JP2009031616A - 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】荷電粒子線透過孔を所望の形状に形成された第1のパターンデータと、位置合わせのために形成された第1のアライメントマークと、を有する第1の基板と、荷電粒子線透過孔を所望の形状に形成された第2のパターンデータと、位置合わせのために形成された第2のアライメントマークと、を有する第2の基板と、第1のアライメントマーク及び第2のアライメントマークを位置合わせして、第1のパターンデータと第2のパターンデータとを接合させた2段構造とすることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
【選択図】図12
Description
2 第1のパターンデータ
3 第1のアライメントマーク
4 従来のパターンデータ
5 一定量両側に伸長する量
6 第2の基板
7 第2のパターンデータ
8 第2のアライメントマーク
9 従来のパターンデータに対して、Y軸に対象なパターンデータ
10 一定量上下両側に伸長する量
11 任意の大きさの矩形データ
12 排他的論理和による図形演算の結果得られるパターンデータ
13 中間酸化膜
14 赤外光による照明
15 顕微光学系
16 赤外用の右側カメラ
17 赤外用の左側カメラ
18 接合により形成されるパターンデータ
19 従来のパターンデータ
20 荷電粒子線露光用マスクに実際に形成される第1の基板上のパターン
21 荷電粒子線露光用マスクに実際に形成される第2の基板上のパターン
22 接合によって荷電粒子線露光用マスクに実際に形成される実パターン
23 荷電粒子線露光用マスク
Claims (11)
- メンブレン構造が、第1の基板と第2の基板とを接合させた2段構造とすることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
- 荷電粒子線透過孔を所望の形状に形成された第1のパターンデータと、
位置合わせのために形成された第1のアライメントマークと、を有する前記第1の基板と、
荷電粒子線透過孔を所望の形状に形成された第2のパターンデータと、
位置合わせのために形成された第2のアライメントマークと、を有する前記第2の基板と、
前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークを位置合わせして、前記第1のパターンデータと前記第2のパターンデータとを接合させた2段構造とすることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線露光用マスク。 - 前記第1の基板に形成する前記第1のパターンデータは、荷電粒子線透過孔の前記第1のパターンデータに対してX方向に一定量伸長させたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子線露光用マスク。
- 前記第2の基板に形成する前記第2のパターンデータは、荷電粒子線透過孔の前記第2のパターンデータをY軸に対して反転させ、さらにY方向に一定量伸長させたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子線露光用マスク。
- 前記第1のパターンデータ及び前記第2のパターンデータは、論理積を行って得られる実パターンを有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の荷電粒子線露光用マスク。
- 前記実パターンのコーナ部は、前記第1のパターンデータ及び前記第2のパターンデータの直線部が交差し形成されることで、その頂角が曲率を持たず、完全な直角であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の荷電粒子線露光用マスク。
- 荷電粒子線透過孔を所望の形状を有する第1のパターンデータ及び位置合わせを行うために形成する第1のアライメントマークを有する第1の基板と荷電粒子線透過孔を所望の形状を有する第2のパターンデータ及び位置合わせを行うために形成する第2のアライメントマークを有する第2の基板とを準備し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを所望の形状を有する前記第1のパターンデータ及び前記第2のパターンデータを前記第1のアライメントマーク及び前記第2のアライメントマークが一致するように接合させて密着し、
前記第1の基板の裏面を所定の厚さまで研磨し、
前記第2の基板の裏面を選択的に除去して開口部を形成し、
前記第1の基板と前記第2の基板とを所定のパターンで除去することで荷電粒子線透過孔を形成すること特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。 - 前記第1の基板に形成する前記第1のパターンデータは、荷電粒子線透過孔の前記第1のパターンデータに対してX方向に一定量伸長させて作製することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
- 前記第2の基板に形成する前記第2のパターンデータは、荷電粒子線透過孔の前記第2のパターンデータをY軸に対して反転し、さらにY方向に一定量伸長させて作製することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
- 前記第1のパターンデータ及び前記第2のパターンデータの論理積を行って得られる実パターンを形成することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
- 前記実パターンのコーナ部は、前記第1のパターンデータ及び前記第2のパターンデータの直線部が交差し形成されることで、その頂角が曲率を持たず、完全な直角であることを特徴とする請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
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JP2004134447A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Sony Corp | 露光方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 |
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JP2005079450A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法、並びに露光装置および露光方法 |
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