JP2009007236A - 圧電/電歪磁器組成物、圧電/電歪素子及びその製造方法 - Google Patents

圧電/電歪磁器組成物、圧電/電歪素子及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】機械的強度に優れているとともに、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を比較的低い焼成温度で形成可能な圧電/電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、Ni、及びAgを含有し、Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%であり、Agの含有割合(AgO換算)が、0.01〜1.0質量%である圧電/電歪磁器組成物である。
【選択図】なし

Description

本発明は、機械的強度に優れているとともに、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を形成可能な圧電/電歪磁器組成物、及びこの圧電/電歪磁器組成物を用いて得られる圧電/電歪部を備えた圧電/電歪素子、並びに圧電/電歪素子の製造方法に関する。
従来、サブミクロンのオーダーで変位を制御できる素子として、圧電/電歪素子が知られている。これらの圧電/電歪素子は圧電型圧力センサ、走査型トンネル顕微鏡のプローブ移動機構、超精密加工装置における直進案内機構、油圧制御用サーボ弁、VTR装置のヘッド、フラットパネル型の画像表示装置を構成する画素、ディーゼルエンジン用インジェクタ又はインクジェットプリンタのヘッド等、様々な用途に用いられている。
シート状圧電/電歪組成物と電極を交互に積層して得られる積層型圧電/電歪素子は高変位・高出力を得るのに好適である。しかし、これら積層型圧電/電歪素子は変位量が大きい為に内在する応力が大きく、マイクロクラックが発生し易く、その駆動耐久性の確保には機械的強度・絶縁破壊強度の向上が必要である。特に、高粘度液体吐出デバイス、ディーゼルエンジン用インジェクタ等の新たな用途に採用される圧電/電歪素子には、飛躍的に高い変位が必要とされる。但し、圧電/電歪素子を高変位駆動させると、圧電/電歪部にマイクロクラックが発生しやすくなるといった問題があった。このため、高変位が要求される状況下であっても良好な駆動耐久性を確保するには、圧電/電歪部がより高い絶縁破壊強度を有するものであることが必要である。
また、圧電/電歪体を構成する圧電/電歪磁器組成物についても、種々検討がなされている。例えば、Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物(以下、「PMN−PZT系組成物」ともいう)、又はこれらの組成物中のPbの一部をSr、La等で置換した圧電/電歪磁器組成物が開示されており(例えば、特許文献1,2参照)、圧電/電歪素子の圧電/電歪特性を決定する最も重要な部分である圧電/電歪体自体について、優れた圧電/電歪特性(例えば、圧電d定数)を有する圧電/電歪素子が得られるものと期待されている。
また、緻密度を更に向上させて圧電特性を向上させるべく、PMN−PZT系組成物にNiOを0.05〜10重量%添加した磁器組成物からなる圧電体を備えた圧電体素子(例えば、特許文献3参照)が開示されている。
しかしながら、特許文献3で開示された圧電体素子等は、それを構成する圧電体の緻密度がある程度向上したものであったが未だ十分であるとはいえず、絶縁破壊強度が不十分であるため、高電界が印加された場合には絶縁破壊が生じ易いといった問題があった。
特公昭44−17103号公報 特公昭45−8145号公報 特開2002−100819号公報
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を比較的低い焼成温度で形成可能な圧電/電歪磁器組成物を提供することにある。また、本発明の課題とするところは、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を備えた圧電/電歪素子、及びその製造方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物を主成分として含有させ、Ni及びAgをそれぞれ所定の割合で更に含有させることによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、以下に示す圧電/電歪磁器組成物及びその製造方法、並びに圧電/電歪素子及びその製造方法が提供される。
[1]主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、Ni、及びAgを含有し、前記Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%であり、前記Agの含有割合(AgO換算)が、0.01〜1.0質量%である圧電/電歪磁器組成物。
[2]前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の組成が、下記式(1)により表される前記[1]に記載の圧電/電歪磁器組成物。
Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
(前記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
[3]前記[1]又は[2]に記載の圧電/電歪磁器組成物によって形成された圧電/電歪部と、前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子。
[4]セラミックスからなる基体を更に備え、前記圧電/電歪部が、前記基体上に直接又は前記内部電極を介して固着されている前記[3]に記載の圧電/電歪素子。
[5]前記圧電/電歪部及び前記内部電極をそれぞれ複数備え、複数の前記圧電/電歪部が、複数の前記内部電極により交互に一つずつ又は複数ずつ挟持・積層された前記[3]又は[4]に記載の圧電/電歪素子。
[6]前記内部電極と一つおきに接続する外部電極を更に備えた前記[5]に記載の圧電/電歪素子。
[7]前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極である前記[3]〜[6]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[8]圧電/電歪部と、前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子を製造する方法であって、前記[1]又は[2]に記載の圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部を、950以上、1100℃未満の温度で焼成して圧電/電歪部を形成する工程を有する圧電/電歪素子の製造方法(以下、「第一の圧電/電歪素子の製造方法」ともいう)。
[9]前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極であり、前記内部電極と接触させた状態で、前記未焼成圧電/電歪部を焼成する前記[8]に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
[10]圧電/電歪部と、前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子を製造する方法であって、前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極であり、主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、及びNiを含有し、前記Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%である圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部を、前記内部電極と接触させた状態で、950以上、1100℃未満の温度で焼成して圧電/電歪部を形成する工程を有する圧電/電歪素子の製造方法(以下、「第二の圧電/電歪素子の製造方法」ともいう)。
[11]前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の組成が、下記式(1)により表される前記[10]に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
(前記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
[12]前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の100質量部に対して、PbO換算で0.01〜2.0質量部のPb源を、前記未焼成圧電/電歪部に添加する前記[8]〜[11]のいずれかに記載の圧電/電歪素子の製造方法。
[13]セラミックスからなる基体上に直接又は前記内部電極を介して配設した前記未焼成圧電/電歪部を焼成し、前記圧電/電歪部を、前記基体上に直接又は前記内部電極を介して固着形成する前記[8]〜[12]のいずれかに記載の圧電/電歪素子の製造方法。
[14]所定形状の前記未焼成圧電/電歪部が、前記圧電/電歪磁器組成物を含有するグリーンシートであり、前記グリーンシート上に内部電極を形成して得られた複数の内部電極付きグリーンシートを積層した後、焼成する前記[8]〜[13]のいずれかに記載の圧電/電歪素子の製造方法。
本発明の圧電/電歪磁器組成物は、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を比較的低い焼成温度で形成可能であるといった効果を奏するものである。
本発明の圧電/電歪素子は、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を備えているといった効果を奏するものである。
本発明の第一及び第二の圧電/電歪素子の製造方法によれば、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、かつ、圧電/電歪特性の良好な圧電/電歪部を備えた圧電/電歪素子を製造することができる。
以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。以下、単に「本発明(本実施形態)の圧電/電歪素子の製造方法」というときは、第一の圧電/電歪素子の製造方法と第二の圧電/電歪素子の製造方法のいずれをも意味する。
1.圧電/電歪磁器組成物:
本発明の圧電/電歪磁器組成物の一実施形態は、主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、Ni、及びAgを含有し、Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%であり、Agの含有割合(AgO換算)が、0.01〜1.0質量%であるものである。以下、その詳細について説明する。
本発明の圧電/電歪磁器組成物は、主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物(PMN−PZT系組成物)、Ni、及びAgを含有するものであり、Ni及びAgを、それぞれ所定の割合で含有するものである。なお、本発明の圧電/電歪磁器組成物は、本質的に、主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、Ni、及びAgからなるものであることが好ましい。このように、本発明の圧電/電歪磁器組成物は、PMN−PZT系組成物を主成分として、Ni及びAgをそれぞれ所定の割合で含有するものであるために、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難いものである。
本発明の圧電/電歪磁器組成物には、PMN−PZT系組成物が主成分として含有される。ここで、本明細書において、「PMN−PZT系組成物(Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物)を主成分とし」というときの「主成分」とは、Ni及びAgを除いた圧電/電歪磁器組成物の全体に対する、PMN−PZT系組成物の割合が、95質量%以上、好ましくは98質量%以上であることをいう。
また、本発明の圧電/電歪磁器組成物には、Niが、NiO換算で0.05〜3.0質量%、好ましくは0.1〜2.5質量%、更に好ましくは0.15〜1.5質量%含有される。Niの含有割合を前記数値範囲内にすると、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、圧電/電歪特性(歪特性)の向上した圧電/電歪部を形成することができる。
本発明の圧電/電歪磁器組成物には、Agが、AgO換算で0.01〜1.0質量%、好ましくは0.05〜0.8質量%、更に好ましくは0.1〜0.4質量%含有される。Agの含有割合を前記数値範囲内にすると、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難く、圧電/電歪特性の向上した圧電/電歪部を形成することができる。
なお、本明細書における「Niの含有割合(NiO換算)」及び「Agの含有割合(AgO換算)」は、ICP法、蛍光X線法、及びEPMA法により測定する。より具体的には、ICP法又は蛍光X線法により標準となる対象物のNi及びAgの含有割合を測定してそれぞれの検量線を作成するとともに、EPMA法により試料を測定し、作成した検量線に基づき、Niの含有割合(NiO換算)及びAgの含有割合(AgO換算)を算出する。
本発明の圧電/電歪磁器組成物に含有されるPMN−PZT系組成物は、その組成が下記式(1)により表されるものであることが、より高い圧電特性を有する圧電/電歪体(圧電/電歪部)を形成可能となる点で好ましい。
Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
(上記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
本発明の圧電/電歪磁器組成物の微構造については、種々の態様が想定される。例えば、Agの存在箇所について想定される態様としては、(1)多数の結晶粒子が形成されており、これらの結晶粒子の内部に、AgOが存在している、(2)多数の結晶粒子が構成されており、隣接する結晶粒子どうしの間(粒界)に、Ag(金属)とAgOの少なくともいずれかが存在している、(3)(1)と(2)の組み合わせ、等を挙げることができる。
また、Niの存在箇所について想定される態様としては、(1)多数の結晶粒子が形成されており、これらの結晶粒子の内部に、NiOが存在している、(2)多数の結晶粒子が構成されており、隣接する結晶粒子どうしの間(粒界)に、Ni(金属)とNiOの少なくともいずれかが存在している、(3)(1)と(2)の組み合わせ、等を挙げることができる。
更に、Pbを添加した場合における、Pbの存在箇所について想定される態様としては、(1)多数の結晶粒子が形成されており、これらの結晶粒子の内部に、PbOが存在している、(2)多数の結晶粒子が構成されており、隣接する結晶粒子どうしの間(粒界)に、Pb(金属)とPbOの少なくともいずれかが存在している、(3)(1)と(2)の組み合わせ、等を挙げることができる。なお、本発明の圧電/電歪磁器組成物を構成する、複数の結晶粒子とこれらの粒界を含む領域について、EPMAによりAg(金属)、AgO、Ni(金属)、NiO、Pb(金属)、及びPbOの存在箇所(分布)を測定した場合には、通常、これらの元素及びその酸化物は測定領域内において一様に分布している。
2.圧電/電歪磁器組成物の製造方法:
次に、本発明の圧電/電歪磁器組成物を製造する方法について説明する。本発明の圧電/電歪磁器組成物を製造するに際しては、先ず、Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の構成元素をそれぞれ含有する各種原料化合物を混合して混合原料を得る。原料化合物の具体例としては、Pb、Mg、Nb、Zr、若しくはTiの各元素単体、これら各元素の酸化物(PbO、Pb、MgO、Nb、TiO、又はZrO等)、炭酸塩(MgCO等)、又はこれら各元素を複数種含有する化合物(MgNb、NiNb等)等を挙げることができる。
原料化合物の混合方法としては、一般的な方法を用いればよく、例えばボールミルを挙げることができる。具体的には、ボールミル装置内に所定量の各種原料化合物、玉石、水を入れ、所定時間だけ回転させて混合スラリーを調製する。次いで、調製した混合スラリーを、乾燥器を使用するか、又は濾過等の操作によって乾燥することにより、混合原料を得ることができる。
得られた混合原料を750〜1100℃で仮焼した後、Ni(NiO)等のNi源、及びAg(AgO)等のAg源、所望によりPb(PbO)等のPb源をそれぞれ適当量添加及び混合し、950℃以上、1100℃未満で焼成することにより、圧電/電歪磁器組成物を得ることができる。得られた圧電/電歪磁器組成物は、X線回折装置による回折強度において、パイロクロア相の最強回折線の強度と、ペロブスカイト相の最強回折線の強度との比が5%以下であることが好ましく、2%以下であることが更に好ましい。
仮焼後にPbを添加して焼成すると、高電界が印加された場合であっても更に絶縁破壊が生じ難い圧電/電歪体(圧電/電歪部)を形成可能となるために好ましい。Pbの添加量は、PbO換算で、PMN−PZT系組成物100質量部に対して0.01〜2.0質量部とすることが好ましく、0.1〜1.5質量部とすることが更に好ましく、0.5〜1.0質量部とすることが特に好ましい。PbOの添加量(PbO換算)を上記数値範囲内にすると、得られる圧電/電歪体(圧電/電歪部)の圧電/電歪特性が更に向上する。
得られた圧電/電歪磁器組成物を、必要に応じて粉砕することにより、所望とする粒子径の圧電/電歪磁器組成物を得ることができる。粉砕はボールミル等の方法により行えばよい。粉砕して得られる圧電/電歪磁器組成物の平均粒子径は0.1〜1.0μmであることが好ましく、0.2〜0.7μmであることが更に好ましい。なお、粒子径の調整は、粉砕して得られた圧電/電歪磁器組成物の粉末を400〜750℃で熱処理することにより行ってもよい。この際には、微細な粒子ほど他の粒子と一体化して粒子径の揃った粉末となり、粒子径が揃った圧電/電歪部とすることができるため好ましい。また、圧電/電歪磁器組成物は、例えば、アルコキシド法や共沈法等によって調製してもよい。
3.圧電/電歪素子:
次に、本発明の圧電/電歪素子の実施形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。図1は、本発明の圧電/電歪素子の一実施形態を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本実施形態の圧電/電歪素子51は、セラミックスからなる基体1と、膜状の圧電/電歪部2と、この圧電/電歪体2に電気的に接続される膜状の内部電極4,5とを備え、圧電/電歪部2が、内部電極4を介在させた状態で基体1上に固着されているものである。なお、圧電/電歪部は、内部電極を介在させることなく、直接、基体上に固着されていてもよい。なお、本明細書にいう「固着」とは、有機系、無機系の一切の接着剤を用いることなく、圧電/電歪部2と、基体1又は内部電極4との固相反応により、両者が緊密一体化した状態のことをいう。
本実施形態の圧電/電歪素子51の圧電/電歪部2は、前述の本発明に係る圧電/電歪磁器組成物によって形成されたものである。即ち、本実施形態の圧電/電歪素子51の圧電/電歪部2は、PMN−PZT系組成物、Ni、及びAgをそれぞれ所定の割合で含有する圧電/電歪磁器組成物によって形成されたものである。従って、本実施形態の圧電/電歪素子51は、機械的強度に優れているとともに、高電界が印加された場合であっても絶縁破壊が生じ難い圧電/電歪部2を備えたものである。更に、圧電/電歪部2は、比較的低い焼成温度で形成され得る。このため、Pt電極に比してより融点の低いAg−Pd電極を内部電極として積極的に用いることができるとともに、材料コスト、エネルギーコストや汎用性の面においても優れている。
また、図3に示すように、本実施形態の圧電/電歪素子51は、圧電/電歪部2,3を複数、及び内部電極4,5,6を複数備え、複数の圧電/電歪部2,3が、複数の内部電極4,5,6により交互に挟持・積層されてなる構成とすることも好ましい。この構成は、いわゆる多層型の構成であり、低電圧で大きな屈曲変位を得ることができるために好ましい。なお、複数の圧電/電歪部は、複数の内部電極により交互に複数ずつ挟持・積層されていてもよい。
圧電/電歪部2の厚み(図1参照)は、0.5〜50μmであることが好ましく、0.8〜40μmであることが更に好ましく、1.0〜30μmであることが特に好ましい。圧電/電歪部2の厚みが0.5μm未満であると、本発明に係る圧電/電歪磁器組成物からなる圧電/電歪部であっても緻密化が不十分となる場合がある。一方、圧電/電歪部2の厚みが50μmを超えると、焼成時の圧電/電歪磁器組成物の収縮応力が大きくなり、基体1が破壊されるのを防止するため、より厚い基体1が必要となり、素子の小型化への対応が困難になる場合がある。なお、図3に示すように、圧電/電歪素子51の構成がいわゆる多層型である場合における圧電/電歪部2,3の厚みとは、圧電/電歪部2,3のそれぞれの厚みをいう。
基体はセラミックスからなるものであるが、このセラミックスの種類に特に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性、及び絶縁性の点から、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、及びガラスからなる群より選択される少なくとも一種を含むセラミックスが好ましい。中でも、機械的強度が大きく、靭性に優れる点から安定化された酸化ジルコニウムが更に好ましい。なお、本明細書にいう「安定化された酸化ジルコニウム」とは、安定化剤の添加により結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニウムを包含する。
安定化された酸化ジルコニウムとしては、酸化ジルコニウムに安定化剤として、例えば酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化スカンジウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、又は希土類金属の酸化物を、1〜30mol%含有するものを挙げることができる。なかでも、振動部の機械的強度が特に高い点で、酸化イットリウムを安定化剤として含有させたものが好ましい。この際、酸化イットリウムは、1.5〜6mol%含有させることが好ましく、2〜4mol%含有させることが更に好ましい。また、更に酸化アルミニウムを0.1〜5mol%含有させたものが好ましい。安定化された酸化ジルコニウムの結晶相は、立方晶+単斜晶の混合相、正方晶+単斜晶の混合相、立方晶+正方晶+単斜晶の混合相等であってもよいが、主たる結晶相が、正方晶、又は正方晶+立方晶の混合相であるものが、強度、靭性、及び耐久性の観点から好ましい。
なお、基体の厚みは、1μm〜1mmが好ましく、1.5〜500μmが更に好ましく、2〜200μmが特に好ましい。基体の厚みが1μm未満であると、圧電/電歪素子の機械的強度が低下する場合がある。一方、1mmを超えると圧電/電歪部に電圧を印加した場合に、発生する収縮応力に対する基体の剛性が大きくなり、圧電/電歪部の屈曲変位が小さくなってしまう場合がある。
図2は、本発明の圧電/電歪素子の他の実施形態を模式的に示す断面図である。図2に示すように、基体1の形状は、その一表面に固着面1aを有する、上記の厚みを有する薄肉部1cと、この固着面1aに対応する部分以外の部分に配設された、薄肉部1cに比して厚みのある厚肉部1bとを備えた形状であってもよい。なお、内部電極4(又は圧電/電歪部)は、固着面1aに略対応する領域に配設される。基体1がこのような形状であると、屈曲変位が十分に大きく、かつ機械的強度の大きい圧電/電歪素子とすることができる。また、図2に示す基体1の形状が連続して形成された、図4に示すような共通基体20を使用し、第一の圧電/電歪部12、第二の圧電/電歪部13、及び内部電極4,5,6を含む複数の圧電/電歪素子単位10をこの共通基体20上に配設することもできる。
基体の表面形状(図1における、内部電極4が固着される面の形状)について特に制限はなく、例えば、長方形、正方形、三角形、楕円形、真円形、R付正方形、R付長方形、又はこれらを組み合わせた複合形等の表面形状を挙げることができる。また、基体全体の形状についても特に制限はなく、適当な内部空間を有するカプセル形状であってもよい。
内部電極は圧電/電歪部に電気的に接続されるものであり、複数の圧電/電歪部が存在する場合には、それぞれの圧電/電歪部の間に配設されることが好ましい。また、内部電極は、圧電/電歪部の屈曲変位等に実質的に寄与する領域を含んだ状態で配設されることが好ましい。具体的には、図3に示すように、第一の圧電/電歪部12と第二の圧電/電歪部13の、それぞれ中央部分付近を含む80面積%以上の領域に、内部電極4,5,6が配設されていることが好ましい。
内部電極の材質としては、Pt、Pd、Rh、Au、Ag、及びこれらの合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属を挙げることができる。なかでも、圧電/電歪部を焼成する際の耐熱性が高い点で、白金、又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、本発明に係る圧電/電歪磁器組成物を用いれば、より低い焼成温度で圧電/電歪部を形成可能であることから、内部電極の材質としてAg−Pd等の合金を好適に用いることができる。なお、内部電極の材質としてAg又はAg−Pd等の合金を用いた場合には、焼成すること等によって内部電極中のAgの一部が圧電/電歪部に移動する場合がある。このため、内部電極の材質としてAg又はAg−Pd等の合金を用いる場合には、圧電/電歪磁器組成物を製造する際に添加するAgO等のAg源の量を適宜調整することによって所望とするAg含有割合の圧電/電歪部を形成することができる。
内部電極の厚みは、15μm以下であることが好ましく、5μm以下であることが更に好ましい。15μmを超えると内部電極が緩和層として作用し、屈曲変位が小さくなる場合がある。なお、内部電極としての実質的な機能を発揮させるといった観点からは、内部電極の厚みは0.05μm以上であればよい。
図5A、図6A、及び図6Bは、本発明の圧電/電歪素子の、更に他の実施形態を模式的に示す図面であり、図5Aは斜視図、図6Aは図5Aの縦断面図、図6Bは図5Aの横断面図である。また、図5Bは、内部電極のパターン様式を示す斜視図である。図5A〜図6Bに示す実施形態の圧電/電歪素子61は、圧電/電歪部(圧電/電歪層32)を複数、及び内部電極(内部電極層34,35)を複数備え、複数の圧電/電歪層32が、複数の内部電極層34,35により交互に挟持・積層されている、いわゆる積層型の圧電/電歪素子である。なお、この圧電/電歪61は、図1に示す圧電/電歪51と異なり、圧電/電歪部や内部電極が固着される基体を構成要素として有しないものである。
本実施形態の圧電/電歪素子61においては、圧電/電歪層32が所定軸Aに沿って多数積層されており、隣接する圧電/電歪層32どうしの間に、内部電極層34,35が交互に配設されている。内部電極層34にはプラス極性の電圧が印加され、内部電極層35にはマイナス極性の電圧が印加される。図5Bに示すように、隣接する圧電/電歪層32どうしの間に交互に配設される内部電極層34,35のそれぞれのパターン様式(形成パターン)は異なっている。このため、本実施形態の圧電/電歪素子61は、「オフセット型の積層型圧電/電歪素子」とも称呼される。なお、内部電極層34は、外部電極33と接続し導通しており、内部電極層35は、外部電極33と異なる外部電極37と接続し導通している。即ち、外部電極33,37は、内部電極層34,35と一つおきに接続するように配設されている。
4.圧電/電歪素子の製造方法:
次に、本発明の圧電/電歪素子の製造方法について説明する。先ず、基体を構成要素として備えた圧電/電歪素子を製造する方法について説明する。セラミックスからなる基体上に、又は基体表面に形成された内部電極上に、圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部(層)を形成する。
本発明の第一の圧電/電歪素子の製造方法では、セラミックスからなる基体上に、又は基体表面に形成された内部電極上に、本発明の一実施形態である前述の圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部(層)を形成する。
一方、本発明の第二の圧電/電歪素子の製造方法では、Ag電極又はAg−Pd電極を内部電極として用いるとともに、セラミックスからなる基体上に、又は基体表面に形成された内部電極上に、主成分としてのPMN−PZT系組成物、及びNiを含有し、Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%である圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部(層)を形成する。なお、第二の圧電/電歪素子の製造方法において用いるPMN−PZT系組成物は、その組成が、例えば下記式(1)により表されるものである。
Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
(上記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
内部電極を形成する方法としては、例えば、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD、イオンプレーティング、CVD、メッキ、スクリーン印刷、スプレー、又はディッピング等の方法を挙げることができる。なかでも、基体、及び圧電/電歪部との接合性の点でスパッタリング法、又はスクリーン印刷法が好ましい。形成された内部電極は、600〜1400℃程度の焼成(熱処理)により、基体及び/又は圧電/電歪部と一体化することができる。この焼成は内部電極を形成する毎に行ってもよいが、未焼成圧電/電歪部(層)についてする熱処理と一括して行ってもよい。
未焼成圧電/電歪部(層)を基体上に形成する方法としては、例えば、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD、イオンプレーティング、CVD、メッキ、ゾルゲル、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー、又はディッピング等の方法を挙げることができる。なかでも、簡単に精度の高い形状、厚さで連続して形成することができる点でスクリーン印刷法が好ましい。なお、スクリーン印刷法によって未焼成圧電/電歪部(層)を基体上に形成する場合には、未焼成圧電/電歪部(層)を形成する材料となる圧電ペーストにPb(PbO)等のPb源を所定の割合で添加して、未焼成圧電/電歪部(層)にPbを含有させることが好ましい。Pbの添加量は、PbO換算で、PMN−PZT系組成物100質量部に対して0.01〜2.0質量部とすることが好ましく、0.1〜1.5質量部とすることが更に好ましく、0.5〜1.0質量部とすることが特に好ましい。Pbの添加量(PbO換算)を上記数値範囲内にすると、得られる圧電/電歪体(圧電/電歪部)の圧電/電歪特性が更に向上する。次に、基体上に形成した未焼成圧電/電歪部(層)の上に、前述の方法と同様の方法により内部電極を形成する。なお、この内部電極上に、未焼成圧電/電歪部(層)、及び内部電極を、所望とする多層となるまで交互に繰り返し形成してもよい。
その後、未焼成圧電/電歪部(層)、及び内部電極を基体上に交互に積層することにより得られた積層体を一体的に焼成する。この焼成により、圧電/電歪磁器組成物により構成された結晶粒子からなる圧電/電歪部を、基体に直接又は内部電極を介して固着させることができる。なお、この焼成は必ずしも一体的に実施する必要はなく、未焼成圧電/電部(層)を一層形成する毎に順次実施してもよいが、生産効率の観点からは内部電極も含めた状態で一体的に焼成することが好ましい。
本発明の第二の圧電/電歪素子の製造方法では、未焼成圧電/電歪部を、内部電極と接触させた状態で焼成する。これにより、内部電極中のAgの一部が圧電/電歪部に移動し、所望とするAg含有割合の圧電/電歪部が形成される。形成される圧電/電歪部中のAgを所望の割合とするには、焼成温度、内部電極に含まれるAg粒子(又はAg−Pd粒子)の粒度分布、未焼成圧電/電歪部(層)に添加するPbOの量、及び焼成雰囲気等を制御すればよい。特に、Ag−Pd電極を内部電極として用いる場合には、Ag−Pd電極に含有されるAgとPdの割合を調整することによっても、形成される圧電/電歪部中のAgの割合を調整することができる。
このときの焼成温度は、950℃以上、1100℃未満であり、好ましくは975〜1050℃、更に好ましくは1000〜1050℃である。950℃未満では、基体又は内部電極と、圧電/電歪部との固着が不完全となったり、圧電/電歪部の緻密性が不十分となったりする。一方、1100℃超であると、耐熱温度が比較的低いAg電極やAg−Pd電極を内部電極として採用することが困難となる場合がある。また、焼成時の最高温度保持時間は1分以上10時間以下が好ましく、5分以上4時間以下が更に好ましい。最高温度保持時間が1分未満では、圧電/電歪部の緻密化が不十分となり易く、所望の特性が得られない場合があり、最高温度保持時間が10時間を超えると、たとえ雰囲気制御を行っていてもPbやNiの揮発総量が多くなり、圧電/電歪特性が低下したり、絶縁破壊が増えたりするといった不具合が発生する場合もある。
その後、適当な条件下で分極処理を実施する。その際には公知の手法通り、加熱しつつ分極処理を実施することが好ましい。なお、加熱温度は、圧電/電歪磁器のキュリー点にもよるが、40〜200℃とすることが好適である。
また、圧電/電歪磁器組成物に可塑剤や分散剤や溶媒等を加え、ボールミル等の一般的な混合装置を用いてスラリー化した後、ドクターブレード等の一般的なシート成形機を使用すれば、シート状に成形された未焼成圧電/電歪部(グリーンシート)を得ることができる。前述のスクリーン印刷法によって未焼成圧電/電歪部(層)を基体上に形成することに代えて、このようにして得られたグリーンシートを用いることによっても、未焼成圧電/電歪部(層)を基体上に形成することができる。なお、グリーンシートを成形する際に、所定量のPbO等のPb源を添加することが好ましい。
未焼成圧電/電歪部にPbを添加する場合において、Pbの添加量は、PbO換算で、PMN−PZT系組成物100質量部に対して0.01〜2.0質量部とすることが好ましく、0.1〜1.5質量部とすることが更に好ましく、0.5〜1.0質量部とすることが特に好ましい。PbOの添加量(PbO換算)を上記数値範囲内にすると、得られる圧電/電歪体(圧電/電歪部)の圧電/電歪特性が更に向上する。
なお、グリーンシートの表面上に、内部電極となる導体膜(導電材料を主成分とする膜)をスクリーン印刷等の手法により所定のパターンで形成して内部電極付きグリーンシートを得、得られた内部電極付きグリーンシートを積層・圧着等すれば、所定厚さのグリーン積層体を得ることができる。なお、例えばパンチやダイによる打ち抜き加工を行った内部電極付きグリーンシートを積層・圧着等すれば、所定のセルを有するセル構造のグリーン積層体を得ることができる。得られたグリーン積層体を一体的に焼成すれば、焼成積層体である圧電/電歪素子を得ることができる。なお、セル構造のグリーン積層体を焼成すれば、セル駆動型の圧電/電歪素子を得ることができる。なお、この焼成は必ずしも一体的に実施する必要はなく、未焼成圧電/電歪部(層)を一層形成する毎に順次実施してもよいが、生産効率の観点からは内部電極も含めた状態で一体的に焼成することが好ましい。
次に、図5A〜図6Bに示す実施形態に代表される、基体を必須の構成要素としない圧電/電歪素子を製造する方法について説明する。先ず、シート状に成形された未焼成圧電/電歪部(グリーンシート)に、パンチやダイを使用する打ち抜き加工を行うことにより位置合わせ用の孔等を形成する。次いで、スクリーン印刷等の手法により、グリーンシートの表面に電極ペーストを所定のパターンで塗工して、内部電極付きグリーンシートを得る。先に形成した位置合わせ用の孔(パンチ孔)を積層軸として、複数の内部電極付きグリーンシートを積層し、必要に応じて加熱しつつ所定圧力で圧着してグリーン積層体を得る。得られたグリーン積層体を焼成した後、必要に応じて所望の形状となるように成形加工し、次いで、内部電極と一つおきに接続する配線取出用の外部電極を配設すれば、図5A〜図6Bに示すようなオフセット型の積層型圧電/電歪素子(圧電/電歪素子61)を製造することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。
[NiO含有割合、AgO含有割合]:ICP法又は蛍光X線法により標準となる対象物のNi及びAgの含有割合を測定してそれぞれの検量線を作成するとともに、EPMA法により試料を測定し、作成した検量線に基づき、NiO含有割合及びAgO含有割合を算出した。
[絶縁破壊電界]:ピーク電界25kV/mm相当の電圧を三角波で0.5パルス圧電素子に印加する。この際の電流値と電圧値の変化挙動から絶縁破壊電界(kV/mm)を算出した。
[実効歪率]:それぞれの圧電/電歪素子について、レーザードップラー変位計を使用し、一定の電界を印加して変位量を測定した。また、圧電/電歪部の厚みを、断面形状の寸法を観察することで測定した。これらの測定結果から、圧電/電歪素子の実効的な歪率(実効歪率(ppm))を算出した。
(実施例1)
PbO、ZrO、TiO、MgO、Nb、及びNiOを、それぞれの金属元素が、組成式「Pb(Mg1/3Nb2/30.2Ti0.43Zr0.37」で表される割合(モル比)となるように秤量及び混合し、さらにNiOを0.05質量%となるように添加・混合して混合原料を得た。得られた混合原料を950℃で熱処理した後、圧電/電歪素子中のAgO含有量が0.01質量%となるようにAgOを添加した。バインダー及び溶剤を更に添加し、トリロールミルを用いて混合することによりペーストを得た。得られたペーストを、膜状のAg−Pd下部電極(厚み3μm、Ag:Pd(質量比)=7:3)を予め形成したジルコニア基板(薄肉部の厚み:5μm)上にスクリーン印刷により、厚み:13μmで塗布・パターニングした。1050℃で焼成した後、Ag電極ペーストをスクリーン印刷により塗布・パターニングした。次いで、600℃で焼成することにより膜状のAg上部電極(厚み:3μm)を形成して、単層の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表1に示す。
(実施例2〜12、比較例1〜4)
Ni含有割合(NiO換算)及びAg含有割合(AgO換算)が表1に示す値となるように、NiO及びAgOの使用量を調整したこと以外は、前述の実施例1と同様にして単層の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表1に示す。
Figure 2009007236
(実施例13)
PbO、ZrO、TiO、MgO、Nb、及びNiOを、それぞれの金属元素が、組成式「Pb(Mg1/3Nb2/30.2Ti0.43Zr0.37」で表される割合(モル比)となるように秤量及び混合し、さらにNiOを0.05質量%となるように添加・混合して混合原料を得た。得られた混合原料を950℃で熱処理した後、圧電/電歪素子中のAgO含有量が0.01質量%となるようにAgOを添加した。バインダー及び溶剤を更に添加し、トリロールミルを用いて混合することによりペーストを得た。得られたペーストを使用して、ドクターブレードによりグリーンシート(厚み:100μm)を作製した。作製したグリーンシート上に、前記ペーストを接着剤としてスクリーン印刷により塗布した後、金型加工により位置合わせ用の孔等のパターンを打ち抜いた。次いで、Ag−Pd電極ペーストをスクリーン印刷により塗布・パターニングし電極付きグリーンシートを得た。パンチ穴が積層軸となるように、この電極付きグリーンシートを100層と、電極無しグリーンシートを上部10層下部20層となるように積み重ね、80℃に加熱しながら200×10N(ニュートン)の圧力で圧着しグリーン積層体を得た。このグリーン積層体を600℃で脱脂し、次いで1050℃で焼成した後にスライシング加工により柱状に成形し、電極を一層おきに接続する配線取出用の外部電極を形成して積層型の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表2に示す。
(実施例14〜24、比較例5〜8)
Ni含有割合(NiO換算)及びAg含有割合(AgO換算)が表2に示す値となるように、NiO及びAgOの使用量を調整したこと以外は、前述の実施例13と同様にして多層型の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表2に示す。
Figure 2009007236
(実施例25〜36)
PbO、ZrO、TiO、MgO、Nb、及びNiOを、それぞれの金属元素が、組成式「Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr」で表される割合(モル比)となるように秤量及び混合して混合原料を得たこと(但し、前記組成式中のx、y、a、b、及びcは、それぞれ表3に示す数値である)、並びにNi含有割合(NiO換算)及びAg含有割合(AgO換算)が表3に示す値となるように、NiO及びAgOの使用量を調整したこと以外は、前述の実施例1と同様にして単層の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表3に示す。
Figure 2009007236
(実施例37〜56)
PbO、ZrO、TiO、MgO、Nb、及びNiOを、それぞれの金属元素が、組成式「Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr」で表される割合(モル比)となるように秤量及び混合して混合原料を得たこと(但し、前記組成式中のx、y、a、b、及びcは、それぞれ表4に示す数値である)、並びにNi含有割合(NiO換算)及びAg含有割合(AgO換算)が表4に示す値となるように、NiO及びAgOの使用量を調整したこと以外は、前述の実施例1と同様にして単層の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表4に示す。
Figure 2009007236
(実施例57〜60)
表5に示す焼成温度で焼成したこと以外は、前述の実施例5と同様にして単層の圧電/電歪素子を得た。なお、実施例60についてはPt電極を採用した。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表5に示す。
Figure 2009007236
(実施例61,62)
電極付きグリーンシートの積層数を200層及び400層としたこと以外は、前述の実施例17と同様にして積層型の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表6に示す。
Figure 2009007236
(実施例63〜66)
クリーンシートの作製時(成形時)に、表7に示す割合でPbOを添加したこと以外は、前述の実施例17と同様にして積層型の圧電/電歪素子を得た。得られた圧電/電歪素子についての各種評価結果を表7に示す。
Figure 2009007236
本発明の圧電/電歪素子は、優れた圧電/電歪特性を有するものであり、アクチュエータ、センサ等に好適である。
本発明の圧電/電歪素子の一の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の圧電/電歪素子の他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の圧電/電歪素子の、更に他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の圧電/電歪素子の、更に他の実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の圧電/電歪素子の、更に他の実施形態を模式的に示す斜視図である。 図5Aに示す圧電/電歪素子の内部電極のパターン様式を示す斜視図である。 図5Aに示す圧電/電歪素子の縦断面図である。 図5Aに示す圧電/電歪素子の横断面図である。
符号の説明
1a:固着面、1b:厚肉部、1c:薄肉部、1:基体、2,3:圧電/電歪部、4,5,6:内部電極、10:圧電/電歪素子単位、12:第一の圧電/電歪部、13:第二の圧電/電歪部、20:共通基体、32:圧電/電歪層、33,37:外部電極、34,35:内部電極層、51,61:圧電/電歪素子

Claims (14)

  1. 主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、Ni、及びAgを含有し、
    前記Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%であり、
    前記Agの含有割合(AgO換算)が、0.01〜1.0質量%である圧電/電歪磁器組成物。
  2. 前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の組成が、下記式(1)により表される請求項1に記載の圧電/電歪磁器組成物。
    Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
    (前記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
  3. 請求項1又は2に記載の圧電/電歪磁器組成物によって形成された圧電/電歪部と、
    前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子。
  4. セラミックスからなる基体を更に備え、
    前記圧電/電歪部が、前記基体上に直接又は前記内部電極を介して固着されている請求項3に記載の圧電/電歪素子。
  5. 前記圧電/電歪部及び前記内部電極をそれぞれ複数備え、
    複数の前記圧電/電歪部が、複数の前記内部電極により交互に一つずつ又は複数ずつ挟持・積層された請求項3又は4に記載の圧電/電歪素子。
  6. 前記内部電極と一つおきに接続する外部電極を更に備えた請求項5に記載の圧電/電歪素子。
  7. 前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極である請求項3〜6のいずれか一項に記載の圧電/電歪素子。
  8. 圧電/電歪部と、前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子を製造する方法であって、
    請求項1又は2に記載の圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部を、950以上、1100℃未満の温度で焼成して圧電/電歪部を形成する工程を有する圧電/電歪素子の製造方法。
  9. 前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極であり、
    前記内部電極と接触させた状態で、前記未焼成圧電/電歪部を焼成する請求項8に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
  10. 圧電/電歪部と、前記圧電/電歪部に電気的に接続される内部電極と、を備えた圧電/電歪素子を製造する方法であって、
    前記内部電極が、Ag電極又はAg−Pd電極であり、
    主成分としてのPb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物、及びNiを含有し、前記Niの含有割合(NiO換算)が、0.05〜3.0質量%である圧電/電歪磁器組成物を含有する所定形状の未焼成圧電/電歪部を、前記内部電極と接触させた状態で、950以上、1100℃未満の温度で焼成して圧電/電歪部を形成する工程を有する圧電/電歪素子の製造方法。
  11. 前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の組成が、下記式(1)により表される請求項10に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
    Pb(Mgy/3Nb2/3TiZr (1)
    (前記式(1)中、0.95≦x≦1.05、0.8≦y≦1.0であり、かつa,b,cが、前記a,b,cの3つを座標軸とする座標中、(a,b,c)=(0.550,0.425,0.025)、(0.550,0.325,0.125)、(0.375,0.325,0.300)、(0.100,0.425,0.475)、(0.100,0.525,0.375)、(0.375,0.425,0.200)で囲まれる範囲の小数である(但し、a+b+c=1.000である))
  12. 前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O−PbTiO−PbZrO三成分固溶系組成物の100質量部に対して、PbO換算で0.01〜2.0質量部のPb源を、前記未焼成圧電/電歪部に添加する請求項8〜11のいずれか一項に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
  13. セラミックスからなる基体上に直接又は前記内部電極を介して配設した前記未焼成圧電/電歪部を焼成し、
    前記圧電/電歪部を、前記基体上に直接又は前記内部電極を介して固着形成する請求項8〜12のいずれか一項に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
  14. 所定形状の前記未焼成圧電/電歪部が、前記圧電/電歪磁器組成物を含有するグリーンシートであり、
    前記グリーンシート上に内部電極を形成して得られた複数の内部電極付きグリーンシートを積層した後、焼成する請求項8〜13のいずれか一項に記載の圧電/電歪素子の製造方法。
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