JP2009026972A - 半導体装置およびcmos - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の導電型を有する半導体基板2上に、ゲート構造G1を形成する。ゲート構造G1の両脇における半導体基板2の表面内に、第二の導電型を有する電極領域5を形成する。電極領域5の直下部に、低比誘電率層6を形成する。低比誘電率層6は、電極領域5が有する比誘電率よりも小さい、または半導体基板2が有する比誘電率より小さい、比誘電率を有する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態に係るP−MOSFET1の構成を示す断面図である。
図3は、本実施の形態に係るN−MOSFET11の構成を示す断面図である。
本実施の形態に係る半導体装置21は、以下の構成を除いて、実施の形態1に係る半導体装置1の構成と同じである。
本実施の形態に係る半導体装置31は、以下の構成を除いて、実施の形態2に係る半導体装置11の構成と同じである。
本実施の形態は、実施の形態1に係る構成と、実施の形態2に係る構成とを備えるCMOSFETに関するものである。図7は、本実施の形態に係るCMOSFET50の構成を示す断面図である。
Claims (8)
- 第一の導電型を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される、ゲート絶縁膜とゲート電極とが当該順に積層された積層体であるゲート構造と、
前記ゲート構造の両脇における前記半導体基板の表面内に形成される、第二の導電型を有する電極領域と、
前記電極領域の直下部に形成される、前記電極領域が有する比誘電率よりも小さい、または前記半導体基板が有する比誘電率より小さい、比誘電率を有する低比誘電率層とを、備えている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板は、
n型シリコンであり、
前記電極領域は、
p型SiGeであり、
前記低比誘電率層は、
SiCまたはCである、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート構造の下方の前記半導体基板において、
前記ゲート構造から近い順に、n型SiGe層およびn型シリコン層の積層構造が形成されている、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ゲート構造の下方の前記半導体基板において、
前記ゲート構造から近い順に、n型シリコン層、n型SiGe層、およびn型シリコン層の積層構造が形成されている、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は、
p型シリコンであり、
前記電極領域は、
n型SiCであり、
前記低比誘電率層は、
SiCまたはCである、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート構造の下方の前記半導体基板において、
前記ゲート構造から近い順に、p型SiC層およびp型シリコン層の積層構造が形成されている、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記ゲート構造の下方の前記半導体基板において、
前記ゲート構造から近い順に、p型シリコン層、p型SiC層、およびp型シリコン層の積層構造が形成されている、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - PMOSトランジスタが形成される第一の領域としての第一のウエル領域と、NMOSトランジスタが形成される第二の領域としての第二のウエル領域とを有する、半導体基板と、
前記第一の領域の前記第一のウエル領域の表面内に形成される、前記PMOSトランジスタの第一のソース・ドレイン領域と、
前記第二の領域の前記第二のウエル領域の表面内に形成される、前記NMOSトランジスタの第二のソース・ドレイン領域と、
前記第一のソース・ドレイン領域の直下部に形成される、前記第一のソース・ドレイン領域が有する比誘電率よりも小さい、または前記第一のウエル領域が有する比誘電率より小さい、比誘電率を有する第一の低比誘電率層と、
前記第二のソース・ドレイン領域の直下部に形成される、前記第二のソース・ドレイン領域が有する比誘電率よりも小さい、または前記第二のウエル領域が有する比誘電率より小さい、比誘電率を有する第二の低比誘電率層とを、備えている、
ことを特徴とするCMOS。
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