JP5016788B2 - セルロースアシレートフィルム、偏光板および液晶表示装置 - Google Patents
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- 0 Cc(cc1)ccc1Nc1nc(Nc2cccc(*)c2)nc(C#CCC(C2)=CC=CC2OC)n1 Chemical compound Cc(cc1)ccc1Nc1nc(Nc2cccc(*)c2)nc(C#CCC(C2)=CC=CC2OC)n1 0.000 description 7
- LQOHUQUGUYZVIE-UHFFFAOYSA-N CC(C=C)C(CC(C1CC1)C(C)=C1)=C1[O]=C Chemical compound CC(C=C)C(CC(C1CC1)C(C)=C1)=C1[O]=C LQOHUQUGUYZVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHADGVRONAHIV-UHFFFAOYSA-N [CH2-]C(CC(CC)=C(C1)C(C)O)C1N Chemical compound [CH2-]C(CC(CC)=C(C1)C(C)O)C1N NKHADGVRONAHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は、セルロースアシレートフィルム、偏光板及び液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、消費電力の小さい省スペースの画像表示装置として年々用途が広がっている。従来、画像の視野角依存性が大きいことが液晶表示装置の大きな欠点であったが、近年、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の高視野角液晶モードが実用化されており、これによりテレビ等の高視野角が要求される市場でも液晶表示装置の需要が急速に拡大しつつある。
これに伴い、液晶表示装置に用いられる光学補償フィルム及び偏光板に対しても一段と高い性能が要求され始めている。とりわけ、温度及び湿度の変化に対して安定して光学補償機能を発揮することが強く求められている。
これに伴い、液晶表示装置に用いられる光学補償フィルム及び偏光板に対しても一段と高い性能が要求され始めている。とりわけ、温度及び湿度の変化に対して安定して光学補償機能を発揮することが強く求められている。
従来偏光板に光学補償機能を付与する方法は大きく二つに分けられる。まず、第１に偏光板保護フィルム上に新たに光学異方性層を設けるまたは位相差フィルムを貼りあわせる方法であり、第２に偏光板保護フィルム自体に位相差を持たせる方法である。従来偏光板保護フィルムとしてはセルロースアセテートあるいはセルロースアセテートプロピオネートフィルムを使用することが一般的である。しかし、これらのフィルムは吸水による寸度変化、位相差変化が大きく、これらの方法はいずれにおいても、使用環境の温度及びあるいは湿度変化によりコントラストの低下、視野角の低減、表示ムラ等の問題が発生することが知られていた。
この問題を改良する手段として、従来大きく二つの方法が知られていた。第１は偏光板保護フィルムとして透水度の低いポリマーフィルムを使用する方法（例えば特許文献１）、第２は上下の偏光板保護フィルムの弾性率を調節し、温湿度変化による偏光板の寸度変化を小さくする方法である（例えば特許文献２）。
しかし、前者では偏光子とポリマーフィルムとの密着が損なわれる、あるいは湿式延伸で作製される偏光板の場合、偏光板貼り合わせ後の乾燥工程における水分の蒸発が不十分となり、偏光度の低下をもたらす等の弊害があった。
また、後者の方法では比較的マイルドな条件では一定の改良効果を有するものの、高温高湿での表示ムラの発生を十分抑えることはできなかった。
しかし、前者では偏光子とポリマーフィルムとの密着が損なわれる、あるいは湿式延伸で作製される偏光板の場合、偏光板貼り合わせ後の乾燥工程における水分の蒸発が不十分となり、偏光度の低下をもたらす等の弊害があった。
また、後者の方法では比較的マイルドな条件では一定の改良効果を有するものの、高温高湿での表示ムラの発生を十分抑えることはできなかった。
本発明の目的は、熱・湿度によるコントラスト、色味、視野角の変化が小さい偏光板を提供することである。
本発明の別の目的は、視野角補償能に優れた偏光板を液晶表示装置に用いることで、光漏れなどの問題を生じることなく、広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、視角による色味変化の小さい液晶表示装置を提供することである。
本発明の別の目的は、視野角補償能に優れた偏光板を液晶表示装置に用いることで、光漏れなどの問題を生じることなく、広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、視角による色味変化の小さい液晶表示装置を提供することである。
本発明者は鋭意検討した結果、セル側の保護フィルムとして使用されるセルロースアシレートフィルムのレターデーションと他の位相差フィルムあるいは光学異方性層のレターデーションとの相対関係適度を調節することにより本発明の目的が達せられることを見出した。
すなわち、少なくとも１つのレターデーション上昇剤を含有し、面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈが下記式（Ａ）の関係を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム、それを用いた偏光板及び液晶表示装置である。
（Ａ） ３０＜Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）
（ここでＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈを表す。）
すなわち、少なくとも１つのレターデーション上昇剤を含有し、面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈが下記式（Ａ）の関係を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム、それを用いた偏光板及び液晶表示装置である。
（Ａ） ３０＜Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）
（ここでＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈを表す。）
本発明によれば、視野角拡大効果が大きく、視角による色味変化が小さく、かつ熱・湿度による透過率の変化が小さい偏光板を提供することができる。さらに、本発明の視野角補償能に優れた位相差フィルム及び／または透湿度の低い保護フィルムを偏光子の両側に配置した偏光板を液晶表示装置に用いることで、光漏れなどの問題を生じることなく、広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、少なくとも１つのレターデーション上昇剤を含有し、面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈが下記式（Ａ）の関係を満たすことを特徴とする。
（Ａ） ３０＜Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）
ここでＲｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈを表す。
なお、Ｒｅ及びＲｔｈの測定方法は、実施例に記載したとおりである。
（Ａ） ３０＜Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）
ここでＲｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈを表す。
なお、Ｒｅ及びＲｔｈの測定方法は、実施例に記載したとおりである。
本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｅ（５９０）は０ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上２ｎｍ以下がさらに好ましい。
また、Ｒｔｈ（５９０）は１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、１１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
また、Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比は３０より大きいことが好ましく、５０より大きいことがさらに好ましい。
上記範囲にＲｅ（５９０）及びＲｔｈ（５９０）を調節することにより、熱・湿度によるコントラスト及び色味の視野角変化の小さいフィルムが得られる。特に、他の位相差フィルムあるいは光学異方性層との積層体として使用するとさらに効果が大きい。
さらにＲｔｈの波長分散は下記式（Ｂ）及び（Ｃ）の関係を満たすことが好ましい。
１．０＜Ｒｔｈ（４８０）／Ｒｔｈ（５４６）＜２．０ （Ｂ）
０．５＜Ｒｔｈ（６２８）／Ｒｔｈ（５４６）＜１．０ （Ｃ）
上記範囲にＲｔｈの波長分散を調節したセルロースアシレートフィルムを液晶セル側保護フィルムとした偏光板を用いることにより、視角により色味変化の小さい液晶表示装置が得られる。
また、Ｒｔｈ（５９０）は１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、１１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
また、Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比は３０より大きいことが好ましく、５０より大きいことがさらに好ましい。
上記範囲にＲｅ（５９０）及びＲｔｈ（５９０）を調節することにより、熱・湿度によるコントラスト及び色味の視野角変化の小さいフィルムが得られる。特に、他の位相差フィルムあるいは光学異方性層との積層体として使用するとさらに効果が大きい。
さらにＲｔｈの波長分散は下記式（Ｂ）及び（Ｃ）の関係を満たすことが好ましい。
１．０＜Ｒｔｈ（４８０）／Ｒｔｈ（５４６）＜２．０ （Ｂ）
０．５＜Ｒｔｈ（６２８）／Ｒｔｈ（５４６）＜１．０ （Ｃ）
上記範囲にＲｔｈの波長分散を調節したセルロースアシレートフィルムを液晶セル側保護フィルムとした偏光板を用いることにより、視角により色味変化の小さい液晶表示装置が得られる。
本発明のセルロースアシレートフィルムのレターデーションは様々な方法により調節可能である。このうち、後述するレターデーション上昇剤による調節、及びフィルムの延伸による調節を特に好ましく用いることができる。
（セルロースアシレート）
まず、本発明に使用するセルロースアシレートについて説明する。
セルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（β１→４グリコシド結合しているグルコース）に存在している三つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度は、セルロースの構成単位重量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。測定方法は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９１に準じて実施する。
本発明のセルロースアシレートはアシル化度が２．５以上２．９５以下のものが好ましい。アシル基の炭素数は２以上１０以下が好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基を用いることが特に好ましい。アシル基としてアセチル基のみを有するセルロースアシレートの場合、アセチル化度は２．０以上２．９５以下が好ましく、２．５以上２．９以下がさらに好ましい。
まず、本発明に使用するセルロースアシレートについて説明する。
セルロースアシレートの置換度は、セルロースの構成単位（β１→４グリコシド結合しているグルコース）に存在している三つの水酸基がアシル化されている割合を意味する。置換度は、セルロースの構成単位重量当りの結合脂肪酸量を測定して算出することができる。測定方法は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９１に準じて実施する。
本発明のセルロースアシレートはアシル化度が２．５以上２．９５以下のものが好ましい。アシル基の炭素数は２以上１０以下が好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基を用いることが特に好ましい。アシル基としてアセチル基のみを有するセルロースアシレートの場合、アセチル化度は２．０以上２．９５以下が好ましく、２．５以上２．９以下がさらに好ましい。
セルロースアシレートがアセチル基とそれ以外のアシル基を有する場合、アセチル基の置換度Ａと、炭素原子数が３以上のアシル基の置換度Ｂとが、下記式（Ｄ）及び（Ｅ）を満たすことが好ましい。
（Ｄ） ２．０≦Ａ＋Ｂ≦３．０
（Ｅ） ０≦Ｂ≦１．５
アセチル基の置換度は１以上２．５以下が好ましく、１．５以上２．０以下がさらに好ましい。アセチル基以外のアシル基としてはプロピオニル基およびブチリル基が好ましい。
（Ｄ） ２．０≦Ａ＋Ｂ≦３．０
（Ｅ） ０≦Ｂ≦１．５
アセチル基の置換度は１以上２．５以下が好ましく、１．５以上２．０以下がさらに好ましい。アセチル基以外のアシル基としてはプロピオニル基およびブチリル基が好ましい。
本発明に使用するセルロースアシレートは、２５０乃至８００の重合度を有することが好ましく、２８０乃至６００の重合度を有することがさらに好ましい。本発明のセルロースアシレートは、７０，０００乃至２３０，０００の数平均分子量を有することが好ましく、７５，０００乃至２３０，０００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８，０００乃至１２０，０００の数平均分子量を有することが最も好ましい。
本発明に使用するセルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。アシル化剤が酸無水物である場合は、反応溶媒として有機酸（例、酢酸）や塩化メチレンが使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン性触媒が用いられる。アシル化剤が酸塩化物である場合は、触媒として塩基性化合物が用いられる。工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースをアセチル基および他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）またはそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。この方法において、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセルロース主鎖β１→４グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースエステルの重合度が低下し、製造するセルロースエステルフィルムの物性が低下する。そのため、反応温度等の反応条件は、得られるセルロースエステルの重合度や分子量を考慮して決定する必要がある。
重合度の高い（分子量の大きい）セルロースエステルを得るためには、エステル化反応工程における最高温度を５０℃以下に調節することが重要である。最高温度は、好ましくは３５乃至５０℃、さらに好ましくは３７乃至４７℃に調節する。反応温度が上記範囲であるとエステル化反応が円滑に進行し、セルロースエステルの重合度も適当となる。
エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースエステルを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例、水、酢酸）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きいと、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱する。そのため、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースエステルの重合度が低下することがある。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。しかし、反応停止剤の添加速度が大きいと、触媒が解離するために充分な反応時間がなく、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残る。強酸の触媒が一部結合しているセルロースエステルは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４乃至３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。反応停止剤の添加時間が上記範囲であると、工業的な生産性が低下しない。反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、重量平均重合度が５００以上である高分子量セルロースエステルを容易に合成することができる。
エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースエステルを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例、水、酢酸）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きいと、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱する。そのため、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースエステルの重合度が低下することがある。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。しかし、反応停止剤の添加速度が大きいと、触媒が解離するために充分な反応時間がなく、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残る。強酸の触媒が一部結合しているセルロースエステルは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４乃至３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。反応停止剤の添加時間が上記範囲であると、工業的な生産性が低下しない。反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、重量平均重合度が５００以上である高分子量セルロースエステルを容易に合成することができる。
（レターデーション上昇剤）
次に、本発明に使用するレターデーション上昇剤について説明する。
本発明のレターデーション上昇剤としては、分子の分極率異方性の大きい化合物が好ましい。
下記式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物を特に好ましく使用できる。
次に、本発明に使用するレターデーション上昇剤について説明する。
本発明のレターデーション上昇剤としては、分子の分極率異方性の大きい化合物が好ましい。
下記式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物を特に好ましく使用できる。
まず、式（Ｉ）で表される化合物について詳しく説明する。
（式中、Ｘ1は、単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−であり；Ｘ2は、単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−であり；Ｘ3は、単結合、−ＮＲ6−、−Ｏ−または−Ｓ−であり；Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アリール基または複素環基であり；Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基または複素環基である。）
式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基または複素環基を表すが、芳香族環または複素環がより好ましい。Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3がそれぞれ表す芳香族環は、フェニルまたはナフチルであることが好ましく、フェニルであることが特に好ましい。
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は芳香族環または複素環に置換基を有していてもよい。置換基の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルオンアミド基、カルバモイル基、アルキル置換カルバモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基及びアシル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3が複素環基を表す場合、複素環は芳香族性を有することが好ましい。芳香族性を有する複素環とは、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。複素環のヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子または酸素原子であることが好ましく、窒素原子であることが特に好ましい。芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、２−ピリジルまたは４−ピリジル）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の例は、上記に挙げた置換基の例と同様である。これらの置換基は、上記置換基でさらに置換されていても良い。
式（Ｉ）中、Ｘ1は単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ2は単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ3は単結合、−ＮＲ6−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基または複素環基を表す。
Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表すアルキル基は、環状アルキル基であっても鎖状アルキル基であってもよいが、鎖状アルキル基が好ましく、分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８がさらに好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ）およびアシルオキシ基（例、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）が含まれる。
Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表すアルケニル基は、環状アルケニル基であっても鎖状アルケニル基であってもよいが、鎖状アルケニル基が好ましく、分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基がより好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらに好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は置換基を有していてもよい。置換基の例には、前述のアルキル基の置換基と同様である。
Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表す芳香族環基（アリール基）および複素環基は、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれ表す芳香族環および複素環と同様であり、好ましい範囲も同様である。芳香族環基および複素環基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例にはＲ1、Ｒ2及びＲ3の芳香族環および複素環の置換基と同様である。
以下に本発明の式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
次に式（ＩＩ）の化合物について詳しく説明する。
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表し、Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
式（ＩＩ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ1、Ｒ3またはＲ5のうちの１つが電子供与性基であることが好ましく、Ｒ3が電子供与性基であることがより好ましい。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ1、Ｒ3またはＲ5のうちの１つが電子供与性基であることが好ましく、Ｒ3が電子供与性基であることがより好ましい。
電子供与性基とはＨａｍｍｅｔのσp値がＯ以下のものを表し、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９１，１６５（１９９１）．記載のＨａｍｍｅｔのσp値が０以下のものが好ましく適用でき、より好ましくは−０．８５〜０のものが用いられる。例えば、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基などが挙げられる。
電子供与性基として好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。
電子供与性基として好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。
Ｒ1として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
Ｒ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
Ｒ3として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である
Ｒ4として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
Ｒ5として好ましい基は、Ｒ2で挙げた基と同じである。
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10として好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。
Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ8として好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２アリールオキシ基であり、より好ましくは、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
Ｒ8として好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２アリールオキシ基であり、より好ましくは、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
式（ＩＩ）のうちより好ましくは下記式（ＩＩ−Ａ）である。
（式（ＩＩ−Ａ）中、Ｒ11はアルキル基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ11はアルキル基を表す。）
式（ＩＩ−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ式（ＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩ−Ａ）中、Ｒ11はアルキル基を表し、Ｒ11で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよいが、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる）を表す。
式（ＩＩ）のうちより好ましくは下記式（ＩＩ−Ｂ）である。
（式（ＩＩ−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｒ11は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｘは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
式（ＩＩ−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、Ｒ10は式（ＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩ−Ｂ）中、Ｒ11は式（ＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩ−Ｂ）中、Ｒ11は式（ＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩ−Ｂ）中、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5がすべて水素原子の場合にはＸとして好ましくはアルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、メトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5がすべて水素原子の場合にはＸとして好ましくはアルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、メトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5のうち少なくとも１つが置換基の場合にはＸとして好ましくはアルキニル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、であり、より好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２）、シアノ基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１２）であり、更に好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニルである。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素２〜１２、より好ましくは炭素数２〜６、更に好ましくは炭素数２〜４、特に好ましくはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニルである。）、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
式（ＩＩ）のうち更に好ましくは下記式（ＩＩ−Ｃ）である。
式（ＩＩ−Ｃ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ11およびＸは式（ＩＩ−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
式（ＩＩ）で表される化合物の中で好ましいのは下記式（ＩＩ−Ｄ）で表される化合物である。
（式（ＩＩ−Ｄ）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は式（ＩＩ−Ｃ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、又はシアノ基である。）
Ｒ21は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基である。
Ｒ22は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
Ｒ22は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素２〜１２アルコキシカルボニル基、又はシアノ基であり、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜６アルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、シアノ基であり、更に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
式（ＩＩ）のうち最も好ましくは下記式（ＩＩ−Ｅ）である。
（式（ＩＩ−Ｅ）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は式（ＩＩ−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ13で表される基である（Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基である。）。Ｒ21、Ｒ22、Ｘ1は式（ＩＩ−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
式（ＩＩ−Ｅ）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は式（ＩＩ−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ13で表される基であり（Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基である。）、好ましくはＲ4、Ｒ5が−ＯＲ13で表される基であり、より好ましくはＲ4が−ＯＲ13で表される基である。
Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、
置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、アルキルスルフィニル基又はアリールスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、
ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
以下に式（ＩＩ）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
本発明に使用する式（ＩＩ）で表される化合物は置換安息香酸とフェノール誘導体の一般的なエステル反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
以下に本発明の化合物の合成法に関して具体的に記載するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
［合成例１：例示化合物Ａ−１の合成］
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
［合成例２：例示化合物Ａ−２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０．５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０．５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
［合成例３：例示化合物Ａ−３の合成］
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
［合成例４：例示化合物Ａ−４の合成］
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
［合成例５：例示化合物Ａ−５の合成］
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
［合成例６：例示化合物Ａ−６の合成］
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，４−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，４−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
［合成例７：例示化合物Ａ−７の合成］
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
［合成例８：例示化合物Ａ−８の合成］
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，６−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，６−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
［合成例９：例示化合物Ａ−１１の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−クロロフェノール７６．９ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−クロロフェノール７６．９ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３２３（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３２３（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
［合成例１０：例示化合物Ａ−１２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３４７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３４７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
［合成例１１：例示化合物Ａ−１３の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３１−１３２℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３１−１３２℃であった。
［合成例１２：例示化合物Ａ−１４の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２．９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．６ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３８１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２．９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．６ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３８１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
［合成例１３：例示化合物Ａ−１５の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８９（Ｍ＋Ｈ）+
マススペクトル：ｍ／ｚ ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８９（Ｍ＋Ｈ）+
［合成例１４：例示化合物Ａ−１６の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得ることができる。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得ることができる。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
［合成例１５：例示化合物Ａ−１７の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−エチルフェノール７３．３ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−エチルフェノール７３．３ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
［合成例１６：例示化合物Ａ−２４の合成］
４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ２８７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
［合成例１７：例示化合物Ａ−２５の合成］
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加え再結晶操作を行い、得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加え再結晶操作を行い、得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
［合成例１８：例示化合物Ａ−２７の合成］
Ａ−２４の合成法における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
Ａ−２４の合成法における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
［合成例１９：例示化合物Ａ−２８の合成］
Ａ−２５の合成法における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９２℃であった。
Ａ−２５の合成法における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９２℃であった。
［合成例２０：例示化合物Ａ−４０の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３３５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ ３３５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
［合成例２１：例示化合物Ａ−４２の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．２ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．２ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
本発明のレターデーション上昇剤としては、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物も好ましい。以下に式（ＩＩＩ）の化合物に関して詳細に説明する
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ1およびＡｒ3はそれぞれ独立にアリール基または一価芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリーレン基または二価芳香族へテロ環基を表し、繰り返し単位中のＡｒ2は、すべて同一であってもそれぞれ異なっていてもよい。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ1またはＡｒ3で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔ’が適用できる。Ａｒ1又はＡｒ3で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１４であり、例えばフェニル基、２，４−ジアルコキシフェニル基、２，４，５−トリアルコキシフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ2で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ2で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、メチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ1またはＡｒ3で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔ’が適用できる。Ａｒ1又はＡｒ3で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１４であり、例えばフェニル基、２，４−ジアルコキシフェニル基、２，４，５−トリアルコキシフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ2で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ2で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、メチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ1またはＡｒ3で表される一価芳香族ヘテロ環基は、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環から水素原子を一個取り去った一価の基であることが好ましく、より好ましくは５ないし６員環の酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む一価芳香族ヘテロ環基である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔ’が適用できる。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ2で表される二価芳香族ヘテロ環基は、上記Ａｒ1またはＡｒ3で示した一価芳香族ヘテロ環基の水素原子を一個取り去った二価の基であることが好ましい。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ2で表される二価芳香族ヘテロ環基は、上記Ａｒ1またはＡｒ3で示した一価芳香族ヘテロ環基の水素原子を一個取り去った二価の基であることが好ましい。
式（ＩＩＩ）中、Ａｒ1、Ａｒ2またはＡｒ3で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。その中でも芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
式（ＩＩＩ）中、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合、または２価の連結基を表す。Ｌ1及びＬ2は、同じであってもよく異なっていてもよい。また、繰り返し単位中のＬ2は、すべて同一であっても異なっていてもよい。
二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ―（Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表す）、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基およびこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、および、アルキニレン基である。Ｒは好ましくは水素原子、アルキル基、又は、アリール基を表し、より好ましくは水素原子である。
二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ―（Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表す）、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基およびこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、および、アルキニレン基である。Ｒは好ましくは水素原子、アルキル基、又は、アリール基を表し、より好ましくは水素原子である。
本発明の式（ＩＩＩ）で表される化合物において、Ａｒ2はＬ1およびＬ2と結合するが、Ａｒ2がフェニレン基である場合、Ｌ1−Ａｒ2−Ｌ2、およびＬ2−Ａｒ2−Ｌ2は互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが最も好ましい。
式（ＩＩＩ）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜６であり、さらに好ましくは３〜５である。
前記式（ＩＩＩ）の化合物のうち、下記式（ＩＩＩ−Ａ）で表される化合物が好ましく用いることができる。
式（ＩＩＩ−Ａ）中、Ａｒ2、Ａｒ3及びＬ2は、式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ3は、単結合または二価の連結基を表し、式（ＩＩＩ）におけるＬ1及びＬ2の単結合または二価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩＩ−Ａ）中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。
Ｒ4として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メトキシ基である。
Ｒ5として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。
Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ11、Ｒ12は互いに異なっており、Ｒ12で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。ここでヘテロ原子とは水素原子、炭素原子以外の原子のことを表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン、ケイ素、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ホウ素などが挙げられる。
Ｒ11、Ｒ12で表されるアルキル基としては、直鎖、分岐、または環状であって、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１から３０のアルキル基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基（つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基。）、更に環構造が多いトリシクロ構造などが挙げられる。
Ｒ11、Ｒ12で表されるアルキル基としては、直鎖、分岐、または環状であって、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１から３０のアルキル基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基（つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基。）、更に環構造が多いトリシクロ構造などが挙げられる。
Ｒ11、Ｒ12で表されるアルキル基の好ましい例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、２−ヘキシルデシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２−ヘキセニル基、オレイル基、リノレイル基、リノレニル基等を挙げることができる。また、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基などが挙げられ、ビシクロアルキル基としては、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基などを挙げることができる。
Ｒ11として更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくはメチル基である。
Ｒ12として特に好ましくは、炭素原子２個以上を含むアルキル基であり、より好ましくは炭素原子３個以上を含むアルキル基である。分岐または環状構造をもったものは特に好ましく用いられる。
Ｒ12として特に好ましくは、炭素原子２個以上を含むアルキル基であり、より好ましくは炭素原子３個以上を含むアルキル基である。分岐または環状構造をもったものは特に好ましく用いられる。
以下にＲ12で表されるアルキル基の具体例を挙げて説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
上記例中、＃は酸素原子側を意味する。
式（ＩＩＩ−Ａ）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜６であり、さらに好ましくは３〜５である。
式（ＩＩＩ−Ａ）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜６であり、さらに好ましくは３〜５である。
前記式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物のうち、下記式（ＩＩＩ−Ｂ）及び（ＩＩＩ−Ｃ）で表される化合物はより好ましく用いることができる。
式（ＩＩＩ−Ｂ）中、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ11、Ｒ12、ｎは式（ＩＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ2、Ｌ3、Ａｒ2、Ａｒ3は式（ＩＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。
式（ＩＩＩ−Ｃ）中、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ11、Ｒ12、ｎは式（ＩＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ2、Ｌ3、Ａｒ2、Ａｒ3は式（ＩＩＩ−Ａ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ13は水素原子またはアルキル基を表し、アルキル基としてはＲ11、Ｒ12の好ましい例として示したアルキル基が好ましく用いられる。また好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｒ11とＲ13は同じであっても異なっていてもよいが、ともにメチル基であることが特に好ましい。
Ｒ13は水素原子またはアルキル基を表し、アルキル基としてはＲ11、Ｒ12の好ましい例として示したアルキル基が好ましく用いられる。また好ましくは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、より好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｒ11とＲ13は同じであっても異なっていてもよいが、ともにメチル基であることが特に好ましい。
また、前記式（ＩＩＩ）の化合物のうち、下記式（ＩＶ）で表される化合物はさらに好ましく用いることができる。
式（ＩＶ）中、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は式（ＩＩＩ−Ｃ）におけるそれらと同義であり、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16は上記Ｒ11、Ｒ12及びＲ13とそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23及びＲ24は、式（ＩＩＩ−Ａ）におけるＲ2及びＲ5と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ3は式（ＩＩＩ−Ｃ）におけるＬ3と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ4、Ａｒ4及びｎは式（ＩＩＩ）におけるＬ2、Ａｒ2及びｎと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
また、前記式（ＩＶ）の化合物のうち、下記式（Ｖ）で表される化合物もさらに好ましく用いることができる。
（式（Ｖ）中、Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ3、Ｌ4はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ4はアリーレン基または二価芳香族ヘテロ環基を表し、ｎは３以上の整数を表し、また、それぞれＬ4、Ａｒ4は同一であっても異なっていてもよい。ただし、Ｒ11、Ｒ12は互いに異なっており、Ｒ12で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。）
式（Ｖ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ21、Ｒ22、Ｌ3、Ｌ4、Ａｒ4、ｎは式（ＩＶ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。ただし、Ｒ11、Ｒ12は互いに異なっており、Ｒ12で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。
また、前記式（ＩＶ）の化合物のうち、下記式（ＶＩ）で表される化合物は特に好ましく用いることができる。
（式（ＶＩ）中、Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ3、Ｌ4はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ4はアリーレン基または二価芳香族ヘテロ環基を表し、ｎは３以上の整数を表し、また、それぞれＬ4、Ａｒ4は同一であっても異なっていてもよい。ただし、Ｒ11、Ｒ12は互いに異なっており、Ｒ12で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。）
式（ＶＩ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ22、Ｌ3、Ｌ4、Ａｒ4、ｎは式（ＩＶ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。ただし、Ｒ11、Ｒ12は互いに異なっており、Ｒ12で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。
以下に前述の式（ＩＩＩ）〜式（ＶＩ）における置換基Ｔ’について説明する。
置換基Ｔ’として好ましくはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、
置換基Ｔ’として好ましくはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、
アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表す。
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される化合物の好ましいものは、
Ｒ11がメチル基であり、
Ｒ21、Ｒ22がいずれも水素原子であり、
Ｒ12が炭素原子３個以上をもつアルキル基であり、
Ｌ3が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、及び、アルキニレン基（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくはメチル基又は水素原子であり、より好ましくは水素原子である。）であり、
Ｌ4が−Ｏ−または−ＮＲ−（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ａｒ4がアリーレン基であり、
ｎが３以上６以下である化合物を挙げることができる。
Ｒ11がメチル基であり、
Ｒ21、Ｒ22がいずれも水素原子であり、
Ｒ12が炭素原子３個以上をもつアルキル基であり、
Ｌ3が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＮＲＳＯ2−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、及び、アルキニレン基（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくはメチル基又は水素原子であり、より好ましくは水素原子である。）であり、
Ｌ4が−Ｏ−または−ＮＲ−（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ａｒ4がアリーレン基であり、
ｎが３以上６以下である化合物を挙げることができる。
以下に式（Ｖ）又は式（ＶＩ）で表される化合物に関して、具体例を挙げて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
式（ＩＩＩ）で表される化合物はまず置換安息香酸を合成したのちに、この置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体の一般的なエステル反応もしくはアミド化反応によって合成でき、エステル結合、アミド結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体を脱水縮合する方法などが挙げられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
式（ＶＩ）で表される化合物は、公知の方法で合成することができ、例えば、ｎ＝４である化合物の場合、下記構造：
（式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ21及びＲ22は先に記載した通りである。）
を有する原料化合物を、水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応に付して得られた中間体：
を有する原料化合物を、水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応に付して得られた中間体：
（式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ22、Ａｒ4及びＬ3は先に記載した通りである。）
２分子を、
２分子を、
（式中、ＢおよびＢ’は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、Ａｒ4およびＬ4は先に記載したＡｒ4、Ｌ4と同義である。）
１分子により連結することによって得ることができる。ただし、本発明の化合物の合成法はこの例に限定されない。
１分子により連結することによって得ることができる。ただし、本発明の化合物の合成法はこの例に限定されない。
上記式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される本発明のレターデーション上昇剤のセルロースアシレート１００質量部に対する含有量は０．１〜３０質量％が好ましく、１〜２５質量％がさらに好ましく、３〜１５質量％が最も好ましい。
本発明のレターデーション上昇剤は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒に溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加するか、または直接ドープ組成中に添加してもよい。
本発明のレターデーション上昇剤は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒に溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加するか、または直接ドープ組成中に添加してもよい。
式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表されるレターデーション上昇剤は、単独あるいは２種類以上混合して用いることができる。本発明においては、式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表されるレターデーション上昇剤の併用も好ましい。
（紫外線吸収剤）
本発明のセルロースアシレートフィルムは前記レターデーション上昇剤の他にＵＶ吸収剤を含有することが好ましい。
本発明に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることが出来るが、着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物が好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号、特開平８−３３７５７４号記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光板の保護フィルムとして用いる場合、紫外線吸収剤としては、偏光子や液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。
本発明のセルロースアシレートフィルムは前記レターデーション上昇剤の他にＵＶ吸収剤を含有することが好ましい。
本発明に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることが出来るが、着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物が好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号、特開平８−３３７５７４号記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光板の保護フィルムとして用いる場合、紫外線吸収剤としては、偏光子や液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。
本発明に有用なベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物等を挙げることが出来るが、これらに限定されない。また、市販品として、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３２６（何れもチバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）を好ましく使用できる。
（有機溶媒）
本発明に使用する有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステルおよび炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
エーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上記した好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。
本発明に使用する有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステルおよび炭素原子数が１〜６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
エーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上記した好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。
炭素原子数が３〜１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含まれる。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが含まれる。
炭素原子数が３〜１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含まれる。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。
ハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５〜７５モル％であることが好ましく、３０〜７０モル％であることがより好ましく、３５〜６５モル％であることがさらに好ましく、４０〜６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。
二種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。
二種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。
（劣化防止剤）
セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が上記範囲であると、劣化防止剤の効果が得られやすく、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）が起こりにくい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。
セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。添加量が上記範囲であると、劣化防止剤の効果が得られやすく、フィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）が起こりにくい。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。
（マット剤）
また、本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子が添加されることが好ましい。
微粒子の種類としては、無機化合物が好ましく、無機化合物の例としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化錫等の微粒子が挙げられる。この中では、珪素原子を含有する化合物であることが好ましく、フィルムのヘイズ（もや、霞み）を小さくすることができる二酸化珪素微粒子が特に好ましい。
また、本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子が添加されることが好ましい。
微粒子の種類としては、無機化合物が好ましく、無機化合物の例としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化錫等の微粒子が挙げられる。この中では、珪素原子を含有する化合物であることが好ましく、フィルムのヘイズ（もや、霞み）を小さくすることができる二酸化珪素微粒子が特に好ましい。
二酸化珪素微粒子としては、例えばアエロジル株式会社製のＡＥＲＯＳＩＬ−２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２，Ｒ８０５、ＯＸ５０、ＴＴ６００などがあげられる。
本発明において、最終的に乾燥フィルム中での微粒子の平均粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、１５０ｎｍ〜４００ｎｍがさらに好ましい。
フィルム中での微粒子の平均粒径は断面写真を撮影し観察することで確認できる。粒径が、上記範囲であるとヘイズ（もや、霞み）の劣化等が起こりにくく、異物による巻状態での故障発生が起こりにくく、巻き取り性の改善効果も充分となる。
フィルム中での微粒子の平均粒径は断面写真を撮影し観察することで確認できる。粒径が、上記範囲であるとヘイズ（もや、霞み）の劣化等が起こりにくく、異物による巻状態での故障発生が起こりにくく、巻き取り性の改善効果も充分となる。
微粒子の場合は、１次粒径、溶媒に分散した後の粒径、フィルムに添加された後の粒径が変化する場合が多く、重要であるのは、最終的にフィルム中で微粒子がセルロースエステルと複合し凝集して形成される粒径をコントロールすることである。
溶媒に分散した直後の粒径をＡ、フィルム中の平均粒径をＢとすると、Ａ／Ｂ＝０．５〜１．０であることが好ましい。この粒径変化は微粒子を分散してから、セルローストリアセテートや他の低分子化合物（疎水化剤等）と溶媒下で混合された場合、凝集が促進されやすいことに起因する。Ａ／Ｂが上記範囲であると、フィルム中の平均粒径がてきどとなるため、フィルムの透明性が良好となり、フィルム同士がくっつきにくくなるため好ましい。
Ａ／Ｂを０．５〜１．０にするためには、微粒子分散溶媒の選択や、微粒子の表面の官能基を分散溶媒やセルローストリアセテート、紫外線吸収剤との相溶性を良くすること、あるいはまた微粒子を、セルロースエステルを溶解したドープや紫外線吸収剤を溶解したドープに添加後、せん断を掛けて分散することにより達成できる。ここで用いる分散機は、超音波分散機や、ラインミル、ホモミキサー等が好適に用いられる。
本発明において、上記微粒子の添加量は、フィルム中に対して、平均粒径１００〜５００ｎｍの微粒子が０．１５〜０．５質量％であり、好ましくは０．２０〜０．３５質量％、さらに好ましくは０．２０〜０．３０質量％である。
微粒子の分散は、微粒子と溶剤を混合した組成物を、高圧分散装置で処理すると良い。分散に用いる高圧分散装置は、微粒子と溶媒を混合した組成物を、細管中に高速通過させることで、高剪断や高圧状態など特殊な条件を作りだすような高圧分散装置を用いることができる。高圧分散装置で処理することにより、例えば、管径１〜２，０００μｍの細管中で、装置内部の最大圧力条件が１００ｋｇｆ／ｃｍ2以上であることが好ましく、さらに好ましくは２００ｋｇｆ／ｃｍ2以上である。またその際、最高到達速度が１００ｍ／秒以上に達するもの、伝熱速度が１００ｋｃａｌ／時以上に達するものが好ましい。
上記のような高圧分散装置としては、マイクロフルイディックコーポレーション社製の超高圧ホモジナイザー（商品名マイクロフルイダイザー）あるいはナノマイザー社製のナノマイザーがあり、他にもマントンゴーリン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ社製のホモゲナイザー等が挙げられる。
微粒子は、水溶性溶媒を２５〜１００質量％含有する溶剤中で分散した後、非水溶性有機溶剤を水溶性溶媒に対して０．５〜１．５倍添加して希釈し、セルロースアシレートを溶剤に溶解したドープと混合する。
そして、該混合液を支持体上に流延し、乾燥して、製膜することによりセルロースアシレートフィルムを得る。
そして、該混合液を支持体上に流延し、乾燥して、製膜することによりセルロースアシレートフィルムを得る。
ここで、水溶性溶媒としては、主に低級アルコールが用いられる。低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。
また非水溶性溶媒としては、特に限定されないが、セルロースアシレートの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましく、水に対する溶解度が３０質量％以下のものが用いられ、これには、メチレンクロライド、クロロホルム、酢酸メチル等があげられる。
微粒子は溶媒中で１〜３０質量％の濃度で分散される。上記範囲で分散すると、粘度が適当な範囲となるため好ましい。分散液中の微粒子の濃度としては、好ましくは５〜２５質量％、さらに好ましくは１０〜２０質量％である。
［セルロースアシレートフィルムの製造］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造することができる。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造することができる。ソルベントキャスト法では、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。
０℃以上の温度（常温または高温）で処理することからなる一般的な方法で、セルロースアシレート溶液を調製することができる。溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法および装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。
セルロースアシレートの量は、得られる溶液中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。
溶液は、常温（０〜４０℃）でセルロースアシレートと有機溶媒とを撹拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧および加熱条件下で撹拌してもよい。具体的には、セルロースアシレートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら撹拌する。
加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。
加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０〜２００℃であり、さらに好ましくは８０〜１１０℃である。
各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は撹拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。
加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。
容器内部に撹拌翼を設けて、これを用いて撹拌することが好ましい。撹拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。撹拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。
容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。
容器内部に撹拌翼を設けて、これを用いて撹拌することが好ましい。撹拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。撹拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。
容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
冷却溶解法により、溶液を調製することもできる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させることが困難な有機溶媒中にもセルロースアシレートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアシレートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。
冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には上記の任意の添加剤を添加しておいてもよい。
冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロースアシレートを撹拌しながら徐々に添加する。セルロースアシレートの量は、この混合物中に１０〜４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアシレートの量は、１０〜３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には上記の任意の添加剤を添加しておいてもよい。
次に、混合物を−１００〜−１０℃（好ましくは−８０〜−１０℃、さらに好ましくは−５０〜−２０℃、最も好ましくは−５０〜−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０〜−２０℃）中で実施できる。冷却によりセルロースアシレートと有機溶媒の混合物は固化する。
冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１０，０００℃／秒が理論的な上限であり、１，０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を、冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。
さらに、これを０〜２００℃（好ましくは０〜１５０℃、さらに好ましくは０〜１２０℃、最も好ましくは０〜５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアシレートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよく、温浴中で加温してもよい。
加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１０，０００℃／秒が理論的な上限であり、１，０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。
以上のようにして、均一な溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１０，０００℃／秒が理論的な上限であり、１，０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。
以上のようにして、均一な溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができる。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。
なお、セルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保する必要がある。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。
なお、セルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保する必要がある。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。
調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造する。ドープにはレターデーション上昇剤を添加することが好ましい。
ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
ソルベントキャスト法における乾燥方法については、米国特許２，３３６，３１０号、同２，３６７，６０３号、同２，４９２，０７８号、同２，４９２，９７７号、同２，４９２，９７８号、同２，６０７，７０４号、同２，７３９，０６９号、同２，７３９，０７０号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。バンドまたはドラム上での乾燥は空気、窒素などの不活性ガスを送風することにより行なうことができる。
得られたフィルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取り、さらに１００℃から１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。
調製したセルロースアシレート溶液（ドープ）を用いて二層以上の流延を行いフィルム化することもできる。この場合、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを作製することが好ましい。ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０〜４０％の範囲となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。
二層以上の複数のセルロースアシレート液を流延する場合、複数のセルロースアシレート溶液を流延することが可能で、支持体の進行方向に間隔をおいて設けられた複数の流延口からセルロースアシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフィルムを作製してもよい。例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、および、特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つの流延口からセルロースアシレート溶液を流延することによってもフィルム化することもできる。例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、および、特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の高粘度セルロースアシレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶液で包み込み、その高・低粘度のセルロースアシレート溶液を同時に押し出すセルロースアシレートフィルムの流延方法を用いることもできる。
また、二個の流延口を用いて、第一の流延口により支持体に成形したフィルムを剥ぎ取り、支持体面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フィルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２０２３５号公報に記載の方法を挙げることができる。
流延するセルロースアシレート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアシレート溶液を用いてもよい。複数のセルロースアシレート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発明のセルロースアシレート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。
流延するセルロースアシレート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアシレート溶液を用いてもよい。複数のセルロースアシレート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアシレート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発明のセルロースアシレート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。
従来の単層液では、必要なフィルムの厚さにするためには高濃度で高粘度のセルロースアシレート溶液を押し出すことが必要である。その場合セルロースアシレート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ故障となったり、平面性が不良となったりして問題となることが多かった。この問題の解決方法として、複数のセルロースアシレート溶液を流延口から流延することにより、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことができ、平面性も良化し優れた面状のフィルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロースアシレート溶液を用いることで乾燥負荷の低減化が達成でき、フィルムの生産スピードを高めることができる。
これら流延から後乾燥までの工程は、空気雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でもよい。本発明に用いるセルロースアシレートフィルムの製造に用いる巻き取り機は一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。
（延伸）
本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸は幅方向のみの一軸延伸、あるいは幅方向及び搬送方向の二軸延伸が好ましい。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。
本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸は幅方向のみの一軸延伸、あるいは幅方向及び搬送方向の二軸延伸が好ましい。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。
フィルムの延伸は、常温または加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムは、乾燥中の処理で延伸することができ、特に溶媒が残存する場合は有効である。長手方向の延伸の場合、例えば、フィルムの搬送ローラーの速度を調節して、フィルムの剥ぎ取り速度よりもフィルムの巻き取り速度の方を速くするとフィルムは延伸される。幅方向の延伸の場合、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによってもフィルムを延伸できる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。
二軸延伸には、同時二軸延伸法と逐次二軸延伸法があるが、連続製造の観点から逐次二軸延伸方法が好ましく、ドープを流延した後、バンドもしくはドラムよりフィルムを剥ぎ取り、幅方向（長手方法）に延伸した後、長手方向（幅方向）に延伸される。
本発明のセルロースアシレートフィルムの好ましい延伸倍率は、幅方向のみの一軸延伸の場合１．０倍以上１．１倍以下が好ましく、１．０２倍以上１．０７倍以下がさらに好ましい。
２軸延伸の場合、搬送方向と幅方向の延伸倍率が下記式（Ｆ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｆ） ０．０１＜（垂直方向の延伸倍率）−（平行方向の延伸倍率）＜０．１
さらに好ましくは０．０２＜（垂直方向の延伸倍率）−（平行方向の延伸倍率）＜０．０８である。
これらの範囲に調節することにより、搬送時に発生するセルロースアシレート分子鎖の配向を打ち消すことによりフィルムのＲｅを好ましい範囲に調節することができ、かつ面状を大幅に改良することができる。
（Ｆ） ０．０１＜（垂直方向の延伸倍率）−（平行方向の延伸倍率）＜０．１
さらに好ましくは０．０２＜（垂直方向の延伸倍率）−（平行方向の延伸倍率）＜０．０８である。
これらの範囲に調節することにより、搬送時に発生するセルロースアシレート分子鎖の配向を打ち消すことによりフィルムのＲｅを好ましい範囲に調節することができ、かつ面状を大幅に改良することができる。
［セルロースアシレートフィルムの厚み］
本発明のセルロースアシレートフィルムの厚みは１０μｍ以上９０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下がさらに好ましい。
本発明のセルロースアシレートフィルムの厚みは１０μｍ以上９０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下がさらに好ましい。
［セルロースアシレートフィルムの弾性率］
セルロースアシレートフィルムの弾性率はフィルム中のセルロースアシレート分子鎖の運動の自由度と相関があり、弾性率が大きいものほどセルロースアシレート分子鎖の運動の自由度が小さく、したがって、フィルム中の、水等の低分子化合物の拡散速度も小さくなる。セルロースアシレートフィルムの弾性率は結晶化度を高くすることにより大きくすることが可能である。逆にセルロースと相溶性の高い化合物を添加すると弾性率は小さくなる。セルロースアシレートフィルムの弾性率は引っ張り試験により求めることができる。
具体的にはサンプルを２５℃６０％ＲＨの環境下で２４時間調湿し、ＪＩＳ Ｋ７１２７に記載の方法に従って弾性率を測定する。引っ張り試験機は（株）エー・アンド・デイ製テンシロンなどを用いることができる。
セルロースアシレートフィルムの弾性率はフィルム中のセルロースアシレート分子鎖の運動の自由度と相関があり、弾性率が大きいものほどセルロースアシレート分子鎖の運動の自由度が小さく、したがって、フィルム中の、水等の低分子化合物の拡散速度も小さくなる。セルロースアシレートフィルムの弾性率は結晶化度を高くすることにより大きくすることが可能である。逆にセルロースと相溶性の高い化合物を添加すると弾性率は小さくなる。セルロースアシレートフィルムの弾性率は引っ張り試験により求めることができる。
具体的にはサンプルを２５℃６０％ＲＨの環境下で２４時間調湿し、ＪＩＳ Ｋ７１２７に記載の方法に従って弾性率を測定する。引っ張り試験機は（株）エー・アンド・デイ製テンシロンなどを用いることができる。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、幅方向又は長手方向のいずれかの方向における２５℃６０％ＲＨの弾性率が、２５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上６５０Ｋｇｆ／ｍｍ2以下が好ましく、３５０ｋｇｆ／ｍｍ2以上５５０Ｋｇｆ／ｍｍ2以下がさらに好ましい。弾性率が上記範囲であると、偏光板の寸度安定性やフィルムの加工特性が良好となる。
［セルロースアシレートフィルムの結晶化度］
フィルムの結晶化度は様々な方法により増大させうるが、残留溶剤量の高い状態で高温で処理すると効果的に結晶化を進行させられる。したがって、セルロースアシレートフィルムの製造においては、フィルムをバンドあるいはドラム上から剥ぎ取った直後に高温で乾燥させることが好ましい。乾燥温度は８０℃以上２００℃以下が好ましく、１００℃以上１８０℃以下がさらに好ましく、１２０℃以上１６０℃以下が最も好ましい。
結晶化増大に効果的な残留溶剤量は溶剤種の組み合わせにより異なる。例えば、メチレンクロライド／メタノール混合溶剤系の場合、セルロースアシレートフィルムに対する該混合溶媒の質量比は１％以上７０％以下が好ましく、５％以上６０％以下がさらに好ましく、１０％以上５０％以下が最も好ましい。また、メチレンクロライド／メタノール／ｎ−ブタノール混合溶剤系では２０％以上９０％以下が好ましく、３０％以上８０％以下がさらに好ましく、３０％以上７０％以下が最も好ましい。
本発明で定義する結晶化度はＸ線回折測定で検出された回折ピーク強度からブラッグ角２θ＝１４°の回折強度を引いた値の和である。
本発明のアシレートフィルムの結晶化度は３，０００以上１５，０００以下が好ましく、４，０００以上１２，０００以下がさらに好ましく、５，０００以上９，０００以下が最も好ましい。
フィルムの結晶化度は様々な方法により増大させうるが、残留溶剤量の高い状態で高温で処理すると効果的に結晶化を進行させられる。したがって、セルロースアシレートフィルムの製造においては、フィルムをバンドあるいはドラム上から剥ぎ取った直後に高温で乾燥させることが好ましい。乾燥温度は８０℃以上２００℃以下が好ましく、１００℃以上１８０℃以下がさらに好ましく、１２０℃以上１６０℃以下が最も好ましい。
結晶化増大に効果的な残留溶剤量は溶剤種の組み合わせにより異なる。例えば、メチレンクロライド／メタノール混合溶剤系の場合、セルロースアシレートフィルムに対する該混合溶媒の質量比は１％以上７０％以下が好ましく、５％以上６０％以下がさらに好ましく、１０％以上５０％以下が最も好ましい。また、メチレンクロライド／メタノール／ｎ−ブタノール混合溶剤系では２０％以上９０％以下が好ましく、３０％以上８０％以下がさらに好ましく、３０％以上７０％以下が最も好ましい。
本発明で定義する結晶化度はＸ線回折測定で検出された回折ピーク強度からブラッグ角２θ＝１４°の回折強度を引いた値の和である。
本発明のアシレートフィルムの結晶化度は３，０００以上１５，０００以下が好ましく、４，０００以上１２，０００以下がさらに好ましく、５，０００以上９，０００以下が最も好ましい。
［セルロースアシレートフィルムの含水率］
セルロースアシレートフィルムの含水率は一定温湿度における平衡含水率を測定することにより評価することができる。平衡含水率は前記温湿度に２４時間放置した後、平衡に達した試料の水分量をカールフィッシャー法で測定し、水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除して算出したものである。
本発明のセルロースアシレートフィルムの２５℃８０％ＲＨにおける含水率は３．５質量％以下であることが好ましく、３．２質量％以下であることがさらに好ましい。
セルロースアシレートフィルムの含水率は一定温湿度における平衡含水率を測定することにより評価することができる。平衡含水率は前記温湿度に２４時間放置した後、平衡に達した試料の水分量をカールフィッシャー法で測定し、水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除して算出したものである。
本発明のセルロースアシレートフィルムの２５℃８０％ＲＨにおける含水率は３．５質量％以下であることが好ましく、３．２質量％以下であることがさらに好ましい。
［透湿度］
透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法に則り、各試料の透湿度を測定し、面積１ｍ2あたり２４時間で蒸発する水分量（ｇ）として算出する。透湿度は偏光板の耐久性と密接に関係したフィルム物性であり、透湿度を下げることにより偏光板耐久性を向上させることができる。本発明のセルロースアシレートフィルムでは、２５℃９０％ＲＨ２４ｈｒでの透湿度が８０ｇ／ｍ2以上２５０ｇ／ｍ2以下であることが好ましい。より好ましくは、１００ｇ／ｍ2以上２００ｇ／ｍ2以下である。
また、フィルム１μあたりの透湿度は１ｇ／ｍ2以上３ｇ／ｍ2以下が好ましく、１．５ｇ／ｍ2以上２．８ｇ／ｍ2以下がさらに好ましい。
透湿度が上記範囲であると、偏光板作成時の乾燥が適度となり、外界からの水の浸入も少なくなるので、偏光板耐久性が良好となる。
透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法に則り、各試料の透湿度を測定し、面積１ｍ2あたり２４時間で蒸発する水分量（ｇ）として算出する。透湿度は偏光板の耐久性と密接に関係したフィルム物性であり、透湿度を下げることにより偏光板耐久性を向上させることができる。本発明のセルロースアシレートフィルムでは、２５℃９０％ＲＨ２４ｈｒでの透湿度が８０ｇ／ｍ2以上２５０ｇ／ｍ2以下であることが好ましい。より好ましくは、１００ｇ／ｍ2以上２００ｇ／ｍ2以下である。
また、フィルム１μあたりの透湿度は１ｇ／ｍ2以上３ｇ／ｍ2以下が好ましく、１．５ｇ／ｍ2以上２．８ｇ／ｍ2以下がさらに好ましい。
透湿度が上記範囲であると、偏光板作成時の乾燥が適度となり、外界からの水の浸入も少なくなるので、偏光板耐久性が良好となる。
透湿度は水の吸着量及びフィルム中の水の拡散速度を小さくすることにより、低下させることができる。疎水化剤を使用するとフィルム中の水の拡散速度を大きくすることなく、水の吸着量を小さくできるため、特に好ましい。また、セルロースアシレートフィルムの結晶化度を上げる方法も、フィルム中の水の拡散速度を大きくすることなく、水の吸着量を小さくでき好ましい。
さらに、透湿度は製膜時に搬送方向及び／あるいは幅方向に延伸し、セルロースアシレートの分子鎖の配向を密にすることによっても低下させることが可能である。延伸は一軸延伸、二軸延伸のどちらでも可能である。
さらに、透湿度は製膜時に搬送方向及び／あるいは幅方向に延伸し、セルロースアシレートの分子鎖の配向を密にすることによっても低下させることが可能である。延伸は一軸延伸、二軸延伸のどちらでも可能である。
［吸湿膨張係数］
吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。
偏光板耐久試験における額縁状の透過率上昇を防止するために、セルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は、３０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１５×１０-5／％ＲＨ以下とすることが更に好ましく、１０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが最も好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０-5／％ＲＨ以上の値である。
吸湿膨張係数の測定方法について以下に示す。セルロースアシレートフィルムから幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試料を切り出し、片方の端を固定して２５℃、２０％ＲＨ（Ｒ０）の雰囲気下にぶら下げる。他方の端に０．５ｇの重りをぶら下げて、１０分間放置し長さ（Ｌ０）を測定する。次に、温度は２５℃のまま、湿度を８０％ＲＨ（Ｒ１）にして、長さ（Ｌ１）を測定する。吸湿膨張係数は下式により算出する。測定は同一試料につき１０サンプル行い、平均値を採用する。
吸湿膨張係数［／％ＲＨ］＝｛（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０｝／（Ｒ１−Ｒ０）
吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。
偏光板耐久試験における額縁状の透過率上昇を防止するために、セルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は、３０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１５×１０-5／％ＲＨ以下とすることが更に好ましく、１０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが最も好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０-5／％ＲＨ以上の値である。
吸湿膨張係数の測定方法について以下に示す。セルロースアシレートフィルムから幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試料を切り出し、片方の端を固定して２５℃、２０％ＲＨ（Ｒ０）の雰囲気下にぶら下げる。他方の端に０．５ｇの重りをぶら下げて、１０分間放置し長さ（Ｌ０）を測定する。次に、温度は２５℃のまま、湿度を８０％ＲＨ（Ｒ１）にして、長さ（Ｌ１）を測定する。吸湿膨張係数は下式により算出する。測定は同一試料につき１０サンプル行い、平均値を採用する。
吸湿膨張係数［／％ＲＨ］＝｛（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０｝／（Ｒ１−Ｒ０）
上記吸湿による寸度変化を小さくするには、製膜時の残留溶剤量を低くし、ポリマーフィルム中の自由体積を小さくすることが好ましい。
残留溶剤を減らすための一般的手法は、高温かつ長時間で乾燥することであるが、あまり長時間であると、当然のことながら生産性が落ちる。従ってセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤の量は、０．０１〜１質量％の範囲にあることが好ましく、０．０２〜０．０７質量％の範囲にあることがさらに好ましく、０．０３〜０．０５質量％の範囲にあることが最も好ましい。
上記残留溶剤量を制御することにより、光学補償能を有する偏光板を安価に高い生産性で製造することができる。
残留溶剤量は、一定量の試料をクロロフォルムに溶解し、ガスクロマトグラフ（ＧＣ１８Ａ、島津製作所（株）製）を用いて測定する。
残留溶剤を減らすための一般的手法は、高温かつ長時間で乾燥することであるが、あまり長時間であると、当然のことながら生産性が落ちる。従ってセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤の量は、０．０１〜１質量％の範囲にあることが好ましく、０．０２〜０．０７質量％の範囲にあることがさらに好ましく、０．０３〜０．０５質量％の範囲にあることが最も好ましい。
上記残留溶剤量を制御することにより、光学補償能を有する偏光板を安価に高い生産性で製造することができる。
残留溶剤量は、一定量の試料をクロロフォルムに溶解し、ガスクロマトグラフ（ＧＣ１８Ａ、島津製作所（株）製）を用いて測定する。
上記のような溶液流延法では、ポリマー材料を有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。溶液流延法での乾燥は、ドラム（またはバンド）面での乾燥と、フィルム搬送時の乾燥に大きく分かれる。ドラム（またはバンド）面での乾燥時には、使用している溶剤の沸点を越えない温度（沸点を越えると泡となる）でゆっくりと乾燥させることが好ましい。また、フィルム搬送時の乾燥は、ポリマー材料のガラス転移点±３０℃、更に好ましくは±２０℃で行うことが好ましい。
また、上記吸湿による寸度変化を小さくする別の方法として、疎水基を有する化合物を添加することが好ましい。疎水基を有する素材としては、分子中にアルキル基やフェニル基のような疎水基を有する素材であれば特に制限はない。
これらの疎水基を有する化合物の添加量は、調整する溶液（ドープ）に対して０．０１〜３０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜２０質量％の範囲にあることがさらに好ましい。
これらの疎水基を有する化合物の添加量は、調整する溶液（ドープ）に対して０．０１〜３０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜２０質量％の範囲にあることがさらに好ましい。
［光弾性］
本発明のセルロースアシレートの光弾性係数は６０×１０-8ｃｍ2／Ｎ以下が好ましく、２０×１０-8ｃｍ2／Ｎがさらに好ましい。光弾性係数はエリプソメーターにより求めることができる。
［ガラス転移温度］
本発明のセルロースアシレートのガラス転移温度は１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、更に１３０℃以上１６０℃以下がさらに好ましい。ガラス転移温度は、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度１０℃／分で測定したときにフィルムのガラス転移に由来するベースラインが変化しはじめる温度と再びベースラインに戻る温度との平均値として求めたものである。
本発明のセルロースアシレートの光弾性係数は６０×１０-8ｃｍ2／Ｎ以下が好ましく、２０×１０-8ｃｍ2／Ｎがさらに好ましい。光弾性係数はエリプソメーターにより求めることができる。
［ガラス転移温度］
本発明のセルロースアシレートのガラス転移温度は１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、更に１３０℃以上１６０℃以下がさらに好ましい。ガラス転移温度は、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度１０℃／分で測定したときにフィルムのガラス転移に由来するベースラインが変化しはじめる温度と再びベースラインに戻る温度との平均値として求めたものである。
［セルロースアシレートフィルムの表面処理］
セルロースアシレートフィルムは、表面処理を施すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−３３３４３３号公報に記載のように、下塗り層を設けることも好ましい。
フィルムの平面性を保持する観点から、これら処理においてセルロースアシレートフィルムの温度をＴｇ（ガラス転移温度）以下、具体的には１５０℃以下とすることが好ましい。
セルロースアシレートフィルムを偏光板の透明保護フィルムとして使用する場合、偏光子との接着性の観点から、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアシレートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。
セルロースアシレートフィルムは、表面処理を施すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−３３３４３３号公報に記載のように、下塗り層を設けることも好ましい。
フィルムの平面性を保持する観点から、これら処理においてセルロースアシレートフィルムの温度をＴｇ（ガラス転移温度）以下、具体的には１５０℃以下とすることが好ましい。
セルロースアシレートフィルムを偏光板の透明保護フィルムとして使用する場合、偏光子との接着性の観点から、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアシレートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。
セルロースアシレートフィルムの表面エネルギーは５５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下であることが更に好ましい。固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアライズ社 １９８９．１２．１０発行）に記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることができる。本発明のセルロースアシレートフィルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。
具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアシレートフィルムに滴下し、液滴の表面とフィルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフィルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフィルムの表面エネルギーを算出できる。
具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアシレートフィルムに滴下し、液滴の表面とフィルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフィルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフィルムの表面エネルギーを算出できる。
以下、アルカリ鹸化処理を例に、具体的に説明する。
セルロースアシレートフィルムのアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。
アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの規定濃度は０．１〜３．０Ｎの範囲にあることが好ましく、０．５〜２．０Ｎの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
セルロースアシレートフィルムのアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。
アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの規定濃度は０．１〜３．０Ｎの範囲にあることが好ましく、０．５〜２．０Ｎの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
（偏光板）
本発明の偏光板は、偏光子の両側に保護フィルムが貼りあわされてなる偏光板であって、保護フィルムの少なくとも１枚が上述のセルロースアシレートフィルムである偏光板である。
本発明の偏光板は、偏光子の両側に保護フィルムが貼りあわされてなる偏光板であって、保護フィルムの少なくとも１枚が上述のセルロースアシレートフィルムである偏光板である。
（偏光板の構成）
まず、本発明の偏光板を構成する保護フィルム、偏光子について説明する。
本発明の偏光板は、偏光子や保護フィルム以外にも、粘着剤層、セパレートフィルム、保護フィルムを構成要素として有していても構わない。
まず、本発明の偏光板を構成する保護フィルム、偏光子について説明する。
本発明の偏光板は、偏光子や保護フィルム以外にも、粘着剤層、セパレートフィルム、保護フィルムを構成要素として有していても構わない。
（１）保護フィルム
本発明の偏光板は偏光子の両側に１ずつ合計２枚の保護フィルムを有し、少なくとも１枚は本発明のセルロースアシレートフィルムである。また、２枚の保護フィルムのうち、少なくとも一枚は位相差フィルムとしての機能を合わせてもつことが好ましい。また、偏光子の両側の保護フィルムの弾性率比が下記式（Ｇ）を満たすことが好ましい。
（Ｇ）
０．７５＜（液晶セル側の保護フィルムの弾性率）／（空気界面側の保護フィルムの弾性率）＜１．３３
さらに好ましくは、
８５＜（液晶セル側の保護フィルムの弾性率）／（空気界面側の保護フィルムの弾性率）＜１．２
である。この範囲に弾性率比を調節することにより、温度及び湿度にともなう偏光板の透過率変化を小さくすることができる。
液晶表示装置に本発明の偏光板を用いる場合、液晶セルの両側に配置される二枚の偏光板の少なくとも一方が、本発明の偏光板であることが好ましい。
本発明の偏光板は偏光子の両側に１ずつ合計２枚の保護フィルムを有し、少なくとも１枚は本発明のセルロースアシレートフィルムである。また、２枚の保護フィルムのうち、少なくとも一枚は位相差フィルムとしての機能を合わせてもつことが好ましい。また、偏光子の両側の保護フィルムの弾性率比が下記式（Ｇ）を満たすことが好ましい。
（Ｇ）
０．７５＜（液晶セル側の保護フィルムの弾性率）／（空気界面側の保護フィルムの弾性率）＜１．３３
さらに好ましくは、
８５＜（液晶セル側の保護フィルムの弾性率）／（空気界面側の保護フィルムの弾性率）＜１．２
である。この範囲に弾性率比を調節することにより、温度及び湿度にともなう偏光板の透過率変化を小さくすることができる。
液晶表示装置に本発明の偏光板を用いる場合、液晶セルの両側に配置される二枚の偏光板の少なくとも一方が、本発明の偏光板であることが好ましい。
（２）偏光子
本発明の偏光子は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二色性分子から構成することが好ましいが、特開平１１−２４８９３７に記載されているようにＰＶＡやポリ塩化ビニルを脱水、脱塩素することによりポリエン構造を生成し、これを配向させたポリビニレン系偏光子も使用することができる。
本発明の偏光子は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二色性分子から構成することが好ましいが、特開平１１−２４８９３７に記載されているようにＰＶＡやポリ塩化ビニルを脱水、脱塩素することによりポリエン構造を生成し、これを配向させたポリビニレン系偏光子も使用することができる。
ＰＶＡは、ポリ酢酸ビニルをケン化したポリマー素材であるが、例えば不飽和カルボン酸、不飽和スルホン酸、オレフィン類、ビニルエーテル類のような酢酸ビニルと共重合可能な成分を含有しても構わない。また、アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等を含有する変性ＰＶＡも用いることができる。
ＰＶＡのケン化度は特に限定されないが、溶解性等の観点から８０〜１００ｍｏｌ％が好ましく、９０〜１００ｍｏｌ％が特に好ましい。またＰＶＡの重合度は特に限定されないが、１０００〜１００００が好ましく、１５００〜５０００が特に好ましい。
ＰＶＡのシンジオタクティシティーは特許２９７８２１９号に記載されているように耐久性を改良するため５５％以上が好ましいが、特許第３３１７４９４号に記載されている４５〜５２．５％も好ましく用いることができる。
ＰＶＡのケン化度は特に限定されないが、溶解性等の観点から８０〜１００ｍｏｌ％が好ましく、９０〜１００ｍｏｌ％が特に好ましい。またＰＶＡの重合度は特に限定されないが、１０００〜１００００が好ましく、１５００〜５０００が特に好ましい。
ＰＶＡのシンジオタクティシティーは特許２９７８２１９号に記載されているように耐久性を改良するため５５％以上が好ましいが、特許第３３１７４９４号に記載されている４５〜５２．５％も好ましく用いることができる。
ＰＶＡはフィルム化した後、二色性分子を導入して偏光子を構成することが好ましい。ＰＶＡフィルムの製造方法は、ＰＶＡ系樹脂を水又は有機溶媒に溶解した原液を流延して成膜する方法が一般に好ましく用いられる。原液中のポリビニルアルコール系樹脂の濃度は、通常５〜２０質量％であり、この原液を流延法により製膜することによって、膜厚１０〜２００μｍのＰＶＡフィルムを製造できる。ＰＶＡフィルムの製造は、特許第３３４２５１６号、特開平０９−３２８５９３号、特開２００１−３０２８１７号、特開２００２−１４４４０１号を参考にして行うことができる。
ＰＶＡフィルムの結晶化度は、特に限定されないが、特許第３２５１０７３号に記載されている平均結晶化度（Ｘｃ）５０〜７５質量％や、面内の色相バラツキを低減させるため、特開２００２−２３６２１４号に記載されている結晶化度３８％以下のＰＶＡフィルムを用いることができる。
ＰＶＡフィルムの結晶化度は、特に限定されないが、特許第３２５１０７３号に記載されている平均結晶化度（Ｘｃ）５０〜７５質量％や、面内の色相バラツキを低減させるため、特開２００２−２３６２１４号に記載されている結晶化度３８％以下のＰＶＡフィルムを用いることができる。
ＰＶＡフィルムの複屈折（△ｎ）は小さいことが好ましく、特許第３３４２５１６号に記載されている複屈折が１．０×１０-3以下のＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。但し、特開２００２−２２８８３５号に記載されているように、ＰＶＡフィルムの延伸時の切断を回避しながら高偏光度を得るため、ＰＶＡフィルムの複屈折を０．０２以上０．０１以下としてもよいし、特開２００２−０６０５０５号に記載されているように（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚの値を０．０００３以上０．０１以下としてもよい。ＰＶＡフィルムのレターデーション（面内）は０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がさらに好ましい。また、ＰＶＡフィルムのＲｔｈ（膜厚方向）は０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
この他、本発明の偏光板には、特許３０２１４９４号に記載されている１、２−グリコール結合量が１．５モル％以下のＰＶＡフィルム、特開２００１−３１６４９２号に記載されている５μｍ以上の光学的異物が１００ｃｍ2当たり５００個以下であるＰＶＡフィルム、特開２００２−０３０１６３号に記載されているフィルムのＴＤ方向の熱水切断温度斑が１．５℃以下であるＰＶＡフィルム、さらにグリセリンなどの３〜６価の多価アルコ−ルを１〜１００質量部したり、特開平０６−２８９２２５号に記載されている可塑剤を１５質量％以上混合した溶液から製膜したＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。
ＰＶＡフィルムの延伸前のフィルム膜厚は特に限定されないが、フィルム保持の安定性、延伸の均質性の観点から、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、２０〜２００μｍが特に好ましい。特開２００２−２３６２１２号に記載されているように水中において４倍から６倍の延伸を行った時に発生する応力が１０Ｎ以下となるような薄いＰＶＡフィルムを使用してもよい。
二色性分子はＩ3 -やＩ5 -などの高次のヨウ素イオンもしくは二色性染料を好ましく使用することができる。本発明では高次のヨウ素イオンが特に好ましく使用される。高次のヨウ素イオンは、「偏光板の応用」永田良編、ＣＭＣ出版や工業材料、第２８巻、第７号、ｐ．３９〜ｐ．４５に記載されているようにヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液および／またはホウ酸水溶液にＰＶＡを浸漬し、ＰＶＡに吸着・配向した状態で生成することができる。
二色性分子として二色性染料を用いる場合は、アゾ系色素が好ましく、特にビスアゾ系とトリスアゾ系色素が好ましい。二色性染料は水溶性のものが好ましく、このため二色性分子にスルホン酸基、アミノ基、水酸基などの親水性置換基が導入され、遊離酸、あるいはアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン類の塩として好ましく用いられる。
このような二色性染料の具体例としては、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ３７、 Ｃｏｎｇｏ Ｒｅｄ（Ｃ．Ｉ． Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２８）、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ １２、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ９０、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ２２、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５１、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｇｒｅｅｎ １等のベンジジン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４４、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２３、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ７９等のジフェニル尿素系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ １２等のスチルベン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ３１等のジナフチルアミン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８１、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ９、 Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ７８等のＪ酸系を挙げることができる。
これ以外にも、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ８６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ８７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ １４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ ２６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ ７２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ １０７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２４０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２４７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ４８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ６７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ７１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １６８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ２０２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ２３６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ２４９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ２７０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｇｒｅｅｎ ５９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｇｒｅｅｎ ８５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ ４４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ １９５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ ２１０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ ２２３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｒｏｗｎ ２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌａｃｋ １、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌａｃｋ １７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌａｃｋ １９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌａｃｋ ５４等が、さらに特開昭６２−７０８０２号、特開平１−１６１２０２号、特開平１−１７２９０６号、特開平１−１７２９０７号、特開平１−１８３６０２号、特開平１−２４８１０５号、特開平１−２６５２０５号、特開平７−２６１０２４号、の各公報記載の二色性染料等も好ましく使用することができる。各種の色相を有する二色性分子を製造するため、これらの二色性染料は２種以上を配合してもかまわない。二色性染料を用いる場合、特開２００２−０８２２２２号に記載されているように吸着厚みが４μｍ以上であってもよい。
フィルム中の該二色性分子の含有量は、少なすぎると偏光度が低く、また、多すぎても単板透過率が低下することから通常、フィルムのマトリックスを構成するポリビニルアルコール系重合体に対して、０．０１質量％から５質量％の範囲に調整される。
偏光子の好ましい膜厚としては、５μｍ〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。偏光子の厚さと後述する保護フィルムの厚さの比を、特開２００２−１７４７２７号に記載されている０．０１≦Ａ（偏光子膜厚）／Ｂ（保護フィルム膜厚）≦０．１６範囲とすることも好ましい。
保護フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸の交差角は、任意の値でよいが、平行もしくは４５±２０゜の方位角であることが好ましい。
偏光子の好ましい膜厚としては、５μｍ〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。偏光子の厚さと後述する保護フィルムの厚さの比を、特開２００２−１７４７２７号に記載されている０．０１≦Ａ（偏光子膜厚）／Ｂ（保護フィルム膜厚）≦０．１６範囲とすることも好ましい。
保護フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸の交差角は、任意の値でよいが、平行もしくは４５±２０゜の方位角であることが好ましい。
（偏光板の製造工程）
次に、本発明の偏光板の製造工程について説明する。
本発明における偏光板の製造工程は、膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程から構成されることが好ましい。染色工程、硬膜工程、延伸工程の順序を任意に変えること、また、いくつかの工程を組み合わせて同時に行っても構わない。また、特許第３３３１６１５に記載されているように、硬膜工程の後に水洗することも好ましく行うことができる。
次に、本発明の偏光板の製造工程について説明する。
本発明における偏光板の製造工程は、膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程から構成されることが好ましい。染色工程、硬膜工程、延伸工程の順序を任意に変えること、また、いくつかの工程を組み合わせて同時に行っても構わない。また、特許第３３３１６１５に記載されているように、硬膜工程の後に水洗することも好ましく行うことができる。
本発明では、膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程を記載の順序で遂次行うことが特に好ましい。また、前述の工程中あるいは後にオンライン面状検査工程を設けても構わない。
膨潤工程は、水のみで行うことが好ましいが、特開平１０−１５３７０９に記載されているように、光学性能の安定化及び、製造ラインでの偏光板基材のシワ発生回避のために、偏光板基材をホウ酸水溶液により膨潤させて、偏光板基材の膨潤度を管理することもできる。
また、膨潤工程の温度、時間は、任意に定めることができるが、１０℃以上６０℃以下、５秒以上２０００秒以下が好ましい。
染色工程は、特開２００２−８６５５４に記載の方法を用いることができる。また、染色方法としては浸漬だけでなく、ヨウ素あるいは染料溶液の塗布あるいは噴霧等、任意の手段が可能である。また、特開２００２−２９００２５号に記載されているように、ヨウ素の濃度、染色浴温度、浴中の延伸倍率、および浴中の浴液を撹拌させながら染色させる方法を用いてもよい。
また、膨潤工程の温度、時間は、任意に定めることができるが、１０℃以上６０℃以下、５秒以上２０００秒以下が好ましい。
染色工程は、特開２００２−８６５５４に記載の方法を用いることができる。また、染色方法としては浸漬だけでなく、ヨウ素あるいは染料溶液の塗布あるいは噴霧等、任意の手段が可能である。また、特開２００２−２９００２５号に記載されているように、ヨウ素の濃度、染色浴温度、浴中の延伸倍率、および浴中の浴液を撹拌させながら染色させる方法を用いてもよい。
二色性分子として高次のヨウ素イオンを用いる場合、高コントラストな偏光板を得るためには、染色工程はヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液を用いることが好ましい。この場合のヨウ素−ヨウ化カリウム水溶液のヨウ素は０．０５〜２０ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは３〜２００ｇ／ｌ、ヨウ素とヨウ化カリウムの質量比は１〜２０００が好ましい範囲である。染色時間は１０〜１２００秒が好ましく、液温度は１０〜６０℃が好ましい。さらに好ましくは、ヨウ素は０．５〜２ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは３０〜１２０ｇ／ｌ、ヨウ素とヨウ化カリウムの質量比は３０〜１２０がよく、染色時間は３０〜６００秒、液温度は２０〜５０℃がよい。
また、特許第３１４５７４７号に記載されているように、染色液にホウ酸、ホウ砂等のホウ素系化合物を添加しても良い。
また、特許第３１４５７４７号に記載されているように、染色液にホウ酸、ホウ砂等のホウ素系化合物を添加しても良い。
硬膜工程は、架橋剤溶液に浸漬、または溶液を塗布して架橋剤を含ませるのが好ましい。また、特開平１１−５２１３０に記載されているように、硬膜工程を数回に分けて行うこともできる。
架橋剤としては米国再発行特許第２３２８９７号に記載のものが使用でき、特許第３３５７１０９号に記載されているように、寸法安定性を向上させるため、架橋剤として多価アルデヒドを使用することもできるが、ホウ酸類が最も好ましく用いられる。硬膜工程に用いる架橋剤としてホウ酸を用いる場合には、ホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液に金属イオンを添加しても良い。金属イオンとしては塩化亜鉛が好ましいが、特開２０００−３５５１２に記載されているように、塩化亜鉛の変わりに、ヨウ化亜鉛などのハロゲン化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛などの亜鉛塩を用いることもできる。
本発明では、塩化亜鉛を添加したホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液を作製し、ＰＶＡフィルムを浸漬させて硬膜を行うことが好ましく行われる。ホウ酸は１〜１００ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは１〜１２０ｇ／ｌ、塩化亜鉛は０．０１〜１０ｇ／ｌ、硬膜時間は１０〜１２００秒が好ましく、液温度は１０〜６０℃が好ましい。さらに好ましくは、ホウ酸は１０〜８０ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは５〜１００ｇ／ｌ、塩化亜鉛は０．０２〜８ｇ／ｌ、硬膜時間は３０〜６００秒がよく、液温度は２０〜５０℃がよい。
延伸工程は、米国特許２、４５４、５１５などに記載されているような、縦一軸延伸方式、もしくは特開２００２−８６５５４に記載されているようなテンター方式を好ましく用いることができる。好ましい延伸倍率は２倍以上１２倍以下であり、さらに好ましくは３倍以上１０倍以下である。また、延伸倍率と原反厚さと偏光子厚さの関係は特開２００２−０４０２５６号に記載されている（保護フィルム貼合後の偏光子膜厚／原反膜厚）×（全延伸倍率）＞０．１７としたり、最終浴を出た時の偏光子の幅と保護フィルム貼合時の偏光子幅の関係は特開２００２−０４０２４７号に記載されている０．８０≦（保護フィルム貼合時の偏光子幅／最終浴を出た時の偏光子の幅）≦０．９５とすることも好ましく行うことができる。
乾燥工程は、特開２００２−８６５５４で公知の方法を使用できるが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特許第３１４８５１３号に記載されているように、水中退色温度を５０℃以上とするような熱処理を行ったり、特開平０７−３２５２１５号や特開平０７−３２５２１８号に記載されているように温湿度管理した雰囲気でエージングすることも好ましく行うことができる。
保護フィルム貼り合わせ工程は、乾燥工程を出た前述の偏光子の両面を２枚の保護フィルムで貼合する工程である。貼合直前に接着液を供給し、偏光子と保護フィルムを重ね合わせるように、一対のロールで貼り合わせる方法が好ましく使用される。また、特開２００１−２９６４２６及び特開２００２−８６５５４に記載されているように、偏光子の延伸に起因するレコードの溝状の凹凸を抑制するため、貼り合わせ時の偏光子の水分率を調整することが好ましい。本発明では０．１％〜３０％の水分率が好ましく用いられる。
偏光子と保護フィルムとの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１〜５μｍが好ましく、０．０５〜３μｍが特に好ましい。
また、偏光子と保護フィルムの接着力を向上させるために、保護フィルムを表面処理して親水化してから接着することが好ましく行われる。表面処理の方法は特に制限は無いが、アルカリ溶液を用いてケン化する方法、コロナ処理法など公知の方法を用いることができる。また、表面処理後にゼラチン下塗り層等の易接着層を設けても良い。特開２００２−２６７８３９号に記載されているように保護フィルム表面の水との接触角は５０°以下が好ましい。
貼り合わせ後乾燥条件は、特開２００２−８６５５４に記載の方法に従うが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特開平０７−３２５２２０号に記載されているように温湿度管理をした雰囲気でエージングすることも好ましい。
貼り合わせ後乾燥条件は、特開２００２−８６５５４に記載の方法に従うが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特開平０７−３２５２２０号に記載されているように温湿度管理をした雰囲気でエージングすることも好ましい。
偏光子中の元素含有量は、ヨウ素０．１〜３．０ｇ／ｍ2、ホウ素０．１〜５．０ｇ／ｍ2、カリウム０．１〜２．００ｇ／ｍ2、亜鉛０〜２．００ｇ／ｍ2であることが好ましい。また、カリウム含有量は特開２００１−１６６１４３号に記載されているように０．２質量％以下であってもよいし、偏光子中の亜鉛含有量を特開２０００−０３５５１２号に記載されている０．０４質量％〜０．５質量％としてもよい。
特許第３３２３２５５号に記載されているように、偏光板の寸法安定性をあげるために、染色工程、延伸工程および硬膜工程のいずれかの工程において有機チタン化合物および／または有機ジルコニウム化合物を添加使用し、有機チタン化合物および有機ジルコニウム化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物を含有することもできる。また、偏光板の色相を調整するために二色性染料を添加しても良い。
（偏光板の特性）
（１）透過率および偏光度
本発明の偏光板の好ましい単板透過率は４２．５％以上４９．５％以下であるが、さらに好ましくは４２．８％以上４９．０％以下である。透過率は式３で定義される。式４で定義される偏光度の好ましい範囲は９９．９００％以上９９．９９９％以下であり、さらに好ましくは９９．９４０％以上９９．９９５％以下である。平行透過率の好ましい範囲は３６％以上４２％以下であり、直交透過率の好ましい範囲は、０．００１％以上０．０５％以下である。式５で定義される二色性比の好ましい範囲は４８以上、１２１５以下であるが、さらに好ましくは５３以上５２５以下である。
上述の透過率はＪＩＳＺ８７０１に基づいて定義される。
（１）透過率および偏光度
本発明の偏光板の好ましい単板透過率は４２．５％以上４９．５％以下であるが、さらに好ましくは４２．８％以上４９．０％以下である。透過率は式３で定義される。式４で定義される偏光度の好ましい範囲は９９．９００％以上９９．９９９％以下であり、さらに好ましくは９９．９４０％以上９９．９９５％以下である。平行透過率の好ましい範囲は３６％以上４２％以下であり、直交透過率の好ましい範囲は、０．００１％以上０．０５％以下である。式５で定義される二色性比の好ましい範囲は４８以上、１２１５以下であるが、さらに好ましくは５３以上５２５以下である。
上述の透過率はＪＩＳＺ８７０１に基づいて定義される。
ｙ（λ）：ＸＹＺ系における等色関数
τ（λ）：分光透過率
偏光度は下記式４で定義される。
ヨウ素濃度と単板透過率は特開２００２−２５８０５１号に記載されている範囲であってもよい。
平行透過率は、特開２００１−０８３３２８号や特開２００２−０２２９５０号に記載されているように波長依存性が小さくてもよい。偏光板をクロスニコルに配置した場合の光学特性は、特開２００１−０９１７３６号に記載されている範囲であってもよく、平行透過率と直交透過率の関係は、特開２００２−１７４７２８号に記載されている範囲内であってもよい。
平行透過率は、特開２００１−０８３３２８号や特開２００２−０２２９５０号に記載されているように波長依存性が小さくてもよい。偏光板をクロスニコルに配置した場合の光学特性は、特開２００１−０９１７３６号に記載されている範囲であってもよく、平行透過率と直交透過率の関係は、特開２００２−１７４７２８号に記載されている範囲内であってもよい。
特開２００２−２２１６１８号に記載されているように、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での１０ｎｍ毎の平行透過率の標準偏差が３以下で、且つ、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での１０ｎｍ毎の（平行透過率／直交透過率）の最小値が３００以上であってもよい。
偏光板の波長４４０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、平行透過率、波長５５０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、波長６１０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率が、特開２００２−２５８０４２号や特開２００２−２５８０４３号に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
（２）色相
本発明の偏光板の色相は、ＣＩＥ均等知覚空間として推奨されているＬ*ａ*ｂ*表色系における明度指数Ｌ*およびクロマティクネス指数ａ*とｂ*を用いて好ましく評価される。
Ｌ*、ａ*、ｂ*については、例えば東京電気大学出版局刊、色彩工学等に記載されている。
Ｌ*、ａ*、ｂ*は、上述のＸ、Ｙ、Ｚを用い使って式６で定義される。
本発明の偏光板の色相は、ＣＩＥ均等知覚空間として推奨されているＬ*ａ*ｂ*表色系における明度指数Ｌ*およびクロマティクネス指数ａ*とｂ*を用いて好ましく評価される。
Ｌ*、ａ*、ｂ*については、例えば東京電気大学出版局刊、色彩工学等に記載されている。
Ｌ*、ａ*、ｂ*は、上述のＸ、Ｙ、Ｚを用い使って式６で定義される。
ここでＸ0、Ｙ0、Ｚ0は照明光源の三刺激値を表し、標準光Ｃの場合、Ｘ0＝９８．０７２、Ｙ0＝１００、Ｚ0＝１１８．２２５であり、標準光Ｄ65の場合、Ｘ0＝９５．０４５、Ｙ0＝１００、Ｚ0＝１０８．８９２である。
偏光板単枚の好ましいａ*の範囲は−２．５以上０．２以下であり、さらに好ましくは−２．０以上０以下である。偏光板単枚の好ましいｂ*の範囲は１．５以上５以下であり、さらに好ましくは２以上４．５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のａ*の好ましい範囲は−４．０以上０以下であり、さらに好ましくは−３．５以上−０．５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のｂ*の好ましい範囲は２．０以上８以下であり、さらに好ましくは２．５以上７以下である。２枚の偏光板の直交透過光のａ*の好ましい範囲は−０．５以上１．０以下であり、さらに好ましくは０以上２以下である。２枚の偏光板の直交透過光のｂ*の好ましい範囲は−２．０以上２以下であり、さらに好ましくは−１．５以上０．５以下である。
色相は、前述のＸ、Ｙ、Ｚから算出される色度座標（ｘ，ｙ）で評価しても良く、例えば、２枚の偏光板の平行透過光の色度（ｘp、ｙp）と直交透過光の色度（ｘc、ｙc）は、特開２００２−２１４４３６号、特開２００１−１６６１３６号や特開２００２−１６９０２４に記載されている範囲にしたり、色相と吸光度の関係を特開２００１−３１１８２７号に記載されている範囲内にすることも好ましく行うことができる。
（３）視野角特性
偏光板をクロスニコルに配置して波長５５０ｎｍの光を入射させる場合の、垂直光を入射させた場合と、偏光軸に対して４５度の方位から法線に対し４０度の角度で入射させた場合の、透過率比やｘｙ色度差を特開２００１−１６６１３５号や特開２００１−１６６１３７号に記載された範囲とすることも好ましい。また、特開平１０−０６８８１７号に記載されているように、クロスニコル配置した偏光板積層体の垂直方向の光透過率（Ｔ0）と、積層体の法線から６０°傾斜方向の光透過率（Ｔ60）との比（Ｔ60／Ｔ0）を１００００以下としたり、特開２００２−１３９６２５号に記載されているように、偏光板に法線から仰角８０度までの任意な角度で自然光を入射させた場合に、その透過スペクトルの５２０〜６４０ｎｍの波長範囲において波長域２０ｎｍ以内における透過光の透過率差を６％以下としたり、特開平０８−２４８２０１号に記載されている、フィルム上の任意の１ｃｍ離れた場所における透過光の輝度差が３０％以内とすることも好ましい。
偏光板をクロスニコルに配置して波長５５０ｎｍの光を入射させる場合の、垂直光を入射させた場合と、偏光軸に対して４５度の方位から法線に対し４０度の角度で入射させた場合の、透過率比やｘｙ色度差を特開２００１−１６６１３５号や特開２００１−１６６１３７号に記載された範囲とすることも好ましい。また、特開平１０−０６８８１７号に記載されているように、クロスニコル配置した偏光板積層体の垂直方向の光透過率（Ｔ0）と、積層体の法線から６０°傾斜方向の光透過率（Ｔ60）との比（Ｔ60／Ｔ0）を１００００以下としたり、特開２００２−１３９６２５号に記載されているように、偏光板に法線から仰角８０度までの任意な角度で自然光を入射させた場合に、その透過スペクトルの５２０〜６４０ｎｍの波長範囲において波長域２０ｎｍ以内における透過光の透過率差を６％以下としたり、特開平０８−２４８２０１号に記載されている、フィルム上の任意の１ｃｍ離れた場所における透過光の輝度差が３０％以内とすることも好ましい。
（４）耐久性
（４−１）湿熱耐久性
特開２００１−１１６９２２号に記載されているように６０℃、９０％ＲＨの雰囲気に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率が絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。また、特開平０７−０７７６０８号に記載されているように８０℃、９０％ＲＨ、５００時間放置後の偏光度が９５％以上、単体透過率が３８％以上であることも好ましい。
（４−１）湿熱耐久性
特開２００１−１１６９２２号に記載されているように６０℃、９０％ＲＨの雰囲気に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率が絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。また、特開平０７−０７７６０８号に記載されているように８０℃、９０％ＲＨ、５００時間放置後の偏光度が９５％以上、単体透過率が３８％以上であることも好ましい。
（４−２）ドライ耐久性
８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率も絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に、光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。
８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率も絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に、光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。
（４−３）その他の耐久性
さらに、特開平０６−１６７６１１号に記載されているように８０℃で２時間放置した後の収縮率が０．５％以下としたり、ガラス板の両面にクロスニコル配置した偏光板積層体を６９℃の雰囲気中で７５０時間放置した後のｘ値及びｙ値が特開平１０−０６８８１８号に記載されている範囲内としたり、８０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で２００時間放置処理後のラマン分光法による１０５ｃｍ-1及び１５７ｃｍ-1のスペクトル強度比の変化を、特開平０８−０９４８３４号や特開平０９−１９７１２７号に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
さらに、特開平０６−１６７６１１号に記載されているように８０℃で２時間放置した後の収縮率が０．５％以下としたり、ガラス板の両面にクロスニコル配置した偏光板積層体を６９℃の雰囲気中で７５０時間放置した後のｘ値及びｙ値が特開平１０−０６８８１８号に記載されている範囲内としたり、８０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で２００時間放置処理後のラマン分光法による１０５ｃｍ-1及び１５７ｃｍ-1のスペクトル強度比の変化を、特開平０８−０９４８３４号や特開平０９−１９７１２７号に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
（５）配向度
ＰＶＡの配向度は高い程良好な偏光性能が得られるが、偏光ラマン散乱や偏光ＦＴ−ＩＲ等の手段によって算出されるオーダーパラメーター値として０．２〜１．０が好ましい範囲である。また、特開昭５９−１３３５０９号に記載されているように、偏光子の全非晶領域の高分子セグメントの配向係数と占領分子の配向係数（０．７５以上）との差を少なくとも０．１５としたり、特開平０４−２０４９０７号に記載されているように偏光子の非晶領域の配向係数が０．６５〜０．８５としたり、Ｉ3 -やＩ5 -の高次ヨウ素イオンの配向度を、オーダーパラメーター値として０．８〜１．０とすることも好ましく行うことができる。
ＰＶＡの配向度は高い程良好な偏光性能が得られるが、偏光ラマン散乱や偏光ＦＴ−ＩＲ等の手段によって算出されるオーダーパラメーター値として０．２〜１．０が好ましい範囲である。また、特開昭５９−１３３５０９号に記載されているように、偏光子の全非晶領域の高分子セグメントの配向係数と占領分子の配向係数（０．７５以上）との差を少なくとも０．１５としたり、特開平０４−２０４９０７号に記載されているように偏光子の非晶領域の配向係数が０．６５〜０．８５としたり、Ｉ3 -やＩ5 -の高次ヨウ素イオンの配向度を、オーダーパラメーター値として０．８〜１．０とすることも好ましく行うことができる。
（６）その他の特性
特開２００２−００６１３３号に記載されているように、８０℃３０分加熱したときの単位幅あたりの吸収軸方向の収縮力が４．０Ｎ／ｃｍ以下としたり、特開２００２−２３６２１３号に記載されているように、偏光板を７０℃の加熱条件下に１２０時間置いた場合に、偏光板の吸収軸方向の寸法変化率及び偏光軸方向の寸法変化率を、共に±０．６％以内としたり、偏光板の水分率を特開２００２−０９０５４６号に記載されているように３質量％以下とすることも好ましく行うことができる。さらに、特開２０００−２４９８３２号に記載されているように延伸軸に垂直な方向の表面粗さが中心線平均粗さに基づいて０．０４μｍ以下としたり、特開平１０−２６８２９４号に記載されているように透過軸方向の屈折率ｎ0を１．６より大きくしたり、偏光板の厚みと保護フィルムの厚みの関係を特開平１０−１１１４１１号に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
特開２００２−００６１３３号に記載されているように、８０℃３０分加熱したときの単位幅あたりの吸収軸方向の収縮力が４．０Ｎ／ｃｍ以下としたり、特開２００２−２３６２１３号に記載されているように、偏光板を７０℃の加熱条件下に１２０時間置いた場合に、偏光板の吸収軸方向の寸法変化率及び偏光軸方向の寸法変化率を、共に±０．６％以内としたり、偏光板の水分率を特開２００２−０９０５４６号に記載されているように３質量％以下とすることも好ましく行うことができる。さらに、特開２０００−２４９８３２号に記載されているように延伸軸に垂直な方向の表面粗さが中心線平均粗さに基づいて０．０４μｍ以下としたり、特開平１０−２６８２９４号に記載されているように透過軸方向の屈折率ｎ0を１．６より大きくしたり、偏光板の厚みと保護フィルムの厚みの関係を特開平１０−１１１４１１号に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
（偏光板の機能化）
本発明の偏光板は、ＬＣＤの視野角拡大フィルム、反射型ＬＣＤに適用するためのλ／４板等の位相差フィルム、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有する光学フィルムと複合した機能化偏光板として好ましく使用される。
本発明の偏光板は、ＬＣＤの視野角拡大フィルム、反射型ＬＣＤに適用するためのλ／４板等の位相差フィルム、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有する光学フィルムと複合した機能化偏光板として好ましく使用される。
本発明の偏光板と上述の機能性光学フィルムを複合した構成の一実施態様を図１に示した。偏光板５の片側の保護フィルムとして機能性光学フィルム３を偏光子２に粘着層を介して接着しても良いし（図１（Ａ））、偏光子２の両面に保護フィルム１ａ、１ｂを設けた偏光板５に粘着層４を介して機能性光学フィルム３を接着しても良い（図１（Ｂ））。前者の場合、もう一方の保護フィルム１には任意の透明保護フィルムを使用してもよい。また、本発明の偏光板においては、保護フィルムに光学機能層を粘着層を介して貼り合わせ、機能性光学フィルム３として、図１（Ａ）の構成とすることも好ましい。機能層や保護フィルム等の各層間の剥離強度は特開２００２−３１１２３８号に記載されている４．０Ｎ／２５ｍｍ以上とすることも好ましい。機能性光学フィルムは、目的とする機能に応じて液晶モジュール側に配置したり、液晶モジュールとは反対側、すなわち表示側もしくはバックライト側に配置することが好ましい。
以下に本発明の偏光板と複合して使用される機能性光学フィルムについて説明する。
（１）光学補償フィルム
本発明の偏光板は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに提案されている光学補償フィルムと組み合わせて使用することができる。
（１）光学補償フィルム
本発明の偏光板は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに提案されている光学補償フィルムと組み合わせて使用することができる。
本発明の偏光板と複合して使用される光学補償フィルムは大きく２つに分けられる。
第１にセル側の保護フィルムに粘着剤等を介して位相差フィルムを貼り合せたものであり、第２はセル側の保護フィルム上に光学異方性層を設けるものである。
さらに、第１のタイプと第２のタイプをさらに積層したものを好ましく用いることができる。
第１にセル側の保護フィルムに粘着剤等を介して位相差フィルムを貼り合せたものであり、第２はセル側の保護フィルム上に光学異方性層を設けるものである。
さらに、第１のタイプと第２のタイプをさらに積層したものを好ましく用いることができる。
まず、セル側の保護フィルムに粘着剤等を介して位相差フィルムを貼り合せたタイプの光学補償フィルムについて説明する。
位相差フィルムとしては、ポリマーフィルムを延伸したものを用いることができる。ポリマーフィルムとしては、ポリカーボネート、ポリイミド、さらにノルボルネン系樹脂（ＪＳＲ社製アートン、日本ゼオン社製ゼオノア等）を好ましく用いることができる。
延伸は目標のレターデーションに応じて１軸延伸、２軸延伸のどちらも用いることができる。
位相差フィルムとしては、ポリマーフィルムを延伸したものを用いることができる。ポリマーフィルムとしては、ポリカーボネート、ポリイミド、さらにノルボルネン系樹脂（ＪＳＲ社製アートン、日本ゼオン社製ゼオノア等）を好ましく用いることができる。
延伸は目標のレターデーションに応じて１軸延伸、２軸延伸のどちらも用いることができる。
本発明の位相差フィルムのレターデーションは下記式（Ｈ）を満たすことが好ましい。
（Ｈ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞位相差フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比
さらに好ましくは
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞位相差フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＋１０
である。
（Ｈ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞位相差フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比
さらに好ましくは
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞位相差フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＋１０
である。
また、本発明の位相差フィルムの透湿度はセル側の保護フィルムの透湿度に対して下記式（Ｊ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｊ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞位相差フィルムの単位厚みあたりの透湿度
さらに好ましくは、
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞位相差フィルムの単位厚みあたりの透湿度＋０．５
である。なお、単位厚みあたりの透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法により２５℃９０％２４ｈｒの温湿度条件で測定した透湿度（ｇ／ｍ2）をフィルムの厚み（μｍ）で序したものである。
レターデーションと透湿度を上記関係に調節することにより、温度湿度による視野角補償効果の変化の小さい光学補償フィルムを得られる。
（Ｊ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞位相差フィルムの単位厚みあたりの透湿度
さらに好ましくは、
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞位相差フィルムの単位厚みあたりの透湿度＋０．５
である。なお、単位厚みあたりの透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法により２５℃９０％２４ｈｒの温湿度条件で測定した透湿度（ｇ／ｍ2）をフィルムの厚み（μｍ）で序したものである。
レターデーションと透湿度を上記関係に調節することにより、温度湿度による視野角補償効果の変化の小さい光学補償フィルムを得られる。
次にセル側の保護フィルム上に光学異方性層を設けるタイプについて説明する。
光学異方性層は液晶セル側の偏光板保護フィルムとしてのセルロースアシレートフィルム、その上に設けられた配向層、および該配向層上に形成された液晶性化合物からなる光学異方性層から構成され、かつ光学異方性層がＵＶ光照射により架橋されている。
光学異方性層は液晶セル側の偏光板保護フィルムとしてのセルロースアシレートフィルム、その上に設けられた配向層、および該配向層上に形成された液晶性化合物からなる光学異方性層から構成され、かつ光学異方性層がＵＶ光照射により架橋されている。
配向層は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログループを有する層の形成のような手段で設けることができる。さらに電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により配向機能が生じる配向層も知られているが、ポリマーのラビング処理により形成する配向層が特に好ましい。ラビング処理はポリマー層の表面を紙や布で一定方向に数回こすることにより好ましく実施される。偏光子の吸収軸方向とラビング方向は実質的に平行であることが好ましい。配向層に使用するポリマーの種類は、ポリイミド、ポリビニルアルコール、特開平９−１５２５０９号公報に記載された重合性基を有するポリマー等を好ましく使用することができる。配向層の厚さは０．０１〜５μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがさらに好ましい。
光学異方性層は液晶性化合物を含有していることが好ましい。本発明に使用される液晶性化合物はディスコティック化合物（ディスコティック液晶）及び棒状化合物のどちらも好ましく用いることができる。ディスコティック液晶分子は、Ｄ−１のトリフェニレン誘導体のように円盤状のコア部を有し、そこから放射状に側鎖が伸びた構造を有している。また、経時安定性を付与するため、熱、光等で反応する基をさらに導入することも好ましく行われる。上記ディスコティック液晶の好ましい例は特開平８−５０２０６号公報に記載されている。
ディスコティック液晶分子は、配向層付近ではラビング方向にプレチルト角を持ってほぼフィルム平面に平行に配向しており、反対の空気面側ではディスコティック液晶分子が面に垂直に近い形で立って配向している。ディスコティック液晶層全体としては、ハイブリッド配向を取っており、この層構造によってＴＮモードのＴＦＴ−ＬＣＤの視野角拡大を実現することができる。
棒状液晶性分子は、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましい。低分子の液晶性分子だけではなく、高分子液晶性分子も用いることができる。
棒状液晶性分子は、重合性基を有することが好ましく、棒状分子構造の両端に、二つの重合性基を有することがさらに好ましい。好ましい重合性棒状液晶性分子を、下記式（ＶＩＩ）で示す。
（ＶＩＩ） Ｑ１−Ｌ１−Ｃｙ１−Ｌ２−（Ｃｙ２−Ｌ３）n−Ｃｙ３−Ｌ４−Ｑ２
式中、Ｑ１およびＱ２は、それぞれ独立に、重合性基であり；Ｌ１およびＬ４は、それぞれ独立に、二価の連結基であり；Ｌ２およびＬ３は、それぞれ独立に、単結合または二価の連結基であり；Ｃｙ１、Ｃｙ２およびＣｙ３は、それぞれ独立に、二価の環状基であり；そして、ｎは、０、１または２である。
Ｑ１およびＱ２の重合性基は、付加重合反応、開環重合反応または縮重合反応が可能な官能基であることが好ましい。以下に、重合性基の例を示す。
（ＶＩＩ） Ｑ１−Ｌ１−Ｃｙ１−Ｌ２−（Ｃｙ２−Ｌ３）n−Ｃｙ３−Ｌ４−Ｑ２
式中、Ｑ１およびＱ２は、それぞれ独立に、重合性基であり；Ｌ１およびＬ４は、それぞれ独立に、二価の連結基であり；Ｌ２およびＬ３は、それぞれ独立に、単結合または二価の連結基であり；Ｃｙ１、Ｃｙ２およびＣｙ３は、それぞれ独立に、二価の環状基であり；そして、ｎは、０、１または２である。
Ｑ１およびＱ２の重合性基は、付加重合反応、開環重合反応または縮重合反応が可能な官能基であることが好ましい。以下に、重合性基の例を示す。
重合性基は、付加重合反応が可能な官能基（例、Ｑ−１〜Ｑ−７）または開環重合反応が可能な官能基（例、Ｑ−８、Ｑ−９）がより好ましく、付加重合反応が可能な官能基がさらに好ましく、エチレン性不飽和重合性基（例、Ｑ−１〜Ｑ−６）が最も好ましい。
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４における二価の連結基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−（Ｒは、水素原子または炭素原子数が１乃至７のアルキル基）、二価の鎖状基およびそれらの組み合わせから選ばれることが好ましい。以下に、組み合わせからなる二価の連結基の例を示す。以下の例における左右は、逆になってもよい。
Ｌ−１：−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２：−ＣＯ−ＮＨ−
Ｌ−３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４：−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−５：−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−６：−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−７：−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−８：−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−９：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−１０：−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−１１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１２：−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１４：−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−１５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１６：−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２１：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２：−ＣＯ−ＮＨ−
Ｌ−３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４：−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−５：−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−６：−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−７：−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−８：−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−９：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−１０：−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−１１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１２：−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１４：−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−１５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１６：−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−１８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−１９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２１：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２４：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−２５：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−２６：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−２７：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２８：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２５：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−２６：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−２７：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２８：−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２９：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−３０：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−３１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３２：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３４：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−３５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３６：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３０：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−３１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３２：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３４：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−３５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３６：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−３８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４１：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４４：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−４５：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−４６：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−４７：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４８：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４５：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−４６：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−４７：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４８：−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４９：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−
Ｌ−５０：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−５１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５２：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５４：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−５５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５６：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５０：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−５１：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５２：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５３：−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５４：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−
Ｌ−５５：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５６：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５７：−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５８：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６１：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−５９：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６０：−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６１：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６２：−Ｏ−ＣＯ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６３：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−二価の鎖状基−Ｓ−二価の鎖状基−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
二価の鎖状基は、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基および置換アルキニレン基からなる群より選ばれる。アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基および置換アルケニレン基が好ましく、アルキレン基またはアルケニレン基がさらに好ましい。
アルキレン基は、分岐を有していてもよい。アルキレン基の炭素原子数は、１乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
アルキレン基は、分岐を有していてもよい。アルキレン基の炭素原子数は、１乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
置換アルキレン基のアルキレン部分は、上記アルキレン基と同様である。置換アルキレン基の置換基の例には、ハロゲン原子が含まれる。
アルケニレン基は、分岐を有していてもよい。アルケニレン基の炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
アルケニレン基は、分岐を有していてもよい。アルケニレン基の炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
置換アルケニレン基のアルケニレン部分は、上記アルケニレン基と同様である。置換アルケニレン基の置換基の例には、ハロゲン原子が含まれる。
アルキニレン基は、分岐を有していてもよい。アルキニレン基の炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
アルキニレン基は、分岐を有していてもよい。アルキニレン基の炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、２乃至１０であることがさらに好ましく、２乃至８であることが最も好ましい。
置換アルキニレン基のアルキニレン部分は、上記アルキニレン基と同様である。置換アルキニレン基の置換基の例には、ハロゲン原子が含まれる。
二価の鎖状基の例には、エチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレン、１−メチルテトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、１−メチルトリメチレンおよび２−メチルトリメチレンが含まれる。
二価の鎖状基の例には、エチレン、トリメチレン、プロピレン、テトラメチレン、１−メチルテトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、１−メチルトリメチレンおよび２−メチルトリメチレンが含まれる。
Ｃｙ１、Ｃｙ２およびＣｙ３における二価の環状基が有する環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。
環状基が有する環は、縮合環であってもよい。ただし、縮合環よりも単環の方が好ましい。
環状基が有する環は、縮合環であってもよい。ただし、縮合環よりも単環の方が好ましい。
環状基が有する環は、芳香族環、脂肪族環または複素環である。芳香族環の例には、ベンゼン環およびナフタレン環が含まれる。脂肪族環の例には、シクロヘキサン環が含まれる。複素環の例には、１，３−ジオキサン環、１，３，２−ジオキサボラン環、２，４，７−トリオキサビシクロ〔２．２．２〕オクタン環、ピリジン環およびピリミジン環が含まれる。
ベンゼン環を有する環状基は、１，４−フェニレンが好ましい。ナフタレン環を有する環状基は、１，５−ナフチレンおよび２，６−ナフチレンが好ましい。シクロヘキサン環を有する環状基は、１，４−シクロへキシレンが好ましい。１，３−ジオキサン環を有する環状基は、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルが好ましい。１，３，２−ジオキサボラン環を有する環状基は、１，３，２−ジオキサボラン−２，５−ジイルが好ましい。２，４，７−トリオキサビシクロ〔２．２．２〕オクタン環を有する環状基は、２，４，７−トリオキサビシクロ〔２．２．２〕オクタン−１，４−ジイルが好ましい。ピリジン環を有する環状基は、２，５−ピリジンジイルが好ましい。ピリミジン環を有する環状基は、２，５−ピリミジンジイルが好ましい。
環状基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、炭素原子数が１乃至５のアルキル基、炭素原子数が１乃至５のハロゲン置換アルキル基、炭素原子数が１乃至５のアルコキシ基、炭素原子数が１乃至５のアルキルチオ基、炭素原子数が１乃至５のアシル基、炭素原子数が２乃至６のアシルオキシ基、炭素原子数が２乃至６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル、炭素原子数が２乃至６のアルキル置換カルバモイル基および炭素原子数が２乃至６のアミド基が含まれる。
式（ＶＩＩ）におけるｎが２の場合、二つのＬ３は異なってもよく、二つのＣｙ２も異なってもよい。ｎは、１または２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。
以下に、式（ＶＩＩ）で表される重合性棒状液晶性分子の例を示す。
以下に、式（ＶＩＩ）で表される重合性棒状液晶性分子の例を示す。
上記光学異方性層は、一般に液晶性化合物及び他の化合物（更に、例えば重合性モノマー、光重合開始剤）を溶剤に溶解した溶液を配向層上に塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック相形成温度まで加熱した後、ＵＶ光の照射等により重合させ、さらに冷却することにより得られる。本発明に用いる液晶性化合物のネマティック液晶相−固相転移温度としては、７０〜３００℃が好ましく、特に７０〜１７０℃が好ましい。
また、上記光学異方性層に添加する液晶性化合物以外の化合物としては、液晶性化合物と相溶性を有し、液晶性化合物に好ましい傾斜角の変化を与えられるか、あるいは配向を阻害しない限り、どのような化合物も使用することができる。これらの中で、重合性モノマー（例、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基及びメタクリロイル基を有する化合物）、含フッ素トリアジン化合物等の空気界面側の配向制御用添加剤が、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロース及びセルロースアセテートブチレート等のポリマーを挙げることができる。これらの化合物は、ディスコティック化合物に対して一般に０．１〜５０質量％、好ましくは０．１〜３０質量％の添加量にて使用される。
光学異方性層の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい
光学異方性層の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましい
本発明の光学異方性層のレターデーションと液晶セル側の保護フィルムのレターデーションは下記式（Ｉ）を満たすことが好ましい。
（Ｉ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞光学異方性層のＲｅ／Ｒｔｈ比
さらに好ましくは
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞光学異方性層のＲｅ／Ｒｔｈ比＋１０
である。
（Ｉ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞光学異方性層のＲｅ／Ｒｔｈ比
さらに好ましくは
液晶セル側の保護フィルムのＲｅ／Ｒｔｈ比＞光学異方性層のＲｅ／Ｒｔｈ比＋１０
である。
また、本発明の光学異方性層の透湿度はセル側の保護フィルムの透湿度に対して下記式（Ｋ）の関係を満たすことが好ましい。
（Ｋ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞光学異方性層の単位厚みあたりの透湿度
さらに好ましくは、
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞光学異方性層の単位厚みあたりの透湿度＋０．５
である。なお、単位厚みあたりの透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法により２５℃９０％２４ｈｒの温湿度条件で測定した透湿度（ｇ／ｍ2）をフィルムの厚み（μｍ）で序したものである。
レターデーションと透湿度を上記関係に調節することにより、温度湿度による視野角補償効果の変化の小さい光学補償フィルムを得られる。
（Ｋ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞光学異方性層の単位厚みあたりの透湿度
さらに好ましくは、
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透湿度＞光学異方性層の単位厚みあたりの透湿度＋０．５
である。なお、単位厚みあたりの透湿度はＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法により２５℃９０％２４ｈｒの温湿度条件で測定した透湿度（ｇ／ｍ2）をフィルムの厚み（μｍ）で序したものである。
レターデーションと透湿度を上記関係に調節することにより、温度湿度による視野角補償効果の変化の小さい光学補償フィルムを得られる。
また、上記以外にも光学補償フィルムと本発明の偏光板を組み合わせる場合、例えば、特開平０７−１９８９４２号に記載されているように板面に対し交差する方向に光軸を有して複屈折に異方性を示す位相差板と積層したり、特開２００２−２５８０５２号に記載されているように保護フィルムと光学異方性層の寸法変化率が実質的に同等とすることも好ましく行うことができる。また、特開平１２−２５８６３２号に記載されているように光学補償フィルムと貼合される偏光板の水分率を２．４％以下としたり、特開２００２−２６７８３９号に記載されているように光学補償フィルム表面の水との接触角を７０°以下とすることも好ましく行うことができる。
ＴＮモード用の光学補償フィルムとしては、日本印刷学会誌第３６巻第３号（１９９９）ｐ．４０〜４４、月刊ディスプレイ８月号（２００２）ｐ．２０〜２４、特開平４−２２９８２８、特開平６−７５１１５、特開平６−２１４１１６号、特開平８−５０２０６等に記載されたＷＶフィルム（富士写真フイルム（株）製）を好ましく組み合わせて使用される。
ＩＰＳモード液晶セル用光学補償フィルムは、電界無印状態の黒表示時において、基板面に平行配向した液晶分子の光学補償および偏光板の直交透過率の視野角特性向上に用いる。ＩＰＳモードは電界無印加状態で黒表示となり、上下一対の偏光板の透過軸は直交している。しかし斜めから観察した場合は、透過軸の交差角が９０°ではなくなり、漏れ光が生じてコントラストが低下する。この漏れ光を低減させるためには、本発明のセルロースアシレートフィルムを液晶セル側の保護フィルムとし、さらにこの上にＲｅが２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下でＲｔｈが負の位相差フィルムあるいは光学異方性層を設けることが好ましい。
ＯＣＢモードの液晶セル用光学補償フィルムは、電界印加により液晶層中央部で垂直配向し、基板界面付近で傾斜配向した液晶層の光学補償を行い、黒表示の視野角特性を改善するために使用される。、本発明のセルロースアシレートフィルムを液晶セル側保護フィルムとし、この上に米国特許５８０５２５３号に記載されたような円盤状の液晶性化合物をハイブリット配向させた光学異方性層を設けた光学補償フィルムは、ＯＣＢモード液晶セル用に好ましい。
ＶＡモードの液晶セル用光学補償フィルムは、電界無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直配向した状態の黒表示の視野角特性を改善する。本発明のセルロースアシレートフィルムを液晶セル側保護フィルムとし、この上に、ノルボルネン系樹脂フィルムやポリカーボネート樹脂を延伸することにより位相差を付与したものを貼りあわせることにより、ＶＡ用光学補償フィルムとして好ましく用いることができる。
（２）反射防止フィルム
本発明の偏光板は反射防止フィルムと組み合わせて使用することができる。反射防止フィルムは、フッ素系ポリマー等の低屈折率素材を単層付与しただけの反射率１．５％程度のフィルム、もしくは薄膜の多層干渉を利用した反射率１％以下のフィルムのいずれも使用できる。本発明では、透明支持体上に低屈折率層、及び低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）を積層した構成が好ましく使用される。また、日東技報， ｖｏｌ．３８， Ｎｏ．１， ｍａｙ， ２０００， ２６頁〜２８頁や特開２００２−３０１７８３号などに記載された反射防止フィルムも好ましく使用できる。
各層の屈折率は以下の関係を満足する。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
反射防止フィルムに用いる透明支持体は、前述の偏光子の保護フィルムに使用する透明ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。
本発明の偏光板は反射防止フィルムと組み合わせて使用することができる。反射防止フィルムは、フッ素系ポリマー等の低屈折率素材を単層付与しただけの反射率１．５％程度のフィルム、もしくは薄膜の多層干渉を利用した反射率１％以下のフィルムのいずれも使用できる。本発明では、透明支持体上に低屈折率層、及び低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）を積層した構成が好ましく使用される。また、日東技報， ｖｏｌ．３８， Ｎｏ．１， ｍａｙ， ２０００， ２６頁〜２８頁や特開２００２−３０１７８３号などに記載された反射防止フィルムも好ましく使用できる。
各層の屈折率は以下の関係を満足する。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
反射防止フィルムに用いる透明支持体は、前述の偏光子の保護フィルムに使用する透明ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。
低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５であり、好ましくは１．３０〜１．５０である。低屈折率層は、耐擦傷性、防汚性を有する最外層として使用することが好ましい。耐擦傷性向上のため、シリコーン基や、フッ素の含有する素材を用い表面への滑り性付与することも好ましく行われる。
含フッ素化合物としては、例えば、特開平９−２２２５０３号公報明細書段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報明細書段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報明細書段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物を好ましく使用することができる。
含シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物が好ましいが、反応性シリコーン（例、サイラプレーン（チッソ（株）製）や両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報）等を使用することもできる。シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化させてもよい（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報、特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）。
低屈折率層には、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０公報の段落番号［００２０］〜［００３８］に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有させることも好ましく行うことができる。
含シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物が好ましいが、反応性シリコーン（例、サイラプレーン（チッソ（株）製）や両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報）等を使用することもできる。シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化させてもよい（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報、特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）。
低屈折率層には、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０公報の段落番号［００２０］〜［００３８］に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有させることも好ましく行うことができる。
低屈折率層は、気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されても良いが、安価に製造できる点で、塗布法で形成することが好ましい。塗布法としては、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法を好ましく使用することができる。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
中屈折率層および高屈折率層は、平均粒径１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子をマトリックス用材料に分散した構成とすることが好ましい。高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物、例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等を好ましく使用できる。
このような超微粒子は、粒子表面を表面処理剤で処理したり（シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造としたり（特開２００１−１６６１０４等）、特定の分散剤併用する（例、特開平１１−１５３７０３号公報、特許番号ＵＳ６２１０８５８Ｂ１、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等の態様で使用することができる。
このような超微粒子は、粒子表面を表面処理剤で処理したり（シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造としたり（特開２００１−１６６１０４等）、特定の分散剤併用する（例、特開平１１−１５３７０３号公報、特許番号ＵＳ６２１０８５８Ｂ１、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等の態様で使用することができる。
マトリックス用材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等を使用できるが、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の多官能性材料や、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載の金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜を使用することもできる。
高屈折率層の屈折率は、１．７０〜２．２０であることが好ましい。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
高屈折率層の屈折率は、１．７０〜２．２０であることが好ましい。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
反射防止フィルムのヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。又膜の強度は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
（４）輝度向上フィルム
本発明の偏光板は、輝度向上フィルムと組み合わせて使用することができる。輝度向上フィルムは、円偏光もしくは直線偏光の分離機能を有しており、偏光板とバックライトの間に配置され、一方の円偏光もしくは直線偏光をバックライト側に後方反射もしくは後方散乱する。バックライト部からの再反射光は、部分的に偏光状態を変化させ、輝度向上フィルムおよび偏光板に再入射する際、部分的に透過するため、この過程を繰り返すことにより光利用率が向上し、正面輝度が１．４倍程度に向上する。輝度向上フィルムとしては異方性反射方式および異方性散乱方式が知られており、いずれも本発明の偏光板と組み合わせることができる。
本発明の偏光板は、輝度向上フィルムと組み合わせて使用することができる。輝度向上フィルムは、円偏光もしくは直線偏光の分離機能を有しており、偏光板とバックライトの間に配置され、一方の円偏光もしくは直線偏光をバックライト側に後方反射もしくは後方散乱する。バックライト部からの再反射光は、部分的に偏光状態を変化させ、輝度向上フィルムおよび偏光板に再入射する際、部分的に透過するため、この過程を繰り返すことにより光利用率が向上し、正面輝度が１．４倍程度に向上する。輝度向上フィルムとしては異方性反射方式および異方性散乱方式が知られており、いずれも本発明の偏光板と組み合わせることができる。
異方性反射方式では、一軸延伸フィルムと未延伸フィルムを多重に積層して、延伸方向の屈折率差を大きくすることにより反射率ならびに透過率の異方性を有する輝度向上フィルムが知られており、誘電体ミラーの原理を用いた多層膜方式（ＷＯ９５／１７６９１号、ＷＯ９５／１７６９２号、ＷＯ９５／１７６９９号の各明細書記載）やコレステリック液晶方式（欧州特許６０６９４０Ａ２号明細書、特開平８−２７１７３１号公報記載）が知られている。誘電体ミラーの原理を用いた多層方式の輝度向上フィルムとしてはＤＢＥＦ−Ｅ、ＤＢＥＦ−Ｄ、ＤＢＥＦ−Ｍ（いずれも３Ｍ社製）、コレステリック液晶方式の輝度向上フィルムとしてはＮＩＰＯＣＳ（日東電工（株）製）が本発明で好ましく使用される。ＮＩＰＯＣＳについては、日東技報， ｖｏｌ．３８， Ｎｏ．１， ｍａｙ， ２０００， １９頁〜２１頁などを参考にすることができる。
また、本発明ではＷＯ９７／３２２２３号、ＷＯ９７／３２２２４号、ＷＯ９７／３２２２５号、ＷＯ９７／３２２２６号の各明細書および特開平９−２７４１０８号、同１１−１７４２３１号の各公報に記載された正の固有複屈折性ポリマーと負の固有複屈折性ポリマーをブレンドして一軸延伸した異方性散乱方式の輝度向上フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。異方性散乱方式輝度向上フィルムとしては、ＤＲＰＦ−Ｈ（３Ｍ社製）が好ましい。
本発明の偏光板と輝度向上フィルムは、粘着剤を介して貼合された形態、もしくは偏光板の保護フィルムの一方を輝度向上フィルムとした一体型として使用することが好ましい。
本発明の偏光板と輝度向上フィルムは、粘着剤を介して貼合された形態、もしくは偏光板の保護フィルムの一方を輝度向上フィルムとした一体型として使用することが好ましい。
（５）他の機能性光学フィルム
本発明の偏光板は、さらに、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層、ガスバリア層、滑り層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けた機能性光学フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。また、これらの機能層は、前述の反射防止フィルムにおける反射防止層、あるいは視野角補償フィルムにおける光学異方性層等と同一層内で相互に複合して使用することも好ましい。これらの機能層は、偏光子側および偏光子と反対面（より空気側の面）のどちらか片面、もしくは両面の設けて使用できる。
本発明の偏光板は、さらに、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層、ガスバリア層、滑り層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けた機能性光学フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。また、これらの機能層は、前述の反射防止フィルムにおける反射防止層、あるいは視野角補償フィルムにおける光学異方性層等と同一層内で相互に複合して使用することも好ましい。これらの機能層は、偏光子側および偏光子と反対面（より空気側の面）のどちらか片面、もしくは両面の設けて使用できる。
（５−１）ハードコート層
本発明の偏光板は耐擦傷性等の力学的強度を付与するため、ハードコート層を透明支持体の表面に設けた機能性光学フィルムと組み合わせることが好ましく行われる。ハードコート層を、前述の反射防止フィルムに適用して用いる場合は、特に、透明支持体と高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光及び／又は熱による硬化性化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成されることが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、又加水分解性官能基含有の有機金属化合物は有機アルコキシシリル化合物が好ましい。ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、ＷＯ００／４６６１７号公報等記載のものを好ましく使用することができる。
ハードコート層の膜厚は、０．２〜１００μｍであることが好ましい。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。又、ＪＩＳ Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
本発明の偏光板は耐擦傷性等の力学的強度を付与するため、ハードコート層を透明支持体の表面に設けた機能性光学フィルムと組み合わせることが好ましく行われる。ハードコート層を、前述の反射防止フィルムに適用して用いる場合は、特に、透明支持体と高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光及び／又は熱による硬化性化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成されることが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、又加水分解性官能基含有の有機金属化合物は有機アルコキシシリル化合物が好ましい。ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、ＷＯ００／４６６１７号公報等記載のものを好ましく使用することができる。
ハードコート層の膜厚は、０．２〜１００μｍであることが好ましい。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。又、ＪＩＳ Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
ハードコート層を形成する材料は、エチレン性不飽和基を含む化合物、開環重合性基を含む化合物を用いることができ、これらの化合物は単独あるいは組み合わせて用いることができる。エチレン性不飽和基を含む化合物の好ましい例としては、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等のポリオールのポリアクリレート類；ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのジアクリレート、ヘキサンジオールジグリシジルエーテルのジアクリレート等のエポキシアクリレート類；ポリイソシナネートとヒドロキシエチルアクリレート等の水酸基含有アクリレートの反応によって得られるウレタンアクリレート等を好ましい化合物として挙げることができる。また、市販化合物としては、ＥＢ−６００、ＥＢ−４０、ＥＢ−１４０、ＥＢ−１１５０、ＥＢ−１２９０Ｋ、ＩＲＲ２１４、ＥＢ−２２２０、ＴＭＰＴＡ、ＴＭＰＴＭＡ（以上、ダイセル・ユーシービー（株）製）、ＵＶ−６３００、ＵＶ−１７００Ｂ（以上、日本合成化学工業（株）製）等が挙げられる。
また、開環重合性基を含む化合物の好ましい例としては、グリシジルエーテル類としてエチレングリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、トリグリシジルトリスヒドロキシエチルイソシアヌレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテルなど、脂環式エポキシ類としてセロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、エポリードＧＴ−３０１、エポリードＧＴ−４０１、ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ（以上、ダイセル化学工業（株）製）、フェノールノボラック樹脂のポリシクロヘキシルエポキシメチルエーテルなど、オキセタン類としてＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ−１００９（以上、東亞合成（株）製）などが挙げられる。その他にグリシジル（メタ）アクリレートの重合体、或いはグリシジル（メタ）アクリレートと共重合できるモノマーとの共重合体をハードコート層に使用することもできる。
ハードコート層には、ハードコート層の硬化収縮の低減、基材との密着性の向上、本発明のハードコート処理物品のカールを低減するため、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等の酸化物微粒子やポリエチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリジメチルシロキサン等の架橋粒子、ＳＢＲ、ＮＢＲなどの架橋ゴム微粒子等の有機微粒子等の架橋微粒子を添加することも好ましく行われる。これらの架橋微粒子の平均粒径は、１ｎｍないし２００００ｎｍであることが好ましい。また、架橋微粒子の形状は、球状、棒状、針状、板状など特に制限無く使用できる。微粒子の添加量は硬化後のハードコート層の６０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以下がより好ましい。
上記で記載した無機微粒子を添加する場合、一般にバインダーポリマーとの親和性が悪いため、ケイ素、アルミニウム、チタニウム等の金属を含有し、かつアルコキシド基、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基等の官能基を有する表面処理剤を用いて表面処理を行うことも好ましく行われる。
ハードコート層は、熱または活性エネルギー線を用いて硬化することが好ましく、その中でも放射線、ガンマー線、アルファー線、電子線、紫外線等の活性エネルギー線を用いることがより好ましく、安全性、生産性を考えると電子線、紫外線を用いることが特に好ましい。熱で硬化させる場合は、プラスチック自身の耐熱性を考えて、加熱温度は１４０℃以下が好ましく、より好ましくは１００℃以下である。
（５−２）前方散乱層
前方散乱層は、本発明の偏光板を液晶表示装置に適用した際の、上下左右方向の視野角特性（色相と輝度分布）改良するために使用される。本発明では、屈折率の異なる微粒子をバインダー分散した構成が好ましく、例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等の構成を使用することができる。また、本発明の偏光板をヘイズの視野角特性を制御するため、住友化学の技術レポート「光機能性フィルム」３１頁〜３９頁に記載された「ルミスティ」と組み合わせて使用することも好ましく行うことができる。
前方散乱層は、本発明の偏光板を液晶表示装置に適用した際の、上下左右方向の視野角特性（色相と輝度分布）改良するために使用される。本発明では、屈折率の異なる微粒子をバインダー分散した構成が好ましく、例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等の構成を使用することができる。また、本発明の偏光板をヘイズの視野角特性を制御するため、住友化学の技術レポート「光機能性フィルム」３１頁〜３９頁に記載された「ルミスティ」と組み合わせて使用することも好ましく行うことができる。
（５−３）アンチグレア層
アンチグレア（防眩）層は、反射光を散乱させ映り込みを防止するために使用される。アンチグレア機能は、液晶表示装置の最表面（表示側）に凹凸を形成することにより得られる。アンチグレア機能を有する光学フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
フィルム表面に凹凸を形成する方法は、例えば、微粒子を添加して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成する方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、フィルム表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等を好ましく使用することができる。
アンチグレア（防眩）層は、反射光を散乱させ映り込みを防止するために使用される。アンチグレア機能は、液晶表示装置の最表面（表示側）に凹凸を形成することにより得られる。アンチグレア機能を有する光学フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
フィルム表面に凹凸を形成する方法は、例えば、微粒子を添加して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成する方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、フィルム表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等を好ましく使用することができる。
（粘着剤）
次に、本発明で好ましく用いられる粘着剤について説明する。
粘着剤としては、アクリル酸系、メタクリル酸系、ブチルゴム系、シリコーン系などのベースポリマーを用いた粘着剤が使用できる。特に限定されるものでないが、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルのような（メタ）アクリル酸エステル系ベースポリマーや、これらの（メタ）アクリル酸エステルを二種類以上用いた共重合系ベースポリマーが好適に用いられる。粘着剤では通常、これらのベースポリマー中に極性モノマーが共重合されている。極性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートのような、カルボキシル基、水酸基、アミド基、アミノ基、エポキシ基などを有するモノマーを挙げることができる。
次に、本発明で好ましく用いられる粘着剤について説明する。
粘着剤としては、アクリル酸系、メタクリル酸系、ブチルゴム系、シリコーン系などのベースポリマーを用いた粘着剤が使用できる。特に限定されるものでないが、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルのような（メタ）アクリル酸エステル系ベースポリマーや、これらの（メタ）アクリル酸エステルを二種類以上用いた共重合系ベースポリマーが好適に用いられる。粘着剤では通常、これらのベースポリマー中に極性モノマーが共重合されている。極性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートのような、カルボキシル基、水酸基、アミド基、アミノ基、エポキシ基などを有するモノマーを挙げることができる。
粘着剤は通常、架橋剤を含有する。架橋剤としては、２価又は多価金属イオンとカルボン酸金属塩を生成するもの、ポリアミン化合物とアミド結合を形成するもの、ポリエポキシ化合物やポリオールとエステル結合を形成するもの、ポリイソシアネート化合物とアミド結合を形成するものなどが挙げられ、これらの化合物が架橋剤として１種又は２種以上、ベースポリマーに混合して用いられる。
本発明の粘着剤層の厚みは、２〜５０μｍが好ましい。粘着剤層の偏光板と反対側の面には、粘着剤層の保護のために、セパレートフィルムが貼合されているのが通常の形態である。セパレートフィルムとしては、シリコーン樹脂などによって離型処理されたポリエステルフィルムなどが用いられる。このセパレートフィルムは、液晶セルや他の光学機能性フィルムとの貼合時に剥離除去される。
（偏光板を使用する液晶表示装置）
次に本発明の偏光板が使用される液晶表示装置について説明する。
図２は、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置の一例である。
次に本発明の偏光板が使用される液晶表示装置について説明する。
図２は、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置の一例である。
図２に示す液晶表示装置は、液晶セル（１５〜１９）、および液晶セル（１５〜１９）を挟持して配置された上側偏光板１１と下側偏光板２２とを有する。偏光板は偏光子および一対の透明保護フィルムによって挟持されているが、図２中では一体化された偏光板として示し、詳細構造は省略する。液晶セルは、上側基板１５および下側基板１８と、これらに挟持される液晶分子１７から形成される液晶層からなる。液晶セルは、ＯＮ・ＯＦＦ表示を行う液晶分子の配向状態の違いで、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに分類されるが、本発明の偏光板は透過および反射型によらず、いずれの表示モードにも使用できる。
基板１５および１８の液晶分子１７に接触する表面（以下、「内面」という場合がある）には、配向膜（不図示）が形成されていて、配向膜上に施されたラビング処理等により、電界無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子１７の配向が制御されている。また、基板１５および１８の内面には、液晶分子１７からなる液晶層に電界を印加可能な透明電極（不図示）が形成されている。
ＴＮモードのラビング方向は上下基板で互いに直交する方向に施し、その強さとラビング回数などでチルト角の大きさが制御できる。配向膜はポリイミド膜を塗布後焼成して形成する。液晶層のねじれ角（ツイスト角）の大きさは、上下基板のラビング方向の交差角と液晶材料に添加するカイラル剤により決まる。ここではツイスト角が９０°になるようにするためピッチ６０μｍ程度のカイラル剤を添加する。
なお、ツイスト角は、ノートパソコンやパソコンモニタ、テレビ用の液晶表示装置の場合は９０°近傍（８５から９５°）に、携帯電話などの反射型表示装置として使用する場合は０から７０°に設定する。またＩＰＳモードやＥＣＢモードでは、ツイスト角が０°となる。ＩＰＳモードでは電極が下側基板８のみに配置され、基板面に平行な電界が印加される。また、ＯＣＢモードでは、ツイスト角がなく、チルト角を大きくされ、ＶＡモードでは液晶分子１７が上下基板に垂直に配向する。
なお、ツイスト角は、ノートパソコンやパソコンモニタ、テレビ用の液晶表示装置の場合は９０°近傍（８５から９５°）に、携帯電話などの反射型表示装置として使用する場合は０から７０°に設定する。またＩＰＳモードやＥＣＢモードでは、ツイスト角が０°となる。ＩＰＳモードでは電極が下側基板８のみに配置され、基板面に平行な電界が印加される。また、ＯＣＢモードでは、ツイスト角がなく、チルト角を大きくされ、ＶＡモードでは液晶分子１７が上下基板に垂直に配向する。
ここで液晶層の厚さｄと屈折率異方性Δｎの積Δｎｄの大きさは白表示時の明るさを変化させる。このため最大の明るさを得るために表示モード毎にその範囲を設定する。
上側偏光板１１の吸収軸１２と下側偏光板２２の吸収軸２３の交差角は一般に概略直交に積層することで高コントラストが得られる。液晶セルの上側偏光板１１の吸収軸１２と上側基板１５のラビング方向の交差角は液晶表示モードによってことなるが、ＴＮ、ＩＰＳモードでは一般に平行か垂直に設定する。ＯＣＢ、ＥＣＢモードでは４５°に設定することが多い。ただし、表示色の色調や視野角の調整のために各表示モードで最適値が異なり、この範囲に限定されるわけではない。
上側偏光板１１の吸収軸１２と下側偏光板２２の吸収軸２３の交差角は一般に概略直交に積層することで高コントラストが得られる。液晶セルの上側偏光板１１の吸収軸１２と上側基板１５のラビング方向の交差角は液晶表示モードによってことなるが、ＴＮ、ＩＰＳモードでは一般に平行か垂直に設定する。ＯＣＢ、ＥＣＢモードでは４５°に設定することが多い。ただし、表示色の色調や視野角の調整のために各表示モードで最適値が異なり、この範囲に限定されるわけではない。
本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、図２の構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶セルと偏光子との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、液晶セルと偏光板との間に、別途、前述した視野角拡大フィルム１３、２０を配置することもできる。偏光板１１、２２と視野角拡大フィルム１３、２０は粘着剤で貼合した積層形態で配置されてもよいし、液晶セル側保護フィルムの一方を視野角拡大に使用した、いわゆる一体型楕円偏光板として配置されてもよい。
また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置を透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置できる。また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を設置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けてもよい。
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（セルロースアシレートフィルム１の作製）
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。
（セルロースアシレートフィルム１の作製）
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。
（セルロースアシレート溶液Ａ組成）
アセチル化度２．８０のセルロースアセテート １００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ６．０質量部
ビフェニルフォスフェート（可塑剤） ３．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
アセチル化度２．８０のセルロースアセテート １００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ６．０質量部
ビフェニルフォスフェート（可塑剤） ３．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
＜マット剤溶液の調製＞
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １０．３質量部
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １０．３質量部
＜レターデーション上昇剤溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
レターデーション上昇剤（Ｉ−２） ２０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １２．８質量部
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
レターデーション上昇剤（Ｉ−２） ２０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １２．８質量部
上記セルロースアシレート溶液Ａを９４．５質量部、マット剤溶液を１．３質量部、レターデーション上昇剤溶液４．２質量部をそれぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤含量３５％でフィルムをバンドから剥離し、１２５℃の条件でフィルムをテンターを用いて４％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま１４０℃で３０秒間保持した。その後、クリップを外して１４０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は６５μｍであった。
（セルロースアシレートフィルム２〜１１の作製）
セルロースアシレートの種類、レターデーション上昇剤の種類、添加量、ＵＶ剤の種類、添加量並びに搬送方向及び幅方向の延伸倍率を表１の内容に変更した以外はセルロースアシレートフィルム１と同様にしてセルロースアシレートフィルム２〜１１を作製した。
セルロースアシレートの種類、レターデーション上昇剤の種類、添加量、ＵＶ剤の種類、添加量並びに搬送方向及び幅方向の延伸倍率を表１の内容に変更した以外はセルロースアシレートフィルム１と同様にしてセルロースアシレートフィルム２〜１１を作製した。
セルロースアシレートフィルムの作製に用いた可塑剤Ａ、Ｂ及びＵＶ剤（ＵＶ吸収剤）Ａ〜Ｄの化学構造を以下に示す。
このようにして作製したセルロースアシレートフィルムの透湿度、レターデーションを下記の方法で測定した。結果を表２に示す。
＜透湿度の測定＞
ＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法に従い、各サンプルの透湿度を測定した。試験を行った温湿度条件は２５℃９０％ＲＨである。
ＪＩＳ Ｚ ０２０８に記載の方法に従い、各サンプルの透湿度を測定した。試験を行った温湿度条件は２５℃９０％ＲＨである。
＜光学特性の測定＞
また、下記方法により２５℃６０％におけるＲｅ及びＲｔｈを測定した。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用い、２５℃６０％における波長５９０ｎｍのＲｅ及びＲｔｈを測定した。
また、下記方法により２５℃６０％におけるＲｅ及びＲｔｈを測定した。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用い、２５℃６０％における波長５９０ｎｍのＲｅ及びＲｔｈを測定した。
［実施例２］
（鹸化処理）
セルロースアシレートフィルム１〜１１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。
（鹸化処理）
セルロースアシレートフィルム１〜１１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。
［実施例３］
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム１を偏光子の両側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。このようにして偏光板（Ａ）を作製した。
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム１を偏光子の両側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。このようにして偏光板（Ａ）を作製した。
［実施例４］
実施例３と同様にして表３に示すセルロースアシレートフィルムの組み合わせで偏光板（Ａ）〜（Ｍ）を作製した。
偏光板（Ａ）〜（Ｍ）の保護フィルムの平均弾性率を以下の方法で測定した。結果を表３に示す。
実施例３と同様にして表３に示すセルロースアシレートフィルムの組み合わせで偏光板（Ａ）〜（Ｍ）を作製した。
偏光板（Ａ）〜（Ｍ）の保護フィルムの平均弾性率を以下の方法で測定した。結果を表３に示す。
＜弾性率の測定＞
サンプルを２５℃６０％ＲＨの環境下で２４時間調湿し、ＪＩＳ Ｋ７１２７に記載の方法に従って弾性率を測定した。引っ張り試験機は（株）エー・アンド・デイ製テンシロンを用いた。
サンプルを２５℃６０％ＲＨの環境下で２４時間調湿し、ＪＩＳ Ｋ７１２７に記載の方法に従って弾性率を測定した。引っ張り試験機は（株）エー・アンド・デイ製テンシロンを用いた。
［実施例５］
実施例４で作製した偏光板（Ａ）のセルロースアシレートフィルム１側にＪＳＲ（株）製のアートンフィルムを２軸延伸処理した位相差膜を粘着剤で貼りあわせた。使用した位相差フィルムのＲｅは６２ｎｍ、Ｒｔｈは２５ｎｍであった。このようにして位相差フィルムつき偏光板（Ａ）を作製した
［実施例６］
偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）についても実施例５と同様にして実施例５と同じ位相差フィルムを貼りあわせ、位相差つき偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）を作製した。
実施例４で作製した偏光板（Ａ）のセルロースアシレートフィルム１側にＪＳＲ（株）製のアートンフィルムを２軸延伸処理した位相差膜を粘着剤で貼りあわせた。使用した位相差フィルムのＲｅは６２ｎｍ、Ｒｔｈは２５ｎｍであった。このようにして位相差フィルムつき偏光板（Ａ）を作製した
［実施例６］
偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）についても実施例５と同様にして実施例５と同じ位相差フィルムを貼りあわせ、位相差つき偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）を作製した。
［実施例７］
〔ＶＡ液晶表示装置の作製と評価〕
図３の液晶表示装置を作製した。即ち、観察方向（上）からセルロースアシレートフィルム３３及び偏光子３４からなる上側偏光板３０、ＶＡモード液晶セル（上基板、液晶層、下基板）３１、セルロースアシレートフィルム３３及び偏光子３４からなる下側偏光板３２を積層し、さらにバックライト光源（図示せず）を配置した。以下の例では、上側偏光板に実施例４で作製した位相差フィルムつき偏光板（Ａ）を、下側偏光板に本発明の比較例の偏光板（Ｋ）を使用している。
〔ＶＡ液晶表示装置の作製と評価〕
図３の液晶表示装置を作製した。即ち、観察方向（上）からセルロースアシレートフィルム３３及び偏光子３４からなる上側偏光板３０、ＶＡモード液晶セル（上基板、液晶層、下基板）３１、セルロースアシレートフィルム３３及び偏光子３４からなる下側偏光板３２を積層し、さらにバックライト光源（図示せず）を配置した。以下の例では、上側偏光板に実施例４で作製した位相差フィルムつき偏光板（Ａ）を、下側偏光板に本発明の比較例の偏光板（Ｋ）を使用している。
＜液晶セルの作製＞
液晶セルは、基板間のセルギャップを３．６μｍとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料（「ＭＬＣ６６０８」、メルク社製）を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のレターデーション（即ち、記液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ）を３００ｎｍとした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。
液晶セルは、基板間のセルギャップを３．６μｍとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料（「ＭＬＣ６６０８」、メルク社製）を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のレターデーション（即ち、記液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ）を３００ｎｍとした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。
上記の垂直配向型液晶セルを使用した液晶表示装置（図３）の上側偏光板には実施例４で作製した位相差フィルムつき偏光板（Ａ）を位相差フィルムが液晶セル側となるように、下側偏光板には実施例３で作製した偏光板（Ｋ）を、本発明のセルロースアシレートフィルム１１が液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして液晶表示装置（Ａ）を作製した。
さらに、上側偏光板を位相差フィルムつき偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）に変更した以外は同様にして、液晶表示装置（Ｂ）〜（Ｍ）を作製した。
作製した液晶表示装置の耐久性を以下の方法で評価した。結果を表４に示す。
さらに、上側偏光板を位相差フィルムつき偏光板（Ｂ）〜（Ｍ）に変更した以外は同様にして、液晶表示装置（Ｂ）〜（Ｍ）を作製した。
作製した液晶表示装置の耐久性を以下の方法で評価した。結果を表４に示す。
＜耐久性評価＞
液晶表示装置を４０℃９０％ＲＨの湿度で２００時間連続点灯した後の、周辺部に発生する光漏れ部の面積、及び中央部のコントラストを評価した。
（光漏れ）
光漏れの程度を下記の基準で評価した。
Ａ：全体の５％以下の面積で光漏れ
Ｂ：全体の５％以上１０％以下の面積で光漏れ
Ｃ：全体の１０％以上２０％以下の面積で光漏れ
Ｄ：全体の２０％以上４０％以下の面積で光漏れ
Ｅ：全体の４０％以上面積で光漏れ
（コントラスト）
ＴＯＰＣＯＮ社製ＢＭ−５で中央部を左３０°から観察し、コントラストを測定した。
液晶表示装置を４０℃９０％ＲＨの湿度で２００時間連続点灯した後の、周辺部に発生する光漏れ部の面積、及び中央部のコントラストを評価した。
（光漏れ）
光漏れの程度を下記の基準で評価した。
Ａ：全体の５％以下の面積で光漏れ
Ｂ：全体の５％以上１０％以下の面積で光漏れ
Ｃ：全体の１０％以上２０％以下の面積で光漏れ
Ｄ：全体の２０％以上４０％以下の面積で光漏れ
Ｅ：全体の４０％以上面積で光漏れ
（コントラスト）
ＴＯＰＣＯＮ社製ＢＭ−５で中央部を左３０°から観察し、コントラストを測定した。
表４の結果から、本発明の液晶表示装置は高湿下で長時間使用しても画質が劣化せず好ましいことがわかった。
［実施例８］
＜鹸化処理＞
実施例１で作製したセルロースアセテートフィルム１上に下記組成の液を５．２ｍｌ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
（鹸化液組成）
イソプロピルアルコール ８１８質量部
水 １６７質量部
プロピレングリコール １８７質量部
水酸化カリウム ６８質量部
界面活性剤 ｎ−Ｃ16Ｈ33Ｏ（Ｃ2Ｈ4）10Ｈ １２質量部
＜鹸化処理＞
実施例１で作製したセルロースアセテートフィルム１上に下記組成の液を５．２ｍｌ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
（鹸化液組成）
イソプロピルアルコール ８１８質量部
水 １６７質量部
プロピレングリコール １８７質量部
水酸化カリウム ６８質量部
界面活性剤 ｎ−Ｃ16Ｈ33Ｏ（Ｃ2Ｈ4）10Ｈ １２質量部
（配向膜の形成）
鹸化処理したセルロースアシレートフィルム上に、下記の組成の塗布液を＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアシレートフィルムの長手方向と平行な方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
鹸化処理したセルロースアシレートフィルム上に、下記の組成の塗布液を＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアシレートフィルムの長手方向と平行な方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
（配向膜塗布液組成）
変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３７１質量部
メタノール １１９質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤） ０．５質量部
変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３７１質量部
メタノール １１９質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤） ０．５質量部
配向膜塗布液に使用した変性ポリビニルアルコールの化学構造式を以下に示す。
（光学異方性層の形成）
配向膜上に、棒状液晶性化合物（ＩＶ−６）４１．０１ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）４．０６ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．９０ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製）０．２３ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）１．３５ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．４５ｇを、１０２ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布液を、＃３．６のワイヤーバーで塗布した。これを１３０℃の恒温ゾーンで２分間加熱し、円盤状化合物を配向させた。次に、６０℃の雰囲気下で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し液晶性化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シート（Ｄ−１）を作製した。
波長５４６ｎｍで測定した光学異方性層のＲｅが４３ｎｍ、Ｒｔｈは６７ｎｍであった。
また、単位あたりの透湿度は１５ｇ／ｍ2／μｍであった。なお、光学異方性層の透湿度は光学異方性塗布前後でのフィルムの透湿度変化を測定することにより求めることができる。
配向膜上に、棒状液晶性化合物（ＩＶ−６）４１．０１ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）４．０６ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．９０ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製）０．２３ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）１．３５ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．４５ｇを、１０２ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布液を、＃３．６のワイヤーバーで塗布した。これを１３０℃の恒温ゾーンで２分間加熱し、円盤状化合物を配向させた。次に、６０℃の雰囲気下で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し液晶性化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シート（Ｄ−１）を作製した。
波長５４６ｎｍで測定した光学異方性層のＲｅが４３ｎｍ、Ｒｔｈは６７ｎｍであった。
また、単位あたりの透湿度は１５ｇ／ｍ2／μｍであった。なお、光学異方性層の透湿度は光学異方性塗布前後でのフィルムの透湿度変化を測定することにより求めることができる。
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、本発明のセルロースアセテートフィルムが偏光子側となるように偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸と光学異方性層の遅相軸とは平行になるように配置した。
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を前記と同様にケン化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を前記と同様にケン化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。
（液晶表示装置の作製）
ＴＮ型液晶セルを使用した２０インチの液晶表示装置（ＬＣ−２０Ｖ１、シャープ（株）製）に設けられている一対の偏光板を剥がし、代わりに上記で作製した偏光板を、光学補償シートが液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸とバックライト側の偏光板の透過軸が直交するように配置した。
本発明の光学補償シートを用いた液晶表示装置は高湿下で長時間使用しても表示ムラが発生せず良好な画像が得られることがわかった。
ＴＮ型液晶セルを使用した２０インチの液晶表示装置（ＬＣ−２０Ｖ１、シャープ（株）製）に設けられている一対の偏光板を剥がし、代わりに上記で作製した偏光板を、光学補償シートが液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸とバックライト側の偏光板の透過軸が直交するように配置した。
本発明の光学補償シートを用いた液晶表示装置は高湿下で長時間使用しても表示ムラが発生せず良好な画像が得られることがわかった。
［実施例９］
（セルロースアシレートフィルム２０１の作製）
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液２０１を調製した。
（セルロースアシレートフィルム２０１の作製）
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液２０１を調製した。
（セルロースアシレート溶液２０１組成）
アセチル化度２．８０のセルロースアセテート １００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ５．０質量部
ビフェニルフォスフェート（可塑剤） ３．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
アセチル化度２．８０のセルロースアセテート １００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ５．０質量部
ビフェニルフォスフェート（可塑剤） ３．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
＜マット剤溶液の調製＞
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液２０１ １０．３質量部
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液２０１ １０．３質量部
＜レターデーション上昇剤溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
レターデーション上昇剤（Ｂ−１２１） １０．０質量部
レターデーション上昇剤（Ｂ−１２２） １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液２０１ １２．８質量部
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
レターデーション上昇剤（Ｂ−１２１） １０．０質量部
レターデーション上昇剤（Ｂ−１２２） １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液２０１ １２．８質量部
上記セルロースアシレート溶液２０１を９４．５質量部、マット剤溶液を１．３質量部、レターデーション上昇剤溶液４．２質量部をそれぞれ、濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤含量３３％でフィルムをバンドから剥離し、１２５℃の条件でフィルムをテンターを用いて４％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま１２５℃で３０秒間保持した。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、本発明のセルロースアシレートフィルム２０１を製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルム（２０１）の残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は８０μｍであった。
（セルロースアシレートフィルム２０２〜２０４の作製）
セルロースアシレートフィルム２０１においてレターデーション上昇剤の種類及び添加量を表５の内容に変更した以外は同様にして本発明のセルロースアシレートフィルム２０２〜２０４を作製した。
セルロースアシレートフィルム２０１においてレターデーション上昇剤の種類及び添加量を表５の内容に変更した以外は同様にして本発明のセルロースアシレートフィルム２０２〜２０４を作製した。
（セルロースアシレートフィルム２１１の作製）
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液２１１を調製した。
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液２１１を調製した。
（セルロースアシレート溶液２１１組成）
アセチル化度２．０、プロピオニル化度０．８のセルロースアセテートプロピオネート
１００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ５．０質量部
エチルフタリルエチルグリコレート（可塑剤） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
エタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
アセチル化度２．０、プロピオニル化度０．８のセルロースアセテートプロピオネート
１００．０質量部
トリフェニルフォスフェート（可塑剤） ５．０質量部
エチルフタリルエチルグリコレート（可塑剤） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
エタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
＜マット剤溶液の調製＞
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
エタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液２１１ １０．３質量部
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子
（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製） ２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７５．０質量部
エタノール（第２溶媒） １２．７質量部
セルロースアシレート溶液２１１ １０．３質量部
＜紫外線吸収剤溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、紫外線吸収剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
ＵＶ剤Ａ １０．０質量部
ＵＶ剤Ｂ １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
エタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １２．８質量部
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、紫外線吸収剤溶液を調製した。
（レターデーション上昇剤溶液組成）
ＵＶ剤Ａ １０．０質量部
ＵＶ剤Ｂ １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
エタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １２．８質量部
上記セルロースアシレート溶液Ａを９６．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、レターデーション上昇剤溶液２．１質量部をそれぞれ、濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤含量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１３０℃の条件でフィルムをテンターを用いて４％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま１３０℃で３０秒間保持した。その後、クリップを外して１３０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルム２１１を製造した。出来あがったセルロースアシレートフィルム２１１の残留溶剤量は０．３％であり、膜厚は１１５μｍであった。
＜光学特性の測定＞
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）により２５℃６０％におけるＲｅ及びＲｔｈを測定した。結果を表６に示す。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）により２５℃６０％におけるＲｅ及びＲｔｈを測定した。結果を表６に示す。
［実施例１０］
（偏光板２０１〜２０４及び２１１の作製）
実施例９で作製したセルロースアシレートフィルム２０１〜２０４及び２１１を用いて実施例２および３と同様の処理により偏光板２０１〜２０４及び偏光板２１１を作製した。
（偏光板２０１〜２０４及び２１１の作製）
実施例９で作製したセルロースアシレートフィルム２０１〜２０４及び２１１を用いて実施例２および３と同様の処理により偏光板２０１〜２０４及び偏光板２１１を作製した。
［実施例１１］
（偏光板２０１−Ａの作製）
実施例１０で作製した偏光板２０１の本発明のセルロースアシレートフィルム２０１側に粘着剤を用いて延伸アートンフィルム（Ｒｅ（５９０）＝１００、Ｒｔｈ（５９０）＝１１７ｎｍ）を貼り付け偏光板２０１−Ａを作製した。なお、偏光板の透過軸と延伸アートンフィルムの遅相軸が平行となるように貼りあわせた。
（偏光板２０１−Ａの作製）
実施例１０で作製した偏光板２０１の本発明のセルロースアシレートフィルム２０１側に粘着剤を用いて延伸アートンフィルム（Ｒｅ（５９０）＝１００、Ｒｔｈ（５９０）＝１１７ｎｍ）を貼り付け偏光板２０１−Ａを作製した。なお、偏光板の透過軸と延伸アートンフィルムの遅相軸が平行となるように貼りあわせた。
（偏光板２０２−Ａ〜２０４−Ａ及び２１１−Ａの作製）
偏光板２０１−Ａと同様にして偏光板２０２〜２０４及び２１１についても延伸アートンフィルムを貼りあわせ、偏光板２０２−Ａ〜２０４−Ａ及び２１１−Ａを作製した。
偏光板２０１−Ａと同様にして偏光板２０２〜２０４及び２１１についても延伸アートンフィルムを貼りあわせ、偏光板２０２−Ａ〜２０４−Ａ及び２１１−Ａを作製した。
［実施例１２］
（液晶表示装置の作製）
実施例７の液晶表示装置（図３）の上側偏光板には実施例１１で作製した延伸アートンフィルムつき偏光板（２０１−Ａ）を延伸アートンフィルムが液晶セル側となるように、下側偏光板には市販の偏光板（サンリッツ社製ＨＬＣ２−５６１８）を、粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして液晶表示装置４０１を作製した。
さらに、上側偏光板を延伸アートンフィルムつき偏光板（２０２−Ａ）〜（２０４−Ａ）及び（２１１−Ａ）に変更した以外は同様にして、液晶表示装置４０２〜４０５を作製した。
（液晶表示装置の作製）
実施例７の液晶表示装置（図３）の上側偏光板には実施例１１で作製した延伸アートンフィルムつき偏光板（２０１−Ａ）を延伸アートンフィルムが液晶セル側となるように、下側偏光板には市販の偏光板（サンリッツ社製ＨＬＣ２−５６１８）を、粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。このようにして液晶表示装置４０１を作製した。
さらに、上側偏光板を延伸アートンフィルムつき偏光板（２０２−Ａ）〜（２０４−Ａ）及び（２１１−Ａ）に変更した以外は同様にして、液晶表示装置４０２〜４０５を作製した。
［実施例１３］
（色味視野角の変化）
実施例１２で作製した液晶表示装置４０１〜４０５について極角６０°において、方位角０°と方位角８０°との色味変化をＥＬＤＩＭ社製Ｅｚｃｏｎｔｒａｓｔにより測定し、ｘｙ色度図上での色味変化の絶対値Δｘ，Δｙを求めた。
結果を表７に示す。
（色味視野角の変化）
実施例１２で作製した液晶表示装置４０１〜４０５について極角６０°において、方位角０°と方位角８０°との色味変化をＥＬＤＩＭ社製Ｅｚｃｏｎｔｒａｓｔにより測定し、ｘｙ色度図上での色味変化の絶対値Δｘ，Δｙを求めた。
結果を表７に示す。
表７の結果から本発明の光学補償シートを用いた偏光板は液晶表示に組み込んだ場合、視角による色味変化が少なく、好ましいことがわかった。とりわけ、Ｒｔｈの波長分散が前記式（Ｂ）及び（Ｃ）の関係を満たすセルロースアシレートフィルム２０１〜２０４を使用した液晶表示装置４０１〜４０４は視角による色味変化が特に小さく好ましい。
１、１ａ、１ｂ 保護フィルム
２ 偏光子
３ 機能性光学フィルム
４ 粘着層
５ 偏光板
１１ 上偏光板
１２ 上偏光板吸収軸
１３ 上視野角拡大フィルム
１４ 上視野角拡大フィルム配向制御方向
１５ 液晶セル上電極基板
１６ 上基板配向制御方向
１７ 液晶層
１８ 液晶セル下電極基板
１９ 下基板配向制御方向
２０ 下視野角拡大フィルム
２１ 下視野角拡大フィルム配向制御方向
２２ 下偏光板
２３ 下偏光板吸収軸
３０ 上側偏光板
３１ ＶＡモード液晶セル
３２ 下側偏光板
３３ セルロースアシレートフィルム
３４ 偏光子
２ 偏光子
３ 機能性光学フィルム
４ 粘着層
５ 偏光板
１１ 上偏光板
１２ 上偏光板吸収軸
１３ 上視野角拡大フィルム
１４ 上視野角拡大フィルム配向制御方向
１５ 液晶セル上電極基板
１６ 上基板配向制御方向
１７ 液晶層
１８ 液晶セル下電極基板
１９ 下基板配向制御方向
２０ 下視野角拡大フィルム
２１ 下視野角拡大フィルム配向制御方向
２２ 下偏光板
２３ 下偏光板吸収軸
３０ 上側偏光板
３１ ＶＡモード液晶セル
３２ 下側偏光板
３３ セルロースアシレートフィルム
３４ 偏光子
Claims (22)
- 少なくとも１つのレターデーション上昇剤を含有し、
前記レターデーション上昇剤が、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物を少なくとも２種含有し、
面内レターデーションＲｅ及び厚み方向レターデーションＲｔｈが下記式（Ａ）の関係を満たすことを特徴とする
セルロースアシレートフィルム。
（Ａ） ３０＜Ｒｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）
（ここでＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は、それぞれ波長λｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈを表す。）
- Ｒｅ（５９０）が０ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
- Ｒｔｈ（５９０）が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である請求項１又は２に記載のセルロースアシレートフィルム。
- 前記レターデーション上昇剤が、２種の前記式（ＩＩＩ）で表される化合物である請求項１〜３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
- 膜厚が９０μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
- アセチル基の置換度Ａと、炭素原子数が３以上のアシル基の置換度Ｂとが下記式（Ｄ）及び（Ｅ）を満たす請求項１〜５のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
（Ｄ） ２．０≦Ａ＋Ｂ≦３．０
（Ｅ） ０≦Ｂ≦１．５ - 前記ｎが、３〜７の整数である請求項１〜６のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
- 前記Ａｒ2が、アリーレン基である請求項１〜７のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
- 前記式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記式（ＩＶ）で表される化合物である請求項１〜８のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルム。
- 前記式（ＩＶ）で表される化合物が、下記式（ＶＩ）で表される化合物である請求項９に記載のセルロースアシレートフィルム。
- セルロースアシレート、レターデーション上昇剤及び溶媒を含む溶液を調製する工程、前記溶液を支持体上に流延する工程、及び前記溶媒を除去乾燥してフィルムを形成する工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
フィルム製膜時の搬送方向に対して垂直な方向（以下幅方向）に１．０以上１．１以下の倍率で延伸する工程をさらに含む請求項１〜１０のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。 - セルロースアシレート、レターデーション上昇剤及び溶媒を含む溶液を調製する工程、前記溶液を支持体上に流延する工程、及び前記溶媒を除去乾燥してフィルムを形成する工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
フィルム製膜時の搬送方向に対して、平行及び垂直の２方向に同時あるいは逐次に延伸する工程をさらに含み、搬送方向の延伸倍率と垂直方向の延伸倍率が下記式（Ｆ）の関係を満たす請求項１〜１０のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
式（Ｆ）
０．０１＜（垂直方向の延伸倍率）−（平行方向の延伸倍率）＜０．１ - 請求項１１又は１２に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルム。
- 偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板であって、
該保護フィルムの少なくとも１枚が請求項１〜１０、１３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする
偏光板。 - 偏光子の両側の保護フィルムの弾性率比が下記式（Ｇ）を満たす請求項１４に記載の偏光板。
式（Ｇ）
０．７５＜（液晶セル側の保護フィルムの弾性率）／（空気界面側の保護フィルムの弾性率）＜１．３３ - 液晶セル側の保護フィルム上にさらに１枚以上の位相差フィルムが貼りあわされた請求項１４又は１５に記載の偏光板。
- 液晶セル側の保護フィルム上に光学異方性層を設けた請求項１４〜１６のいずれか１つに記載の偏光板。
- 液晶セル側の保護フィルムが請求項１〜１０、１３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであり、液晶セル側の保護フィルム上の位相差フィルムのＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比が下記式（Ｈ）の関係を満たす請求項１６に記載の偏光板。
式（Ｈ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比＞位相差フィルムのＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比 - 液晶セル側の保護フィルムが請求項１〜１０、１３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであり、液晶セル側の保護フィルム上の光学異方性層のＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比が下記式（Ｉ）の関係を満たす請求項１７に記載の偏光板。
式（Ｉ）
液晶セル側の保護フィルムのＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比＞光学異方性層のＲｔｈ（５９０）／Ｒｅ（５９０）比 - 液晶セル側の保護フィルムが請求項１〜１０、１３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであり、液晶セル側の保護フィルム上の位相差フィルムの単位厚みあたりの透水度が下記式（Ｊ）の関係を満たす請求項１６又は１８に記載の偏光板。
式（Ｊ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透水度＞位相差フィルムの単位厚みあたりの透水度 - 液晶セル側の保護フィルムが請求項１〜１０、１３のいずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであり、液晶セル側保護フィルム上の光学異方性層の単位厚みあたりの透水度が下記式（Ｋ）の関係を満たす請求項１７又は１９の偏光板。
式（Ｋ）
液晶セル側の保護フィルムの単位厚みあたりの透水度＞光学異方性層の単位厚みあたりの透水度 - 液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板を有する液晶表示装置であって、
少なくとも１枚の偏光板が請求項１４〜２１のいずれか１つに記載の偏光板であることを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2005143493A JP5016788B2 (ja) | 2004-06-09 | 2005-05-17 | セルロースアシレートフィルム、偏光板および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2004171446 | 2004-06-09 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006022311A JP2006022311A (ja) | 2006-01-26 |
| JP5016788B2 true JP5016788B2 (ja) | 2012-09-05 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2005143493A Expired - Fee Related JP5016788B2 (ja) | 2004-06-09 | 2005-05-17 | セルロースアシレートフィルム、偏光板および液晶表示装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP5016788B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI353461B (en) * | 2004-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | Optical film, optical compensation film, polarizin |
| CN101080454B (zh) | 2004-12-15 | 2012-10-17 | 富士胶片株式会社 | 酰化纤维素膜、酰化纤维素膜的制备方法、偏振片和液晶显示器 |
| US7709067B2 (en) * | 2005-05-10 | 2010-05-04 | Konica Minolta Opto, Inc. | Cellulose ester film, polarizing plate and liquid crystal display |
| JP2007264480A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007293266A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | ポリマーフィルム、偏光板保護フィルム、偏光板および液晶表示装置 |
| JP4953915B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | セルロースアシレートフィルムおよびその製造方法、並びに、それを用いた位相差フィルム、偏光板および液晶表示装置 |
| JP4910524B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2012-04-04 | コニカミノルタオプト株式会社 | 可塑剤、セルロースエステルフィルム、偏光板及び液晶表示装置 |
| WO2008007566A1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | Procédé de production de film protecteur pour polariseur, film protecteur pour polariseur, polariseur, et écran à cristaux liquides |
| TWI408160B (zh) * | 2006-09-29 | 2013-09-11 | Fujifilm Corp | 透明保護薄膜、光學補償薄膜、偏光板及液晶顯示裝置 |
| JP5061066B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2012-10-31 | 富士フイルム株式会社 | ポリマーフィルム、偏光板保護フィルム、偏光板及び液晶表示装置 |
| TW201028292A (en) * | 2008-12-11 | 2010-08-01 | Sumitomo Chemical Co | Process for producing composite polarizing plate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4240799B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2009-03-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 光学用セルロースエステルフィルム、その製造方法及び偏光板 |
| JP2002196146A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-07-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学補償シート、偏光板、およびそれを用いた液晶表示装置 |
| JP2003055477A (ja) * | 2001-08-15 | 2003-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | セルロースアセテートフイルム、光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 |
-
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|---|---|
| JP2006022311A (ja) | 2006-01-26 |
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