JP2009010124A - Apparatus for mounting electronic component and method of manufacturing electronic component - Google Patents

Apparatus for mounting electronic component and method of manufacturing electronic component Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dislocation during pressure-bonding and establish appropriate processing. <P>SOLUTION: The apparatus 100 for mounting electronic components is provided with: a pressure-bonding unit 5 that works on a substrate P wherein an electronic component H is mounted, at the specified heating temperature and pressure by means of a bonding material S and pressure-bonds the electronic component H to the substrate P; and correction means 35, 36, 37 that detect a change in position of the electronic component H to the substrate P in a direction crossing the working direction of pressing during heating and pressing and correct the relative position between the substrate P and the electronic component H. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、たとえばガラスや樹脂製の基板上に、半導体チップやフレキシブルプリント基板等の電子部品を実装する、電子部品の実装装置及び電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component mounting apparatus and an electronic component manufacturing method for mounting an electronic component such as a semiconductor chip or a flexible printed circuit board on a glass or resin substrate, for example.

たとえば液晶ディスプレイパネルを構成する基板は、互いの接合面に電極が設けられるとともに液晶素材が介在される2枚のガラス板と、これらガラス板の表面と裏面に接着される2枚の偏光板からなる。一方のガラス板および2枚の偏光板は、互いに面積と形状が略同一であり、各辺の端縁が同一の位置に揃えられる。他方のガラス板のみ一端部が突出し、この突出部分に電極が露出している。この突出部分は、電子部品が実装される実装部位となる。   For example, a substrate constituting a liquid crystal display panel is composed of two glass plates in which electrodes are provided on each joint surface and a liquid crystal material is interposed, and two polarizing plates bonded to the front and back surfaces of these glass plates. Become. One glass plate and the two polarizing plates have substantially the same area and shape, and the edges of each side are aligned at the same position. Only the other glass plate protrudes at one end, and the electrode is exposed at the protruding portion. This projecting portion becomes a mounting portion on which the electronic component is mounted.

電子部品の実装装置には、上述の状態で基板が供給され、一方のガラス板に露出する電極部分に半導体チップもしくはフレキシブルプリント基板等の電子部品が実装される。この実装装置の概略構成は、基板の所定部位に接合材を貼付ける接合材貼付けユニットと、接合材を介して電子部品(たとえば、半導体チップ)を基板に仮圧着する仮圧着ユニットと、仮圧着された半導体チップをさらに高温高圧で加熱加圧して、半導体チップのバンプ(電極)と基板の電極とを電気的に接続する本圧着ユニットを備えている。   A substrate is supplied to the electronic component mounting apparatus in the above-described state, and an electronic component such as a semiconductor chip or a flexible printed circuit board is mounted on an electrode portion exposed on one glass plate. A schematic configuration of the mounting apparatus includes a bonding material pasting unit for bonding a bonding material to a predetermined portion of a substrate, a temporary pressure bonding unit for temporarily pressing an electronic component (for example, a semiconductor chip) to the substrate via the bonding material, and a temporary pressure bonding. The semiconductor chip is further heated and pressurized at high temperature and high pressure to provide a main pressure bonding unit for electrically connecting bumps (electrodes) of the semiconductor chip and electrodes of the substrate.

接合材は、接着剤が塗布されるテープ状の基材からなり、たとえば異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)が用いられる。この異方性導電膜は、熱圧着されることにより、膜の厚み方向に導電性、面方向に絶縁性を備える電気的異方性を持つ高分子膜であり、接着性のあるバインダー内に導電粒子が混在している。本圧着の際には、図24及び図25に示すように、ツールを移動させて基板に対して加熱及び加圧処理を行うことにより、接合材の粘度が下がり、溶融するとともに電子部品が基板に圧着されるとともに、接合材中の導電粒子により、半導体チップの電極と基板の電極とが接続される。この種の実装装置においては、高い精度が求められるため、例えば各処理の前に、基板の位置を検出し、処理ステージの位置や高さを調整するものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−165392号公報
The bonding material is made of a tape-like base material to which an adhesive is applied, and for example, an anisotropic conductive film (ACF) is used. This anisotropic conductive film is a polymer film having electrical anisotropy having conductivity in the thickness direction of the film and insulation in the surface direction by thermocompression bonding, and in an adhesive binder Conductive particles are mixed. As shown in FIGS. 24 and 25, when the main pressure bonding is performed, the tool is moved and the substrate is heated and pressurized to reduce the viscosity of the bonding material and melt the electronic component. The electrode of the semiconductor chip and the electrode of the substrate are connected by the conductive particles in the bonding material. In this type of mounting apparatus, since high accuracy is required, for example, there is an apparatus that detects the position of the substrate and adjusts the position and height of the processing stage before each processing (see, for example, Patent Document 1). .
JP 2006-165392 A

しかしながら、上述の技術では次のような問題があった。すなわち、上記構成の導電性粒子が混在した接合材においては、圧着の際に、接合材が加熱及び加圧され、接着性のバインダーが溶融すると、基板と電子部品との間に球状の粒子が介在することとなるため、電子部品が基板に対して移動しやすくなる。したがって、加熱ツールの剛性が弱い場合や加熱ツールの位置や加圧方向が僅かでも傾いている場合には、図26に示すように、圧着工程の最中に、加圧ツールが撓み変形するとともに、半導体チップ及び加圧ツールと基板との間で、加圧方向と異なる方向において位置ずれが発生する場合がある。このため、各種処理の前にステージとツールとの位置を調節したとしても、その後の圧着工程中に位置ずれが発生するため、精度を確保することが困難となる。   However, the above technique has the following problems. That is, in the bonding material in which the conductive particles having the above configuration are mixed, when the bonding material is heated and pressurized during the pressure bonding and the adhesive binder is melted, spherical particles are formed between the substrate and the electronic component. Since it is interposed, the electronic component is easily moved with respect to the substrate. Therefore, when the heating tool has a low rigidity or the heating tool position and the pressing direction are slightly inclined, the pressing tool is bent and deformed during the crimping process as shown in FIG. In some cases, misalignment may occur between the semiconductor chip and the pressing tool and the substrate in a direction different from the pressing direction. For this reason, even if the positions of the stage and the tool are adjusted before various processes, it is difficult to ensure accuracy because a positional shift occurs during the subsequent crimping process.

本発明は前記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、圧着工程中における位置ずれを防止し、適切な処理を可能とするものである。   The present invention has been made paying attention to the above circumstances, and its object is to prevent misalignment during the crimping process and enable appropriate processing.

本発明の一形態にかかる電子部品の実装装置は、基板に電子部品を実装する電子部品の実装装置であって、接合材を介して前記電子部品が載置された前記基板に対して、所定の加熱温度と加圧力をもって作用し、前記電子部品を前記基板に本圧着する本圧着ユニットと、前記加熱及び加圧による処理の際に、前記加圧の作用方向と交差する方向における、前記基板に対する前記電子部品の変位を検出し、前記基板と前記電子部品との相対位置を補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする。   An electronic component mounting apparatus according to an aspect of the present invention is an electronic component mounting apparatus for mounting an electronic component on a substrate, and the electronic component mounting device is mounted on the substrate on which the electronic component is placed via a bonding material. A main pressure-bonding unit that operates with a heating temperature and a pressurizing force to press-bond the electronic component to the substrate, and the substrate in a direction that intersects the direction of the pressure during the heating and pressurizing process. Correction means for detecting a displacement of the electronic component relative to the substrate and correcting a relative position between the substrate and the electronic component.

本発明の一形態にかかる電子部品の実装装置は、前記本圧着ユニットは、前記基板を支持する本圧着ステージと、該本圧着ステージに近接して配置され前記基板の前記基板のうち電子部品が実装される実装部位を支持する本圧着バックアップステージと、可動に構成され、本圧着バックアップステージに対して所定の加熱温度と加圧力をもって作用する本圧着ツールと、を有し、前記補正手段は、前記本圧着ツールの位置を調節することにより前記相対位置を調節することを特徴とする。   In the electronic component mounting apparatus according to one aspect of the present invention, the main crimping unit includes a main crimping stage that supports the substrate, and an electronic component among the substrates of the substrate that is disposed in proximity to the main crimping stage. A main pressure bonding backup stage that supports a mounting part to be mounted, and a main pressure bonding tool configured to be movable and to operate with a predetermined heating temperature and pressure against the main pressure bonding backup stage, and the correction unit includes: The relative position is adjusted by adjusting the position of the main crimping tool.

本発明の一形態にかかる電子部品の製造方法は、接合材を介して電子部品が載置された基板に対して、所定の加熱温度と加圧力をもって作用し、前記電子部品を前記基板に本圧着する工程と、前記本圧着する工程の際に、前記加圧の作用方向と交差する方向における、前記基板に対する前記電子部品の変位を検出し、前記基板と前記電子部品との相対位置を補正する工程と、を備えたことを特徴とする。   According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic component, wherein the electronic component is applied to a substrate on which the electronic component is placed via a bonding material with a predetermined heating temperature and pressure. During the step of crimping and the step of final crimping, the displacement of the electronic component relative to the substrate in a direction crossing the direction of pressure application is detected, and the relative position between the substrate and the electronic component is corrected. And a step of performing.

本発明によれば、圧着工程中における位置ずれを防止し、適切な処理を可能とするものである。   According to the present invention, it is possible to prevent misalignment during the crimping process and to perform appropriate processing.

[第1実施形態]
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中矢印X、Y、及びZはそれぞれ直交する3方向を示している。図1は、本発明に係る電子部品の実装装置の概略構成を示す全体斜視図であり、図2は実装装置100の背面側を示す外観図である。この電子部品の実装装置100は、基台1と、この基台1上の一端側(図の左側端)から右側端に亘って、位置補正ユニット(以下、プリアライメントユニットと呼ぶ)2、接合材貼付けユニット3、仮圧着ユニット4、本圧着ユニット5および排出ユニット6が順次、所定の間隔を存して配置される。なお、仮圧着ユニット4の装置奥側にはチップ供給ユニット(電子部品供給ユニット)7が配置されていて、仮圧着ユニット4とチップ供給ユニット7は互いにY方向に位置が揃えられる。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the configuration is schematically shown by appropriately enlarging, reducing, or omitting it. In the figure, arrows X, Y, and Z indicate three orthogonal directions. FIG. 1 is an overall perspective view showing a schematic configuration of an electronic component mounting apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is an external view showing the back side of the mounting apparatus 100. The electronic component mounting apparatus 100 includes a base 1, a position correction unit (hereinafter referred to as a pre-alignment unit) 2, a joint extending from one end (left end in the drawing) to the right end on the base 1. The material pasting unit 3, the provisional pressure bonding unit 4, the main pressure bonding unit 5 and the discharge unit 6 are sequentially arranged at a predetermined interval. A chip supply unit (electronic component supply unit) 7 is disposed on the back side of the temporary pressure bonding unit 4, and the temporary pressure bonding unit 4 and the chip supply unit 7 are aligned in the Y direction.

プリアライメントユニット2と接合材貼付けユニット3との間には、第1の搬送機構8Aが介設され、接合材貼付けユニット3と仮圧着ユニット4との間には、第2の搬送機構8Bが介設される。そして、仮圧着ユニット4と本圧着ユニット5との間には、第3の搬送機構8Cが介設され、本圧着ユニット5と排出ユニット6との間には、第4の搬送機構8Dが介設される。   A first transport mechanism 8A is interposed between the pre-alignment unit 2 and the bonding material pasting unit 3, and a second transport mechanism 8B is disposed between the bonding material pasting unit 3 and the temporary pressure bonding unit 4. It is installed. A third transport mechanism 8C is interposed between the temporary pressure bonding unit 4 and the main pressure bonding unit 5, and a fourth transport mechanism 8D is interposed between the main pressure bonding unit 5 and the discharge unit 6. Established.

これら第1ないし第4の搬送機構8A〜8Dは、各ユニット2〜6における後述するステージの予め定められた基準位置の2点間で基板を搬送するようになっている。すなわち、各搬送機構8A〜8Dは、図の左側にあるユニットのステージに予め定められた基準位置で基板Pを受け取ってX方向に搬送し、図の右側にあるユニットのステージに予め定められた基準位置に基板を受け渡すよう作用するものである。   The first to fourth transport mechanisms 8A to 8D transport the substrate between two points at predetermined reference positions of stages to be described later in the units 2 to 6, respectively. That is, each of the transport mechanisms 8A to 8D receives the substrate P at a predetermined reference position on the stage of the unit on the left side of the figure and transports it in the X direction, and is predetermined on the stage of the unit on the right side of the figure. It acts to deliver the substrate to the reference position.

図3乃至図6は、基板Pに電子部品Hを実装する工程を順に説明する図であるが、ここでは図3において基板Pの構成を説明する。   3 to 6 are diagrams for sequentially explaining the process of mounting the electronic component H on the substrate P. Here, the configuration of the substrate P will be described with reference to FIG.

上流装置から実装装置100のプリアライメントユニット2に供給される基板Pは、平面視で矩形状に形成される2枚のガラス板a1,a2と、これらガラス板の表面と裏面に接着される偏光板b1,b2から構成される。互いのガラス板a1,a2間には図示しない電極が形成されるとともに、液晶素材が介在される。   The substrate P supplied from the upstream apparatus to the pre-alignment unit 2 of the mounting apparatus 100 includes two glass plates a1 and a2 that are formed in a rectangular shape in plan view, and polarized light that is bonded to the front and back surfaces of these glass plates. It is comprised from board b1, b2. An electrode (not shown) is formed between the glass plates a1 and a2, and a liquid crystal material is interposed.

互いのガラス板a1,a2と偏光板b1,b2の3辺の端縁は同一に揃えられるが、一方のガラス板a2の一側部のみ、他方のガラス板a1および互いの偏光板b1,b2の端縁よりも突出している。ガラス板a2の突出部一面(ここでは上面)に電極が形成され、この電極部分に後述するようにして接合材Sが貼着され、接合材Sを介して電子部品Hが実装される。すなわち、この突出部が処理対象部となる。   The edges of the three sides of the glass plates a1 and a2 and the polarizing plates b1 and b2 are the same, but only one side of the one glass plate a2 has the other glass plate a1 and the polarizing plates b1 and b2. It protrudes from the edge. An electrode is formed on one surface (here, the upper surface) of the protruding portion of the glass plate a2, and the bonding material S is attached to the electrode portion as described later, and the electronic component H is mounted via the bonding material S. That is, this protrusion becomes a processing target part.

図4に示す前記接合材Sは、接着剤が塗布されるテープ状の基材からなっていて、接着剤として、たとえば異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)が用いられる。この異方性導電膜は、接着、導電、絶縁という3つの機能特性を併せもつ接続材料である。異方性導電膜は、熱圧着により、膜の厚み方向に導電性、面方向に絶縁性を備える電気的異方性を持つ高分子膜であり、接着性のあるバイダー内に導電粒子が混在している。   The bonding material S shown in FIG. 4 is made of a tape-like base material to which an adhesive is applied, and for example, an anisotropic conductive film (ACF) is used as the adhesive. This anisotropic conductive film is a connecting material having three functional characteristics of adhesion, conductivity, and insulation. An anisotropic conductive film is a polymer film with electrical anisotropy that is conductive in the thickness direction of the film and insulative in the surface direction by thermocompression bonding, and conductive particles are mixed in an adhesive binder. is doing.

図5に示す前記電子部品Hとして、半導体チップを適用する。なお、電子部品としては、たとえばフレキシブル基板等に対しても、以下の形態が同様に適用可能である。   A semiconductor chip is applied as the electronic component H shown in FIG. In addition, as an electronic component, the following forms are applicable similarly, for example with respect to a flexible substrate etc.

前記半導体チップHは、基板Pに対する接続面であるバンプが上面に設けられた状態で図示しないチップトレイに収容される。なお、生産する品種によってはバンプが下面に設けられた状態でチップトレイに収容される場合もある。   The semiconductor chip H is accommodated in a chip tray (not shown) in a state where bumps which are connection surfaces to the substrate P are provided on the upper surface. Depending on the type of product to be produced, the bumps may be accommodated in the chip tray with the bottom surface provided.

図7及び図8に示すプリアライメントユニット2は、図示しない上流装置から供給される基板Pを後述するようにして支持するファーストステージ10と、このファーストステージ10上の基板Pを撮像する認識カメラ11と、基準位置からステージ10上の基板Pまでの高さ(距離)を測定するレーザ変位計(高さ測定手段)12および、前記ファーストステージ10をXY方向およびZ方向に移動自在とするとともに、水平面内での回転方向(θ方向)に移動自在な駆動機構13とを備えている。   The pre-alignment unit 2 shown in FIGS. 7 and 8 includes a first stage 10 that supports a substrate P supplied from an upstream device (not shown) as described later, and a recognition camera 11 that images the substrate P on the first stage 10. And a laser displacement meter (height measuring means) 12 for measuring the height (distance) from the reference position to the substrate P on the stage 10 and the first stage 10 are movable in the XY and Z directions, And a drive mechanism 13 that is movable in a rotation direction (θ direction) in a horizontal plane.

前記認識カメラ11と、この認識カメラ11の撮像画像信号を取り込んで認識する、図示しない制御装置に備えられる画像取込み装置と、この画像取込み装置からの認識信号を受けて所定の方向に駆動制御される上記駆動機構13とで、位置補正機構(位置補正手段)Gが構成される。   The recognition camera 11 and an image capturing device provided in a control device (not shown) that captures and recognizes a captured image signal of the recognition camera 11 and a recognition signal from the image capturing device are driven and controlled in a predetermined direction. The drive mechanism 13 constitutes a position correction mechanism (position correction means) G.

なお、前記レーザ変位計12の代用として、オートフォーカス機能を備えた非接触式の光学センサや、赤外線を用いた光学センサ、あるいは機械式の接触センサなど、種々のものを用いることが可能である。   Note that, as a substitute for the laser displacement meter 12, various types such as a non-contact optical sensor having an autofocus function, an optical sensor using infrared rays, or a mechanical contact sensor can be used. .

図1及び図9に示すように、接合材貼付けユニット3は、X方向に沿って互いに並設される2組の貼付けステージ15と、2組の貼付けバックアップステージ16と、2組の貼付けツール17と、2組の接合材供給機構18とから構成される。   As shown in FIGS. 1 and 9, the bonding material pasting unit 3 includes two sets of pasting stages 15, two sets of pasting backup stages 16, and two sets of pasting tools 17 arranged in parallel along the X direction. And two sets of bonding material supply mechanisms 18.

前記貼付けステージ15は、基板Pを吸着固定し、かつX方向とY方向およびZ方向に移動自在である。   The pasting stage 15 sucks and fixes the substrate P and is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction.

貼付けバックアップステージ16は、前記貼付けステージ15に設けられていて、貼付けステージ15とともにY方向に移動する。基板Pが貼付けステージ15に載置されると、基板Pの突出部が貼付けバックアップステージ16上に配置される。   The pasting backup stage 16 is provided on the pasting stage 15 and moves together with the pasting stage 15 in the Y direction. When the substrate P is placed on the pasting stage 15, the protruding portion of the substrate P is disposed on the pasting backup stage 16.

に示す貼付けツール17は、貼付けバックアップステージ16の直上方部に設けられていて、貼付けバックアップステージ16に対して所定の加熱温度と加圧力をもって作用するよう、Z方向に昇降自在に支持される。接合材供給機構18は、リールに巻装されたテープ状の接合材Sを貼付けバックアップステージ16と貼付ツール17との間に供給する。   The affixing tool 17 shown in FIG. 5 is provided immediately above the affixing backup stage 16 and is supported so as to be movable up and down in the Z direction so as to act on the affixing backup stage 16 with a predetermined heating temperature and pressure. The bonding material supply mechanism 18 supplies the tape-shaped bonding material S wound around the reel between the pasting backup stage 16 and the pasting tool 17.

図1及び図2に示す仮圧着ユニット4は、単体の仮圧着ステージ20と、この仮圧着ステージ20に極く近接した位置に配置されるバックアップステージ21と、仮圧着ツール22とから構成される。   The temporary crimping unit 4 shown in FIGS. 1 and 2 includes a single temporary crimping stage 20, a backup stage 21 disposed at a position very close to the temporary crimping stage 20, and a temporary crimping tool 22. .

図1に示す仮圧着ステージ20は、基板Pを吸着固定するとともにX方向とY方向およびZ方向に移動自在であるとともに、水平面内で回転方向(θ方向)に移動自在な駆動機構を備えている。前記バックアップステージ21は、前記仮圧着ステージ20に極く近接した位置に設けられていて、いずれの方向にも移動せず固定的に設けられる。   A temporary press-bonding stage 20 shown in FIG. 1 includes a drive mechanism that holds the substrate P by suction and is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction, and is movable in the rotational direction (θ direction) in a horizontal plane. Yes. The backup stage 21 is provided at a position very close to the provisional pressure-bonding stage 20, and is fixedly provided without moving in any direction.

仮圧着ツール22は、バックアップステージ21の直上方部に設けられていて、X方向とY方向およびθ方向に移動自在であるとともに、バックアップステージ21に対して所定の加熱温度と加圧力をもって作用するよう、Z方向に昇降自在に支持される。   The temporary crimping tool 22 is provided immediately above the backup stage 21, is movable in the X direction, the Y direction, and the θ direction, and acts on the backup stage 21 with a predetermined heating temperature and pressure. Thus, it is supported so as to be movable up and down in the Z direction.

図10に示すように、チップ供給ユニット7は、チップ反転機構24と、チップステージ25およびチップ搬送機構26とを備えている。チップ反転機構24は、図示しないチップ供給手段から上面にバンプが設けられた状態の半導体チップHを受けて吸着する吸着部27と、この吸着部27を180度回転して半導体チップHを上下(天地)逆の姿勢に換える半回転機構28と、この半回転機構28を吸着部27ごと昇降駆動する昇降機構29とからなる。チップステージ25は、チップ反転機構24から半導体チップHを受けて吸着支持する。チップ搬送機構26は、チップステージ25をY方向にある前記仮圧着ユニット4へ搬送し、かつチップステージ25に支持された半導体チップHを仮圧着ツール22と対向する位置へ搬送するようになっている。   As shown in FIG. 10, the chip supply unit 7 includes a chip reversing mechanism 24, a chip stage 25, and a chip transport mechanism 26. The chip reversing mechanism 24 receives a semiconductor chip H having a bump provided on the upper surface from a chip supply means (not shown) and sucks the semiconductor chip H, and rotates the suction part 27 180 degrees to move the semiconductor chip H up and down ( A half-rotation mechanism 28 that changes to a reverse orientation and a lifting mechanism 29 that drives the half-rotation mechanism 28 up and down together with the suction portion 27. The chip stage 25 receives and supports the semiconductor chip H from the chip reversing mechanism 24. The chip transport mechanism 26 transports the chip stage 25 to the temporary crimping unit 4 in the Y direction, and transports the semiconductor chip H supported by the chip stage 25 to a position facing the temporary crimping tool 22. Yes.

なお、チップステージ25とチップ搬送機構26は、必ずしもチップ反転機構24を介して半導体チップHを受けるばかりでなく、チップ反転機構24を省略して直接、半導体チップHもしくは他の電子部品を受け、仮圧着ユニット4へ搬送することが可能である。   Note that the chip stage 25 and the chip transport mechanism 26 not only receive the semiconductor chip H via the chip reversing mechanism 24 but also directly receive the semiconductor chip H or other electronic components by omitting the chip reversing mechanism 24. It can be conveyed to the temporary crimping unit 4.

図1、図11及び図12に示すように、前記本圧着ユニット5は、X方向に沿って並設される、ここでは3組の本圧着ステージ30と、この本圧着ステージ30に極く近接した位置に配置されるバックアップステージ31と、このバックアップステージ31に対向して設けられる3組の本圧着ツール32と、保護テープTを供給する保護テープ供給機構33と、基板Pの変位を検出する検出手段としての非接触変位計35と、本圧着ツール32をX方向に可動に取り付ける可動機構36と、検出結果に応じて可動機構36の動作を制御する制御部37とを備えている。これら非接触変位計35、可動機構36、及び制御部37により補正手段が構成される。   As shown in FIGS. 1, 11, and 12, the main crimping unit 5 is arranged in parallel along the X direction. Here, three sets of main crimping stages 30 and the main crimping stage 30 are in close proximity. The backup stage 31 arranged at the position, the three sets of main crimping tools 32 provided opposite to the backup stage 31, the protective tape supply mechanism 33 for supplying the protective tape T, and the displacement of the substrate P are detected. A non-contact displacement meter 35 as detection means, a movable mechanism 36 for attaching the main crimping tool 32 movably in the X direction, and a controller 37 for controlling the operation of the movable mechanism 36 according to the detection result are provided. The non-contact displacement meter 35, the movable mechanism 36, and the control unit 37 constitute correction means.

本圧着ステージ30は、基板Pを吸着固定するとともにX方向とY方向およびZ方向に移動自在とする。バックアップステージ31は、本圧着ステージ30に極く近接した位置に設けられていて、いずれの方向にも移動せず固定的に設けられる。   The main pressure bonding stage 30 adsorbs and fixes the substrate P and is movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction. The backup stage 31 is provided at a position very close to the main crimping stage 30, and is fixedly provided without moving in any direction.

本圧着ツール32は、バックアップステージ31の直上方部に設けられていて、バックアップステージ31に対して所定の加熱温度と加圧力をもって作用するよう、可動機構36を介して、Z方向及びX方向に移動可能に支持されている。   The main crimping tool 32 is provided immediately above the backup stage 31 and is moved in the Z direction and the X direction via the movable mechanism 36 so as to act on the backup stage 31 with a predetermined heating temperature and pressure. It is supported movably.

保護テープ供給機構33において、供給リール34から繰り出される保護テープTは、本圧着ツール32が半導体チップHに対して作用するときに、本圧着ツール32と半導体チップHとの間に介在される。   In the protective tape supply mechanism 33, the protective tape T fed from the supply reel 34 is interposed between the main crimping tool 32 and the semiconductor chip H when the main crimping tool 32 acts on the semiconductor chip H.

非接触変位計35は、本圧着工程において、加熱及び加圧によって接合材Sが溶融した際に、基板Pと本圧着ツール32との相対位置関係の変化として、例えば半導体チップHの端面の変位量や変位方向を、例えば1ミクロン単位で検出する機能を有する。   The non-contact displacement meter 35 is, for example, a displacement of the end face of the semiconductor chip H as a change in the relative positional relationship between the substrate P and the main crimping tool 32 when the bonding material S is melted by heating and pressing in the final crimping step. For example, it has a function of detecting the quantity and displacement direction in units of 1 micron.

可動機構36は、制御部37の制御に応じて移動可能に構成され、この移動にともなって取り付けられた本圧着ツールを移動させる機能を有する。   The movable mechanism 36 is configured to be movable under the control of the control unit 37 and has a function of moving the main crimping tool attached along with the movement.

制御部37は、非接触変位計35で検出された半導体チップHの端面の変位量や変位方向所定等の情報に基づき、所定の演算処理を行い、本圧着ツール32の移動距離及び移動方向を算出し、この算出結果に応じた制御信号を出力することにより可動機構36を駆動させる機能を有する。   The control unit 37 performs predetermined calculation processing based on information such as the displacement amount of the end face of the semiconductor chip H detected by the non-contact displacement meter 35 and the predetermined displacement direction, and determines the moving distance and moving direction of the main crimping tool 32. It has a function of driving the movable mechanism 36 by calculating and outputting a control signal according to the calculation result.

図1に示す排出ユニット6において、本圧着ユニット5から受け渡される半導体チップHを実装した基板Pを受ける排出ステージ50を備えている。この排出ステージ50は、図示しない下流装置との受け渡し位置へX方向に沿って移動し、基板Pを下流装置へ受け渡すことができる。   The discharge unit 6 shown in FIG. 1 includes a discharge stage 50 that receives the substrate P on which the semiconductor chip H delivered from the main pressure bonding unit 5 is mounted. The discharge stage 50 moves along the X direction to a delivery position with a downstream device (not shown), and can deliver the substrate P to the downstream device.

上記のように構成される電子部品の実装装置100では、上流装置から基板Pがプリアライメントユニット2へ供給される。プリアライメントユニット2では、基板Pに対する位置補正工程が行われる。ついで接合材貼付けユニット3では、ガラス板a2の突出部分に接合材Sを貼付ける接合材貼付け工程が行われる。仮圧着ユニット4では、基板Pに接着される接合材Sに対して電子部品である半導体チップHを位置決めして仮圧着する仮圧着工程が行われる。ついで本圧着ユニット5では、半導体チップHを基板Pに本圧着して実装する本圧着工程が行われる。そのあと、基板Pは排出ユニット6から下流装置へ搬出される。   In the electronic component mounting apparatus 100 configured as described above, the substrate P is supplied from the upstream apparatus to the pre-alignment unit 2. In the pre-alignment unit 2, a position correction process for the substrate P is performed. Next, in the bonding material pasting unit 3, a bonding material pasting step is performed in which the bonding material S is pasted on the protruding portion of the glass plate a2. In the temporary pressure bonding unit 4, a temporary pressure bonding process is performed in which the semiconductor chip H that is an electronic component is positioned and temporarily pressure bonded to the bonding material S bonded to the substrate P. Next, in the main pressure bonding unit 5, a main pressure bonding process is performed in which the semiconductor chip H is pressure bonded to the substrate P and mounted. Then, the board | substrate P is carried out from the discharge unit 6 to a downstream apparatus.

なお、本電子部品の実装装置100は、プリアライメントユニット2が1組、接合材貼付けユニット3は2組、仮圧着ユニット4が1組、本圧着ユニット5は3組、排出ユニット6が1組の構成となっている。これは、仮圧着ユニット4における仮圧着工程の所要時間を基準にして設定したことによる。   The electronic component mounting apparatus 100 includes one set of pre-alignment unit 2, two sets of bonding material pasting unit 3, one set of temporary crimping unit 4, three sets of final crimping unit 5, and one set of discharge unit 6. It becomes the composition of. This is because the time required for the temporary pressure bonding process in the temporary pressure bonding unit 4 is set as a reference.

すなわち、仮圧着工程が5秒かかるとき、所要時間が10秒かかる接合材貼付け工程を2ヶ所で行うために接合材貼付けユニット3を2組備え、所要時間が15秒を要する本圧着工程を3ヶ所組で行うために本圧着ユニット5を3組備えことにより、最適タクトを5秒とすることができ、生産性の拡大化をはかっている。   That is, when the temporary pressure bonding process takes 5 seconds, two sets of bonding material application units 3 are provided to perform the bonding material application process that takes 10 seconds in two places, and the main pressure bonding process that requires 15 seconds is required. By providing three sets of the main pressure bonding units 5 to perform in one place, the optimum tact time can be reduced to 5 seconds, and the productivity is increased.

以下、電子部品の実装装置100の作用を、図1をベースにして詳細に説明する。   Hereinafter, the operation of the electronic component mounting apparatus 100 will be described in detail with reference to FIG.

基板Pは、上流装置からプリアライメントユニット2のファーストステージ10に供給され、ここで位置補正機構Gの作用によって上流装置から受け渡された際の基板Pの位置ずれを補正する。   The substrate P is supplied from the upstream device to the first stage 10 of the pre-alignment unit 2, and here, the position correction mechanism G corrects the positional deviation of the substrate P when it is delivered from the upstream device.

すなわち、基板Pは上流装置からプリアライメントユニット2のファーストステージ10上に載置され、タイミングをとってステージに設けられる吸着機構が作動し、基板Pをステージ10上面に真空吸着して固定する。この状態で、基板Pを構成する突出部分の無いガラス板a1と2枚の偏光板b1,b2の端縁がステージ10の先端縁と略揃い、一方のガラス板a2の突出部分がステージ10の端縁から突出する。   That is, the substrate P is placed on the first stage 10 of the pre-alignment unit 2 from the upstream apparatus, and a suction mechanism provided on the stage is activated at a timing, and the substrate P is vacuum-sucked and fixed on the upper surface of the stage 10. In this state, the edge of the glass plate a1 and the two polarizing plates b1 and b2 constituting the substrate P without the protruding portion are substantially aligned with the leading edge of the stage 10, and the protruding portion of one glass plate a2 is the stage 10 Projects from the edge.

このとき、プリアライメントユニット2において、上流装置から基板Pが受け渡された際の基板Pの位置ずれを検知するとともにこの位置ずれに応じて、基板Pをファーストステージ10における予め設定された基準位置に位置補正する。   At this time, the pre-alignment unit 2 detects a positional deviation of the substrate P when the substrate P is delivered from the upstream apparatus, and the substrate P is set to a preset reference position in the first stage 10 according to the positional deviation. Correct the position.

基板Pをファーストステージ10における予め設定された基準位置に位置補正することで、第1の搬送機構8Aはその基準位置から基板Pを受け取り、隣設される接合材貼付けユニット4におけるステージ15の予め設定された基準位置に基板Pを受け渡すことができる。上述したように、第1の搬送機構8A〜第4の搬送機構8Dは、それぞれが各ユニット2〜6におけるステージ15,20,30,50の予め定められた基準位置の2点間で基板Pを搬送するようになっている。   By correcting the position of the substrate P to a preset reference position in the first stage 10, the first transport mechanism 8A receives the substrate P from the reference position, and the stage 15 in the adjoining bonding material pasting unit 4 provided in advance is received in advance. The substrate P can be delivered to the set reference position. As described above, each of the first transport mechanism 8A to the fourth transport mechanism 8D includes the substrate P between two points at predetermined reference positions of the stages 15, 20, 30, and 50 in the units 2 to 6, respectively. Is supposed to be transported.

プリアライメントユニット2において基板Pに対する位置補正および高さ位置の制御が完了した時点で、第1の搬送機構8Aが駆動され、ファーストステージ10の搬送基準位置に位置決め補正された基板Pの受け渡し位置へと移動する。   When the position correction and height position control with respect to the substrate P is completed in the pre-alignment unit 2, the first transport mechanism 8A is driven to the delivery position of the substrate P that has been positioned and corrected to the transport reference position of the first stage 10. And move.

図13乃至図15は、第1の搬送機構8Aがプリアライメントユニット2のステージ10から基板Pを受け渡される作用を順に説明する図である。   FIGS. 13 to 15 are diagrams for sequentially explaining the operation of the first transport mechanism 8 </ b> A delivering the substrate P from the stage 10 of the pre-alignment unit 2.

図13に示すように、プリアライメントユニット2のステージ10は、基板Pを真空吸着したまま、第1の搬送ユニット8Aの直下部に位置する。第1の搬送ユニット8Aは、断面が逆L字状に形成されていて、この基端部にはリニアモータを構成する磁石部42が設けられ、かつ直動ガイド43に支持される。また、搬送ユニット8Aの水平片部には、外部の図示しない真空源と連通する吸着路44が設けられていて、この吸着路44は水平片部下面において開放される。   As shown in FIG. 13, the stage 10 of the pre-alignment unit 2 is located immediately below the first transport unit 8 </ b> A while the substrate P is vacuum-sucked. The first transport unit 8A has an inverted L-shaped cross section, and is provided with a magnet portion 42 constituting a linear motor at the base end portion and supported by a linear guide 43. In addition, a suction path 44 communicating with an external vacuum source (not shown) is provided in the horizontal piece portion of the transport unit 8A, and the suction path 44 is opened on the lower surface of the horizontal piece portion.

図14に示すように、ステージ10を上昇駆動して所定位置で停止する。基板Pと第1の搬送機構8Aが接触した状態で外部の真空源が駆動され、基板Pは第1の搬送機構8Aに真空吸着される。   As shown in FIG. 14, the stage 10 is driven up and stopped at a predetermined position. An external vacuum source is driven in a state where the substrate P and the first transport mechanism 8A are in contact with each other, and the substrate P is vacuum-sucked by the first transport mechanism 8A.

つぎに、図15に示すように、プリアライメントユニット2のステージ10における真空吸着作用が解除され、かつステージ10が下降駆動されることで、基板Pを第1の搬送機構8Aへ受け渡しする工程が完了する。第1の搬送機構8Aでは基板Pを真空吸着したまま、リニアモータ機構が作動して第1の搬送機構8AをX方向へ移動し、接合材貼付けユニット3の貼付けステージ15に予め定められた基準の位置に対向して停止する。   Next, as shown in FIG. 15, the step of transferring the substrate P to the first transport mechanism 8A by releasing the vacuum suction action on the stage 10 of the pre-alignment unit 2 and driving the stage 10 downward. Complete. In the first transport mechanism 8A, the linear motor mechanism operates to move the first transport mechanism 8A in the X direction while the substrate P is vacuum-sucked, and a reference set in advance on the pasting stage 15 of the bonding material pasting unit 3 Stops against the position of.

このようにして、第1の搬送機構8Aは基板Pをプリアライメントユニット2のファーストステージ10から接合材貼付けユニット3の貼付けステージ15へ搬送する。また、第2〜第4の搬送機構8B〜8Dの構造は、全て第1の搬送機構8Aと同一であり、かつ以下に述べる各ユニット3,4,5、6のステージ15,20,30,50に対する第2〜第4の搬送機構8B〜8Dの基板Pの受け渡し作用は、先に説明したのと全く同様の手順で実施されるので、これ以降の各搬送機構8B〜8Dの詳細な作用説明は省略する。   In this way, the first transport mechanism 8A transports the substrate P from the first stage 10 of the pre-alignment unit 2 to the pasting stage 15 of the bonding material pasting unit 3. Further, the structures of the second to fourth transport mechanisms 8B to 8D are all the same as those of the first transport mechanism 8A, and the stages 15, 20, 30, Since the transfer operation of the substrate P of the second to fourth transfer mechanisms 8B to 8D to 50 is performed in exactly the same procedure as described above, the detailed operation of the transfer mechanisms 8B to 8D after that is performed. Description is omitted.

図1に示すように、第1の搬送機構8Aがプリアライメントユニット2から基板Pを吸着固定してY方向へ移動し、接合材貼付けユニット3との対向位置に到達して停止する。この接合材貼付けユニット3に備えられる2組の貼付けステージ15のうち、一方の貼付けステージ15が一旦、装置奥側から前面側まで、すなわちY方向に移動してから上昇駆動され、第1の搬送機構8Aから基板Pが受け渡される。このときの基板Pの受け渡し作用は、先に図11乃至図13説明したのと全く逆に行われる。   As shown in FIG. 1, the first transport mechanism 8 </ b> A sucks and fixes the substrate P from the pre-alignment unit 2 and moves in the Y direction, reaches the position facing the bonding material pasting unit 3, and stops. Of the two sets of bonding stages 15 provided in the bonding material bonding unit 3, one of the bonding stages 15 is temporarily driven from the back side of the apparatus to the front side, that is, moved in the Y direction, and is then driven upward. The substrate P is delivered from the mechanism 8A. The transfer operation of the substrate P at this time is performed in the opposite manner to that described above with reference to FIGS.

第1の搬送機構8Aはプリアライメントユニット2のファーストステージ10に戻り、新たに位置決め補正された次位の基板Pを吸着保持して接合材貼付けユニット2の他方の貼付けステージ15に、その基板Pを受け渡す。   The first transport mechanism 8A returns to the first stage 10 of the pre-alignment unit 2, sucks and holds the next-positioned substrate P that has been newly corrected for positioning, and places the substrate P on the other pasting stage 15 of the bonding material pasting unit 2. Hand over.

基板Pを吸着固定した接合材貼付けユニット3の貼付けステージ15は、所定の接合材貼付け位置に向うため装置奥側であるY方向へ移動する。そして、貼付けステージ15は、この接合材貼付けユニット3に備えられる貼付けバックアップステージ16と近接位置まで移動してから降下する。   The adhering stage 15 of the bonding material adhering unit 3 to which the substrate P is adsorbed and fixed moves in the Y direction which is the back side of the apparatus in order to go to a predetermined bonding material adhering position. And the sticking stage 15 descend | falls after moving to the sticking backup stage 16 with which this joining material sticking unit 3 is equipped, and a proximity | contact position.

図1に示す接合材貼付けユニット3における貼付けステージ15に対する基板Pの載置位置も、プリアライメントユニット2のステージ10に対する基板Pの載置位置と同様、基板Pを構成するガラス板a2の突出部分のみステージ15端縁から突出し、他のガラス板a1と2枚の偏光板b1,b2端縁とステージ端縁の位置が揃えられた状態で、基板Pは貼付けステージ15に吸着固定される。   The mounting position of the substrate P with respect to the bonding stage 15 in the bonding material bonding unit 3 shown in FIG. 1 is the same as the mounting position of the substrate P with respect to the stage 10 of the pre-alignment unit 2. Only the substrate P protrudes from the edge of the stage 15, and the substrate P is adsorbed and fixed to the affixing stage 15 with the other glass plate a 1 and the edges of the two polarizing plates b 1, b 2 and the stage edge aligned.

そして、貼付けステージ15は、基板Pの突出部分裏面が貼付けバックアップステージ16上面と接触する高さ位置まで下降する。このときの接合材貼付けステージ15の降下量は、先に説明したプリアライメントユニット2のステージ10上に支持された基板Pに対してレーザ変位計12が測定した結果にもとづいて制御される。   Then, the pasting stage 15 is lowered to a height position at which the rear surface of the protruding portion of the substrate P contacts the upper surface of the pasting backup stage 16. The amount of descent of the bonding material pasting stage 15 at this time is controlled based on the result of the laser displacement meter 12 measuring the substrate P supported on the stage 10 of the pre-alignment unit 2 described above.

接合材Sは、テープ状となってリールに巻回され接合材供給機構18から貼付け位置へ供給される。 The bonding material S is wound on a reel in the form of a tape, and is supplied from the bonding material supply mechanism 18 to the pasting position.

接合材Sに対して貼付ツール17が降下駆動され、所定の荷重および温度を加えて、接合材Sを打抜いて基板Pに貼付ける。   The pasting tool 17 is driven downward with respect to the bonding material S, a predetermined load and temperature are applied, and the bonding material S is punched and pasted on the substrate P.

基板Pの実装部位は水平に保持されているため、接合材Sを正確な位置に貼り付けられる。   Since the mounting part of the substrate P is held horizontally, the bonding material S can be attached to an accurate position.

打抜かれたあとの接合材Sは図2に示す吸引機構40に吸引されて、接合材貼付けユニット3の背面側に配置される廃棄箱41内へ導かれ、廃棄処分される。吸引機構40等については、同様構造のものが本圧着ユニット5にも備えられていて、その詳細な構成と作用については後述する本圧着工程において説明する。   The punched bonding material S is sucked by the suction mechanism 40 shown in FIG. 2, guided into the disposal box 41 disposed on the back side of the bonding material pasting unit 3, and discarded. About the suction mechanism 40 etc., the thing of the same structure is also provided in this crimping | compression-bonding unit 5, The detailed structure and effect | action are demonstrated in the final crimping | compression-bonding process mentioned later.

接合材貼付けステージ15において接合材Sが貼付けられた基板Pは、第2の搬送機構8Bに取出されて搬送される
実際の接合材Sの貼付け状態を検査する工程を順に説明する図である。図1示すように、基板Pに接合材Sを貼付けた後、基板Pは前工程と同様の手順により、第2の搬送ユニット8Bによって仮圧着ユニット4へ搬送され、ここに備えられる仮圧着ステージ20へ受け渡される。仮圧着ステージ20は装置の奥側からY方向へ移動し、一旦、装置の前面側に出て第2の搬送機構8Bから基板Pが受け渡される。
The substrate P to which the bonding material S has been bonded in the bonding material bonding stage 15 is a diagram for sequentially explaining the process of inspecting the bonding state of the actual bonding material S that is taken out and transported to the second transport mechanism 8B. As shown in FIG. 1, after bonding the bonding material S to the substrate P, the substrate P is transported to the temporary press-bonding unit 4 by the second transport unit 8B according to the same procedure as the previous step, and is provided here. Passed to 20. The temporary press-bonding stage 20 moves in the Y direction from the back side of the apparatus, temporarily exits to the front side of the apparatus, and the substrate P is delivered from the second transport mechanism 8B.

ここでも、ステージ20端縁に対して、基板Pを構成するガラス板a2を除くガラス板a1および2枚の偏光板b1,b2端縁との位置が揃えられる。ガラス板a1の突出部分が仮圧着ステージ20端縁から突出した状態で、基板Pは仮圧着ステージ20に吸着固定される。仮圧着ステージ20は基板Pを吸着保持して装置奥側(Y方向)へ移動し、バックアップステージ21に近接するとともに、この上方部位へ移動する。   Here, the positions of the glass plate a1 excluding the glass plate a2 constituting the substrate P and the edges of the two polarizing plates b1 and b2 are aligned with respect to the edge of the stage 20. The substrate P is sucked and fixed to the temporary pressure-bonding stage 20 in a state where the protruding portion of the glass plate a1 protrudes from the edge of the temporary pressure-bonded stage 20. The temporary pressure bonding stage 20 sucks and holds the substrate P and moves to the back side (Y direction) of the apparatus, moves close to the backup stage 21 and moves to the upper part.

仮圧着ステージ20は基板Pの突出部分裏面がバックアップステージ21と接触する高さ位置まで下降する。このときも、先に説明したプリアライメントユニット2におけるファーストステージ10での高さ測定結果にもとづいて制御されるので、バックアップステージ21上面と基板Pの突出部裏面とが面同士で均一状態に接触し、基板Pは常に水平に保持される。   The temporary press-bonding stage 20 is lowered to a height position at which the rear surface of the protruding portion of the substrate P comes into contact with the backup stage 21. Also at this time, since the control is performed based on the height measurement result at the first stage 10 in the pre-alignment unit 2 described above, the upper surface of the backup stage 21 and the rear surface of the protruding portion of the substrate P are in contact with each other in a uniform state. The substrate P is always held horizontally.

一方、半導体チップHがチップ供給手段からチップ供給ユニット7へ受け渡される。半導体チップHに形成される電極(バンプ)が上面側に向いた状態で供給される場合は、に示すように、半導体チップHはチップ供給ユニット7を構成するチップ反転機構24の吸着部27が受けて真空吸着する。   On the other hand, the semiconductor chip H is delivered from the chip supply means to the chip supply unit 7. When the electrodes (bumps) formed on the semiconductor chip H are supplied in a state of facing the upper surface side, the semiconductor chip H has the suction portion 27 of the chip reversing mechanism 24 constituting the chip supply unit 7 as shown in FIG. Receive and vacuum-suck.

そして、図16に示すように、半回転機構28が駆動され、吸着部27を180度回転して停止する。吸着部27の半導体チップHに対する吸着作用は継続しているので、半導体チップHは上下(天地)逆の姿勢に換って保持される。   Then, as shown in FIG. 16, the half-rotation mechanism 28 is driven, and the suction unit 27 is rotated by 180 degrees and stopped. Since the suction action of the suction portion 27 on the semiconductor chip H continues, the semiconductor chip H is held in place of an upside down (upside down) posture.

つぎに、図17に示すように、昇降機構29が駆動して半回転機構28を吸着部27ごと降下駆動し、半導体チップHがチップ搬送機構26のチップステージ25上に載った位置で停止する。   Next, as shown in FIG. 17, the elevating mechanism 29 is driven to drive the half-rotating mechanism 28 downward along with the suction portion 27, and the semiconductor chip H stops at the position where it is placed on the chip stage 25 of the chip transport mechanism 26. .

チップ搬送機構26のステージ25は半導体チップHを真空吸着により固定し、ついでチップ反転機構24の吸着部27における真空吸着を解除する。したがって、半導体チップHはチップ反転機構24からチップステージ25へ受け渡されることになる。このタイミングをとってチップ搬送機構26が駆動され、半導体チップHごとチップステージ25を仮圧着ユニット4へ搬送する。   The stage 25 of the chip transport mechanism 26 fixes the semiconductor chip H by vacuum suction, and then releases the vacuum suction at the suction portion 27 of the chip reversing mechanism 24. Therefore, the semiconductor chip H is delivered from the chip reversing mechanism 24 to the chip stage 25. At this timing, the chip transport mechanism 26 is driven to transport the chip stage 25 together with the semiconductor chip H to the provisional pressure bonding unit 4.

チップ反転機構24の昇降機構29を駆動して上昇させるとともに、半回転機構28を逆方向に半回転させる。チップ反転機構24は、はじめの姿勢に戻ってつぎに供給される半導体チップHの供給を待機する。一方、チップステージ25に支持された半導体チップHが仮圧着ツール22と対向する位置へ搬送された状態で、チップ搬送機構26が停止する。   The lift mechanism 29 of the chip reversing mechanism 24 is driven and raised, and the half-rotation mechanism 28 is half-rotated in the reverse direction. The chip reversing mechanism 24 returns to the initial posture and waits for the supply of the next semiconductor chip H to be supplied. On the other hand, the chip transport mechanism 26 stops in a state where the semiconductor chip H supported by the chip stage 25 is transported to a position facing the temporary crimping tool 22.

なお、生産する品種によっては、チップ供給手段から渡される電子部品の実装面が下向きの場合もあり得る。その際には、電子部品のチップ反転機構24への供給を省略して、その電子部品を直接、チップ搬送機構26のチップステージ25へ受け渡すことができ、生産性の拡大化を図れる。   Depending on the type to be produced, the mounting surface of the electronic component delivered from the chip supply means may be downward. In that case, supply of the electronic component to the chip reversing mechanism 24 can be omitted, and the electronic component can be directly transferred to the chip stage 25 of the chip transport mechanism 26, so that productivity can be increased.

図1に示すように、半導体チップHを吸着固定したチップ搬送機構26のチップステージ25が仮圧着ツール22と対向する位置で停止すると、今度は仮圧着ツール22が下降して、チップステージ25上の半導体チップHに接触する。チップステージ25の吸着作用が停止され、かつ仮圧着ツール22の半導体チップHに対する真空吸着作用が開始されて、半導体チップHは仮圧着ツール22に受け渡しされる。   As shown in FIG. 1, when the chip stage 25 of the chip transport mechanism 26 to which the semiconductor chip H is attracted and fixed stops at a position facing the temporary pressure bonding tool 22, the temporary pressure bonding tool 22 is lowered and this time on the chip stage 25. In contact with the semiconductor chip H. The suction action of the chip stage 25 is stopped, and the vacuum suction action of the temporary pressure bonding tool 22 to the semiconductor chip H is started, and the semiconductor chip H is delivered to the temporary pressure bonding tool 22.

そして、仮圧着ツール22はタイミングをとって、バックアップステージ21上の基板Pへ向かって下降し、所定の荷重および温度によって接合材Sを介し半導体チップHを基板Pの実装面へ仮圧着する、仮圧着工程が終了する。   Then, the temporary crimping tool 22 is timed down toward the substrate P on the backup stage 21 and temporarily crimps the semiconductor chip H to the mounting surface of the substrate P via the bonding material S with a predetermined load and temperature. The temporary crimping process is completed.

仮圧着工程が完了すると、第3の搬送機構8Cが作動して半導体チップHを仮圧着した基板Pを仮圧着ユニット4から取出し、本圧着ユニット5へ搬送する。基板Pは、本圧着ユニット5において、装置奥側から前面側へY方向に移動してきた本圧着ステージ30へ受け渡される。第3の搬送機構8Cは、3組あるうちのいずれかの本圧着ステージ30に基板Pを受け渡したあと、直ちに仮圧着ユニット4へ戻って次位の基板Pを他の本圧着ステージ30へ受け渡す。そして、再び仮圧着ユニット4へ戻って基板Pを残りの空いている本圧着ステージ30へ受け渡す。   When the temporary press-bonding step is completed, the third transport mechanism 8C is operated to take out the substrate P on which the semiconductor chip H is temporarily press-bonded from the temporary press-bonding unit 4 and transport it to the main press-bonding unit 5. The substrate P is delivered to the main press bonding stage 30 that has moved in the Y direction from the back side of the apparatus to the front side in the main press bonding unit 5. The third transport mechanism 8C delivers the substrate P to one of the three main crimping stages 30 and then immediately returns to the temporary crimping unit 4 to receive the next substrate P to the other final crimping stage 30. hand over. Then, the process returns to the temporary press-bonding unit 4 again, and the substrate P is transferred to the remaining free press-bonding stage 30.

基板Pを受け渡された本圧着ステージ30は再び装置奥側(Y方向)へ移動してから降下し、バックアップステージ31上に半導体チップHを仮圧着した基板Pの実装面が載った位置で停止する。このときの本圧着ステージ30の降下量も、先にプリアライメントユニット2のレーザ変位計12が測定した結果にもとづくものであり、基板Pの突出部は常に水平に保持される。   The main crimping stage 30 to which the substrate P has been delivered again moves to the back side of the apparatus (Y direction) and then descends, at a position where the mounting surface of the substrate P on which the semiconductor chip H is temporarily crimped is placed on the backup stage 31. Stop. The amount of descent of the main press bonding stage 30 at this time is also based on the result previously measured by the laser displacement meter 12 of the pre-alignment unit 2, and the protruding portion of the substrate P is always held horizontally.

このあと、図18に示すように、本圧着ツール32がバックアップステージ31の基板P実装面に向かって下降し、仮圧着工程時よりも高温の加熱温度および大きな荷重条件にもとづき、保護テープTを介して半導体チップHが加熱されるとともに基板Pに対して加圧され、半導体チップHを基板Pに本圧着する、本圧着工程をなす。   Then, as shown in FIG. 18, the main crimping tool 32 descends toward the substrate P mounting surface of the backup stage 31, and the protective tape T is applied based on the heating temperature and the large load conditions higher than those in the temporary crimping process. Then, the semiconductor chip H is heated and pressurized against the substrate P, and a main pressure bonding process is performed in which the semiconductor chip H is pressure bonded to the substrate P.

。この際、加熱及び加圧処理により、接合材Sの接着性のバインダーが溶融するとともに導電粒子の介在した状態となり、基板Pと半導体チップHとの間での接合が弱まるとともに半導体チップHと基板Pとが相対移動しやすくなる。このとき、本圧着ツール32の傾斜や、加圧力方向の傾斜により、図19に示すように、本圧着ツール32が変形するとともに半導体チップHが基板Pに対してX方向に移動する。 . At this time, the adhesive binder of the bonding material S is melted and the conductive particles are interposed by the heating and pressurizing treatment, and the bonding between the substrate P and the semiconductor chip H is weakened and the semiconductor chip H and the substrate are bonded. It becomes easy to move relative to P. At this time, the main crimping tool 32 is deformed and the semiconductor chip H moves in the X direction with respect to the substrate P as shown in FIG.

半導体チップHが基板Pに対して移動する。このとき、非接触変位計35により、半導体チップHの端面の変位量や変位方向が、例えば、1ミクロン単位で検出される。非接触変位計35での検出結果に基づき、制御部37において、所定の演算処理が成され、本圧着ツール32の移動距離及び移動方向が算出され、この算出結果に応じた制御信号が出力される。この出力に応じて図20に示すように、可動機構36が所定方向に所定距離移動するとともに、本圧着ツール32も移動する。例えば、半導体チップHの端面の変位方向と逆方向に、半導体チップHの端面の変位量と同じ距離だけ、本圧着ツール32を移動させる。例えば半導体チップHが左側に1ミクロン変位した場合には、すぐに本圧着ツール32を右側に1ミクロン移動させることにより半導体チップHと基板Pとの相対位置関係が補正される。この位置補正を本圧着工程が終了するまで所定時間毎に繰り返し行う。   The semiconductor chip H moves relative to the substrate P. At this time, the displacement amount and the displacement direction of the end face of the semiconductor chip H are detected by the non-contact displacement meter 35 in units of 1 micron, for example. Based on the detection result of the non-contact displacement meter 35, a predetermined calculation process is performed in the control unit 37, the movement distance and movement direction of the main crimping tool 32 are calculated, and a control signal corresponding to the calculation result is output. The In response to this output, as shown in FIG. 20, the movable mechanism 36 moves in a predetermined direction by a predetermined distance, and the main crimping tool 32 also moves. For example, the main crimping tool 32 is moved in the direction opposite to the displacement direction of the end face of the semiconductor chip H by the same distance as the displacement amount of the end face of the semiconductor chip H. For example, when the semiconductor chip H is displaced by 1 micron to the left, the relative positional relationship between the semiconductor chip H and the substrate P is corrected by immediately moving the main crimping tool 32 to the right by 1 micron. This position correction is repeated every predetermined time until the main pressure bonding process is completed.

以上により、接合材Sが溶融し、半導体チップHの電極と基板Pの電極が、接合材Sである異方性導電膜に含まれる導電粒子を介して電気的に接続された状態で接合材Sが硬化することにより、半導体チップHが基板P上に実装される。このとき、接合材Sの介在によりずれが生じても、硬化前に位置関係が補正されるため、正確な位置に実装することが可能となる。   As described above, the bonding material S is melted and the electrode of the semiconductor chip H and the electrode of the substrate P are electrically connected via the conductive particles included in the anisotropic conductive film as the bonding material S. When S is cured, the semiconductor chip H is mounted on the substrate P. At this time, even if a deviation occurs due to the interposition of the bonding material S, the positional relationship is corrected before curing, so that mounting at an accurate position is possible.

本圧着工程を終えた基板Pを第4の搬送機構8Dが吸着して、基板排出ユニット6へ搬送し、基板Pを排出ステージ50へ受け渡す。排出ステージ50は、下流装置との受け渡し位置へ移動(X方向)して、基板Pを下流装置へ受け渡す。これにより、一連の基板Pに対する半導体チップHの実装工程の全てが終了する。   The fourth transport mechanism 8D sucks the substrate P that has undergone the main press-bonding step, transports the substrate P to the substrate discharge unit 6, and delivers the substrate P to the discharge stage 50. The discharge stage 50 moves to the delivery position with the downstream apparatus (X direction) and delivers the substrate P to the downstream apparatus. Thereby, all the mounting processes of the semiconductor chip H on the series of substrates P are completed.

本実施形態にかかる電子部品の実装装置100及び電子部品の製造方法によれば、以下の効果が得られる。すなわち、基板Pと半導体チップHとの相対位置関係を検出し、この検出結果に応じて本圧着ツール32を移動させることにより、基板Pと半導体チップHとの位置ずれを防止し、所望の部位に正確な処理を行うことができる。   According to the electronic component mounting apparatus 100 and the electronic component manufacturing method according to the present embodiment, the following effects can be obtained. That is, the relative positional relationship between the substrate P and the semiconductor chip H is detected, and the main crimping tool 32 is moved in accordance with the detection result, thereby preventing the positional deviation between the substrate P and the semiconductor chip H and the desired part. Accurate processing can be performed.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではない。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment as it is.

上記実施形態では、本圧着ユニット5にのみ、非接触変位計35、可動機構36、及び制御部37により構成される補正手段を設け、本圧着工程において位置補正を行う構成としたが、図21に示すように、仮圧着ユニット4にも、非接触変位計35、可動機構36、及び制御部37により構成される補正手段を設け、本圧着と同様に、仮圧着中においても位置補正を行う構成としてもよい。   In the above-described embodiment, only the main crimping unit 5 is provided with a correction unit including the non-contact displacement meter 35, the movable mechanism 36, and the control unit 37, and the position is corrected in the final crimping process. As shown in FIG. 4, the temporary press-bonding unit 4 is also provided with a correcting means including a non-contact displacement gauge 35, a movable mechanism 36, and a control unit 37, and performs position correction during the temporary press-bonding as in the case of the main press-bonding. It is good also as a structure.

上記実施形態では本圧着ツール32を可動として位置補正を行う場合について説明したが、これに代えて、または併せて、図22に示すように、基板Pが載置される本圧着ステージ30及びバックアップステージ31を可動とし、これらの位置を調整することにより相対位置を調整する構成としてもよい。この場合、予め本圧着ステージ30やバックアップステージ31が既に可動に構成されている装置においては、新たな設備を要さないため、製造コストを低く抑えることが可能となる。   In the above embodiment, the case where the position correction is performed with the main crimping tool 32 being movable has been described, but instead of or in combination with this, as shown in FIG. 22, the main crimping stage 30 on which the substrate P is placed and the backup are provided. The stage 31 may be movable and the relative position may be adjusted by adjusting these positions. In this case, in an apparatus in which the main press-bonding stage 30 and the backup stage 31 are already configured to be movable in advance, no new equipment is required, so that the manufacturing cost can be kept low.

非接触変位計35により半導体チップHの端面の変位を検出して相対位置を検出したが、これに代えて、または併せて、図23に示すように、本圧着ツール32の先端、すなわち、半導体チップHと接触している部分の変位を検出する変位計29を用い、本圧着ツール32の位置から相対位置を検出してもよい。   Although the relative position is detected by detecting the displacement of the end face of the semiconductor chip H by the non-contact displacement meter 35, instead of or in combination with this, as shown in FIG. The relative position may be detected from the position of the main crimping tool 32 by using a displacement meter 29 that detects the displacement of the portion in contact with the chip H.

さらに、上記実施形態においては、X方向の変位を検出し、X方向において位置を補正する場合について説明したが、これに限るものではなく、例えばこれに代えて、または併せて、Y方向の変位検出及び位置補正を行ってもよい。この他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the displacement in the X direction is detected and the position is corrected in the X direction has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, instead of or in addition to this, the displacement in the Y direction Detection and position correction may be performed. In addition, in the implementation stage, the constituent elements can be modified and embodied without departing from the spirit of the invention. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

本発明の一実施形態に係る電子部品の実装装置の概略斜視図。1 is a schematic perspective view of an electronic component mounting apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る電子部品の実装装置の背面側を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the back side of the mounting apparatus of the electronic component which concerns on one Embodiment of this invention. 同実施形態における位置補正工程における基板の状態を説明する断面図。Sectional drawing explaining the state of the board | substrate in the position correction process in the embodiment. 同実施形態における接合財貼付け工程における基板の状態を説明する断面図。Sectional drawing explaining the state of the board | substrate in the bonding goods sticking process in the embodiment. 同実施形態における仮圧着工程における基板の状態を説明する断面図。Sectional drawing explaining the state of the board | substrate in the temporary crimping | compression-bonding process in the embodiment. 同実施形態における本圧着工程における基板の状態を説明する断面図。Sectional drawing explaining the state of the board | substrate in the main crimping | compression-bonding process in the embodiment. 同実施形態に係るプリアライメントユニットの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the pre-alignment unit which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係るプリアライメントユニットの構成を示す側面図。The side view which shows the structure of the pre-alignment unit which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係る接合材貼付けユニットの構成を示す側面図。The side view which shows the structure of the bonding material sticking unit which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係るチップ供給ユニットの構成を示す側面図。The side view which shows the structure of the chip | tip supply unit which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係る本圧着ユニットの構成を示す正面図。The front view which shows the structure of this crimping | compression-bonding unit which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係る接合材貼付けユニットの構成を示す説明図。Explanatory drawing which shows the structure of the bonding material sticking unit which concerns on the embodiment. 同実施形態の基板を搬送する工程を説明する断面図。Sectional drawing explaining the process of conveying the board | substrate of the embodiment. 同実施形態の基板を搬送する工程を説明する側面図。The side view explaining the process of conveying the board | substrate of the embodiment. 同実施形態の基板を搬送する工程を説明する側面図。The side view explaining the process of conveying the board | substrate of the embodiment. 同実施形態に係るチップ供給ユニットにおいてチップを供給する工程を説明する側面図。The side view explaining the process of supplying a chip | tip in the chip | tip supply unit which concerns on the embodiment. 同実施形態に係るチップ供給ユニットにおいてチップを供給する工程を説明する側面図。The side view explaining the process of supplying a chip | tip in the chip | tip supply unit which concerns on the embodiment. 同実施形態に係る本圧着ユニットにおける本圧着工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the main crimping | compression-bonding process in the main crimping | compression-bonding unit which concerns on the embodiment. 同実施形態に係る本圧着ユニットにおける本圧着工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the main crimping | compression-bonding process in the main crimping | compression-bonding unit which concerns on the embodiment. 同実施形態に係る本圧着ユニットにおける本圧着工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the main crimping | compression-bonding process in the main crimping | compression-bonding unit which concerns on the embodiment. 本発明の他の実施形態にかかる仮圧着ユニットを示す説明図。Explanatory drawing which shows the temporary crimping | compression-bonding unit concerning other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかる本圧着ユニットを示す説明図。Explanatory drawing which shows this crimping | compression-bonding unit concerning other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかる本圧着ユニットを示す説明図。Explanatory drawing which shows this crimping | compression-bonding unit concerning other embodiment of this invention. 電子部品の実装装置の一例を示す側面図。The side view which shows an example of the mounting device of an electronic component. 電子部品の実装装置の本圧着工程の一例を示す側面図。The side view which shows an example of the main crimping | compression-bonding process of the mounting device of an electronic component. 電子部品の実装装置の本圧着工程の一例を示す側面図。The side view which shows an example of this crimping | compression-bonding process of the mounting device of an electronic component.

符号の説明Explanation of symbols

P…基板、H…半導体チップ(電子部品)、3…接合材貼付けユニット、4…仮圧着ユニット、5…本圧着ユニット、8A…第1の搬送機構、8B…第2の搬送機構、8C…第3の搬送機構、8D…第4の搬送機構、G…位置補正機構、10…ファーストステージ、12…レーザ変位計、S…接合材(異方性導電膜:ACF)、15…貼付けステージ、16…貼付けバックアップステージ、17…貼付けツール、20…仮圧着ステージ、21…仮圧着バックアップステージ、22…仮圧着ツール、30…本圧着ステージ、31…本圧着バックアップステージ、32…本圧着ツール、35…非接触変位計、36…可動機構、37…制御部、50…排出ステージ。 P ... Substrate, H ... Semiconductor chip (electronic component), 3 ... Bonding material pasting unit, 4 ... Temporary crimping unit, 5 ... Final crimping unit, 8A ... First transport mechanism, 8B ... Second transport mechanism, 8C ... 3rd transport mechanism, 8D ... 4th transport mechanism, G ... Position correction mechanism, 10 ... First stage, 12 ... Laser displacement meter, S ... Bonding material (anisotropic conductive film: ACF), 15 ... Pasting stage, DESCRIPTION OF SYMBOLS 16 ... Pasting backup stage, 17 ... Pasting tool, 20 ... Temporary pressure bonding stage, 21 ... Temporary pressure bonding backup stage, 22 ... Temporary pressure bonding tool, 30 ... Final pressure bonding stage, 31 ... Final pressure bonding backup stage, 32 ... Final pressure bonding tool, 35 ... non-contact displacement meter, 36 ... movable mechanism, 37 ... control unit, 50 ... discharge stage.

Claims (4)

基板に電子部品を実装する電子部品の実装装置であって、
接合材を介して前記電子部品が載置された前記基板に対して、所定の加熱温度と加圧力をもって作用し、前記電子部品を前記基板に本圧着する本圧着ユニットと、
前記加熱及び加圧による処理の際に、前記加圧の作用方向と交差する方向における、前記基板に対する前記電子部品の変位を検出し、前記基板と前記電子部品との相対位置を補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする電子部品の実装装置。
An electronic component mounting apparatus for mounting an electronic component on a substrate,
A main pressure-bonding unit that acts on the substrate on which the electronic component is placed via a bonding material with a predetermined heating temperature and pressure, and which finally press-bonds the electronic component to the substrate;
Correction means for detecting a displacement of the electronic component relative to the substrate in a direction crossing the direction of the pressurization during the processing by heating and pressurizing and correcting the relative position between the substrate and the electronic component. When,
An electronic component mounting apparatus comprising:
基板に電子部品を実装する電子部品の実装装置であって、
基板に接合材を貼付ける貼付けユニットと、
前記接合材を前記貼り付けユニットに供給する接合材供給機構と、
加熱及び加圧処理により前記接合材を介して電子部品を前記基板に仮圧着する仮圧着ユニットと、
前記電子部品を仮圧着ユニットへ搬送するチップ供給ユニットと、
接合材を介して前記電子部品が載置された前記基板に対して、所定の加熱温度と加圧力をもって作用し、前記電子部品を前記基板に本圧着する本圧着ユニットと、
複数の前記ユニットの間で基板を搬送する搬送機構と、
前記加熱及び加圧による処理の際に、前記加圧の作用方向と交差する方向における、前記基板に対する前記電子部品の変位を検出し、前記基板と前記電子部品との相対位置を補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする電子部品の実装装置。
An electronic component mounting apparatus for mounting an electronic component on a substrate,
An affixing unit for adhering the bonding material to the substrate;
A bonding material supply mechanism for supplying the bonding material to the pasting unit;
A temporary pressure-bonding unit that temporarily pressure-bonds an electronic component to the substrate via the bonding material by heating and pressure treatment;
A chip supply unit for transporting the electronic component to the temporary crimping unit;
A main pressure-bonding unit that acts on the substrate on which the electronic component is placed via a bonding material with a predetermined heating temperature and pressure, and which finally press-bonds the electronic component to the substrate;
A transport mechanism for transporting a substrate between the plurality of units;
Correction means for detecting a displacement of the electronic component relative to the substrate in a direction crossing the direction of the pressurization during the processing by heating and pressurizing and correcting the relative position between the substrate and the electronic component. When,
An electronic component mounting apparatus comprising:
前記接合材は、異方性導電膜で構成され、前記補正は、前記接合材が加熱された際に行われることを特徴する請求項1記載の電子部品の実装装置。   The electronic component mounting apparatus according to claim 1, wherein the bonding material includes an anisotropic conductive film, and the correction is performed when the bonding material is heated. 接合材を介して電子部品が載置された基板に対して、所定の加熱温度と加圧力をもって作用し、前記電子部品を前記基板に本圧着する工程と、
前記本圧着する工程の際に、前記加圧の作用方向と交差する方向における、前記基板に対する前記電子部品の変位を検出し、前記基板と前記電子部品との相対位置を補正する工程と、を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
A step of applying a predetermined heating temperature and pressure to the substrate on which the electronic component is placed via the bonding material, and finally pressing the electronic component to the substrate;
Detecting the displacement of the electronic component with respect to the substrate in a direction intersecting the direction of the pressurization during the step of performing the main pressure bonding, and correcting a relative position between the substrate and the electronic component; An electronic component manufacturing method comprising the electronic component.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013161852A (en) * 2012-02-02 2013-08-19 Fujitsu Ltd Electronic component mounting device and electronic component mounting method
WO2015199045A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device and mounting method

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