JP2009017476A - 撮影制御装置及びその制御方法、並びに、プログラム - Google Patents

撮影制御装置及びその制御方法、並びに、プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】フレームレートを必要に応じて低下させて被写体の被爆線量を少なくした場合であっても、放射線画像のS/Nの悪化を防止すると共に、ダイナミックレンジが狭まることを回避する。
【解決手段】蓄積時間計算部32では、フレーム時間決定部31で決定された1フレームのフレーム時間に基づいて、放射線画像(X線画像)を得る際に行われるセンサ4の電荷の蓄積に係る第1の蓄積時間を計算する。そして、前記第1の蓄積時間が基準となる基準時間よりも大きい場合、蓄積時間変更部35において、1フレームのフレーム時間内に電荷のダミーの蓄積時間を設定して、前記第1の蓄積時間を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間に変更する。そして、撮影処理部36では、前記第2の蓄積時間に基づいて、放射線画像の撮影処理を行う。
【選択図】図1

Description

本発明は、照射された放射線を電荷として検出するセンサを制御する撮影制御装置及びその制御方法、並びに、当該制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに関する。
近年、1つの装置構成で、静止画の撮影だけでなく、動画撮影、エネルギーサブトラクション撮影等の多様な撮影モードに対応する放射線画像撮影装置が求められている。例えば、特許文献1には、こられの多様な撮影モードに対応する放射線画像撮影装置が示されている。
ここで、特許文献1に示されている動画撮影モードにおける動作について、図7及び図8を用いて説明する。
図7は、従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図7には、1フレームフレーム時間内に、X線の照射後のセンサの光電変換素子における電荷の読み出しを1回行い、続いて、X線の非照射時のセンサの光電変換素子における電荷の読み出しを1回行う場合のタイミングが示されている。
なお、図7に示す、X線の照射後の1回の読み出しとX線の非照射時の1回の読み出しとは、共に、センサの全光電変換素子(全画素)の電荷の読み出しである。したがって、図7では、これらの読み出し時間が同じ時間(Tr)となっている。また、X線の照射後の読み出しは、X線画像を得るための読み出しであり、X線の非照射時の読み出しは、オフセット補正を行うための読み出しである。
図7において、X線画像の1フレームのフレーム時間をTf10とし、また、電荷の読み出し時間をTr、X線の照射時の電荷蓄積時間をTw11、X線の非照射時の電荷蓄積時間をTw12とすると、以下の(1)式の関係が成り立つ。この際、1フレームのフレーム時間Tf10は、X線照射の周期に等しい。
Tf10=(Tw11+Tr)+(Tw12+Tr) ・・・(1)
また、X線の照射時に読み出した画素値をVx、X線の非照射時に読み出した画素値をVfとし、また、オフセット補正値をVo10とすると、オフセット補正値Vo10は、以下の(2)式で計算できる。
Vo10=Vx−Vf ・・・(2)
また、オフセット補正量は電荷蓄積時間に比例するために、完全にオフセットを除去するには、以下の(3)式を満たすことが望ましい。
Tw11=Tw12 ・・・(3)
この場合、(3)式を(1)式に代入すると、電荷蓄積時間Tw11は、以下の(4)式で計算できる。
Tw11=Tf10/2−Tr ・・・(4)
また、図7に示すように、X線の照射時間をTxとすると、X線の照射時の電荷蓄積時間Tw11は、X線の照射時間Txより大きいために、以下の(5)式を満たす必要がある。
Tw11>Tx ・・・(5)
図8は、従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図8には、1フレームのフレーム時間内に、X線の照射後のセンサの光電変換素子における電荷の読み出しを1回行い、かつ、X線の非照射時のセンサの光電変換素子における電荷の読み出しを3回行う場合のタイミングが示されている。
図8において、X線画像の1フレームのフレーム時間をTf11とし、また、電荷の読み出し時間をTr、X線の照射時の電荷蓄積時間をTw13、X線の非照射時の電荷蓄積時間をTw14とする。この際、完全にオフセットを除去するために、(3)式と同様の趣旨で、以下の(6)式を満たすようにする。
Tw13=Tw14 ・・・(6)
よって、1フレームのフレーム時間Tf11は、以下の(7)式のように示される。
Tf11=k・(Tw13+Tr) ・・・(7)
ただし、kは、1フレームのフレーム時間内に行われる、電荷の蓄積及び読み出しの繰り返し数を示す正の整数であり、図8の場合にはk=4となり、また、図7の場合にはk=2となる。
そして、図8において、X線の照射時に読み出した画素値をVx、X線の非照射時に読み出した画素値をVf1、Vf2及びVf3とし、また、オフセット補正値をVo11とすると、オフセット補正値Vo11は、以下の(8)式で計算できる。
Vo11=Vx−Vfn ・・・(8)
ただし、nは、1からk−1の間の整数である。
また、(7)式から、X線の照射時の電荷蓄積時間Tw13は、以下の(9)式で計算できる。
Tw13=Tf11/k−Tr ・・・(9)
また、図8に示すように、X線の照射時間をTxとすると、X線の照射時の電荷蓄積時間Tw13は、X線の照射時間Txより大きいために、以下の(10)式を満たす必要がある。
Tw13>Tx ・・・(10)
ここで、(4)式と(9)式とを比較すると、(4)式は、(9)式においてk=2を代入した場合と等価であるため、(4)式は(9)式に含まれる。
また、特許文献1では、エネルギーサブトラクション撮影モードとして、各1回の低電圧のX線と高電圧のX線を照射した場合を示しているが、これを繰り返せば動画のエネルギーサブトラクション撮影が可能となる。ここで、この場合の動画のエネルギーサブトラクション撮影モードにおける動作について、図9及び図10を用いて説明する。
図9は、従来例を示し、動画のエネルギーサブトラクション撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図9には、1フレームのフレーム時間内に、低電圧のX線の照射後の読み出しを1回行い、その後、高電圧のX線の照射後の読み出しを1回行い、かつ、X線の非照射時の読み出しを1回行う場合のタイミングが示されている。
図9において、X線画像の1フレームのフレーム時間をTf12とし、また、低電圧のX線の照射時間をTxl、高電圧のX線の照射時間をTxhとする。さらに、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw15とし、高電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw16、X線の非照射時の電荷蓄積時間をTw17とすると、以下の(11)式の関係が成り立つ。
Tf12=(Tw15+Tr)+(Tw16+Tr)+(Tw17+Tr)
・・・(11)
また、低電圧のX線の照射時に読み出した画素値をVxlとし、高電圧のX線の照射時に読み出した画素値をVxh、X線の非照射時に読み出した画素値をVfとする。さらに、低電圧のX線の照射時のオフセット補正値をVol、高電圧のX線の照射時のオフセット補正値をVohとすると、各オフセット補正値は、以下の(12)式で計算できる。
Vol=Vxl−Vf,Voh=Vxh−Vf ・・・(12)
また、完全にオフセットを除去するには、(3)式と同様の趣旨で、以下の(13)式を満たすことが望ましい。
Tw15=Tw16=Tw17 ・・・(13)
この際、(13)式が成り立てば、低電圧のX線の照射時間Txlと高電圧のX線の照射時間Txhは異なっていてもよい。
したがって、(13)式を(11)式に代入すると、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw15は、以下の(14)式で計算できる。
Tw15=Tf12/3−Tr ・・・(14)
また、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw15は、各X線の照射時間Txl及びTxhより大きいために、以下の(15)式を満たす必要がある。
Tw15>Txl,Tw15>Txh ・・・(15)
図10は、従来例を示し、動画のエネルギーサブトラクション撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図10には、1フレームのフレーム時間内に、低電圧のX線の照射後の読み出し及びX線の非照射時の読み出しを各1回行い、かつ、高電圧のX線の照射後の読み出し及びX線の非照射時の読み出しを各1回行う場合のタイミングが示されている。
図10において、X線画像の1フレームのフレーム時間をTf13とし、また、低電圧のX線の照射時間をTxl、高電圧のX線の照射時間をTxhとする。さらに、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw18、その後のX線の非照射時の電荷蓄積時間をTw19、高電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間をTw20、その後のX線の非照射時の電荷蓄積時間をTw21とすると、以下の(16)式の関係が成り立つ。
Tf13=(Tw18+Tr)+(Tw19+Tr)+(Tw20+Tr)
+(Tw21+Tr) ・・・(16)
また、低電圧のX線の照射時に読み出した画素値をVxl、その後のX線の非照射時に読み出した画素値をVflとし、高電圧のX線の照射時に読み出した画素値をVxh、その後のX線の非照射時に読み出した画素値をVfhとする。さらに、低電圧のX線の照射時のオフセット補正値をVol、高電圧のX線の照射時のオフセット補正値をVohとすると、各オフセット補正値は、以下の(17)式で計算できる。
Vol=Vxl−Vfl,Voh=Vxh−Vfh ・・・(17)
また、完全にオフセットを除去するには、(3)式と同様の趣旨で、以下の(18)式及び(19)式を満たすことが望ましい。
Tw18=Tw19 ・・・(18)
Tw20=Tw21 ・・・(19)
この際、(18)式と(19)式が成り立てば、低電圧のX線の照射時間Txlと高電圧のX線の照射時間Txhは異なっていてもよい。
したがって、(18)式と(19)式を(16)式に代入すると、以下の(20)式のようになる。
Tw18+Tw20=Tf13/2−2Tr ・・・(20)
また、各X線の照射時の電荷蓄積時間は、各X線の照射時間より大きいために、以下の(21)式を満たす必要がある。
Tw18>Txl,Tw20>Txh ・・・(21)
通常、低電圧のX線の照射時間Txlと高電圧のX線の照射時間Txhは、予め決まっており、例えば、以下の(22)式及び(23)式が成立するように決める場合が多い。
Tw18=Txl+α ・・・(22)
Tw20=Txh+α ・・・(23)
また、撮影フレームレートが高い場合(例えば、30FPS程度の場合)、αは数msの値をとることが多い。
(20)式、(22)式及び(23)式を用いて整理すると、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間Tw18は、下記の(24)式で示され、高電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間Tw20は、下記の(25)式で示される。
Tw18=Tf13/4−Tr+(Txl−Txh)/2 ・・・(24)
Tw20=Tf13/4−Tr+(Txh−Txl)/2 ・・・(25)
特開2005−287773号公報
しかしながら、一般に、X線画像撮影装置では、被検者(被写体)の被爆線量を少なくするために、フレームレートを下げて撮影する場合がある。このフレームレートを下げる場合、即ち、1フレームの時間を長くして撮影する場合には、例えば、(7)式において、kの値を大きくする方法が考えられる。ここで、図7はk=2の場合であり、図8はk=4の場合である。
図8の場合において、以下の(26)式を満たすようにすると、図8に示す1フレームのフレーム時間Tf11は、図7のフレーム時間Tf10の2倍になる。
Tw11=Tw12=Tw13=Tw14 ・・・(26)
しかしながら、このkの値を変更する方法の場合では、長くできる1フレームのフレーム時間Tf11は、図7に示すフレーム時間Tf10の整数倍にしかできないという問題があった。即ち、この場合、被検者(被写体)の被爆線量を少なくするために、フレームレートを適宜に低下させることが困難であるという問題点があった。
また、被検者(被写体)の被爆線量を少なくするために、1フレームの時間を長くして撮影する他の方法には、電荷蓄積時間を長くする方法がある。そのタイミングチャートを図11に示す。
図11は、従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図11には、k=2の場合であって、図7の例に対して、電荷蓄積時間を長くした場合のタイミングが示されている。
図11において、X線画像の1フレームのフレーム時間をTf14とし、また、電荷の読み出し間時間をTr、X線の照射時の電荷蓄積時間をTw31、X線の非照射時の電荷蓄積時間をTw32とする。
ここで、1フレームのフレーム時間Tf14が、図7のフレーム時間Tf10より大きい場合には、以下の(27)式の関係が成り立つ。
Tw31>Tw11 ・・・(27)
しかしながら、図11に示すように、電荷蓄積時間が長くなると、センサの光電変換素子に流れ込む暗電流が多くなり、光電変換素子に蓄積される電荷量が多くなる。そして、このように、蓄積される電荷量が多くなると、S/Nが悪化して、ダイナミックレンジが狭まるという問題があった。また、同様に、エネルギーサブトラクション撮影モードとステレオ撮影モードに関しても同じ問題点が存在していた。
本発明は前述の問題点に鑑みてなされたもので、フレームレートを必要に応じて低下させて被写体の被爆線量を少なくした場合であっても、放射線画像のS/Nの悪化を防止すると共に、ダイナミックレンジが狭まることを回避できるようにすることを目的とする。
本発明の撮影制御装置は、画像を得るために電荷の蓄積および読み出しを行うためのセンサを制御する撮影制御装置であって、入力手段の入力に基づいて画像の撮影間隔を示すフレーム時間を決定する決定手段と、前記決定手段によって決定されたフレーム時間に基づいて、画像の生成処理に用いない電荷の蓄積および読み出しを設定するか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定に基づいて前記センサを制御する制御手段とを有する。
本発明によれば、フレームレートを必要に応じて低下させて被写体の被爆線量を少なくした場合であっても、放射線画像のS/Nの悪化を防止すると共に、ダイナミックレンジが狭まることを回避することができる。
次に、本発明に係る撮影制御装置の諸実施形態について説明する。
なお、以下に示す本発明に係る撮影制御装置の諸実施形態の説明においては、放射線としてX線を適用したX線画像撮影装置の例を示すが、本発明においてはこれに限定されない。本発明の放射線としては、X線に限らず、例えば、α線、β線、γ線、光線なども含まれるものとし、これらの放射線を用いて撮影された放射線画像を処理する装置も本発明に含まれるものとする。また、可視光を撮影するための撮影制御装置にも適用できる。
(第1の実施形態)
以下に、添付図面を用いて、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の概略構成の一例を示すブロック図である。
図1に示すように、X線画像撮影装置10は、X線発生部1と、操作入力部2と、制御部3と、センサ4と、表示部5と、ROM6と、RAM7と、蓄積部8を有して構成されている。また、制御部3には、フレーム時間決定部31と、蓄積時間計算部32と、基準時間(所定時間)設定部33と、比較判定部34と、蓄積時間変更部35と、撮影処理部36が機能構成として含まれている。
X線発生部(放射線発生部)1は、被写体(被検者)20に対してパルス状にX線1aを連続して発生することができるものであり、例えば、X線管球で構成されている。
操作入力部2は、ユーザがX線画像撮影装置10に対して入力指示を行う際に操作されるものである。この操作入力部2には、X線発生部1からX線1aを発生させる際にユーザが操作する照射スイッチ2aが含まれている。
制御部3は、例えば、ROM6に記憶されているプログラム等を読み出し、これに基づいてX線画像撮影装置10の全体の制御を行うCPUなどによって構成される。特に、本実施形態において、制御部3は、ROM6に記憶されているプログラム等に基づいて、31〜36の各機能構成における処理を実現する。
ここで、フレーム時間決定部31は、X線画像のフレーム単位の撮影間隔(フレーム時間)を決定する。蓄積時間計算部32は、1フレームのX線画像を得る際に交互に繰り返し行われるセンサ4の電荷の蓄積及び読み出しのうち、電荷の蓄積に係る蓄積時間(第1の蓄積時間)を計算する。基準時間設定部33は、基準となる基準時間(所定時間)を設定する。比較判定部34は、第1の蓄積時間と基準時間とを比較判定する。蓄積時間変更部35は、第1の蓄積時間が基準時間よりも大きい場合に、当該1フレームのフレーム時間内にダミーの蓄積時間および読み出し時間を設定して、第1の蓄積時間を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間に変更する。ここで、ダミーの蓄積時間およびダミーの読み出し時間とは、X線画像の生成処理に用いずに掃き捨てる電荷の蓄積時間および読み出し時間のことを指す。撮影処理部36は、比較判定部34による判定の結果、第1の蓄積時間が基準時間以下である場合には、ダミーの蓄積時間および読み出し時間の設定を行わずに第1の蓄積時間に基づいてセンサ4の制御を行う。一方、撮影処理部36は、比較判定部34による判定の結果、第1の蓄積時間が基準時間よりも大きい場合には、第2の蓄積時間に基づいてセンサ4の制御を行う。そして、ダミーの蓄積および読み出しを行う。なお、蓄積時間計算部32、基準時間設定部33、比較判定部34及び蓄積時間変更部35は、「判定手段」を構成する。また、撮影処理部36は、「制御手段」を構成する。
センサ4は、制御部3の制御に基づいて、X線発生部1から照射され、被写体20を透過したX線1aを電気信号(電荷)として検出する。
このセンサ4には、例えば、光電変換素子とTFTとを含む画素が2次元状に配列されており、この場合、各画素上には、例えば蛍光体が設けられて形成される。そして、この場合、センサ4に入射したX線は蛍光体で可視光に変換され、変換された可視光が各画素の光電変換素子に入射し、各光電変換素子において、可視光に応じた電荷が生成される。なお、本実施形態では、上述した蛍光体及び光電変換素子によって、入射したX線を電荷に変換する「変換素子」を構成する形態であるが、例えば蛍光体を設けずに、入射したX線を直接電荷に変換する、いわゆる直接変換型の変換素子を構成する形態であってもよい。したがって、以降の説明においては、センサ4に、「変換素子」が2次元状に配列されているものとして説明を行う。
また、既に背景技術で説明したように、センサ4は、各変換素子の電荷の蓄積と電荷の読み出しを交互に繰り返して、X線画像を撮影することができるものである。
表示部5は、制御部3の制御に基づいて、センサ4から読み出された電荷に基づくX線画像や、操作UI等を表示するものである。
ROM6には、例えば、制御部3に、後述の図2に示す処理、並びに、その他のX線画像撮影装置10の制御に必要なプログラム等が記憶されている。
RAM7は、例えば、制御部3が各種の制御を行う時に用いられ、例えば、制御部3により計算処理された各種の情報や、ユーザが操作入力部2を介して入力した各種の情報等を一時的に記憶する。
蓄積部8は、例えば、センサ4で検出されたX線に基づく各X線画像(各放射線画像)の画像データ等を蓄積して記憶するものである。
図1において、制御部3は、照射スイッチ2aが操作されオンとなると、X線発生部1からパルス状にX線1aが照射されるように制御する。また、制御部3は、X線1aのパルスに同期して、センサ4から、被写体(被検者)20を透過したX線1aに基づく電荷を読み出してX線画像を生成し、必要に応じて画像処理を行った後、当該X線画像を表示部5に表示する。
X線画像撮影装置10でいわゆるパルスX線動画撮影を行う場合、パルス状のX線1aを照射する時間間隔は、フレーム時間決定部31によって決定される1フレームのフレーム時間によって定まる。また、センサ4の各変換素子における電荷の蓄積及び電荷の読み出しのタイミングは、フレーム時間決定部31、蓄積時間計算部32、比較判定部34、及び、蓄積時間変更部35によって定まる。
そして、制御部3(撮影処理部36)は、蓄積時間計算部32又は蓄積時間変更部35で決まった変換素子における電荷蓄積時間に基づいて、センサ4を制御することによって、パルスX線動画撮影の処理を行う。
次に、第1の実施形態に係るX線画像撮影装置10の処理手順について説明する。
図2は、本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の処理手順の一例を示すフローチャートである。
まず、ステップS1において、ユーザから操作入力部2を介して撮影条件の入力がなされると、制御部3は、これを検知し、操作入力部2を介して入力した各種の情報を、例えば、RAM7に記憶し設定する。ここで、本実施形態では、ユーザにより、フレームレートFr、k(kは電荷の蓄積及び読み出しの繰り返し数を示す正の整数)に係る値、X線の照射時間Tx等が撮影条件として入力され、これらの情報がRAM7に記憶されて設定されるものとする。
続いて、ステップS2において、制御部3は、ユーザにより照射スイッチ2aが操作され、当該照射スイッチ2aがオンとなったか否かを判定する。この判定の結果、照射スイッチ2aがオンでない場合には、ステップS2で照射スイッチ2aがオンとなったと判定されるまで、ステップS2で待機する。
一方、ステップS2の判定の結果、照射スイッチ2aがオンとなった場合には、ステップS3に進む。なお、このステップS2は、後述のステップS7及びS8の間に設けてもよい。ステップS3に進むと、制御部3のフレーム時間決定部31は、ステップS1において設定されたフレームレートに基づいて、X線画像のフレーム単位の撮影間隔(フレーム時間)を決定する。このステップS3の具体的な処理を以下に説明する。
動画撮影モードにおけるX線画像の撮影では、1フレームのフレーム時間を決める必要がある。ここで、以下の説明では、図7(又は後述する図3)に示す1フレームのフレーム時間Tf10を決定する場合の例を説明する。
フレーム時間決定部31は、ステップS1により得られたフレームレートFrの情報を用いて、1フレームのフレーム時間Tf10を、以下の(28)を計算することにより決定する。
Tf10=1/Fr ・・・(28)
そして、フレーム時間決定部31は、算出された1フレームのフレーム時間Tf10の情報を、例えば、RAM7に記憶し設定する。
続いて、ステップS4において、制御部3の蓄積時間計算部32は、1フレームのX線画像を得る際に交互に繰り返し行われるセンサ4の電荷の蓄積及び読み出しのうち、電荷の蓄積に係る第1の蓄積時間を計算する。このステップS4の具体的な処理を以下に説明する。
第1の実施形態は、1フレームのフレーム時間内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出し以外に、X線の照射時の電荷の蓄積及びその読み出しを1回とX線の非照射時の電荷の蓄積及びその読み出しをk−1回繰り返す場合の形態である。即ち、第1の実施形態は、1フレームのフレーム時間内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出し以外に、合計k回の電荷の蓄積及び読み出しが繰り返し行われる場合の形態である。なお、以下の説明では、図7に示す例で説明を行う。
蓄積時間計算部32は、上述した(9)式に基づく以下の(29)式により、図7に示すX線の照射時の電荷蓄積時間Tw11を、第1の実施形態における第1の蓄積時間として計算する。
Tw11=Tf10/k−Tr ・・・(29)
ここで、上述したように、Trは電荷の読み出し時間を示しており、蓄積時間に関わらず一定の値をとる。また、完全にオフセットを除去するために、(3)式に示すように、電荷蓄積時間Tw11及びTw12は同じとしている。したがって、フレーム時間Tf10が大きくなると、本実施形態の第1の蓄積時間Tw11は大きくなる。
そして、蓄積時間計算部32は、算出された第1の蓄積時間Tw11の情報を電荷蓄積時間の情報として、例えば、RAM7に記憶し設定する。
続いて、ステップS5において、制御部3の基準時間設定部33は、基準となる基準時間(所定時間)を設定する。
具体的に、本実施形態では、基準時間設定部33は、ステップS1により得られたkに係る値及びX線の照射時間Txに基づいて、以下の(30)式に示す基準時間(所定時間)Tcを設定する。
Tc=Tx+Tr/k ・・・(30)
そして、基準時間設定部33は、算出された基準時間Tcの情報を、例えば、RAM7に記憶し設定する。
続いて、ステップS6において、制御部3の比較判定部34は、ステップS4で算出された第1の蓄積時間とステップS5で設定された基準時間とを比較し、第1の蓄積時間が基準時間よりも大きいか否かを判定する。
具体的に、本実施形態では、比較判定部34は、以下に示す(31)式を満たすか否かを判定する。
Tw11>Tc ・・・(31)
ここで、(30)式を(31)式に代入すると、以下の(32)式が成り立つ。
Tw11>Tx+Tr/k ・・・(32)
また、(29)式を(32)式に代入すると、以下の(33)式が成り立つ。
Tf10>(k+1)・Tr+k・Tx ・・・(33)
したがって、(33)式は(32)式と同じ意味の式であり、(32)式が成り立つ場合は、(33)式も成り立つ。
そして、(33)式が成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf10)内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出しを更に挿入することができるようになる。
このステップS6の判定の結果、第1の蓄積時間が基準時間よりも大きい場合には、ステップS7に進む。ステップS7に進むと、制御部3の蓄積時間変更部35は、1フレームのフレーム時間内にダミーの蓄積時間を設定して、第1の蓄積時間を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間に変更する。このステップS7の具体的な処理を以下に説明する。
図3は、本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図3は、例えば、従来例を示す図7に対して、1フレームのフレーム時間(Tf10)内に、センサ4における電荷のダミーの蓄積及びダミーの読み出しを追加した場合のタイミングチャートであり、k=2の場合である。ここで、図3においては、(3)式の趣旨に基づいて、X線の照射時の電荷蓄積時間とX線の非照射時の電荷蓄積時間を同じ電荷蓄積時間Tw1としている。
蓄積時間変更部35は、第2の蓄積時間をTw1とし、フレーム時間をTf10、電荷の読み出し時間をTrとすると、ダミーの蓄積時間Tw2を以下の(34)式のように設定する。
Tw2=Tf10−(k・Tw1+(k+1)・Tr) ・・・(34)
この場合、上述した(5)式及び(10)式と同様の趣旨により、第2の蓄積時間Tw1は、以下の(35)式を満たすように設定される。
Tw1>Tx ・・・(35)
なお、ダミーの読み出し時間はTrである。
また、第2の蓄積時間Tw1は、蓄積時間変更部35により、第1の蓄積時間(図7に示すTw11)よりも小さい蓄積時間として設定されるが、本実施形態では、例えば、基準時間Tc以下の時間(具体的に、例えば、基準時間Tc)として設定される。この際、第2の蓄積時間Tw1は、上述した(35)式を満たすように設定されるため、本実施形態の場合には、第2の蓄積時間Tw1は、X線の照射時間Txよりも大きく、かつ基準時間Tc以下の時間として設定されることになる。
即ち、本実施形態では、図7の第1の蓄積時間Tw11が基準時間Tcよりも大きい場合、1フレームのフレーム時間内に、図3のダミーの蓄積時間Tw2を設定し、第1の蓄積時間Tw11を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw1に変更される。
通常、X線の照射時間Txは、小さく一定の時間なので、第2の蓄積時間Tw1は、小さくすることができる。そのため、(34)式より、フレーム時間Tf10が大きくなると、第2の蓄積時間Tw1は大きくならずに、ダミーの蓄積時間Tw2が大きくなる。また、フレーム時間Tf10は、ダミーの蓄積時間Tw2を調整することにより自由に設定できる。なお、本実施形態におけるオフセット補正に係るオフセット補正値に関しては、既に背景技術で説明したように、(2)式で計算できる。
(31)式が成り立つ場合であって図3に示すk=2の場合には、(34)式は、以下の(36)式のようになる。
Tw2=Tf10−(2Tw1+3Tr) ・・・(36)
また、上述したように、(31)式が成立しない場合の電荷蓄積時間は、(29)式で計算でき、1フレームのフレーム時間Tf10が大きくなると、基準時間Tcまでは第1の蓄積時間Tw11が大きくなる。
そして、1フレームのフレーム時間Tf10が更に大きくなると、(31)式が成立し、この場合、ダミーの蓄積時間Tw2が設定され、電荷蓄積時間は、第1の蓄積時間Tw11から、当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw1に変更される。図3に示す場合のダミーの蓄積時間Tw2は、上述した(35)式で計算できる。
そして、ステップS7の処理が行われると、蓄積時間変更部35は、第1の蓄積時間Tw11の情報に替えて、第2の蓄積時間Tw1の情報及びダミーの蓄積時間Tw2の情報を電荷蓄積時間の情報として、例えば、RAM7に記憶し設定する。
再び、図2の説明に戻る。
ステップS7の処理が終了した場合、或いは、ステップS6で第1の蓄積時間が基準時間よりも大きくないと判断された場合には、ステップS8に進む。
ステップS8に進むと、制御部3の撮影処理部36は、ステップS1及びステップS3で設定された各種の情報、並びに、ステップS4又はステップS7で設定された電荷蓄積時間の情報に基づいて、X線画像の撮影処理を行う。このステップS8の具体的な処理を以下に説明する。
まず、撮影処理部36は、ステップS1で設定されたX線の照射時間Tx及びステップS3で設定された1フレームのフレーム時間Tf10に基づいて、X線発生部1から、被写体(被検者)20にパルス状のX線1aを連続して照射させる。
次に、撮影処理部36は、RAM7に設定されている電荷蓄積時間の情報に基づいて、センサ4の各変換素子における電荷の蓄積を制御し、X線画像の撮影処理を行う。
具体的に、撮影処理部36は、例えば、RAM7に電荷蓄積時間の情報として第1の蓄積時間Tw11の情報が設定されている場合には、図7に示す電荷の蓄積及び読み出しのタイミングでセンサ4を制御する。また、撮影処理部36は、例えば、RAM7に電荷蓄積時間の情報として第2の蓄積時間Tw1の情報及びダミーの蓄積時間Tw2の情報が設定されている場合には、図3に示す電荷の蓄積及び読み出しのタイミングでセンサ4を制御する。
そして、ステップS8の処理が行われると、撮影処理部36は、撮影により得られたX線画像の画像データを、例えば、蓄積部8に蓄積して記憶する。
なお、第1の実施形態では、第1の蓄積時間が基準時間より長い場合にダミーの蓄積および読み出し時間を設定するようにしている。このように間接的に1フレームのフレーム時間が予め定められた時間より長い場合にダミーの蓄積および読み出しの期間を設けるのではなく、例えば、直接的に行ってもよい。即ち、この場合、まず画像処理に用いる電荷の蓄積時間TwXおよび読み出し時間TrXを設定しておく。この時間は、X線の照射時間より少し長い時間である。そして、(フレーム時間Tf11−2TwX−3TrX)をダミーの蓄積時間とする。そして、この時間がマイナスの場合は、ダミーの蓄積時間および読み出し時間の設定を行わないようにする。
また、第1の実施形態では、1フレームのフレーム時間の決定に際して、フレーム時間決定部31が(28)式を用いた計算により決定していたが、この形態に限定されるものではない。例えば、ステップS1においてユーザから操作入力部2を介して直接入力された1フレームのフレーム時間を検知して、これを1フレームのフレーム時間として決定する形態であってもよい。
また、第1の実施形態では、31〜36の各構成部を、制御部3がROM6に記憶されているプログラムを実行することによりソフトウェアで実現するようにしているが、例えば、当該各構成部をハードウェアで実現するようにしてもよい。
また、第1実施形態では、図3に示すように、X線の照射時の電荷の蓄積、X線を非照射時の電荷の蓄積、ダミーの蓄積の順序で駆動する例を説明したが、駆動のタイミングの順序はこれに限定されるものではない。例えば、X線の非照射時の電荷の蓄積、X線の照射時の電荷の蓄積、ダミーの蓄積の順序であってもよい。
(第2の実施形態)
以下に、添付図面を用いて、本発明の第2の実施形態について説明する。
ここで、第2の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の概略構成は、図1に示す第1の実施形態に係るX線画像撮影装置10の概略構成と同様である。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図4は、例えば、従来例を示す図8に対して、1フレームのフレーム時間(Tf11)内に、センサ4における電荷のダミーの蓄積及びダミーの読み出しを追加した場合のタイミングチャートであり、k=4の場合である。ここで、図4においては、(6)式の趣旨に基づいて、X線の照射時の電荷蓄積時間とX線の非照射時の電荷蓄積時間を同じ電荷蓄積時間Tw3としている。
即ち、図4には、1フレームのフレーム時間内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出し以外に、X線の照射時の電荷の蓄積及びその読み出しを1回とX線の非照射時の電荷の蓄積及びその読み出しを3回の合計4回繰り返す場合について示されている。
第2の実施形態の場合には、図8に示すX線の照射時の電荷蓄積時間Tw13を、第1の蓄積時間として適用する。
第2の実施形態の場合において、(31)式に基づき、Tw13>Tcが成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf11)内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出しを更に挿入することができるようになる。そして、この場合には、制御部3の蓄積時間変更部35は、1フレームのフレーム時間(Tf11)内に、図4に示すダミーの蓄積時間Tw4を設定して、第1の蓄積時間Tw13を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw3に変更する。
図4は、k=4の場合であり、(34)式に対して、ダミーの蓄積時間をTw2からTw4とし、1フレームのフレーム時間をTf10からTf11とし、第2の蓄積時間をTw1からTw3とすると、ダミーの蓄積時間Tw4は、以下の(37)式となる。
Tw4=Tf11−(4Tw3+5Tr) ・・・(37)
また、本実施形態におけるオフセット補正に係るオフセット補正値に関しては、既に背景技術で説明したように、(8)式で計算できる。
(第3の実施形態)
以下に、添付図面を用いて、本発明の第3の実施形態について説明する。
ここで、第3の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の概略構成は、図1に示す第1の実施形態に係るX線画像撮影装置10の概略構成と同様である。
第3の実施形態は、従来例の図9に示された動画の撮影モードに対応する形態である。
即ち、1フレームのフレーム時間内に、低電圧のX線の照射後の読み出しを1回行い、その後、高電圧のX線の照射後の読み出しを1回行い、かつ、X線の非照射時の読み出しを1回行うエネルギーサブトラクション撮影を行う形態である。
第3の実施形態に係るX線画像撮影装置10では、制御部3の制御により、X線発生部1からは、当該X線発生部の電圧が低電圧の場合のX線(第1の放射線)と高電圧の場合のX線(第2の放射線)とが、各フレーム毎にそれぞれ1回パルス状に照射される。
そして、この場合、フレーム時間決定部31は、(28)式に対して、1フレームのフレーム時間をTf10から図9に示すTf12として、第3の実施形態における1フレームのフレーム時間Tf12を決定する。また、蓄積時間計算部32は、第1の蓄積時間として、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間Tw15を、上述した(14)式により計算する。また、この場合、(15)式が成り立つ必要がある。
また、基準時間設定部33は、基準時間Tcを、以下の(38)式により設定する。
Tc=Tx+Tr/3 ・・・(38)
そして、比較判定部34は、第1の蓄積時間Tw15と基準時間Tcとを比較して、以下に示す(39)式を満たすか否かを判定する。
Tw15>Tc ・・・(39)
ここで、(38)式を(39)式に代入すると、以下の(40)式が成り立つ。
Tw15>Tx+Tr/3 ・・・(40)
また、(40)式は、(14)式を考慮すると、以下の(41)式のようになる。
Tf12>4Tr+3Tx ・・・(41)
この(41)式は、(40)式と同じ意味の式であるので、(40)式が成り立つ場合は(41)式も成り立つ。
そして、(40)式が成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf12)内に、電荷のダミーの蓄積及びその読み出しを更に挿入することができるようになる。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図5は、例えば、従来例を示す図9に対して、1フレームのフレーム時間(Tf12)内に、センサ4における電荷のダミーの蓄積及びダミーの読み出しを追加した場合のタイミングチャートである。ここで、図5においては、(6)式の趣旨に基づいて、X線の照射時の電荷蓄積時間とX線の非照射時の電荷蓄積時間を同じ電荷蓄積時間Tw5としている。
蓄積時間変更部35は、(39)式が成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf12)内に、図5に示すダミーの蓄積時間Tw6を設定して、第1の蓄積時間Tw15を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw5に変更する。
この場合、蓄積時間変更部35は、電荷の読み出し時間をTrとすると、ダミーの蓄積時間Tw6を、以下の(42)式により設定する。
Tw6=Tf12−(2Tw5+3Tr) ・・・(42)
この際、第2の蓄積時間Tw5は、各X線の照射時間Txl及びTxhより大きいために、(15)式と同様の趣旨により、以下の(43)式を満たす必要がある。
Tw5>Txl,Tw5>Txh ・・・(43)
また、各X線の照射時間Txl及びTxhが同じ時間Txである場合には、(43)式は、Tw5>Txと表せる。
また、第2の蓄積時間Tw5は、蓄積時間変更部35により、第1の蓄積時間(図9に示すTw15)よりも小さい蓄積時間として設定されるが、第1の実施形態と同様に、例えば、基準時間Tc以下の時間(具体的に、例えば、基準時間Tc)として設定される。この際、第2の蓄積時間Tw5は、上述した(43)式を満たすように設定されるため、本実施形態の場合には、第2の蓄積時間Tw5は、X線の照射時間Txl及びTxhよりも大きく、かつ基準時間Tc以下の時間として設定されることになる。
通常、X線の照射時間Txl及びTxhは、小さく一定の時間なので、第2の蓄積時間Tw5は、小さくすることができる。そのため、(42)式より、フレーム時間Tf12が大きくなると、第2の蓄積時間Tw5は大きくならずに、ダミーの蓄積時間Tw6が大きくなる。また、フレーム時間Tf12は、ダミーの蓄積時間Tw6を調整することにより自由に設定できる。なお、本実施形態におけるオフセット補正に係るオフセット補正値に関しては、既に背景技術で説明したように、(12)式で計算できる。
また、(39)式が成立しない場合の電荷蓄積時間は、(14)式で計算でき、1フレームのフレーム時間Tf12が大きくなると、(39)式が成立するようになる。この場合、ダミーの蓄積時間Tw6が設定され、電荷蓄積時間は、第1の蓄積時間Tw15から、当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw5に変更される。そして、フレーム時間Tf12が更に大きくなった場合には、ダミーの蓄積時間Tw6が大きくなる。
第3実施形態では、図5に示すように、低電圧に係るX線の照射時の蓄積、高電圧に係るX線の照射時の蓄積、X線の非照射時の蓄積、ダミーの蓄積の順序で駆動例を説明したが、駆動のタイミングの順序はこれに限定されるものではない。例えば、高電圧に係るX線の照射時の蓄積、低電圧に係るX線の照射時の蓄積、X線の非照射時の蓄積、ダミーの蓄積の順序であってもよい。
また、例えば、X線発生部1に左右の2つのX線管球を構成し、低電圧のX線の照射に替えて一方(例えば左)のX線管球からX線の照射を行い、高電圧のX線の照射に替えて他方(例えば右)のX線管球からX線の照射を行うようにする。このようにすれば、図5と同じタイミングチャートで動画のステレオ撮影ができる。
(第4の実施形態)
以下に、添付図面を用いて、本発明の第4の実施形態について説明する。
ここで、第4の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の概略構成は、図1に示す第1の実施形態に係るX線画像撮影装置10の概略構成と同様である。
第4の実施形態では、従来例の図10に示された動画の撮影モードに対応する形態である。即ち、1フレームのフレーム時間内に、低電圧のX線の照射後の読み出し及びX線の非照射時の読み出しを各1回行い、その後、高電圧のX線の照射後の読み出し及びX線の非照射時の読み出しを各1回行うエネルギーサブトラクション撮影を行う形態である。
第4の実施形態に係るX線画像撮影装置10では、制御部3の制御により、X線発生部1からは、当該X線発生部の電圧が低電圧の場合のX線(第1の放射線)と高電圧の場合のX線(第2の放射線)とが、各フレーム毎にそれぞれ1回パルス状に照射される。
そして、この場合、フレーム時間決定部31は、(28)式に対して、1フレームのフレーム時間をTf10から図10に示すTf13として、第4の実施形態における1フレームのフレーム時間Tf13を決定する。また、蓄積時間計算部32は、第1の蓄積時間として、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間Tw18及び高電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間Tw20を、上述した(24)式及び(25)式により計算する。また、この場合、(21)式が成り立つ必要がある。
低電圧のX線の照射時間をTxl、高電圧のX線の照射時間をTxhとすると、基準時間設定部33は、各電荷蓄積時間Tw18及びTw20における基準時間Tc1及びTc2を、それぞれ以下の(44)式及び(45)式により設定する。
Tc1=Txl+Tr/4 ・・・(44)
Tc2=Txh+Tr/4 ・・・(45)
そして、この場合、比較判定部34は、以下に示す(46)式及び(47)式を満たすか否かを判定する。
Tw18>Tc1 ・・・(46)
且つ、
Tw20>Tc2 ・・・(47)
この場合、(44)式を(46)式、(45)式を(47)式にそれぞれ代入すると、以下の(48)式及び(49)式となる。
Tw18>Txl+Tr/4 ・・・(48)
且つ、
Tw20>Txh+Tr/4 ・・・(49)
この際、(48)式と(49)式は、(24)式と(25)式を考慮すると、以下の(50)式に書き換えることができる。
Tf13>5Tr+2(Txl+Txh) ・・・(50)
この(50)式は、(48)式及び(49)式と同じ意味の式であるので、(50)式が成り立つ場合は、(48)式と(49)式も成り立つ。
そして、(50)式が成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf13)内に、電荷のダミーの蓄積及び読み出しを更に挿入することができるようになる。
図6は、本発明の第4の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この図6は、例えば、従来例を示す図10に対して、1フレームのフレーム時間(Tf13)内に、センサ4における電荷のダミーの蓄積及びダミーの読み出しを追加した場合のタイミングチャートである。ここで、図6においては、(18)式の趣旨に基づいて、低電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間と、その後のX線の非照射時の電荷蓄積時間を同じ電荷蓄積時間Tw7としている。同様に、(19)式の趣旨に基づいて、高電圧のX線の照射時の電荷蓄積時間と、その後のX線の非照射時の電荷蓄積時間を同じ電荷蓄積時間Tw8としている。
蓄積時間変更部35は、(50)式が成り立つ場合、1フレームのフレーム時間(Tf13)内に、図5に示すダミーの蓄積時間Tw9を設定する。そして、蓄積時間変更部35は、第1の蓄積時間Tw18を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw7に変更し、また、第1の蓄積時間Tw20を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw8に変更する。
この場合、蓄積時間変更部35は、電荷の読み出し時間をTrとすると、ダミーの蓄積時間Tw9を、以下の(51)式により設定する。
Tw9=Tf13−(2・(Tw7+Tw8)+5Tr) ・・・(51)
この際、第2の蓄積時間Tw7及びTw8は、それぞれ、各X線の照射時間Txl及びTxhより大きいために、(21)式と同様の趣旨により、以下の(52)式を満たす必要がある。
Tw7>Txlと、Tw8>Txh ・・・(52)
通常、X線の照射時間は小さい時間なので、第2の蓄積時間Tw7及びTw8は、小さくすることができる。そのため、(51)式より、フレーム時間Tf13が大きくなると、第2の蓄積時間Tw7及びTw8は大きくならずに、ダミーの蓄積時間Tw9が大きくなる。また、フレーム時間Tf13は、ダミーの蓄積時間Tw9を調整することにより自由に設定できる。なお、本実施形態におけるオフセット補正に係るオフセット補正値に関しては、既に背景技術で説明したように、(17)式で計算できる。
また、(50)式が成立しない場合の電荷蓄積時間は、(24)式と(25)式で計算でき、1フレームのフレーム時間Tf13が大きくなると、(50)式が成立するようになる。この場合、ダミーの蓄積時間Tw9が設定され、電荷蓄積時間は、第1の蓄積時間Tw18及びTw20から、それぞれ、当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間Tw7及びTw8に変更される。そして、フレーム時間Tf13が更に大きくなった場合には、ダミーの蓄積時間Tw9が大きくなる。
次に、第1の実施形態を例にして、本発明の作用・効果について詳しく説明する。
図3において、X線の照射時の電荷の読み出しでは画素値Vxが得られ、当該読み出しは、X線画像を得るための読み出しである。この際、理想的なセンサ4であれば、画素値Vxとして、X線の強さに比例した画素値が得られる。しかしながら、実際には、オフセット値とノイズとが加算された値になる。
ここで、センサ4の任意の1画素に注目し、X線の強さをX、オフセット値をVo、ノイズによる値(ノイズ値)をVn1とすると、センサ4の当該任意の1画素の画素値Vxは、一般に下記の(53)式で表される。
Vx=a・X+Vo+Vn1(aは、比例定数) ・・・(53)
この際、オフセット値Voは、電荷蓄積時間に比例して大きくなり、画素毎に僅かに異なる。また、ノイズ値Vn1は、下記の(54)式で表せる範囲でランダムに変化する。
−Vr1≦Vn1≦Vr1 ・・・(54)
ここで、Vr1は、電荷蓄積時間に比例して大きくなる値である。
したがって、X線の照射時の電荷の読み出しで得られた画素値Vxには、X線の強さに比例した値のみならず、オフセット値、ノイズ値も含まれるため、綺麗なX線画像は得られない。
そこで、X線の非照射時の電荷の読み出しが行われる。このX線の非照射時の電荷の読み出しでは画素値Vfが得られる。そして、このX線の非照射時の電荷の読み出しでは、X線が照射されない状態での読み出しであるため、オフセット値とノイズ値が得られる。このX線の非照射時の電荷の読み出しで得られるオフセット値をVo、ノイズ値をVn2とすると、センサ4の任意の1画素における画素値Vfは、一般に下記の(55)式で表される。
Vf=Vo+Vn2 ・・・(55)
この際、ノイズ値Vn2は、下記の(56)式で表せる範囲でランダムに変化する。
−Vr2≦Vn2≦Vr2 ・・・(56)
ここで、Vr2は、電荷蓄積時間に比例して大きくなる値である。
そして、(53)式と(55)式から、オフセット値Voを無くした画素値Vが、下記の(57)式により得られる。
V=Vx−Vf=a・X+Vn1−Vn2 ・・・(57)
オフセット補正の処理では、上述した処理をセンサ4の全画素に対して1画素毎に行う。即ち、X線の非照射時の電荷の読み出しにより、X線画像に係る画素値Vxからオフセット値Voが消去される。この場合、オフセット値Voは、電荷蓄積時間に比例して大きくなるので、X線の照射時の電荷の蓄積時間とX線の非照射時の電荷の蓄積時間とは、ほぼ同じ時間にする必要がある。
そして、第1の実施形態では、1フレームのフレーム時間(Tf10)内に、図3に示すダミーの蓄積時間Tw2を設定して、電荷蓄積時間を、図7に示す第1の蓄積時間Tw11から図3に示す第2の蓄積時間Tw1に変更するようにしている。
まず、放射線画像のS/Nの悪化を防止できる、即ち、従来例に対して当該S/Nが改善できる点について説明する。
(57)式の中に、ノイズ値の項(Vn1−Vn2)が含まれており、(54)式と(56)式から、このノイズ値は、電荷蓄積時間が長くなると大きくなる傾向がある。そのため、フレーム時間(Tf10)が大きくなると、即ち、フレームレートが低くなると、電荷蓄積時間が長くなり、その結果として、ノイズ値が大きくなる。これを防止するために、電荷のダミーの読み出しを追加することによって、X線の照射時及びX線の非照射時の電荷蓄積時間が短くなり、その結果として、ノイズ値を小さくすることができる。これにより、放射線画像のS/Nの悪化を防止できる、即ち、従来例に対して当該S/Nが改善されることになる。
次に、ダイナミックレンジが狭まることを回避できる、即ち、従来例に対してダイナミックレンジが広がる点について説明する。
(53)式の中にオフセット値Voの項があり、このオフセット値Voは、電荷蓄積時間に比例して大きくなる。そのため、フレーム時間(Tf10)が大きくなると、即ち、フレームレートが低くなると、電荷蓄積時間が長くなり、その結果として、オフセット値Voが大きくなる。これを防止するために、電荷のダミーの読み出しを追加することによって、X線の照射時及びX線の非照射時の電荷蓄積時間が短くなり、オフセット値Voが小さくなる。その結果、ダイナミックレンジが狭まることを回避できる、即ち、従来例に対してダイナミックレンジが広がることになる。
前述した各実施形態に係るX線画像撮影装置10を構成する図1の各構成部、並びに当該X線画像撮影装置の制御方法を示す図2の各ステップは、ROM6に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。
具体的に、前記プログラムは、例えばCD−ROMのような記憶媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記憶媒体としては、CD−ROM以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワーク(LAN、インターネットの等のWAN、無線通信ネットワーク等)システムにおける通信媒体を用いることができる。また、この際の通信媒体としては、光ファイバ等の有線回線や無線回線などが挙げられる。
また、コンピュータが供給されたプログラムを実行することにより各実施形態に係るX線画像撮影装置10の機能が実現されるだけではない。そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているOS(オペレーティングシステム)或いは他のアプリケーションソフト等と共同して各実施形態に係るX線画像撮影装置10の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て、或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて各実施形態に係るX線画像撮影装置10の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明に含まれる。
また、前述した本実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明に係る撮影制御装置(X線画像撮影装置10)は、フレームレートを必要に応じて低下させて場合であっても、放射線画像のS/Nの悪化を防止すると共に、ダイナミックレンジが狭まることを回避することができる。したがって、より高画質な放射線画像(X線画像等)が求められる医療分野において有効な利用が期待される。
本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の概略構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の処理手順の一例を示すフローチャートである。 本発明の第1の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第2の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第3の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第4の実施形態に係るX線画像撮影装置(撮影制御装置)の動作の一例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 従来例を示し、動画のエネルギーサブトラクション撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 従来例を示し、動画のエネルギーサブトラクション撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。 従来例を示し、動画撮影モードにおけるX線の照射のタイミング、及び、センサの光電変換素子における電荷の蓄積と電荷の読み出しのタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
符号の説明
1:X線発生部(放射線発生部)
2:操作入力部
2a:照射スイッチ
3:制御部
31:フレーム時間決定部
32:蓄積時間計算部
33:基準時間(所定時間)設定部
34:比較判定部
35:蓄積時間変更部
36:撮影処理部
4:センサ
5:表示部
6:ROM
7:RAM
8:蓄積部
10:X線画像撮影装置(撮影制御装置)
20:被写体(被検者)

Claims (16)

  1. 画像を得るために電荷の蓄積および読み出しを行うためのセンサを制御する撮影制御装置であって、
    入力手段の入力に基づいて画像の撮影間隔を示すフレーム時間を決定する決定手段と、
    前記決定手段によって決定されたフレーム時間に基づいて、画像の生成処理に用いない電荷の蓄積および読み出しを設定するか否かを判定する判定手段と、
    前記判定手段の判定に基づいて前記センサを制御する制御手段と
    を有することを特徴とする撮影制御装置。
  2. 前記判定手段は、
    前記決定手段で決定されたフレーム時間に基づいて、前記画像を得るための電荷を蓄積する第1の蓄積時間を計算する蓄積時間計算手段と、
    前記第1の蓄積時間と基準となる基準時間とを比較する比較手段と、
    前記比較手段により前記第1の蓄積時間が前記基準時間よりも大きいと判定された場合に、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積および読み出しを設定するとともに、前記第1の蓄積時間を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間に変更する蓄積時間変更手段とを含むことを特徴とする請求項1に記載の撮影制御装置。
  3. 前記第1の蓄積時間は、前記電荷の蓄積および読み出しが交互に繰り返し行われる際の前記電荷の蓄積時間であることを特徴とする請求項2に記載の撮影制御装置。
  4. 前記センサは、照射された放射線を電荷として検出するセンサであり、
    前記フレーム時間内の前記繰り返しの数をk(kは正の整数)とし、
    放射線が照射された際の前記電荷の蓄積および読み出しを1回行い、放射線が非照射の際の前記電荷の蓄積および読み出しをk−1回繰り返す場合において、
    放射線の照射時間をTx、前記電荷の読み出しに係る読み出し時間をTr、前記フレーム時間をTf10、前記第2の蓄積時間をTw1、及び、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間をTw2とすると、
    前記蓄積時間変更手段は、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間を、
    Tw2=Tf10−(k・Tw1+(k+1)・Tr)
    として、且つ、
    Tw1>Tx
    の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項3に記載の撮影制御装置。
  5. 前記基準時間をTcとすると、前記基準時間は、
    Tc=Tx+Tr/k
    であることを特徴とする請求項4に記載の撮影制御装置。
  6. 前記第1の蓄積時間をTw11とすると、
    前記蓄積時間計算手段は、前記第1の蓄積時間を、
    Tw11=Tf10/k−Tr
    により計算することを特徴とする請求項4に記載の撮影制御装置。
  7. 前記フレーム時間内に、前記繰り返しとして、
    第1の放射線が照射された際の前記電荷の蓄積および読み出し、第2の放射線が照射された際の前記電荷の蓄積および読み出し、放射線が非照射の際の前記電荷の蓄積および読み出しが行われる場合において、
    前記第1の放射線および前記第2の放射線の照射時間をTx、前記電荷の読み出しに係る読み出し時間をTr、前記フレーム時間をTf12、前記第2の蓄積時間をTw5、及び、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間をTw6とすると、
    前記蓄積時間変更手段は、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間を、
    Tw6=Tf12−(2Tw5+3Tr)
    として、且つ、
    Tw5>Tx
    の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項3に記載の撮影制御装置。
  8. 前記基準時間をTcとすると、前記基準時間は、
    Tc=Tx+Tr/3
    であることを特徴とする請求項7に記載の撮影制御装置。
  9. 前記第1の蓄積時間をTw15とすると、
    前記蓄積時間計算手段は、前記第1の蓄積時間を、
    Tw15=Tf12/3−Tr
    により計算することを特徴とする請求項7に記載の撮影制御装置。
  10. 前記フレーム時間内に、前記繰り返しとして、
    第1の放射線が照射された際の前記電荷の蓄積および読み出し、放射線が非照射の際の前記電荷の蓄積および読み出し、第2の放射線が照射された際の前記電荷の蓄積および読み出し、放射線が非照射の際の前記電荷の蓄積および読み出しが行われる場合において、
    前記第1の放射線の照射時間をTxl、前記第2の放射線の照射時間をTxh、前記電荷の読み出しに係る読み出し時間をTr、前記フレーム時間をTf13、前記第1の放射線の照射時における前記第2の蓄積時間をTw7、前記第2の放射線の照射時における前記第2の蓄積時間をTw8、及び、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間をTw9とすると、
    前記蓄積時間変更手段は、前記画像の生成処理に用いない電荷の蓄積時間を、
    Tw9=Tf13−(2・(Tw7+Tw8)+5Tr)
    として、且つ、
    Tw7>Txl、及び、Tw8>Txh
    の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項3に記載の撮影制御装置。
  11. 前記第1の放射線の場合の前記基準時間をTc1、前記第2の放射線の場合の前記基準時間をTc2とすると、前記基準時間は、
    Tc1=Txl+Tr/4、及び、Tc2=Txh+Tr/4
    であることを特徴とする請求項10に記載の撮影制御装置。
  12. 前記第1の放射線の場合の前記第1の蓄積時間をTw18、前記第2の放射線の場合の前記第1の蓄積時間をTw20とすると、
    前記蓄積時間計算手段は、前記第1の蓄積時間を、
    Tw18=Tf13/4−Tr+(Txl−Txh)/2、及び、
    Tw20=Tf13/4−Tr+(Txh−Txl)/2
    により計算することを特徴とする請求項10に記載の撮影制御装置。
  13. 前記比較手段は、
    Tc1>Tw18、及び、Tc2>Tw20
    の比較を行うことを特徴とする請求項12に記載の撮影制御装置。
  14. 前記第1の放射線は低電圧による放射線であり、前記第2の放射線は高電圧による放射線であることを特徴とする請求項7乃至13のいずれか1項に記載の撮影制御装置。
  15. 画像を得るために電荷の蓄積および読み出しを行うためのセンサを制御する撮影制御装置の制御方法であって、
    入力手段の入力に基づいて画像の撮影間隔を示すフレーム時間を決定する決定ステップと、
    前記決定ステップにおいて決定されたフレーム時間に基づいて、画像の生成処理に用いない電荷の蓄積および読み出しを設定するか否かを判定する判定ステップと、
    前記判定ステップにおける判定に基づいて、前記センサを制御する制御ステップと
    を有することを特徴とする撮影制御装置の制御方法。
  16. 画像を得るために電荷の蓄積および読み出しを行うためのセンサを制御する撮影制御装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
    入力手段の入力に基づいて画像の撮影間隔を示すフレーム時間を決定する決定ステップと、
    前記決定ステップにおいて決定されたフレーム時間に基づいて、画像の生成処理に用いない電荷の蓄積および読み出しを設定するか否かを判定する判定ステップと、
    前記判定ステップにおける判定に基づいて、前記センサを制御する制御ステップと
    をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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