JP2009016602A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子を製造する際のデバイス作成プロセスに先立ち、SiC基板を適切な厚み分だけ除去することで、SiC基板に存在する基板欠陥を除去できるようにする。
【解決手段】CMP加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでSiC基板1の表面に存在する基板欠陥を顕在化させる。これにより、CMP加工の際に、基板欠陥3を目視しながら行えるため、基板欠陥が深い位置にあるためにCMP加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行ったりすることを防止できる。
【選択図】図1
【解決手段】CMP加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでSiC基板1の表面に存在する基板欠陥を顕在化させる。これにより、CMP加工の際に、基板欠陥3を目視しながら行えるため、基板欠陥が深い位置にあるためにCMP加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行ったりすることを防止できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素(以下、SiCという)にて構成される基板を用いて半導体素子を形成するSiC半導体装置の製造方法に関するものである。
SiC基板は、SiC単結晶のインゴットをスライスすることにより形成される。このスライスしたSiC基板には、スライス時等に生じたダメージが結晶の歪みとして残ったキズ傷等の基板欠陥が存在する。このため、従来では、SiC基板を用いて半導体素子を製造する際、具体的なデバイス作成プロセスに移行するのに先立ち、スライスしたSiC基板の表面を粗研磨するのに加え、基板欠陥を除去するために化学機械研磨(以下、CMP(Chemical Mechanical Polishing)という)加工を行っている(例えば特許文献1参照)。
特開開平7−80770号公報
しかしながら、基板欠陥は結晶の歪みであるため、デバイス作成プロセスの途中のアニール処理等で顕在化してくるものの、CMP加工前には目視(可視)できない。したがって、CMP加工によりどの程度の厚み分を除去すれば基板欠陥を無くせるか不明であるため、従来では、一律に決めた厚み分を除去するようにしているが、基板欠陥が深い位置にあるためにそれを取り除けなかったり、基板欠陥が浅い位置にしかないのに除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行わなければならないという問題があった。
本発明は上記点に鑑みて、半導体素子を製造する際のデバイス作成プロセスに先立ち、SiC基板を適切な厚み分だけ除去することで、SiC基板に存在する基板欠陥を除去できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、炭化珪素単結晶のインゴットをスライスして炭化珪素基板(1)を形成したのち、該炭化珪素基板(1)の表面を化学機械研磨加工工程を行うことで鏡面研磨し、該鏡面研磨を行った炭化珪素基板(1)に対して半導体素子を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、化学機械研磨加工工程に先立ち、炭化珪素基板(1)の表面に存在する基板欠陥(3)を顕在化させるための熱処理工程を行い、該熱処理工程にて顕在化された基板欠陥(3)を除去するように化学機械研磨加工工程を行うことを特徴としている。
このように、CMP加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでSiC基板(1)の表面に存在する基板欠陥(3)を顕在化させる。これにより、CMP加工の際に、基板欠陥(3)を目視しながら行えるため、基板欠陥(3)が深い位置にあるためにCMP加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行ったりすることを防止できる。
例えば、熱処理工程では、炭化珪素基板(1)を1000〜1100℃の温度に加熱すれば良い。また、熱処理工程では、炭化珪素基板(1)の表面が酸化されない雰囲気下において該熱処理工程を行うと、表面に酸化膜が形成されることを防止できるため好ましい。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる半導体素子が備えられるSiC半導体装置の製造フローを示した図である。なお、図1中に、本実施形態にかかる半導体素子の製造フローと従来の製造フローとの相違を示すために、従来の製造フローも対比して記載してある。また、図2は、図1に示す製造フローの各工程でのSiC基板の様子を示した模式図である。
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる半導体素子が備えられるSiC半導体装置の製造フローを示した図である。なお、図1中に、本実施形態にかかる半導体素子の製造フローと従来の製造フローとの相違を示すために、従来の製造フローも対比して記載してある。また、図2は、図1に示す製造フローの各工程でのSiC基板の様子を示した模式図である。
図1に示すように、まず、SiC単結晶をスライスして形成したSiC基板を用意する。この段階では、SiC基板は単にスライスされただけの段階であるため、表面が研磨されておらず、図2(a)に示すように、SiC基板1に表面荒れ2が残った状態となっている。
そして、SiC基板1の表面を研磨する工程(粗研磨)を行う。これにより、SiC基板1の表面荒れ2がほぼ無くなった状態となる。このとき、実際にはSiC基板1の表面に基板欠陥がまだ残った状態となっているが、ほとんど目視することができない状態となっている。従来では、この後に直ぐにCMP加工工程に移行していたが、本実施形態では、SiC基板1の表面に存在する基板欠陥を顕在化させる工程を行う。
具体的には、SiC基板1を加熱装置内に入れた後、基板欠陥を顕在化させるための熱処理工程を行う。例えば、熱処理工程では1000〜1100℃にSiC基板1を加熱する。このとき、表面に酸化膜が形成されることを防止すべく、SiC基板1の表面が酸化されない雰囲気下において熱処理工程を行うのが好ましい。これにより、図2(b)に示すように基板欠陥3が顕在化し、目視可能となる。この基板欠陥3は、一度顕在化すると、SiC基板1の温度を低下させても顕在化したままの状態となる。このため、次工程に移行する前にSiC基板1の温度が低下したとしても、基板欠陥3を目視できる。
この後、CMP加工工程を行うことで、SiC基板1の表面を鏡面研磨(仕上げ研磨)する。このとき、CMP加工中に基板欠陥3を目視することが可能であるため、基板欠陥3が無くなる若しくは後工程で作成する半導体素子に影響が無い程度の欠陥密度となるまでCMP加工を行う。このようにすれば、基板欠陥3を目視した状態でCMP加工を行うことができるため、基板欠陥3が深い位置にあるためにCMP加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行ったりすることを防止できる。
この後の具体的な製造工程に関しては従来と同様であるため図示しないが、上記のようにして基板欠陥3を取り除いたCMP加工後のSiC基板1を用いて、パワーMOSFETなどのデバイス作成プロセスを行うことで、半導体素子が形成されたSiC半導体装置を製造することが可能となる。このようなSiC基板1を用いることにより、基板欠陥3の影響が少ない半導体素子とすることができる。
以上説明したように、本実施形態では、CMP加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでSiC基板1の表面に存在する基板欠陥3を顕在化させるようにしている。このため、CMP加工の際に、基板欠陥3を目視しながら行えるため、基板欠陥3が深い位置にあるためにCMP加工してもそれが取り除けていなかったり、除去する必要がない部分まで時間をかけてCMP加工を行ったりすることを防止できる。
参考として、上記効果を確認するために、本実施形態と従来それぞれの製造フローを行った後、SiC基板1の表面にドリフト層を成膜したときの段階とドリフト層に不純物をイオン注入した後活性化のためのアニール処理を行った段階において、目視できる基板欠陥3の密度を測定した。その結果、図3に示す結果が得られた。
この図に示すように、本実施形態の製造フローを行った場合には、ドリフト層を成膜したときと活性化アニール処理後とで目視できる基板欠陥3の数に殆ど変化がない。これは、CMP加工工程に先立って熱処理工程を行うことでSiC基板1の表面に存在する基板欠陥3を顕在化させ、CMP加工時に確実に基板欠陥3を除去できているためと言える。これに対し、従来の製造フローを行った場合には、目視できない状態でCMP加工を行い、基板欠陥3を除去しようとしている。このため、実際には除去できていないものも数多くあり、それが活性化アニールによって顕在化したものと考えられる。
したがって、本実施形態のように、CMP加工工程に先立ち、熱処理工程を行うことでSiC基板1の表面に存在する基板欠陥3を顕在化させることで、上記効果を得ることが可能になると言える。
(他の実施形態)
上記実施形態では、SiC基板1の表面に存在する基板欠陥3を顕在化させる熱処理工程の例として、SiC基板1の表面が酸化しないような雰囲気下とする場合を挙げ、また、温度として1000〜1100℃を例に挙げたが、これらは単なる一例であり、適宜変更可能である。例えば、SiC基板1の表面が酸化するような雰囲気下で行ったとしても、熱処理工程によって基板欠陥3を顕在化させることができるため、形成された酸化膜と共にSiC基板1の表面をCMP加工によって研磨することで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。また、温度に関しても、1100℃以上の温度とすることもできる。
上記実施形態では、SiC基板1の表面に存在する基板欠陥3を顕在化させる熱処理工程の例として、SiC基板1の表面が酸化しないような雰囲気下とする場合を挙げ、また、温度として1000〜1100℃を例に挙げたが、これらは単なる一例であり、適宜変更可能である。例えば、SiC基板1の表面が酸化するような雰囲気下で行ったとしても、熱処理工程によって基板欠陥3を顕在化させることができるため、形成された酸化膜と共にSiC基板1の表面をCMP加工によって研磨することで、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。また、温度に関しても、1100℃以上の温度とすることもできる。
1…SiC基板、2…表面荒れ、3…基板欠陥
Claims (3)
- 炭化珪素単結晶のインゴットをスライスして炭化珪素基板(1)を形成したのち、該炭化珪素基板(1)の表面を化学機械研磨加工工程を行うことで鏡面研磨し、該鏡面研磨を行った前記炭化珪素基板(1)に対して半導体素子を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記化学機械研磨加工工程に先立ち、前記炭化珪素基板(1)の表面に存在する基板欠陥(3)を顕在化させるための熱処理工程を行い、該熱処理工程にて顕在化された基板欠陥(3)を除去するように前記化学機械研磨加工工程を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程では、前記炭化珪素基板(1)を1000〜1100℃の温度に加熱することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理工程では、前記炭化珪素基板(1)の表面が酸化されない雰囲気下において該熱処理工程を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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