JP2009010281A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009010281A5 JP2009010281A5 JP2007172235A JP2007172235A JP2009010281A5 JP 2009010281 A5 JP2009010281 A5 JP 2009010281A5 JP 2007172235 A JP2007172235 A JP 2007172235A JP 2007172235 A JP2007172235 A JP 2007172235A JP 2009010281 A5 JP2009010281 A5 JP 2009010281A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- gate electrode
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007172235A JP2009010281A (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007172235A JP2009010281A (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009010281A JP2009010281A (ja) | 2009-01-15 |
| JP2009010281A5 true JP2009010281A5 (enExample) | 2010-07-01 |
Family
ID=40325054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007172235A Pending JP2009010281A (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009010281A (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5556059B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2014-07-23 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN103219288B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-07-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
| JP2016051745A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6867223B2 (ja) | 2017-04-28 | 2021-04-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN119730245B (zh) * | 2025-02-28 | 2025-07-11 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046554B2 (ja) * | 1978-12-14 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶素子及び記憶回路 |
| JPH11312744A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-09 | Ieiru Maa Iyu | 金属ゲート不揮発性メモリセル |
| JP3457223B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2003-10-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JP4008651B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
| JP4058231B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2008-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US6613641B1 (en) * | 2001-01-17 | 2003-09-02 | International Business Machines Corporation | Production of metal insulator metal (MIM) structures using anodizing process |
| JP4718104B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2011-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP4565847B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2010-10-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4521597B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-08-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JP2006120662A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006302985A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置の製造方法 |
| US7829938B2 (en) * | 2005-07-14 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | High density NAND non-volatile memory device |
| JP2007150234A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-06-29 JP JP2007172235A patent/JP2009010281A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106104803B (zh) | 金属浮栅复合3d nand存储器装置和相关方法 | |
| JP2009054707A5 (enExample) | ||
| JP2007318112A5 (enExample) | ||
| JP2003309193A5 (enExample) | ||
| JP2004349680A5 (enExample) | ||
| JP2005531919A5 (enExample) | ||
| JP2007300098A5 (enExample) | ||
| CN106356374B (zh) | 快闪存储器及其制作方法 | |
| JP2013093546A5 (enExample) | ||
| JP2008504679A5 (enExample) | ||
| JP2017139308A5 (enExample) | ||
| JP2011086941A5 (enExample) | ||
| JP2010521817A5 (enExample) | ||
| JP2009010281A5 (enExample) | ||
| JP2009510721A (ja) | ダブルゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 | |
| CN103295967B (zh) | 嵌入逻辑电路的分离栅极式快闪存储器的制作方法 | |
| JP2005209931A5 (enExample) | ||
| JP2008010817A (ja) | ナンドフラッシュメモリ素子の製造方法 | |
| CN100472759C (zh) | 非易失性存储器器件及其制造方法 | |
| JP2010108976A5 (enExample) | ||
| JP2005294814A5 (enExample) | ||
| US20240332383A1 (en) | Semiconductor memory device and fabrication method thereof | |
| US8435856B2 (en) | Floating gate flash cell device and method for partially etching silicon gate to form the same | |
| CN104952801A (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| CN105810682A (zh) | 非挥发性存储单元、与非型非挥发性存储器及其制造方法 |