JP2012195095A5 - - Google Patents

Description

本発明は上記課題を解決するために本発明者らが鋭意検討を行った結果完成に至ったものであり、その骨子とするところは、少なくとも第１の貫通孔を有する第１の導電性基板と、第２の貫通孔を有する第２の導電性基板と、を接合してなる接合電極４を有する電子線レンズの製造方法であって、
前記第１の導電性基板に前記第１貫通孔を形成する工程と、
前記第２の導電性基板に前記第２の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔とが連通するように前記第１の導電性基板と前記第２の導電性基板と、を位置合わせする工程と、前記第１の導電性基板と前記第２の導電性基板とを接合する工程と、を有することを特徴とするものである。

Claims (7)

1. 第１の導電性基板に第１の貫通孔を形成する工程と、
   第２の導電性基板に第２の貫通孔を形成する工程と、
   前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔とが連通するように前記第１の導電性基板と前記第２の導電性基板と、を位置合わせする工程と、
   前記第１の導電性基板と前記第２の導電性基板とを接合する工程と、
   を有することを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。
2. 第１の導電性基板に第１の貫通孔を形成する工程と、
   第２の導電性基板に第２の貫通孔を形成する工程と、
   第３の導電性基板に第３の貫通孔を形成する工程と、
   前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔と前記第３の貫通孔とが連通するように前記第１の導電性基板と、前記第２の導電性基板と、前記第３の導電性基板と、を位置合わせする工程と、
   前記第１から第３の導電性基板を接合する工程と、
   を有することを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。
3. 前記第２の導電性基板は、ＳＯＩ基板のデバイス層からなり、
   前記デバイス層と前記第１の導電性基板とを接合したのちに、前記ＳＯＩ基板のハンドル層および前記ＳＯＩ基板のＢＯＸ層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。
4. 前記第２の導電性基板は、ＳＯＩ基板のデバイス層からなり、
   前記ＳＯＩ基板のデバイス層に貫通孔を形成する工程と、
   前記デバイス層に分離層を介して支持基板を接合する工程と、
   前記ＳＯＩ基板のうちハンドル層およびＢＯＸ層を除去する工程と、
   前記デバイス層のうち前記ＢＯＸ層が形成されていた面を接合面として前記第１の導電性基板を接合する工程と、
   前記支持基板を前記分離層で分離する工程と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。
5. 第１の導電性基板に第１の貫通孔を形成する工程と、
   前記第１の導電性基板と第２の導電性基板とを接合する工程と、
   前記第１の導電性基板と第２の導電性基板とを接合した後に、前記第２の導電性基板に前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。
6. 第１の導電性基板と第２の導電性基板とを接合して接合電極を形成する工程と、
   前記接合電極の前記第１の導電性基板側から第１の貫通孔を形成する工程と、
   前記接合電極の前記第２の導電性基板側から前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線レンズの製造方法。
7. 前記第１の貫通孔の直径と前記第２の貫通孔の直径とが異なることを特徴とする請求項１〜６の何れか１つに記載の荷電粒子線レンズの製造方法。