデーションが小さくなった例を示している。第１位相差層のレターデーションによるＰからＰ'への移動角度は小さくなるが、同時に第２位相差層のレターデーションによるＰ'からＰ"への移動角度も小さくなるため、最終的には、偏光状態Ｐ’’’は偏光状態点Ｅとほぼ一致し、環境湿度が変化しても依然として光漏れの小さい良好な画像が得られる。

一方、図４Ｃ及び図４Ｄは、比較例として、第１位相差層の遅相軸が第１偏光子の透過軸と平行且つ第１の位相差層の遅相軸と第２位相差層の遅相軸とが平行な例について、偏光状態の変化を示している。図３Ｃ及びＤに示した比較例と同様に、環境湿度の変化により第１位層差層及び第２位層差層のレターデーションが小さくなると、双方の効果が足し合わされるため、偏光状態Ｐ’’’は偏光状態Ｅから離れてしまい、光漏れが大きくなってしまう。

上記作用により、より優れた効果を得るためには、前記式（１）はさらに好ましくは、
５ｎｍ≦ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦４０ｎｍ
であり、より好ましくは、
５ｎｍ≦ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦３０ｎｍ
である。

また、第１位相差層（図１又は２中、１０又は１０’）及び第２位相差層（図１又は２中、１２又は１２’）の波長５４８ｎｍのＲｅは、下記式（３）
Ｒｅ₁（５４８）＜Ｒｅ₂（５４８）・・・（３）
を満足しているのが好ましい。即ち、本発明の第１及び第２の態様では、Ｒｅが相対的に大きい第２位相差層のＲｅの環境湿度依存性が、Ｒｅが相対的に小さい第１位相差層のＲｅの環境湿度依存性に対して、相対的に小さいのが好ましい。より好ましくは、Ｒｅ₁（５４８）＋２０≦Ｒｅ₂（５４８）であり、より好ましくは、Ｒｅ₁（５４８）＋４０≦Ｒｅ₂（５４８）である。

また、環境湿度によってＲｔｈが変化することは、図３及び４に示した通り、位相差層を光が透過する際の偏光状態変化を示すポアンカレ球上において、回転軸の位置（Ｓ１軸に対する相対角度）が変化すること、として表される。したがって、２枚の位相差層の環境湿度によるＲｅ変化を互いに相殺するという本発明の効果を十分に発揮させるためには、環境湿度によるＲｔｈ変化が、環境湿度によるＲｅ変化に対して、一定の範囲内であることが好ましい。本発明において、第１位相差層（図１又は２中、１０又は１０’）と第２位相差層（図１又は２中、１２又は１２’）とは、下記式（２）の関係を満足しているのが好ましい。
０．５≦｜ΔＲｔｈ₁（５４８）＋ΔＲｔｈ₂（５４８）｜/｜ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）｜≦１０・・・・・（２）
ここで、ΔＲｔｈ₁（５４８）は、第１位相差層（１０又は１０’）の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍの厚み方向レターデーション（Ｒｔｈ）から相対湿度８０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値であり；ΔＲｔｈ₂（５４８）は、第２位相差層（１２又は１２’）の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈから相対湿度８０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値である。

式（２）はさらに好ましくは、
０．５≦｜ΔＲｔｈ₁（５４８）＋ΔＲｔｈ₂（５４８）]/[ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）｜≦５
であり、より好ましくは、
１≦｜ΔＲｔｈ₁（５４８）＋ΔＲｔｈ₂（５４８）]/[ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）｜≦３
である。

ここで、図１及び図２の液晶表示装置を通過した光の偏光状態について説明する。
液晶セルＬＣは、液晶層７とこの上下に配置された液晶セル上基板５及び液晶セル下基板８とを有する。また、図１中では、省略したが、液晶セルＬＣはその内部に、配向膜、液晶層７に電界を供与する一対の電極層を有する。液晶セルＬＣは、ＶＡモードの液晶セルであり、配向膜によって、駆動電圧非印加時においては、液晶層７中の液晶分子の配向方向を示すダイレクタ、いわゆるチルト角は、基板５及び８に対して垂直、約９０°に調整されている。駆動電圧印加時においては、液晶層７中の液晶分子は、基板面に方向に傾斜して配向する。液晶層７の厚さｄと屈折率異方性Δｎとの積Δｎｄの大きさにより、白表示時の明るさが変化するので、最大の明るさを得るためには液晶層７の厚みを０．２μｍ〜０．５μｍの範囲になるように設定する。液晶層７の一例として、誘電異方性が負で、Δｎ＝０．０８１３、Δε＝−４．６程度の液晶からなり、厚さｄが約３．５μｍ程度の液晶層が挙げられる。

液晶層７に駆動電圧を印加しない非駆動状態では、液晶層７中の液晶分子は、基板面に対して概略垂直に配向し、その結果、下側偏光板ＰＬ２（又はＰＬ２’）から入射した光の偏光状態は、液晶層７ではほとんど変化しない。これに対し、駆動状態では、液晶分子は基板面方向に傾斜するので、下側偏光板ＰＬ２（又はＰＬ２’）から入射した光の偏光状態は、液晶層７で変化する。換言すると、非駆動状態では黒表示、駆動状態では白表示が得られる。しかし、表示面に対して法線方向から観察した場合には、この原理により高いコントラストが得られるが、斜め方向ではコントラストの低下が生じる。これは、斜め方向から観察した場合は、非駆動状態においても、液晶分子に複屈折が生じていること、及び上下の偏光板透過軸の交差角が直交からずれていること、の２つの要因のためと考えられている。この２つの要因のために生じる黒表示時の斜め方向の漏れ光を軽減するため、第１位相差層（１０又は１０’）及び第２位相差層（１２又は１２’）が用いられている。従って第１位相差層（１０又は１０’）及び第２位相差層（１２又は１２’）は、上記関係式（１）を満足する（好ましくはさらに上記式（２）を満足する）とともに、視野角に依存したコントラストの低下及び色味変化の軽減に寄与するという観点から、第１位相差層（１０又は１０’）は下記式（４）及び（５）を満足しているのが好ましく、第２位相差層（１２又は１２’）は、下記式（６）及び（７）を満足しているのが好ましい。
５ｎｍ≦Ｒｅ₁（５４８）≦３００ｎｍ・・・式（４）
５０ｎｍ≦Ｒｔｈ₁（５４８）≦４００ｎｍ・・・式（５）
４０ｎｍ≦Ｒｅ₂（５４８）≦３００ｎｍ・・・式（６）
６０ｎｍ≦Ｒｔｈ₂（５４８）≦４００ｎｍ・・・式（７）

上記式（４）は、好ましくは１０ｎｍ≦Ｒｅ₁（５４８）≦８０ｎｍであり、さらに好ましく１５ｎｍ≦Ｒｅ₁（５４８）≦６０ｎｍである。
上記式（５）は、好ましくは６５ｎｍ≦Ｒｔｈ₁（５４８）≦３００ｎｍであり、さらに好ましくは８０ｎｍ≦Ｒｔｈ₁（５４８）≦２５０ｎｍである。
上記式（６）は、好ましくは５０ｎｍ≦Ｒｅ₂（５４８）≦２５０ｎｍであり、さらに好ましくは、６０ｎｍ≦Ｒｅ₂（５４８）≦２００ｎｍである。
上記式（７）は、好ましくは８０ｎｍ≦Ｒｔｈ₂（５４８）≦３００ｎｍであり、より好ましくは、９０ｎｍ≦Ｒｔｈ₂（５４８）≦２００ｎｍ以下である。

上記図１及び図２では、上下基板間に電界が印加され、電界方向に垂直に液晶分子が応答するような、誘電率異方性が負の液晶材料を利用した態様を示したが、電極を一方の基板に配置し、電界が基板面に平行の横方向に印加される場合は、液晶材料は正の誘電率異方性を有するものを使用することができる。
またＶＡモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの液晶表示装置で一般的に使われているカイラル剤の添加は、動的応答特性の劣化させるため用いることは少ないが、配向不良を低減するために添加してもよい。具体的には、配向分割の領域境界では、液晶分子が応答し難いので、ノーマリーブラック表示では黒表示が維持されるため、輝度低下が問題となるが、そのよう場合には、液晶材料にカイラル剤を添加して境界領域を小さくすることが可能である。

また、図中詳細な構造は省略したが、液晶セルの内部にはカラーフィルターを配置してもよい。また、図中省略したが、透過型の液晶表示装置は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置する。
また、本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。ＴＦＴやＭＩＭのような３端子又は２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置が本発明は有効である。もちろん時分割駆動と呼ばれるＳＴＮモードに代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置でも有効である。

ＶＡモードの液晶表示装置では、白表示時には液晶分子が基板面側に傾斜して配向するが、傾斜方向とその逆方向では、斜めから観察した時の液晶分子の複屈折の大きさが異なり、輝度や色調に差が生じる。これを解決するためには、液晶表示装置の一画素を複数の領域に分割するマルチドメインと呼ばれる構造にすることが提案されている。本発明の液晶表示装置も、一画素が複数の領域に分割されたマルチドメイン構造を有していてもよい。具体的には、一画素内を複数の領域に分割し、電界印加時に、各領域において液晶分子が他の領域と異なる方向に傾斜させて、視角特性を平均化する。一画素内で配向を分割するには、電極にスリットを設けたり、突起を設け、電界方向を変えたり電界密度に偏りを持たせる。全方向で均等な視野角を得るにはこの分割数を多くすればよいが、４分割、あるいは８分割とすることでほぼ均等な視野角が得られる。特に、８分割時は偏光板吸収軸を任意の角度に設定できるので好ましい。

以下、本発明に用いられる第１及び第２位相差層について、より詳細に説明する。
［第１位相差層］
本発明において、第１位相差層は、偏光板保護フィルムを兼ねることが液晶表示装置の薄型化の点から好ましい。第１位相差層がセルロースアシレートフィルムであると、偏光板加工適性等偏光板保護フィルムとしての特性を有しており、かつ原材料が安価であることから特に好ましい。
以下に、前記第１位相差層として好ましく用いられるセルロースアシレートフィルム（以下、「第１位相差セルロースアシレートフィルム」と称する場合がある）について詳細に説明する。なお、本明細書において、「セルロースアシレートフィルム」とは、フィルムの原料である組成物中に、セルロースアシレートを５０質量％以上含有するものを意味するものとする。

（セルロースアシレート）
まず、前記第１位相差セルロースアシレートフィルムの原料として使用可能なセルロースアシレートについて説明する。
原料として用いるセルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（（β）１，４−グリコシド結合しているグルコース）に存在している、３つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度（アシル化度）は、セルロースの構成単位質量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。測定方法は、「ＡＳＴＭＤ８１７−９１」に準じて実施する。

前記セルロースアシレートは、アシル化度が２．５０〜２．９７であるセルロースアセテートが好ましい。前記アシル化度は２．７０〜２．９７がさらに好ましい。さらに全アシル化度に対する６位のアシル化度の比率は０．２５以上が好ましく、０．３以上がさらに好ましい。

前記セルロースアシレートは、３００〜８００の重量平均重合度を有することが好ましく、３７０〜６００の重量平均重合度を有することがさらに好ましい。前記セルロースアシレートは、７０，０００〜２３０，０００の数平均分子量を有することが好ましく、７５，０００〜２３０，０００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８，０００〜１２０，０００の数平均分子量を有することが最も好ましい。

前記セルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。アシル化剤が酸無水物である場合は、反応溶媒として有機酸（例えば、酢酸）や塩化メチレンが使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン性触媒が用いられる。アシル化剤が酸塩化物である場合は、触媒として塩基性化合物が用いられる。工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースをアセチル基及び他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）又はそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースアシレートを合成する。この方法において、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセルロース主鎖β１→４グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースアシレートの重合度が低下し、製造するセルロースアシレートフィルムの物性が低下する。そのため、反応温度のような反応条件は、得られるセルロースアシレートの重合度や分子量を考慮して決定することが好ましい。

重合度の高い（分子量の大きい）セルロースアシレートを得るためには、エステル化反応工程における最高温度を５０℃以下に調節することが重要である。最高温度は、好ましくは３５〜５０℃、さらに好ましくは３７〜４７℃に調節する。反応温度を３５℃以上にすることにより、エステル化反応をより円滑に進行させることができる。反応温度を５０℃以下とすることにより、セルロースアシレートの重合度の低下をより効果的に抑止できる。エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースアシレートを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例えば、水、酢酸）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きいと、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱する。そのため、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースアシレートの重合度が低下する。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。しかし、反応停止剤の添加速度が大きいと、触媒が解離するために充分な反応時間がなく、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残る。強酸の触媒が一部結合しているセルロースアシレートは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４〜３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。なお、反応停止剤の添加時間を３０分以下とすることが工業的な生産性の観点から好ましい。反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、重量平均重合度が５００以上である高分子量セルロースアシレートを容易に合成することができる。

（レターデーション発現剤）
前記第１位相差セルロースアシレートフィルムは、レターデーション発現剤の少なくとも一種を含有することが好ましい。ここで、「レターデーション発現剤」とはフィルムの面内及び厚み方向の複屈折を発現する化合物である。
前記レターデーション発現剤としては２５０〜３８０ｎｍの波長範囲に吸収極大を有する化合物が好ましく、さらに、該性質に加えて４００ｎｍ〜７００ｎｍにおけるモル吸光係数が１０００以下である化合物が好ましい。前記吸収特性を有することによりフィルムに不要の着色を引き起こすことなく、所望の波長分散特性が得られる。

前記レターデーション発現剤としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を好ましく使用できる。

一般式（Ｉ）中、Ｘ¹は、単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ²は、単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ³は、単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又は−Ｓ−である。また、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。

一般式（Ｉ）において、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基を表すが、芳香族環基又は複素環基が好ましく、芳香族環基がより好ましい。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³がそれぞれ表す芳香族環基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。

Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³の芳香族環基又は複素環基は、置換基を有していてもよい。該置換基の例としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルオンアミド基、カルバモイル基、アルキル置換カルバモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基及びアシル基が挙げられる。さらに、これらの置換基は、該置換基によって置換されていてもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³が複素環基を表す場合、複素環は芳香族性を有することが好ましい。芳香族性を有する複素環とは、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。複素環のヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましく、窒素原子であることが特に好ましい。芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、２−ピリジル基又は４−ピリジル基）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。

一般式（Ｉ）中、Ｘ¹は単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表し、−ＮＲ⁴−が好ましく、Ｘ²は単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表し、−ＮＲ⁵−が好ましく、Ｘ³は単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表し、−ＮＲ⁶−が好ましい。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基を表し、それぞれ独立して水素原子が好ましい。

Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ表すアルキル基は、環状アルキル基であっても鎖状アルキル基であってもよいが、鎖状アルキル基が好ましく、分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８がさらに好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基）及びアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基）が含まれる。

Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ表すアルケニル基は、環状アルケニル基であっても鎖状アルケニル基であってもよいが、鎖状アルケニル基が好ましく、分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基がより好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらに好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は置換基を有していてもよい。置換基の例には、前述のアルキル基の置換基と同様である。

Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ表す芳香族環基及び複素環基は、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³がそれぞれ表す芳香族環基及び複素環記と同様であり、好ましい範囲も同様である。芳香族環基及び複素環基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例にはＲ¹、Ｒ²及びＲ³の芳香族環及び複素環の置換基と同様である。

以下に前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例（Ｉ−（１）〜ＩＶ−（１０））を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

前記レターデーション発現剤は、単独あるいは２種類以上混合して用いることができる。前記レターデーション発現剤の添加量は、例えば、セルロースアシレート１００質量％に対して、１〜３０質量％が好ましく、２〜２５質量％がさらに好ましい。２種類以上混合する場合、合計量が前記範囲であることが好ましい。
前記レターデーション発現剤の添加方法は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒に溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加するか、又は直接ドープ組成中に添加してもよい。

（紫外線吸収剤）
前記第１位相差セルロースアシレートフィルムは、紫外線（ＵＶ）吸収剤を含有していてもよく、該ＵＶ吸収剤を単独で又は他の化合物とともに、レターデーション発現剤として機能させてもよい。
本発明に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物、アミノベンジリデン系化合物等を挙げることができるが、レターデーションの測定波長依存性を広く制御できるシアノアクリレート系化合物が特に好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号公報、特開平８−３３７５７４号公報に記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号公報記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。本発明におけるセルロースアシレートフィルムを偏光板の保護フィルムとして用いる場合、紫外線吸収剤としては、偏光子や液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。

（第１位相差セルロースアシレートフィルムの製造）
次に、前記第１位相差セルロースアシレートフィルムの製造方法について詳しく説明する。
前記第１位相差セルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造することができる。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。
ドープの調製に用いる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステル及び炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
前記エーテル、ケトン及びエステルは、環状構造を有していてもよい。また、前記エーテル、ケトン及びエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及びＣＯＯ−）のいずれかを２つ以上有する化合物も、前記有機溶媒として用いることができる。前記有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上記した上述の好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。

前記炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソール及びフェネトールが含まれる。
前記炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン及びメチルシクロヘキサノンが含まれる。
前記炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート及びペンチルアセテートが含まれる。
また、２種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノール及び２−ブトキシエタノールが含まれる。

炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５〜７５モル％であることが好ましく、３０〜７０モル％であることがより好ましく、３５〜６５モル％であることがさらに好ましく、４０〜６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。
また、２種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。

セルロースアシレート溶液（ドープ）は、０℃以上の温度（常温又は高温）で処理することからなる一般的な方法で調製することができる。セルロースアシレート溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法及び装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。

セルロースアシレート溶液（組成）中におけるセルロースアシレートの量は、得られる溶液中に１０〜４０質量％含まれるように調整する。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

セルロースアシレート溶液は、常温（例えば、０〜４０℃）でセルロースアシレートと有機溶媒とを撹拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧及び加熱条件下で撹拌してもよい。具体的には、セルロースアシレートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら撹拌する。加熱温度は、好ましくは４０℃以上であり、より好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。

各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は撹拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。

加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。

撹拌は、容器内部に撹拌翼を設けて、これを用いて行うことが好ましい。撹拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。撹拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。

容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶媒中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。

冷却溶解法により、セルロースアシレート溶液を調製することもできる。冷却溶解法では、通常の溶解方法ではセルロースアシレートを溶解させることが困難な有機溶媒中にも、セルロースアシレートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアシレートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。

冷却溶解法では、最初に室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。

次に、混合物を、好ましくは、−１００〜−１０℃（より好ましくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０〜−２０℃）中で実施できる。冷却によりセルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。

冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が概ね理論的な上限であり、１０００℃／秒が概ね技術的な上限であり、そして１００℃／秒が概ね実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を、冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。

さらに、冷却した混合物を、好ましくは０〜２００℃（より好ましくは０〜１５０℃、さらに好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよく、温浴中で加温してもよい。加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が概ね理論的な上限であり、１０００℃／秒が概ね技術的な上限であり、そして１００℃／秒が概ね実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を、加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。

以上のようにして、均一なセルロースアシレート溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。

冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時に減圧すると、溶解時間を短縮することができる。加圧及び減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。

なお、セルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保することが好ましい。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。

調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法により、第１位相差セルロースアシレートフィルムを製造する。ドープにはレターデーション発現剤を添加することが好ましい。ドープは、ドラム又はバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラム又はバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラム又はバンド上に流延することが好ましい。

ソルベントキャスト法における乾燥方法については、米国特許第２,３３６,３１０号、同２,３６７,６０３号、同２,４９２,０７８号、同２,４９２,９７７号、同２,４９２,９７８号、同２,６０７,７０４号、同２,７３９,０６９号及び同２,７３９,０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号及び同７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号及び同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。バンド又はドラム上での乾燥は空気、窒素などの不活性ガスを送風することにより行なうことができる。

また、得られたフィルムをドラム又はバンドから剥ぎ取り、さらに１００℃から〜１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して、残留溶媒を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラム又はバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。

調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）を用いて２層以上の流延を行いフィルム化することもできる。この場合、ソルベントキャスト法により第１位相差セルロースアシレートフィルムを作製することが好ましい。ドープは、ドラム又はバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０〜４０質量％の範囲となるように濃度を調整することが好ましい。ドラム又はバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。

２層以上の複数のセルロースアシレート液を流延する場合、複数のセルロースアシレート溶液を流延することが可能であり、支持体の進行方向に間隔をおいて設けられた複数の流延口からセルロースアシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフィルムを作製してもよい。これらは、例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、及び特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つの流延口からセルロースアシレート溶液を流延することによっても、フィルム化することもできる。これは、例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、及び、特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。さらに特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の高粘度セルロースアシレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶液で包み込み、その高・低粘度のセルロースアシレート溶液を同時に押し出すフィルムの流延方法を用いることもできる。

また、２個の流延口を用いて、第一の流延口により支持体に成形したフィルムを剥ぎ取り、支持体面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フィルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２０２３５号公報に記載の方法を挙げることができる。

流延するセルロースアシレート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアシレート溶液を２種以上用いてもよい。複数のセルロースアシレート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに前記セルロースアシレート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。

従来の単層液では、必要なフィルムの厚さにするためには高濃度で高粘度のセルロースアシレート溶液を押し出すことが必要とされる傾向にある。この場合、セルロースアシレート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ故障となったり、平面性が不良となったりして問題となりやすい傾向にあった。この問題の改善方法として、複数のセルロースアシレート溶液を流延口から流延することにより、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことができ、平面性がより良化し優れた面状のフィルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロースアシレート溶液を用いることで乾燥負荷のより低減化が達成でき、フィルムの生産スピードをより高めることができる。
第１位相差セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例えば、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン等）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。また、前記劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が０．０１質量％以上であれば、劣化防止剤の効果が十分に発揮されるので好ましく、添加量が１質量％以下であれば、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）などが生じにくいので好ましい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。

これら流延から後乾燥までの工程は、空気雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でもよい。
また、前記第１位相差セルロースアシレートフィルムの製造には、巻き取り機を使用してもよく、一般的に使用されている、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取る巻き取り機を使用することができる。

（延伸処理）
前記第１位相差アシレートフィルムには、延伸処理されたセルロースアシレートフィルム（延伸セルロースアシレートフィルム）を用いることが特に好ましい。延伸処理によりセルロースアシレートフィルムに所望のレターデーションを付与することが可能である。前記第１位相差セルロースアシレートフィルムは長手方向に延伸されていることが好ましい。長手方向に延伸することにより、セルロースアシレートフィルムの位相差が長手方向に発現し、偏光子と第１位相差層とを、偏光子の吸収軸（又は透過軸）と第１位相差層の遅相軸とを平行（又は直交）にして、ロールツーロールで貼り合せることが可能となり、偏光板製造の生産性向上及びコスト低減のために好ましい。長手方向の延伸は、例えばフィルムの搬送ローラーの速度を調節して、フィルムの剥ぎ取り速度よりもフィルムの巻き取り速度の方を速くすることで実施できる。なお、一般的には、延伸方向と面内遅相軸方向とは一致する。

フィルムの長手方向延伸は、常温又は加熱条件下で実施することができるが、６０℃〜１００℃の雰囲気下で行うことが特に好ましい。また、フィルムは乾燥中の処理で延伸することができ、残留溶剤含量は６０〜１２０質量％の範囲で延伸することが好ましい。前記温度範囲の雰囲気下で前記残留溶剤含量のフィルムを延伸することにより、延伸処理中のセルロースアシレートフィルムの結晶化が抑制され、且つ非晶前部の配向度を高くすることができ、前記式（１）及び（２）範囲を満たすように調節することが可能となる。
残留溶剤含量＝[（フィルム質量）−（１２０℃２時間乾燥後のフィルム質量）/（１２０℃２時間乾燥後のフィルム質量）]×１００

フィルムの延伸倍率（延伸前のフィルムに対する伸び率）は、１％〜５０％が好ましく、２％〜３０％がさらに好ましい。

第１位相差セルロースアシレートフィルムは、位相差の最大となる方向がフィルムの長手方向となるかぎりにおいては、フィルム長手方向の延伸に加えて、フィルム幅方向の延伸を実施してもよい。長手方向の延伸に加えて、幅方向にも延伸処理を施すことにより、長手方向（搬送方向）のポリマー鎖の配向度を調節することができ、その結果、ΔＲｅ₁及びΔＲｔｈ₁を調節することができる。ポリマー鎖の配向度は、フィルムの音速比によって評価することができる。前記第１位相差セルロースアシレートフィルムの音速比は、下記一般式（８）の関係を満たすことが好ましい。
１．１２≦遅相軸方向の音速/遅相軸に直交する方向の音速≦１．２５・・・式（８）
さらに好ましくは、
１．１４≦遅相軸方向の音速/遅相軸に直交する方向の音速≦１．２２
である。
なお、フィルムの音速は、２５℃６０％ＲＨの環境下で（株）ＮＯＭＵＲＡ製音速計ＳＳＴ−１１０を用いて測定することができる。

（セルロースアシレートフィルムの厚み）
前記第１位相差層の厚みについては特に制限はない。一例としては、第１位相差層としてセルロースアシレートフィルムを用いる場合は、その厚みは１０μｍ〜２００μｍが好ましく、２０μｍ〜１５０μｍがさらに好ましく、３０μｍ〜１００μｍがよりさらに好ましい。

［第２位相差層］
次に、本発明に用いられる第２位相差層について詳細に説明する。
本発明において、前記第２位相差層は、偏光板の保護フィルムとしての機能を兼ねることが、液晶表示装置の薄型化の点から好ましい。
前記第２位相差層は、ポリマーフィルムであるのが好ましい。材料については特に制限されないは、正の固有複屈折成分と負の固有複屈折成分とを含むポリマーフィルムが、視角による色味変化をより低減できる点から特に好ましい。具体的には、（株）帝人製「ピュアエース」等の変性ポリカーボーネートフィルム、特開２００３−２９２６３９号公報及び特開２００３−３２１５３５号公報に開示されるノルボルネン系フィルム、特開２００６−２２０７２６号記載の変性ポリアセタールフィルムや、セルロースアシレートフィルム等が好ましい。このうち、セルロースアシレートフィルムが偏光板加工適性の点から特に好ましい。以下に、前記第２位相差層として好ましく用いられるセルロースアシレートフィルム（以下、「第２位相差セルロースアシレートフィルム」と称する場合がある）について詳細に説明する。

（セルロースアシレート）
前記第２位相差セルロースアシレートフィルムの原料に使用可能なセルロースアシレートについては、前記第１位相差層の原料として使用可能なセルロースアシレートと同様である。

（レターデーション発現剤）
前記第２位相差セルロースアシレートフィルムはレターデーション発現剤を含有することが好ましい。前記第２位相差セルロースアシレートフィルムの作製に用いるレターデーション発現剤としては、下記一般式（II）で表される化合物が特に好ましく、下記一般式（III）で表される化合物がよりさらに好ましい。

式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は各々独立に置換基を表す。Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表すが、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。ｎは０〜２の整数を表す。

式中、Ｌ¹及びＬ²は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立に置換基を表す。ｎは０〜２の整数を表す。

一般式（II）又は（III）において、Ｌ¹及びＬ²が表す二価の連結基としては、好ましくは下記の例が挙げられる。

さらに好ましくは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−である。

一般式（II）又は（III）において、Ｒ¹は置換基であり、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成してもよい。置換基の例としては下記のものが適用できる。

ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、

アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、

シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、

スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、

アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、

アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ¹は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、アミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基である。

Ｒ²、Ｒ³は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ¹の例があげられる。本発明の効果を得る上で、光学フィルムとした際の本発明に係る低分子が、より高い配向秩序度により配向することが好ましい。本発明に係る低分子が、一般式（II）又は一般式（III）で表される化合物である場合、Ｒ²及びＲ³が配向秩序に、より大きな影響を及ぼす。配向秩序度を高くするためには、一般式（II）又は一般式（III）で表される化合物は液晶性を示すことが好ましい。更に、配向秩序度を高くするという観点から、Ｒ²及びＲ³は、好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキサン環である。より好ましくは置換基を有するベンゼン環、置換基を有するシクロヘキサン環であり、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキサン環である。さらに好ましくは置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、又は、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環であり、中でも、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環を好適に挙げることができる。また、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、４位に置換基を有するベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である。最も好ましくは、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環であり、４位に置換基を有するシクロへシル基の置換基としては、特に制限されるものではないが、アルキル基を好適に挙げることができる。

また、４位に置換基を有するシクロヘキサン環にはシス体及びトランス体の立体異性体が存在するが、本発明においては限定されず、両者の混合物でもよい。好ましくはトランス-シクロヘキサン環である。

Ｒ⁴、Ｒ⁵は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ¹の例があげられる。好ましくは、ハメットの置換基定数σ_p値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σ_p値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ⁴とＲ⁵とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσ_p、σ_mに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカルレビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。

Ａ¹及びＡ²は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表し、例としては上記Ｒ¹の例が挙げられる。）又は−Ｓ−である。

Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す。ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。Ｘは＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＲ、＝Ｃ(Ｒ)Ｒが好ましい（ここでＲは置換基を表し、例としては上記Ｒ¹の例が挙げられる。）。
ｎは０〜２の整数を表し、好ましくは０又は１である。

以下に、一般式（II）又は（III）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。下記化合物に関しては、指定のない限り括弧（）内の数字にて例示化合物（Ｘ）と示す。

一般式（II）又は（III）で表される化合物の合成は、既知の方法を参照して行うことができる。例えば、例示化合物（１）は、下記スキームに従って合成することができる。

前記スキーム中、化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｄ）までの合成は、“Journal of Chemical Crystallography"(1997)；27(9)；p.515-526．に記載の方法を参照して行うことができる。
さらに、前記スキームに示したように、化合物（１−Ｅ）のテトラヒドロフラン溶液に、メタンスルホン酸クロライドを加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを滴下し攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを加え、化合物（１−Ｄ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下することで、例示化合物（１）を得ることができる。

また、前記第２位相差セルロースアシレートフィルムに使用するレターデーション発現剤は、単独あるいは２種類以上混合して用いることができる。前記第２位相差セルロースアシレートフィルムに使用するレターデーション発現剤の添加量はセルロースアシレート１００質量％に対して、０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２０質量％がさらに好ましい。
前記第２位相差セルロースアシレートフィルムに使用するレターデーション発現剤の添加方法は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒にレターデーション発現剤を溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加してもよいし、又は直接ドープ組成中に添加してもよい。

（湿度依存性改良剤）
前記第２位相差層は、そのΔＲｅ₂が、第１の位相差層のΔＲｅ₁と比較して小さいという特性を有する。この特性を満足するためには、第２位相差層中に、湿度依存性改良剤を添加することが好ましい。第２位相差層が、セルロースアシレートフィルムである場合は、前記湿度依存性改良剤の好ましい例として、環状構造基、及び該環状構造基に水と水素結合可能な置換基を２つ以上有し、該水素結合可能な構造が環状構造の中心に対して互い点対称の位置に置換している化合物が挙げられる。この様な構造の化合物は、水が他の成分（ポリマー及びレターデーション発現剤等の他の添加剤）に付加するのを競争的に抑制し、且つ該化合物と水とが水素結合形成することによって生じる固有複屈折変化によって、ポリマー及び／又はレターデーション発現剤等の他の添加剤と水とが水素結合形成することによって生じる固有複屈折変化を相殺することができる点に特徴がある。この様な特徴を有し、湿度依存性改良剤として利用可能な化合物としては、下記一般式（Ａ）で表される化合物が挙げられる。下記一般式（Ａ）で表される化合物の中でも、親疎水性の指標であるｌｏｇＰ値が、３〜１０の化合物が好ましい。
一般式（Ａ）Ｒ¹−Ｌ−Ｘ−Ｌ−Ｒ¹
ここで、Ｘは芳香族又は脂肪族の環状構造の基を表し、Ｌは水と水素結合可能な連結基を表し、二つのＬは環状構造の基Ｘの中心に対して点対称な位置に置換している。Ｒ¹は芳香族又は脂肪族の置換基を表す。

Ｘで表される芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、トリフェニレン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。脂肪族環としては、シクロブタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環が好ましく、シクロヘキサン環が特に好ましい。脂肪族環の場合、トランスの位置にカルボニル基が配置されていることが好ましい。
Ｌとしては、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−及びそれらの組合せからなる基より選ばれる二価の連結基が好ましく、−ＣＯ−Ｏ−及び−ＣＯ−ＮＨ−が特に好ましい。
Ｒ¹としては、炭素数１〜３０のアルキル基、アルケニル基、シリルオキシ基、アミノ基、スルファモイルアミノ基、スルファモイル基、アシル基、アリール及びヘテロ環アゾ基等が好ましい。

前記湿度依存性改良剤としては、前記一般式（Ａ）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｂ）で表される構造の化合物を特に好ましく用いることができる。

上記一般式（Ｂ）において、Ａｒ¹は、それぞれ独立に、芳香族基である。本明細書において、芳香族基は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基を含む。
アリール基及び置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、一般には不飽和である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子が好ましく、窒素原子又は硫黄原子がさらに好ましい。
芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環及びピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基（例、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基）、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（例、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（例、Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基）、ウレイド基、アルキルウレイド基（例、Ｎ−メチルウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルウレイド基）、アルキル基（例、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソプロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−アミル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基）、アルケニル基（例、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基）、アルキニル基（例、エチニル基、ブチニル基）、アシル基（例、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ヘキサノイル基、ラウリル基）、アシルオキシ基（例、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウリルオキシ基）、アルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基）、アリールオキシ基（例、フェノキシ基）、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニルアミノ基（例、ブトキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基）、アルキルチオ基（例、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基）、アリールチオ基（例、フェニルチオ基）、アルキルスルホニル基（例、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ペンチルスルホニル基、ヘプチルスルホニル基、オクチルスルホニル基）、アミド基（例、アセトアミド基、ブチルアミド基、ヘキシルアミド基、ラウリルアミド基）及び非芳香族性複素環基（例、モルホリル基、ピラジニル基）が含まれる。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基及びアルキル基が好ましい。
アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基のアルキル部分とアルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分及びアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ基、ニトロ、スルホ、カルバモイル、アルキルカルバモイル基、スルファモイル、アルキルスルファモイル基、ウレイド、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基及び非芳香族性複素環基が含まれる。アルキル部分及びアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル、アミノ、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシ基が好ましい。

以下に、一般式（Ａ）で表される湿度依存性改良剤の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

一般式（Ａ）及び（Ｂ）で表される湿度依存性改良剤は、文献記載の方法により合成できる。文献としては、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，５３巻、２２９ページ（１９７９年）、同８９巻、９３ページ（１９８２年）、同１４５巻、１１１ページ（１９８７年）、同１７０巻、４３ページ（１９８９年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻、１３４９ページ（１９９１年）、同１１８巻、５３４６ページ（１９９６年）、同９２巻、１５８２ページ（１９７０年）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻、４２０ページ（１９７５年）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、４８巻１６号、３４３７ページ（１９９２年）を挙げることができる。

本発明に用いる湿度依存性改良剤のｌｏｇＰは、３〜１０が好ましく、３〜７がさらに好ましい。ｌｏｇＰが上記範囲の湿度依存性改良剤を用いることにより、ブリードアウト等の面状故障を起こすことなく、Ｒｅの湿度依存性を低減することが可能となる。
ここで、ｌｏｇＰ値は、オクタノール−水分配係数を意味し、その測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））、Ｖｉｓｗａｎａｄｈａｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２９，１６３（１９８９））、Ｂｒｏｔｏ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｅｕｒ．Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．−Ｃｈｉｍ．Ｔｈｅｏｒ．，１９，７１（１９８４））などが好ましく用いられるが、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｆ．Ｃｏｍｐｕｔ．Ｓｃｉ．，２７，２１（１９８７））がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が上記好ましい範囲内であるかどうかは、Ｃｒｉｐｐｅｎ’ｓｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ法により判断することが好ましい。

前記湿度依存性改良剤として、２種類以上の化合物を混合して用いてもよい。前記湿度依存性改良剤の添加量は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．１〜３０質量部が好ましく、０．５〜２０質量部がさらに好ましく、１〜１５質量部がよりさらに好ましい。また、全添加剤に対する湿度依存性改良剤の質量比は、３０質量％〜１００質量％が好ましく、４０質量％〜１００質量％がさらに好ましい。

前記湿度依存性改良剤の添加方法は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒にＲｅ発現剤を溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加してもよいし、又は直接ドープ組成中に添加してもよい。

（第２位相差セルロースアシレートフィルムの製造）
前記第２位相差セルロースアシレートフィルムは、前記第１位相差セルロースアシレートフィルムと同様の方法により製造することができる。

（延伸処理）
前記第２位相差セルロースアシレートフィルムは、延伸処理されたものであることが好ましい。延伸処理によりセルロースアシレートフィルムに所望のレターデーションを付与することが可能である。第２位相差セルロースアシレートフィルムは、幅方向に延伸（横延伸）されていることが好ましい。幅方向に延伸することにより、ロールツーロールで、偏光子と第２位相差層とを、偏光子の透過軸と第２位相差層の遅相軸とを平行にして貼り合せることが可能となる。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。延伸は、常温又は加熱条件下で実施することができる。ポリマーフィルムを製膜する際の乾燥中に、延伸処理を施してもよく、特に溶媒が残存する場合は有効である。幅方向の延伸は、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによって行うことができる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。

フィルムの延伸倍率（延伸前のフィルムに対する伸び率）は、１％〜２００％が好ましく、５％〜１５０％がさらに好ましい。

さらに、前記第２位相差セルロースアシレートフィルムを製造工程中には、幅方向にフィルムを把持しながらフィルムの搬送方向に収縮させる収縮工程を含むことが、より好ましい。
フィルムの幅方向に延伸する延伸工程と、フィルムの搬送方向に収縮させる収縮工程を含む製造方法においては、パンタグラフ式あるいはリニアモーター式のテンターによって保持し、フィルムの幅方向に延伸しながら搬送方向にはクリップの間隔を徐々に狭めることでフィルムを収縮させることができる。

なお、上記のようなフィルムの長手方向又は幅方向のいずれか一方を延伸し、同時にもう一方を収縮させ、同時にフィルムの膜厚を増加させる延伸工程を具体的に行う延伸装置として、市金工業社製ＦＩＴＺ機などを望ましく用いることができる。この装置に関しては（特開２００１−３８８０２号公報）に記載されている。

延伸工程における延伸率及び収縮工程における収縮率としては目的とする正面レターデーションＲｅ及び膜厚方向のレターデーションＲｔｈの値により、任意に適切な値を選択することができるが、延伸工程における延伸率が１０％以上であり、かつ収縮工程における収縮率が５％以上とすることが好ましい。
なお、本発明でいう収縮率とは、収縮方向における収縮前のフィルムの長さに対する収縮後のフィルムの収縮した長さの割合を意味する。
収縮率としては５〜４０％が好ましく、１０〜３０％が特に好ましい。

（第２位相差セルロースアシレートフィルムの厚み）
前記第２位相差層の厚みについては特に制限はない。一例として、第２位相差層としてセルロースアシレートフィルムを用いる場合は、その厚み（延伸処理後の厚み）は、１０μｍ〜２００μｍが好ましく、２０μｍ〜１５０μｍがさらに好ましく、３０μｍ〜１００μｍがよりさらに好ましい。

（マット剤微粒子）
前記第１位相差層及び第２位相差層に用いられるポリマーフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素（シリカ）、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。これらの微粒子の中ではケイ素を含むものが、濁度が低くなる点で好ましく、二酸化珪素がより好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子サイズが１ｎｍ〜２０ｎｍ、かつ、見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜２５ｎｍのものがフィルムのヘイズを下げることができて、より好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常、平均粒子サイズが０．０５〜２．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．０５〜２．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．０５μｍ〜１．０μｍが好ましく、０．１μｍ〜０．７μｍがより好ましく、０．１μｍ〜０．４μｍがさらに好ましい。なお、ここでいう、１次若しくは２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとする。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ及びアエロジルＲ９７２Ｖは、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムのヘイズを低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明では、マット剤の混合方法は特に限定されるものではないが、マット剤分散剤と添加剤溶液の混合、及びセルロースアシレート液等との混合にはインラインミキサーを使用することが好ましい。二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がより好ましく、１５〜２０質量％がさらに好ましい。分散濃度が高い方が同量の添加量に対する濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は０．００１〜１．０質量％が好ましく、０．００５〜０．５質量％がより好ましく、０．０１〜０．１質量％がさらに好ましい。

（鹸化処理〕
前記第１位相差層及び第２位相層に用いられるポリマーフィルムは、アルカリ鹸化処理をしてもよい。鹸化処理をすることによりポリビニルアルコールのような偏光子の材料との密着性を付与し、偏光板の保護フィルムとして好ましく用いることができる。
前記アルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行うことが好ましい。前記アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの濃度は０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましく、０．５〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。

［偏光板］
本発明の液晶表示装置には、第１位相差層及び／又は第２位相差層を、偏光子の保護フィルムとして有する偏光板を用いてもよい。より具体的には、本発明には、偏光子と、その双方の表面に保護フィルムを有し、一方の保護フィルムが、第１位相差層又は第２位相差層としの特性を満足するポリマーフィルムである偏光板を用いることができる。この構成の偏光板は、図１の上偏光板ＰＬ１又は下偏光板ＰＬ２として用いることができる。また、偏光子の一方の表面の保護フィルムとして、第２位相差層及び第１位相差層のそれぞれに要求される特性を満足するポリマーフィルムが積層された積層フィルムを有する偏光板を用いることもできる。この構成の偏光板は、図２の上偏光板ＰＬ１’として用いることができる。
前記偏光子としては、例えば、ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素にて染色し、延伸を行うことによって得られる偏光膜などが用いられる。

本発明に用いる偏光板は、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有していてもよい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。

［第１位相差層用セルロースアシレートフィルムの作製例］
＜第１位相差フィルム１の作製＞
下記セルロースアシレート溶液Ａ組成をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。
（セルロースアシレート溶液Ａ組成）
置換度２．８６のセルロースアセテート１００質量％
トリフェニルホスフェート（可塑剤）７．８質量％
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）３．９質量％
メチレンクロライド（第１溶媒）３００質量％
メタノール（第２溶媒）５４質量％
１−ブタノール１１質量％

別のミキシングタンクに下記添加剤溶液Ｂ−１組成を投入し、加熱しながら攪拌して各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−１を調製した。
（添加剤溶液Ｂ−１組成）
メチレンクロライド６８質量％
メタノール１７質量％
レターデーション発現剤Ａ１５質量％

（第１位相差フィルム１の作製）
セルロースアシレート溶液Ａを４７７質量％に、添加剤溶液Ｂ−１の３０質量％を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。乾量基準で溶媒含有率７０質量％のときにドラムから剥ぎ取り、搬送速度の異なる２本のロールを通過させることにより８５℃の雰囲気下で搬送方向、即ち長手方向、に９％延伸した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み７２μｍの第１位相差フィルム１を作製した。

＜第１位相差フィルム２〜７の作製＞
第１位相差フィルム１の作製において、セルロースアセテートの置換度、レターデーション発現剤の種類及び添加量、延伸温度、延伸方向及び延伸倍率、並びにフィルム厚みを表１の通り変更した以外は、第１位相差フィルム１と同様にして第１位相差フィルム２〜７を作製した。

＜第１位相差フィルム８の作製＞
（セルロースアシレート溶液０８の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液を調製した。
（セルロースアシレート溶液０８の組成）
・セルロースアセテート１００．０質量部
（アセチル化度２．８０）
・トリフェニルフォスフェート（可塑剤）５．０質量部
・ビフェニルフォスフェート（可塑剤）３．０質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒）４０２．０質量部
・メタノール（第２溶媒）６０．０質量部

（マット剤溶液０８の調製）
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液０８を調製した。
（マット剤溶液０８組成）
・平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子２．０質量部
（ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７２、日本アエロジル（株）製）
・メチレンクロライド（第１溶媒）７５．０質量部
・メタノール（第２溶媒）１２．７質量部
・セルロースアシレート溶液０８１０．３質量部

（レターデーション発現剤溶液０８の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション発現剤溶液０８を調製した。
（レターデーション発現剤溶液０８組成）
・レターデーション発現剤（Ｂ−１２１）７．０質量部
・レターデーション発現剤（Ｂ−１２２）１３．０質量部
・メチレンクロライド（第１溶媒）５８．４質量部
・メタノール（第２溶媒）８．７質量部
・セルロースアシレート溶液０８１２．８質量部

上記セルロースアシレート溶液０８（９４．５質量部）、マット剤溶液０８（１．３質量部）、レターデーション発現剤溶液０８（４．８質量部）をそれぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤含量２３％でフィルムをバンドから剥離し、１３５℃の条件でフィルムをテンターを用いて５％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま１３５℃で３０秒間保持した。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、本発明におけるセルロースアシレートフィルムを製造した。このフィルムを第１位相差フィルム８とした。製造されたフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は８１μｍであった。

［第２位相差層用セルロースアシレートフィルムの作製］
＜第２位相差フィルム１の作製＞
（セルロースアシレート溶液０１の調製）
下記セルロースアシレート溶液０１の組成をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液０１を調製した。
（セルロースアシレート溶液０１の組成）
・セルロースアセテート１００．０質量％
（アセチル化度２．９１）
・可塑剤：トリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）３．０質量％
・可塑剤：ビフェニルホスフェート（ＢＰＰ）２．０質量％
・メチレンクロリド（第１溶媒）３４７．０質量％
・メタノール（第２溶媒）５２．０質量％

（マット剤溶液０１の調製）
下記マット剤溶液０１組成を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液０１を調製した。
（マット剤溶液０１組成）
・平均粒子サイズ２０ｎｍのシリカ粒子２．０質量％
“ＡＥＲＯＳＩＬＲ９７２”日本アエロジル（株）製
・メチレンクロリド（第１溶媒）７５．０質量％
・メタノール（第２溶媒）１２．７質量％
・セルロースアシレート０１溶液１０．３質量％

（添加剤溶液０１の調製）
下記添加剤溶液０１組成をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液０１を調製した。
（添加剤溶液０１の組成）
・湿度依存性改良剤（Ａ−１）１０．９質量％
・レターデーション発現剤（Ｅ）９．１質量％
・メチレンクロリド（第１溶媒）５８．３質量％
・メタノール（第２溶媒）８．７質量％
・セルロースアシレート溶液０１１２．８質量％

上記セルロースアシレート溶液０１（８８．９質量％）、マット剤溶液０１（１．３質量％）及び添加剤溶液０１（９．８質量％）をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。得られたウェブをバンドから剥離し、１４０℃の条件でテンターを用いて２２％の延伸倍率で横延伸した。その後、クリップを外して１３０℃で３０分間乾燥させ、延伸セルロースアシレートフィルムを製造した。このフィルムを第２位相差フィルム１とした。作製した延伸セルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．２質量％であり、膜厚は５０μｍであった。

＜第２位相差フィルム２〜７の作製＞
第２位相差フィルム１の作製において、セルロースアセテートのアセチル置換度、レターデーション発現剤の添加量、湿度依存性改良剤の種類及び添加量、延伸方向及び延伸倍率、並びにフィルム厚みを表２の通り変更した以外は、第２位相差フィルム１と同様にして第２位相差フィルム２〜７を作製した。

以上のようにして作製した第１位相差フィルム１〜８、及び第２位相差フィルム１〜６について、自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−ＷＲ、王子計測機器（株）製）により２５℃で相対湿度１０％、６０％、８０％のそれぞれにおける波長５４８ｎｍのＲｅ及びＲｔｈを測定し、ΔＲｅ（５４８）及びΔＲｔｈ（５４８）を算出した。結果を下記表３に示す。なお、第２位相差フィルム７についてはフィルムにブリードアウトが発生した。

［偏光板の作製例］
＜偏光板Ａの作製＞
（第１位相差フィルム１の鹸化処理）
作製した第１位相差フィルム１を、２．３ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で３分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、第１位相差フィルム１表面の鹸化処理を行った。

（第１位相差フィルム２〜８、第２位相差フィルム１〜６の鹸化処理）
前記第１位相差フィルム１と同様にして第１位相差フィルム２〜８、第２位相差フィルム１〜６の表面を、それぞれ鹸化処理した。

（偏光板保護フィルムの鹸化処理）
市販のセルロースアシレートフィルム（富士タック（株）製、ＴＤ８０）を１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で１分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。

（偏光子の作製）
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記鹸化処理した第１位相差フィルム１の鹸化処理面と、上記で鹸化処理した市販のセルロースアシレートフィルム（富士タック（株）製、ＴＤ８０）の鹸化処理面とを、偏光子の両側に貼り付け、偏光板（Ａ）を作製した。偏光板Ａでは、偏光子の透過軸と第１位相差フィルム１の遅相軸とは直交であった。

＜偏光板Ｂ〜Ｎの作製＞
第１位相差フィルム１に代えて、第１位相差フィルム２〜８、及び第２位相差フィルム１〜６をそれぞれ用い、且つ偏光子の透過軸と位相差フィルムの遅相軸との関係は下記表４の関係にした以外は、偏光板Ａと同様にして偏光板Ｂ〜Ｎをそれぞれ作製した。

［実施例１］
（液晶表示装置の作製）
図１に示す構成のＶＡモード液晶表示装置を作製した。図１における上側偏光板ＰＬ１として偏光板Ａ〜Ｈのいずれかを、第１位相差フィルムが液晶セルＬＣ側となるように配置し、また、下側偏光板ＰＬ２として偏光板Ｉ〜Ｎのいずれかを、第２位相差フィルムが液晶セルＬＣ側となるように、粘着剤を介して、一枚ずつ貼り付けた。なお、上側偏光板ＰＬ１を表示面側偏光板、及び下側偏光板ＰＬ２をバックライト側偏光板として貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして液晶表示装置１０１〜１０７、及び液晶表示装置２０１〜２０５をそれぞれ作製した。
各液晶表示装置の上側偏光板ＰＬ１と下側偏光板ＰＬ２との組み合わせを、下記表５に示す。

（環境湿度によるコントラストの変化）
上記で作製した液晶表示装置１０１〜１０７、２０１〜２０５について、２５℃１０％ＲＨ及び２５℃８０％ＲＨの環境下で、極角６０°、方位角４５°のコントラストをＥＬＤＩＭ社製Ｅｚｃｏｎｔｒａｓｔによりそれぞれ測定し、環境湿度によるコントラスト変化を評価した。結果を表５に示す。

ａ）２５℃１０％ＲＨの環境下で測定した、極角６０°及び方位角４５°におけるコントラストと、２５℃８０％ＲＨの環境下で測定した、同極角及び同方位角におけるコントラストの差

表５の結果から、本発明の実施例である液晶表示装置１０１〜１０７は、比較例の液晶表示装置２０１〜２０５と比較して、環境湿度によるコントラスト変動が小さいことが理解できる。

＜偏光板Ｏの作製＞
上記で作製した偏光板Ｉの第２位相差フィルム１上に、粘着剤を介して第１位相差フィルム７を貼り付けて偏光板Ｏを作製した。なお、偏光板Ｏにおいて、偏光子の透過軸と第２位相差フィルム１の遅相軸を平行、第２位相差フィルム１の遅相軸と第１位相差フィルム７の遅相軸を直交にした。

＜偏光板Ｐの作製＞
偏光板Ｏの作製において、第２位相差フィルム１の遅相軸と第１位相差フィルム７の遅相軸を平行にした以外は、偏光板Ｏと同様にして偏光板Ｐを作製した。

＜偏光板Ｑの作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記通りに鹸化処理したセルロースアシレートフィルム（富士タック（株）製、ＴＤ８０）を偏光子の両側に貼り付け、偏光板Ｑを作製した。偏光子の吸収軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行とした。

［実施例２］
（液晶表示装置の作製）
図２に示す構成のＶＡモード液晶表示装置を作製した。図２中の上側偏光板ＰＬ１’として偏光板Ｏ及び偏光板Ｐのいずれかを、第１位相差フィルム７が液晶セル側となるように、及び図２中の下側偏光板ＰＬ２’として偏光板Ｑを、それぞれ粘着剤を介して、一枚ずつ貼り付けた。なお、上側偏光板ＰＬ１’を表示面側偏光板、及び下側偏光板ＰＬ２’をバックライト側偏光板として貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして液晶表示装置３０１及び３０２を作製した。

（環境湿度によるコントラストの変化）
上記で作製した液晶表示装置３０１と３０２については、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表６に示す。

表６の結果から、本発明の実施例の液晶表示装置３０１は、比較例の液晶表示装置３０２と比較して、環境湿度によるコントラスト変動が小さいことが理解できる。

本発明の液晶表示装置の一例を示す概略図である。本発明の液晶表示装置の他の例を示す概略図である。本発明の第１の態様の作用を比較例との対比で説明するために用いたポアンカレ球である。本発明の第２の態様の作用を比較例との対比で説明するために用いたポアンカレ球である。

符号の説明

１上側偏光子
２上側偏光子透過軸の方向
３下側偏光子
４下側偏光子透過軸の方向
５液晶セル上電極基板
６上基板の配向制御方向
７液晶層
８液晶セル下電極基板
９下基板の配向制御方向
１０、１０’ 第１位相差層
１１、１１’ 第１位相差層の遅相軸
１２、１２’ 第２位相差層
１３、１３’ 第２位相差層の遅層軸
ＬＣ液晶セル
ＰＬ１、ＰＬ１’ 上側偏光板
ＰＬ２、ＰＬ２’ 下側偏光板

Claims

液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１偏光子及び第２偏光子、前記第１偏光子と前記液晶セルとの間に第１位相層、並びに前記第２偏光子と前記液晶セルとの間に第２位相差層を有し、前記第２位相差層が、前記第２偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、且つ前記第２偏光子の透過軸と前記第２位相差層の遅相軸とが平行であり、及び前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置：
０ｎｍ＜ΔＲｅ₁（５４８）−ΔＲｅ₂（５４８）≦５０ｎｍ（１）
ここで、ΔＲｅ₁（５４８）は、第１位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍの面内レターデーション（Ｒｅ）から相対湿度８０％温度２５℃の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値であり；ΔＲｅ₂（５４８）は第２位相差層の相対湿度１０％の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｅから相対湿度８０％の環境下に測定した波長５４８ｎｍのＲｅを引いた値である。
液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１偏光子及び第２偏光子、前記第１偏光子と前記液晶セルとの間及び前記第２偏光子と前記液晶セルとの間のうちの少なくとも一方に、第１位相層及び第２位相差層を有し、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、且つ前記第１位相差層の遅相軸と前記第２位相差層の遅相軸とが直交であり、及び前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、請求項１中に記載の式（１）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
前記第１位相差層が、少なくとも長手方向（搬送方向）に延伸処理されたポリマーフィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
前記第２位相差層が、幅手方向に延伸処理されたポリマーフィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記ポリマーフィルムが、ポリマーと該ポリマーに対して１〜３０質量％の添加剤とを含有し、該添加剤中、下記一般式（Ａ）で表される化合物の全添加剤に対する比率が、３０〜１００質量％であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置：
一般式（Ａ）Ｒ¹−Ｌ−Ｘ−Ｌ−Ｒ¹
ここで、Ｘは芳香族又は脂肪族の環状構造の基を表し；Ｌは水と水素結合可能な連結基を表し、二つのＬが環状構造の基Ｘの中心に対して点対称な位置に置換し；Ｒ¹は芳香族又は脂肪族の置換基を表す。
前記第１位相差層と前記第２位相差層とが、下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置：
0.5≦|ΔRth₁(548)+ΔRth₂(548)|/|ΔRe₁(548)-ΔRe₂(548)|≦10 （２）
ここで、ΔＲｔｈ₁（５４８）は第１位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍの厚み方向レターデーション（Ｒｔｈ）から相対湿度８０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値であり；ΔＲｔｈ₂（５４８）は第２位相差層の相対湿度１０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈから相対湿度８０％温度２５℃の環境下で測定した波長５４８ｎｍのＲｔｈを引いた値である。
前記第１位相層及び前記第２位相差層が下記式（３）の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置：
Ｒｅ₁（５４８）＜Ｒｅ₂（５４８）（３）
ここで、Ｒｅ₁（λ）及びＲｅ₂（λ）はそれぞれ、相対湿度６０％温度２５℃の環境下で測定した波長λｎｍにおける第１及び第２の位相差層のＲｅである。
前記第１位相差層が、下記式（４）及び（５）を満たすことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置：
５ｎｍ≦Ｒｅ₁（５４８）≦３００ｎｍ（４）
５０ｎｍ≦Ｒｔｈ₁（５４８）≦４００ｎｍ（５）
ここで、Ｒｅ₁（λ）及びＲｔｈ₁（λ）はそれぞれ、２５℃相対湿度６０％の環境下で測定した波長λｎｍにおける第１の位相差層のＲｅ及びＲｔｈである。
前記第２位相差層が、下記式（６）及び（７）を満たすことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置：
４０ｎｍ≦Ｒｅ₂（５４８）≦３００ｎｍ（６）
６０ｎｍ≦Ｒｔｈ₂（５４８）≦４００ｎｍ（７）
ここで、Ｒｅ₂（λ）及びＲｔｈ₂（λ）はそれぞれ、相対湿度６０％温度２５℃の環境下で測定した波長λｎｍにおける第２の位相差層のＲｅ及びＲｔｈである。
前記第１位相差層が前記第１偏光子の保護フィルムである、及び／又は、前記第２位相差層が前記第１偏光子もしくは前記第２偏光子の保護フィルムであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記第１位相差層が、下記式（８）を満たすことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置：１．１２≦遅相軸方向の音速/遅相軸に直交する方向の音速≦１．２５（８）。
前記第１位相差層及び前記第２位相差層のうちの少なくとも一方が、セルロースアシレートフィルムであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記第１位相差層が、前記第１偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第２位相差層が、前記第２偏光子と前記液晶セルの間に配置され、前記第１偏光子の透過軸と前記第１位相差層の遅相軸とが直交であり、及び前記第２偏光子の透過軸と前記第２位相差層の遅相軸とが平行であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記第１位相差層及び第２位相差層の双方が、前記第１偏光子と前記液晶セルの間に配置され、及び前記第１位相差層の遅相軸と、前記第２位相差層の遅相軸とが直交であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記液晶セルがＶＡモードであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。