JP2009025082A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中空部を備えたハウジング10の内壁に中空部の軸方向に突出し、中空部における軸方向に対して周方向に一周する凸部14を設けて凸部14とセンサチップ20を直接接合する。このような構成とすれば、ハウジング10とセンサチップ20が直接接合により一体化された構造となっているため、センサ保持体、オイル、ボンディング部分を保護する保護用樹脂およびこれらを備え付けるための製造工程や部品を必要としないので圧力センサを製造する部品数および製造工程を削減することができ、またセンサチップ20で直接圧力媒体の受圧を行うことができる。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態が適用された圧力センサについて説明する。図1は、本実施形態にかかる圧力センサの全体断面図、図2は本実施形態にかかる圧力センサにおけるセンサチップの上面レイアウト図である。なお、図1に示されるセンサチップの断面図は図2中のA−A矢視断面図に対応している。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは第1実施形態に対して、センサチップ20の構成を変更したものでありその他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは第2実施形態に対してセンサチップ20の構成を変更したものでありその他に関しては第2実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、第3実施形態に対してゲージ抵抗26の配置場所を変更したものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは第1実施形態に対して、センサチップ20の構成と、ゲージ抵抗26とボンディングワイヤ31の接合構造を変更したものでありその他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、第5実施形態に対してハウジング10とセンサチップ20との接合構造を変更したものでありその他に関しては第6実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは第6実施形態に対して、センサチップ20の構成を変更したものでありその他に関しては第6実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは第1実施形態に対してセンサチップ20の構成とハウジング10の絶縁膜15の配置を変更したものでありその他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
(1)上記各実施形態では、ターミナル11とゲージ抵抗26が配線16などを介して電気的に接続されておりターミナル11から外部へ信号の伝達を行っている。しかしながら、外部への信号の伝達はこれに限られるものではない。
Claims (17)
- 圧力媒体を導入するための中空部を備えた金属製のハウジング(10)と、前記ハウジング(10)内に配置され、前記ハウジング(10)に導入された圧力を圧力導入側の面にて受圧することにより変形可能なダイアフラム(24)が形成されていると共に、前記ダイアフラム(24)にゲージ抵抗(26)が備えられており、前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続される配線(27)と、前記配線(27)を介して前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続される電極(30)と、を備えるセンサチップ(20)とを有する圧力センサであって、
前記センサチップ(20)は半導体基板(22、35)を有して構成されており、
前記ハウジング(10)は前記中空部を形成する内壁に前記中空部の軸方向に突出し、かつ前記中空部における軸方向に対して周方向に一周する凸部(14)を有し、
前記凸部(14)と前記センサチップ(20)とが直接接合されており、前記ハウジング(10)と前記センサチップ(20)に備えられた前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記電極(30)との間は絶縁されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記半導体基板(22、35)には前記圧力導入側の面と対向する裏面から前記配線(27)と電気的に接続される部分までの穴(29)が形成されていると共に、前記穴(29)に配置され、かつ前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続される前記電極(30)が備えられていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記センサチップ(20)は前記半導体基板(22、35)の前記裏面のうち前記電極(30)よりも端部側が前記凸部(14)の前記圧力導入側の面に直接接合されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記センサチップ(20)は、前記半導体基板(22)の前記裏面が凹部(23)となる前記ダイアフラム(24)を備え、前記ダイアフラム(24)の前記圧力導入側の面を受圧面とし、前記ゲージ抵抗(26)は前記ダイアフラム(24)の前記受圧面に備えられ、
前記センサチップ(20)には、前記半導体基板(22)の前記裏面のうち前記電極(30)よりも端部側に絶縁膜(21)が備えられており、前記絶縁膜(21)と前記凸部(14)とが直接接合されていることを特徴とする請求項3に記載の圧力センサ。 - 前記センサチップ(20)は、前記半導体基板(22)の前記裏面が凹部(23)となる前記ダイアフラム(24)を備え、前記ダイアフラム(24)の前記圧力導入側の面を受圧面とし、前記ゲージ抵抗(26)は前記ダイアフラム(24)の前記受圧面に備えられ、
前記センサチップ(20)には、前記半導体基板(22)のうちの前記凸部(14)との接合部分と前記電極(30)との間に前記ハウジング(10)と前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記電極(30)との間を絶縁するトレンチ(32)が備えられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記トレンチ(32)に絶縁膜(33)が配置されていることを特徴とする請求項5に記載の圧力センサ。
- 前記半導体基板(22、35)は第1半導体基板(22)と第2半導体基板(35)とを有し、前記第1半導体基板(22)は前記裏面が凹部(23)となる前記ダイアフラム(24)を備え、前記ダイアフラム(24)の前記圧力導入側の面を受圧面とし、前記ゲージ抵抗(26)は前記ダイアフラム(24)の前記受圧面に備えられており、
前記センサチップ(20)は前記第1半導体基板(22)の前記裏面に前記第2半導体基板(35)が貼り合わされて構成されていると共に、前記第1半導体基板(22)と前記第2半導体基板(35)との間には前記凹部(23)による基準圧室(36)が備えられ、
前記第1半導体基板(22)に前記ダイアフラム(24)、前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)が備えられていると共に、前記穴(29)および前記電極(30)が前記第2半導体基板(22)を貫通して前記第1半導体基板(22)に備えられた前記配線(27)に達するように形成されており、
前記センサチップ(20)には、前記半導体基板(22、35)のうち前記凸部(14)との接合部分と前記電極(30)との間に前記ハウジング(10)と前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記電極(30)との間を絶縁するトレンチ(37)が備えられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記半導体基板(22、35)は第1半導体基板(22)と第2半導体基板(35)とを有し、前記第1半導体基板(22)は前記圧力導入側の面が凹部(23)となる前記ダイアフラム(24)を備え、前記ダイアフラム(24)の前記圧力導入側の面を受圧面とし、前記ゲージ抵抗(26)は前記ダイアフラム(24)の前記受圧面の裏面に備えられており、
前記第1半導体基板(22)の前記裏面には前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)が備えられると共に、前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)を囲み、かつ前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)とはトレンチ(25)により離間されている外周部(28)が備えられ、
前記ゲージ抵抗(26)は前記配線(27)および前記外周部(28)よりも薄く構成されており、前記センサチップ(20)は前記第1半導体基板(22)の前記裏面に前記第2半導体基板(35)が貼り合わされて構成されていると共に、前記第1半導体基板(22)と前記第2半導体基板(35)との間には前記ゲージ抵抗(26)が前記配線(27)および前記外周部(28)より薄く構成されていることによる基準圧室(36)が備えられ、
前記第1半導体基板(22)に前記ダイアフラム(24)、前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)が備えられていると共に、前記穴(29)および前記電極(30)が前記第2半導体基板(22)を貫通して前記第1半導体基板(22)に備えられた前記配線(27)に達するように形成されており、
前記センサチップ(20)には、前記半導体基板(22、35)のうち前記凸部(14)との接合部分と前記電極(30)との間に前記ハウジング(10)と前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記電極(30)との間を絶縁するトレンチ(37)が備えられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記トレンチ(37)に絶縁膜(38)が配置されていることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の圧力センサ。
- 圧力媒体を導入するための中空部を備えた金属製のハウジング(10)と、前記ハウジング(10)内に配置され、前記ハウジング(10)に導入された圧力を圧力導入側の面にて受圧することにより変形可能なダイアフラム(24)が形成されていると共に、前記ダイアフラム(24)にゲージ抵抗(26)が備えられており、前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続される配線(27)とを備えるセンサチップ(20)とを有する圧力センサであって、
前記センサチップ(20)は半導体基板(22)を有して構成されており
前記センサチップ(20)は前記半導体基板(22)の前記圧力導入側の面が凹部(23)となる前記ダイアフラム(24)を備え、前記ダイアフラム(24)の前記圧力導入側の面を受圧面とし、前記ダイアフラム(24)の前記受圧面の裏面には前記ゲージ抵抗(26)が備えられ、前記半導体基板(22)の前記圧力導入側の面の裏面には前記ゲージ抵抗(26)と接続される前記配線(27)が備えられると共に前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続されるボンディングワイヤ(31)が備えられ、
前記ハウジング(10)は前記中空部を形成する内壁に前記中空部の軸方向に突出し、かつ前記中空部における軸方向に対して周方向に一周する凸部(14)を有し、
前記凸部(14)と前記センサチップ(20)とが直接接合されており、前記ハウジング(10)と前記センサチップ(20)に備えられた前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記ボンディングワイヤ(31)との間は絶縁されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記センサチップ(20)は、前記半導体基板(22)の前記裏面のうち前記ボンディングワイヤ(31)よりも端部側が前記凸部(14)の前記圧力導入側の面に直接接合されていることを特徴とする請求項10に記載の圧力センサ。
- 前記センサチップ(20)には、前記半導体基板(22)のうちの前記凸部(14)との接合部分と前記ボンディングワイヤ(31)との間に前記ハウジング(10)と前記ゲージ抵抗(26)、前記配線(27)および前記ボンディングワイヤ(31)との間を絶縁するトレンチ(25)が備えられていることを特徴とする請求項11に記載の圧力センサ。
- 前記半導体基板(22)は第1半導体層(22a)と、前記第1半導体層(22a)の表面に配置される絶縁膜(22b)と、前記絶縁膜(22b)の表面で前記第1半導体層(22a)と反対側に配置される第2半導体層(22c)と、を有して構成されており、
前記半導体基板(22)のうち前記第1半導体層(22a)が前記圧力導入側に向けられると共に、前記第1半導体層(22a)に凹部(23)が備えられており、前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)は前記絶縁膜(22b)に配置された前記第2半導体層(22c)で構成されており、
前記センサチップ(20)は前記半導体基板(22)のうちの前記凸部(14)との接合部分において前記絶縁膜(22b)が露出された構造とされており、前記絶縁膜(22b)が前記凸部(14)と直接接合されていることを特徴とする請求項11に記載の圧力センサ。 - 前記半導体基板(22)は第1半導体層(22a)と、前記第1半導体層(22a)の表面に配置される絶縁膜(22b)と、前記絶縁膜(22b)の表面で前記第1半導体層(22a)と反対側に配置される第2半導体層(22c)と、を有して構成されており、
前記半導体基板(22)のうち前記第1半導体層(22a)が前記圧力導入側に向けられると共に、前記第1半導体層(22a)に凹部(23)が備えられており、前記ゲージ抵抗(26)および前記配線(27)は前記絶縁膜(22b)に配置された前記第2半導体層(22c)で構成されており、
前記センサチップ(20)は前記半導体基板(22)のうちの前記凸部(14)との接合部分において前記第1半導体層(22b)が露出された構造とされており、前記第1半導体層(22b)が前記凸部(14)と直接接合されていることを特徴とする請求項11に記載の圧力センサ。 - 前記ハウジング(10)は少なくとも前記センサチップ(20)と接合する部分が絶縁膜(15)で覆われていることを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記ハウジング(10)に形成された前記凸部(14)の前記センサチップ(20)と接合する部分の裏面および前記ハウジング(10)の前記中空部を形成する内壁のうち前記凸部(14)の裏面側に位置する内壁には絶縁膜(15)が配置され、前記絶縁膜(15)上にはプリント配線(16)が配置されており、前記プリント配線(16)は外部との接続用のターミナル(11)と前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続するための前記ボンディングワイヤ(31)とが接続されていることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記ハウジング(10)に形成された前記凸部(14)は前記センサチップ(20)と接合する部分の裏面に絶縁膜(15)が配置され、前記絶縁膜(15)上には金属パッド(39)が配置されており、前記金属パッド(39)は金属製のバネ(40)を介して前記ターミナル(11)と前記ゲージ抵抗(26)と電気的に接続するための前記ボンディングワイヤ(31)とが接続されていることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載の圧力センサ。
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JPH11295172A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-29 | Denso Corp | 半導体圧力センサ |
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