JP2012195095A - 荷電粒子線レンズの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも第1の貫通孔を有する第1の導電性基板と、第2の貫通孔を有する第2の導電性基板と、を接合してなる接合電極を有する荷電粒子線レンズの製造方法であって、前記第1の導電性基板に前記第1の貫通孔を形成する工程と、前記第2の導電性基板に前記第2の貫通孔を形成する工程と、前記第1の貫通孔と前記第2の貫通孔とが連通するように前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板と、を位置合わせする工程と、前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板とを接合する工程と、を含む。
【選択図】 図1
Description
本実施例の電子線レンズの製造方法は、電子線レンズを構成する電極の高精度貫通孔の形成に関する。本発明によれば、複数枚の導電性基板にそれぞれ別に貫通孔を形成し、複数の導電性基板を位置合わせ・接合して1枚の接合電極4とする。本実発明の製造方法にかかる各工程を、図1によって説明する。図1の左の図は断面図で、右の図は上面図である。1枚の接合電極4は複数枚の導電性基板から構成する。
この際に貫通孔の角にバーズピークが発生し、基板の平面よりも盛り上がった突起が発生する場合がある。
図3を参照して説明する。本実施例では3枚以上の導電性基板を接合する工程を含む場合について説明する。
接合する導電性基板の枚数を増やすことにより、1枚あたりの導電性基板の厚みを薄くすることができるため、貫通孔100断面のパターン精度を向上させることができる。
第2、3の導電性基板のアライメントマーク5を基準にして位置合わせを行う。
図4を参照して説明する。本実施例では導電性基板をSOI基板から作製する工程を含む。半導体プロセスにより貫通孔を形成する場合、基板の厚みが極端に薄いと基板が撓みやすく、高精度な加工が困難となる。よって、接合電極4を構成する全ての導電性基板をSOI基板から作製した方が高精度な加工が可能となるが、求める精度によっては、SOI基板は一部の導電性基板にだけ用いても良い。
図4(b)は第1、第2の導電性基板に第1、第2の貫通孔を形成する工程を含む。
SOI基板のデバイス層6表面にパターニングを行い、デバイス層6表面からBOX層7に向かって第2の貫通孔102を形成する。第2の貫通孔102は少なくともデバイス層6を貫通していればよい。デバイス層6はハンドル層8の除去後は第2の導電性基板とみなす。パターニング方法、デバイス層6のエッチング方法は実施例1、2と同様である。BOX層7はSiO2であるため、ドライエッチングの際に第2の貫通孔102の側壁にノッチを発生させやすく、オーバーエッチング時間は最小限にするのがよい。
図4(d)は第1、第2の導電性基板を位置合わせする工程を含む。
図4(e)は第1、第2の導電性基板を接合する工程を含む。
図4(f)はSOIウェハーのハンドル層8およびSOIウェハーのBOX層を除去する工程を含む。
図4(g)は第2の導電性基板に通電孔14を形成する工程を含む。
図4(h)は通電孔14の表面に導電性膜13を堆積する工程を含む。
図5を参照して説明する。本発明では基板としてのSOIウェハーのデバイス層6をサポート基板9に転写したのちに、デバイス層6を第2の導電性基板2とする工程を含む。貫通孔形成の際には、エッチング開始側からエッチング終了側に向かってパターン転写精度が低下していく。これはエッチングの進行に伴い貫通孔となるエッチング孔内壁の形状が不均一に変化するからである。また電子線レンズの加工精度が収差に対して与える影響は、電極の外側の方が大きい。よってデバイス層6を一度サポート基板に転写してから第1の導電性基板1に接合する方が、収差を小さくできる。デバイス層6が単体でハンドリングできる程度に厚ければ、転写工程を省き、デバイス層6に第2の貫通孔102を形成後、BOX層7とハンドル層8を除去し、裏返して第1の導電性基板に接合してもよい。図5に工程を示す。
貫通孔形成後にSOIウェハーを洗浄し、エッチング残渣やマスク材を取り除いてデバイス層6を清浄なSiとするのは実施例1、2、3と同様である。
分離層15はデバイス層6を傷めずに分離できる層であればよく、のちの接合工程にフュージョン接合を用いる場合には分離層はSiO2層を用いることができる。陽極接合や直接接合を用いる場合には接着シートやワックス材を分離層とすればよい。サポート基板9の材質は、デバイス層6と接合でき、デバイス層6を剥離できる材質がよい。また、サポート基板9はデバイス層6を歪ませずに接合する必要があるため、平坦性が求められる。以上のことからサポート基板9はSiO2基板を用いるか、表面にワックスをもつ平坦な基板か、粘着質のテープを使うのがよい。
図6を参照して説明する。本実施例では第1の導電性基板1に第1の貫通孔101を形成後に、第1の導電性基板1と貫通孔形成前の第2の導電性基板2とを接合する工程と、第1の貫通孔101に対して位置合わせを行った位置に第2の導電性基板2上に第2の貫通孔102を形成する工程を含む。実施例1〜4では貫通孔が形成された導電性基板同士を接合したが、実施例5では接合工程のあとに、第2の導電性基板に第2の貫通孔102の形成を行う。これにより接合時のボイドを低減することができる。接合の際には清浄で平坦性の高い基板であるほど、接合のボイドが発生しにくい。第2の導電性基板2の加工を接合後に行うことで、第2の導電性基板2の清浄度と平坦性を確保しやすくなる。図6に工程図を示す。
第1の貫通孔101を形成した第1の導電性基板1と、貫通孔を形成していない第2の導電性基板2を接合し接合電極4とする。
これは第2の貫通孔102を形成時に第1の貫通孔101を保護するためのものである。ドライエッチングでSiと選択比が大きい材料であればよいので、SiO2、SiN膜が好ましい。第2の導電性基板に第2の貫通孔102を形成後、除去するとよい。
パターニング、位置合わせ、貫通孔100の形成方法は実施例1〜4と同様である。
接合後、熱酸化を行い、接合電極4表面をSiO2化する。接合電極4のうち第1の導電性基板1側のSiO2膜10のうえにフォトレジスト12のパターン形成を行い、CHF3のドライエッチングによってSiO2膜10のパターニングを行う。パターニングは第1の導電性基板1のアライメントマーク5を基準に行う。このSiO2膜10のパターンをハードマスクとしてボッシュプロセスにより導電性基板側から接合界面に向かってエッチングを行う。接合界面のSiO2膜1----0は応力で破れても、第1の導電性基板1の貫通孔100はSiO2化されているためダメージを受けにくいため問題とならない。O2プラズマによりボッシュプロセスのデポ膜を除去後、フッ化水素酸によってSiO2膜10を除去する。-このような工程を経て本発明の荷電粒子線レンズを形成する。
図7を参照して説明する。本実施例では接合電極4の第1の導電性基板側1から第1の貫通孔101を形成する工程と、接合電極4の第2の導電性基板側2から第1の貫通孔101と連通する第2の貫通孔102を形成する工程とを含む場合について説明する。
第1の孔を設ける工程と、第2の孔を設ける工程と、第1の孔と第2の孔を連通させる工程と、第1の導電性基板と第2の導電性基板を接合する工程とは必要に応じて工程の順序を変えても良い(順不同)。一例としては第2の導電性基板2側から第1の孔104と位置合わせした位置に穴あけ加工を行い前記第1の孔104と前記第2の孔105とを連通させ、貫通孔100として接合電極4とする。
2 第2の導電性基板
3 第3の導電性基板
4 接合電極4
5 アライメントマーク
6 デバイス層
7 BOX層
8 ハンドル層
9 サポート基板
10 SiO2膜
11 バーズピーク
12 レジスト
13 導電性膜
14 通電孔
15 分離層
100 貫通孔
101 第1の貫通孔
102 第2の貫通孔
103 第3の貫通孔
Claims (9)
- 少なくとも第1の貫通孔を有する第1の導電性基板と、
第2の貫通孔を有する第2の導電性基板と、
を接合してなる接合電極を有する荷電粒子線レンズの製造方法であって、
前記第1の導電性基板に前記第1の貫通孔を形成する工程と、
前記第2の導電性基板に前記第2の貫通孔を形成する工程と、
前記第1の貫通孔と前記第2の貫通孔とが連通するように前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板と、を位置合わせする工程と、
前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板とを接合する工程と、
を含むことを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。 - 前記第2の導電性基板に、第3の貫通孔を有する第3の導電性基板を、
前記第1の貫通孔と前記第2の貫通孔と前記第3の貫通孔とが連通するように前記第1の導電性基板と、前記第2の導電性基板と、前記第3の導電性基板と、を位置合わせする工程と、
前記第1から第3の導電性基板を接合する工程と、
をさらに含むことを特徴とする
請求項1に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。 - 前記第1から第3の導電性基板の少なくとも1つがSOI基板のデバイス層からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。
- 前記第1から第3導電性基板の少なくとも1つは、前記SOI基板のうち貫通孔を有するデバイス層からなり、
前記デバイス層と前記第1から第3導電性基板の少なくとも1つと接合したのちに前記SOI基板のハンドル層および前記SOI基板のBOX層を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。 - 前記第1から第3導電性基板の少なくとも1つは、前記SOI基板のうち貫通孔を有するデバイス層からなり、
前記SOI基板のデバイス層に貫通孔を形成する工程と、
前記デバイス層に分離層を介して支持基板を接合する工程と、
前記SOI基板のうちハンドル層およびBOX層を除去する工程と、
前記デバイス層のうち前記BOX層が形成されていた面を接合面として前記第1から第3の導電性基板の少なくとも一つとを接合する工程と、
前記支持基板を前記分離層で分離する工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。 - 少なくとも第2の導電性基板と、
第1の貫通孔を有する第1の導電性基板と、
を接合してなる接合電極4を有する荷電粒子線レンズの製造方法であって、
前記第1の導電性基板に前記第1の貫通孔を形成する工程と、
前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板とを接合する工程と、
前記第2の導電性基板に前記第1の貫通孔と連通する第2の貫通孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。 - 少なくとも第1の導電性基板と第2の導電性基板とを接合してなる接合電極4を荷電粒子線レンズの製造方法であって、
前記接合電極4の前記第1の導電性基板側から第1の貫通孔を形成する工程と、
前記接合電極4の前記第2の導電性基板側から前記第1の貫通孔と連通する第2の貫通孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。 - 第1の貫通孔の直径と第2の貫通孔の直径が異なることを特徴とする
を特徴とする請求項1〜7に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。 - 少なくとも第1の孔を有する第1の導電性基板と、
第2の孔を有する第2の導電性基板と、
を接合してなる接合電極を有する荷電粒子線レンズの製造方法であって、
前記第1の導電性基板に第1の孔をあける工程と、
前記第2の導電性基板に第2の孔をあける工程と、
前記第1の導電性基板と前記第2の導電性基板とを接合する工程と、
前記第1の孔と前記第2の孔を連通させる工程と、
を含むことを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。
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