JP2009016845A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- -1 Ge—Sb—Te Chemical compound 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8413—Electrodes adapted for resistive heating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェハー上にトランジスタ10を形成する段階と、トランジスタ10の上部に絶縁層を形成する段階と、トランジスタ10の両側のソース/ドレイン領域のうち一方の側のソース/ドレイン領域の電気的連結のための第1コンタクトホール20及び第2コンタクトホール30を絶縁層に形成する段階と、第2コンタクトホール30の内部に相変化物質を蒸着し、温度変化によって電気的連結を選択的に遮断する相変化物質層31を形成する段階と、第1コンタクトホール20及び第2コンタクトホール30を埋め立てる段階と、を含んで半導体素子の製造方法。
【選択図】図2
Description
Claims (15)
- ウェハー上にトランジスタを形成する段階と、
前記トランジスタの上部に絶縁層を形成する段階と、
前記トランジスタの両側のソース/ドレイン領域のうち一方の側のソース/ドレイン領域の電気的連結のための第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールを前記絶縁層に形成する段階と、
前記第2コンタクトホールの内部に相変化物質を蒸着し、温度変化によって電気的連結を選択的に遮断する相変化物質層を形成する段階と、
前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールを埋め立てる段階と、
を含んで構成されることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1及び第2コンタクトホールを通して前記一方の側のソース/ドレイン領域と電気的に連結される上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記相変化物質層の上部及び下部のうち少なくとも一部分にヒーティング物質の層が形成されるように、前記相変化物質を蒸着する前に前記ヒーティング物質を前記第2コンタクトホールの内部に選択的に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ヒーティング物質として、TiNを含む窒化物系列の物質を使用することを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記相変化物質層の上部及び下部のうち少なくとも一部分にヒーティング物質の層が形成されるように、前記相変化物質を蒸着した後、前記ヒーティング物質を前記第2コンタクトホールの内部に選択的に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ヒーティング物質として、TiNを含む窒化物系列の物質を使用することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールを埋め立てる段階は、
前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールの内部壁面にバリア金属膜を形成した後、前記各コンタクトホールを導電物質で埋め立てることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記相変化物質として、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)及びテルル(Te)のうち少なくとも一つ以上が組成された化合物を使用することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- トランジスタと、
前記トランジスタのゲートに連結される第1電極ラインと、
前記トランジスタのドレインに連結される第2電極ラインと、
前記第2電極ラインと前記ドレインとを互いに並列に連結する第1及び第2コンタクトプラグと、
前記第2コンタクトプラグ上に形成される素子遮断部と、を含んで構成され、
前記素子遮断部が温度変化によって前記第2電極ラインと前記ドレインとの間の電気的連結を遮断することを特徴とする半導体素子。 - 前記素子遮断部は、所定時間の間に所定水準以上の温度に維持されるとき、前記第2電極ラインと前記ドレインとの間の電気的連結を遮断する相変化物質で構成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
- 前記素子遮断部は、前記相変化物質の上部及び下部に形成される窒化物系列のヒーティング物質をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子。
- ウェハー上に形成されるトランジスタと、
前記トランジスタの上部に形成される絶縁層と、
前記絶縁層に形成され、前記トランジスタの両側のソース/ドレイン領域のうち一方の側のソース/ドレイン領域の上部に互いに隣接するように形成される第1及び第2コンタクトホールと、
前記一方の側のソース/ドレイン領域と電気的に連結されるように前記各コンタクトホールの上部に形成される上部電極と、
前記第2コンタクトホールを通した電気的連結を温度によって選択的に遮断するために、前記第2コンタクトホールに形成される相変化物質層と、を含んで構成されることを特徴とする半導体素子。 - 前記相変化物質層の上部及び下部に形成される窒化物系列のヒーティング物質層をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子。
- 前記相変化物質層は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)及びテルル(Te)のうち少なくとも一つ以上が組成された化合物で形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
- 前記相変化物質層は、前記半導体素子が所定時間の間に所定水準以上の温度を維持するとき、前記一方の側のソース/ドレイン領域と前記上部電極との間の電気的連結を遮断するために状態を変化することを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070066923A KR100875165B1 (ko) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 반도체 소자 및 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009016845A true JP2009016845A (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=40121702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008176074A Pending JP2009016845A (ja) | 2007-07-04 | 2008-07-04 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7867804B2 (ja) |
JP (1) | JP2009016845A (ja) |
KR (1) | KR100875165B1 (ja) |
CN (1) | CN101339919B (ja) |
DE (1) | DE102008031309B4 (ja) |
TW (1) | TW200910522A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009142165A1 (ja) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8809829B2 (en) * | 2009-06-15 | 2014-08-19 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method |
US8634235B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-01-21 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory coding |
US8765600B2 (en) * | 2010-10-28 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Contact structure for reducing gate resistance and method of making the same |
US8891293B2 (en) | 2011-06-23 | 2014-11-18 | Macronix International Co., Ltd. | High-endurance phase change memory devices and methods for operating the same |
US9001550B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-04-07 | Macronix International Co., Ltd. | Blocking current leakage in a memory array |
US8964442B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-02-24 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method |
US9672906B2 (en) | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100693A (en) * | 1980-10-28 | 1982-06-22 | Energy Conversion Devices Inc | Improved programmable cell and array |
JPS6464250A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Minolta Camera Kk | Method of regulating resistance value in integrated circuit |
JPH0462928A (ja) * | 1990-06-30 | 1992-02-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2005317713A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006108645A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Ind Technol Res Inst | マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法 |
WO2006046579A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Elpida Memory Inc. | 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ |
JP2007116007A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体電力増幅器及びその製造方法 |
JP2008147590A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3846202B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2006-11-15 | ソニー株式会社 | 半導体不揮発性記憶装置 |
US6580144B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One time programmable fuse/anti-fuse combination based memory cell |
KR100979710B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2010-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 제조방법 |
US20050184282A1 (en) | 2004-02-20 | 2005-08-25 | Li-Shyue Lai | Phase change memory cell and method of its manufacture |
US7015076B1 (en) * | 2004-03-01 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selectable open circuit and anti-fuse element, and fabrication method therefor |
JP2006156886A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
KR100687750B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2007-02-27 | 한국전자통신연구원 | 안티몬과 셀레늄 금속합금을 이용한 상변화형 메모리소자및 그 제조방법 |
MXPA06014816A (es) | 2005-12-21 | 2008-10-16 | Thomas & Betts Int | Componente de conector electrico separable que tiene una derivacion de salida de voltaje y un punto de acceso directo. |
US7595218B2 (en) * | 2006-01-09 | 2009-09-29 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable resistive RAM and manufacturing method |
DE602006012793D1 (de) * | 2006-01-20 | 2010-04-22 | St Microelectronics Srl | Elektrische Sicherungsstruktur auf der Basis eines Phasenwechselspeicherelements und entsprechendes Programmierverfahren |
TWI301631B (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-01 | Via Tech Inc | Integrated circuit with spare cells |
-
2007
- 2007-07-04 KR KR1020070066923A patent/KR100875165B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-02 DE DE102008031309A patent/DE102008031309B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-02 TW TW097124902A patent/TW200910522A/zh unknown
- 2008-07-04 JP JP2008176074A patent/JP2009016845A/ja active Pending
- 2008-07-04 US US12/168,088 patent/US7867804B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-04 CN CN2008101330319A patent/CN101339919B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57100693A (en) * | 1980-10-28 | 1982-06-22 | Energy Conversion Devices Inc | Improved programmable cell and array |
JPS6464250A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Minolta Camera Kk | Method of regulating resistance value in integrated circuit |
JPH0462928A (ja) * | 1990-06-30 | 1992-02-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2005317713A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006108645A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Ind Technol Res Inst | マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法 |
WO2006046579A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Elpida Memory Inc. | 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ |
JP2007116007A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体電力増幅器及びその製造方法 |
JP2008147590A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009142165A1 (ja) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200910522A (en) | 2009-03-01 |
US20090008636A1 (en) | 2009-01-08 |
CN101339919B (zh) | 2011-06-29 |
KR100875165B1 (ko) | 2008-12-22 |
DE102008031309B4 (de) | 2013-03-07 |
US7867804B2 (en) | 2011-01-11 |
CN101339919A (zh) | 2009-01-07 |
DE102008031309A1 (de) | 2009-01-15 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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