JP4038400B2 - セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 - Google Patents
セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4038400B2 JP4038400B2 JP2002182063A JP2002182063A JP4038400B2 JP 4038400 B2 JP4038400 B2 JP 4038400B2 JP 2002182063 A JP2002182063 A JP 2002182063A JP 2002182063 A JP2002182063 A JP 2002182063A JP 4038400 B2 JP4038400 B2 JP 4038400B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- piezoelectric
- laminate
- plate
- thin plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 373
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 23
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 22
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N bismuth sodium Chemical compound [Na].[Bi] FSAJRXGMUISOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- CRLHSBRULQUYOK-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].[O-][W]([O-])(=O)=O CRLHSBRULQUYOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008279 sol Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- -1 stabilized zirconia Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
- H10N30/2043—Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/501—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane parallel to the stacking direction, e.g. polygonal or trapezoidal in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1043—Subsequent to assembly
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1043—Subsequent to assembly
- Y10T156/1044—Subsequent to assembly of parallel stacked sheets only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49789—Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
- Y10T29/49798—Dividing sequentially from leading end, e.g., by cutting or breaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/252—Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体及びその製造方法並びにセラミック積層体を基体として使用する圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、セラミック積層体を作製する場合、同一長さの複数のセラミック板を積層してセラミック積層体を作製する場合や、図17及び図18に示すように、長さの異なる複数のセラミック板200及び202を積層してセラミック積層体204を作製する場合などがある。
【0003】
前者のセラミック積層体は、強度的には問題がないが、後者のセラミック積層体204は、特に長いセラミック板200を共振部材として使用する場合に、長いセラミック板200の一主面206と、該一主面206上に積層された短いセラミック板202の側面208とから構成される角部210において応力集中が発生し、強度的に問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、前記角部210にペースト212を塗布し、図17に示すように、角部210に断面円弧状に盛り上がった補強部材214を付加することや、図18に示すように、角部210に断面円弧状に凹んだ形の補強部材216を付加することなどが考えられる。
【0005】
しかし、図17の提案例では、短いセラミック板202の長さが補強部材214の長さ分だけ増えたことと等価になる。即ち、長いセラミック板200を共振部材として使用する場合、長いセラミック板200の一主面206と補強部材214の円弧面との接触部分218に応力が集中し、依然、強度的には問題がある。
【0006】
しかも、共振部材としての長いセラミック板200に厚みのある補強部材214が付着すると、その分、長いセラミック板200の変位量が減り、共振周波数が高くなるという新たな問題が生じる。
【0007】
一方、図18の例のように、角部210に断面円弧状に凹んだ形のものを付加するためには、液体の表面張力を利用することとなるが、その場合、補強部材216のペースト212の水分の量を多くするなどして、該ペースト212の粘度を極度に低く抑える必要がある。しかし、セラミック積層体204を作製する場合には、ペースト212の塗布後に焼成工程が入るため、この焼成工程において、ペースト212の水分がすべて蒸発することになり、角部210に断面円弧状に凹んだ形の補強部材216を付加することは困難となる。しかも、短いセラミック板202の厚みが50μm以下の場合において、角部210に断面円弧状に凹んだ形のものを付加することは不可能である。
【0008】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、長さの異なる複数のセラミック板を積層してなるセラミック積層体の強度を高めことができ、しかも、長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波数への影響を抑えることができるセラミック積層体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
本発明の他の目的は、圧電/電歪デバイスにおける共振部分の強度を高めことができ、しかも、前記共振部分の変位量や共振周波数への影響を抑えることができる圧電/電歪デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、長さの異なる複数のセラミック板を積層してなるセラミック焼結体の強度を高めことができ、しかも、長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波数への影響を抑えることができるセラミック焼結体を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るセラミック積層体は、長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体において、長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設けられ、前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とする。
【0012】
また、本発明に係るセラミック積層体の製造方法は、長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体であって、長いセラミック板の一主面と該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設けられ、該付加部材の表面が、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有するセラミック積層体の製造方法において、前記長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、前記付加部材のためのペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化して前記セラミック積層体を作製する工程とを有することを特徴とする。
【0013】
また、本発明に係る圧電/電歪デバイスは、長さの異なる複数のセラミック板を多数積層してなるセラミック積層体を基体として使用する圧電/電歪デバイスにおいて、前記セラミック積層体は、長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に湾曲面を有する付加部材が設けられ、前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とする。
【0014】
また、本発明に係る圧電/電歪デバイスの製造方法は、後に前記薄板部を構成する前記長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記固定部及び可動部を構成する前記短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、後に断面上1つ以上の変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成するためのペーストを充填する工程と、前記複数のセラミックグリーンシートを更に積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化してセラミック積層体とする工程と、前記セラミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成し、焼成した後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪デバイスを作製する工程とを有することを特徴とする。
また、本発明に係る圧電/電歪デバイスの製造方法は、後に前記薄板部を構成する前記長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記固定部を構成する前記短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層する工程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、後に断面上1つ以上の変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成するためのペーストを充填する工程と、前記複数のセラミックグリーンシートを更に積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化してセラミック積層体とする工程と、前記セラミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成し、焼成した後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪デバイスを作製する工程とを有することを特徴とする。
【0015】
また、本発明に係るセラミック焼結体は、長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体を有するセラミック焼結体において、長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有するセラミック製の付加部材が設けられ、前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有し、これら長いセラミック板、短いセラミック板及び付加部材が一体焼結されていることを特徴とする。
【0016】
まず、長いセラミック板と短いセラミック板との角部を覆うように付加部材が付着する形となるため、長いセラミック板と短いセラミック板との積層部分に不良箇所(隙間等)があっても、その不良箇所に付加部材の一部が充填されることになり、セラミック積層体を補強することができる。
【0017】
しかも、長いセラミック板と短いセラミック板が積層されたセラミック積層体において、長いセラミック板を共振させた場合、角部においてゴミが発生することになるが、本発明では、角部に付加部材が付着した形となっているため、上述のような角部からのゴミの発生は低減する。
【0018】
通常、長いセラミック板と短いセラミック板との積層界面に水分が浸入してクラックが入りやすくなるが、長いセラミック板と短いセラミック板との角部を覆うように付加部材が付着する形となるため、積層界面への水分の浸入等はなくなる。これは、高温多湿下での耐久性の向上につながる。
【0019】
ここで、本発明と上述した提案例(長いセラミック板と短いセラミック板との角部に断面円弧状に盛り上がった補強部材を付加した例)と比較する。提案例の補強部材の表面は、長いセラミック板から急峻に盛り上がった湾曲形状とされ、湾曲面がそのまま短いセラミック板の側面まで連続して形成された状態となっている。そのため、短いセラミック板の長さが補強部材の長さ分だけ増えたことと等価になり、長いセラミック板を共振部材として使用する場合、長いセラミック板の一主面と補強部材の円弧面との接触部分に応力が集中し、依然、強度的には問題が生じることになる。
【0020】
一方、本発明は、付加部材の表面が、断面上、1つ以上の変曲点を有することから、付加部材は、湾曲面がそのまま短いセラミック板の側面まで連続して形成された形ではなく、端部における湾曲部分と、長いセラミック板の一主面に沿い、かつ、表面が角部に向けてほぼ平行に延びる部分と、角部に対応した部分における湾曲部分と、短いセラミック板の側面に沿い、かつ、表面が角部に向けてほぼ平行に延びる部分とを有する形状となる。
【0021】
従って、長いセラミック板の一主面には、付加部材のうち、厚みの薄い部分(長いセラミック板の一主面に沿い、かつ、表面が角部に向けてほぼ平行に延びる部分)が付着された形となるため、長いセラミック板の一主面と付加部材の端部との接触部分に応力が集中するということはなくなる。しかも、厚みが薄いことから、長いセラミック板の共振周波数に影響を与えることはほとんどない。
【0022】
付加部材のうち、前記長いセラミック板の一主面とほぼ平行な部分によって、前記長いセラミック板を支える形となるため、長いセラミック板がたわむのを防ぎ平滑性を高めることができる。また、前記長いセラミック板の一主面とほぼ平行な部分は、その厚み及び/又は長さを調整することで、長いセラミック板の共振周波数や変位量を容易に微調整することができる。
【0023】
また、付加部材のうち、角部に対応する箇所に湾曲面を有することから、角部での応力集中が分散され、長いセラミック板の共振に伴う強度劣化はほとんど生じなくなる。しかも、このセラミック積層体をその後の工程で切断する際に、その切断による外力が長いセラミック板に加わっても、角部への応力集中を分散させることができ、切断処理時に割れなどは生じ難くなる。
【0024】
上述した提案例のように、角部に断面円弧状に盛り上がった補強部材を付加したり、角部に断面円弧状に凹んだ形の補強部材を付加する場合においては、補強部材をペーストにて形成する際に、該ペーストとして、粘度が極端に高いペーストを用いるか、粘度が極端に低いペーストを用いることになるが、その場合、使用できる材料が限られてくる。
【0025】
しかし、本発明では、粘度が極端に高い、あるいは極端に低いペーストを使用する必要はないため、使用する材料の選択の幅を広げることができる。
【0026】
そして、前記構成において、長さの異なる3種類のセラミック板を、中央に長さの最も短いセラミック板を介在して積層し、長さが最も長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された前記長さが最も短いセラミック板の側面とから構成される角部に前記付加部材を設けるようにしてもよい。
【0027】
また、前記構成において、前記短いセラミック板の厚みを前記長いセラミック板の厚みより大きくするようにしてもよい。
【0028】
また、前記構成において、前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さを、該短いセラミック板の厚みの1〜1/5倍としてもよい。また、前記付加部材の断面上における前記長いセラミック板との接触長さを、前記短いセラミック板の厚みの10〜1/5倍としてもよい。また、前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さを、前記長いセラミック板との接触長さよりも短くしてもよい。これらの場合において、前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さを1〜50μmとしてもよい。また、前記長いセラミック板の厚みを3〜300μmとしてもよい。
【0029】
そして、前記構成において、前記付加部材をセラミック材料で構成するようにしてもよいし、前記長いセラミック板あるいは前記短いセラミック板と同じ材料で構成してもよい。
【0030】
又は、前記付加部材を、金属材料あるいは金属材料を含む材料で構成するようにしてもよいし、サーメット材料で構成してもよい。
【0031】
特に、本発明に係る圧電/電歪デバイスにおいては、前記セラミック積層体からなる基体上に圧電/電歪素子が形成され、前記基体は、前記長いセラミック板にて構成された薄板部と、前記短いセラミック板にて構成された固定部とを有するようにしてもよい。
【0032】
この場合、前記圧電/電歪素子は、前記薄板部の他主面のうち、前記固定部の一部と対応する部分を含む面上に配置することが好ましい。また、前記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い違いに櫛歯状に積層された構造、あるいは、圧電/電歪層と電極層とが互い違いに櫛歯状に4層以上積層された構造を有するようにしてもよい。
【0033】
そして、前記基体は、それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部と、前記一対の薄板部の各他方の端部の相対向する面にそれぞれ設けられた矩形体状の可動部とを有し、前記一対の薄板部が前記長いセラミック板にて構成され、前記固定部及び前記可動部が前記短いセラミック板にて構成されていてもよい。
また、前記基体は、それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部とを有し、前記一対の薄板部が前記長いセラミック板にて構成され、前記固定部が前記短いセラミック板にて構成されていてもよい。
【0034】
この場合、付加部材の存在により、一対の薄板部の平行性をより高めることができる。また、一方の薄板部と固定部との積層ずれ並びに他方の薄板部と固定部との積層ずれによる左右の長さのずれを、付加部材の長さ(長いセラミック板の一主面に沿い、かつ、表面が角部に向けてほぼ平行に延びる部分の長さ)を調整することによって、ほぼ同一にすることができ、振動板としての一対の薄板部の左右の変位量をほぼ同一にすることができる。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るセラミック積層体及びその製造方法並びにセラミック焼結体を、圧電/電歪デバイス及びその製造方法に適用した実施の形態例を図1〜図16を参照しながら説明する。
【0036】
本実施の形態に係る圧電/電歪デバイスは、圧電/電歪素子により電気的エネルギと機械的エネルギとを相互に変換する素子を包含する概念である。従って、各種アクチュエータや振動子等の能動素子、特に、逆圧電効果や電歪効果による変位を利用した変位素子として最も好適に用いられるほか、加速度センサ素子や衝撃センサ素子等の受動素子としても好適に使用され得る。
【0037】
そして、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aは、図1に示すように、相対する一対の薄板部12a及び12bと、これら薄板部12a及び12bを支持する固定部14とが一体に形成されたセラミック基体16を具備し、一対の薄板部12a及び12bの各一部にそれぞれ圧電/電歪素子18a及び18bが形成されて構成されている。
【0038】
つまり、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aは、前記圧電/電歪素子18a及び18bの駆動によって一対の薄板部12a及び12bが変位し、あるいは薄板部12a及び12bの変位を、圧電/電歪素子18a及び18bにより検出する構成を有する。従って、図1の例では、薄板部12a及び12bと圧電/電歪素子18a及び18bにてアクチュエータ部20a及び20bが構成されることになる。このことから、一対の薄板部12a及び12bは、固定部14によって振動可能に支持された振動部として機能することになる。
【0039】
一対の薄板部12a及び12bの先端部分における互いに対向する面32a及び32b間には、空隙(空気)34を介在させるようにしてもよいし、図示しないが、これら面32a及び32bの間に薄板部12a及び12bの構成部材と同じ材質、あるいは異なる材質からなる部材を介在させるようにしてもよい。この場合、前記面32a及び32bは、取付面32a及び32bとして機能することになる。
【0040】
セラミック基体16は、例えばセラミックグリーン積層体を焼成により一体化したセラミック積層体で構成されている。これについては後述する。
【0041】
更に、固定部14と薄板部12a及び12b間には切込み(切欠き)36が設けられている。つまり、この切込み36は、長さの異なる複数のセラミック板(薄板部12a及び12b並びに短いセラミック板38)を積層することによって、あるいは、長さの異なる3種類のセラミック板(薄板部12a及び12b、短いセラミック板38並びに固定部14)を、中央に短いセラミック板38を間に挟んで積層することによって形成される。なお、薄板部12a及び12bの厚みと短いセラミック板38の厚みはほぼ同一である。
【0042】
そして、この第1の実施の形態では、長いセラミック板である薄板部12a及び12bの内壁面と短いセラミック板38の側面(切込み面)とから構成される角部40に、付加部材42が設けられている。
【0043】
このようなセラミックスの一体化物、即ち、セラミック焼結体は、各部の接合部に接着剤が介在しないことから、経時的な状態変化がほとんど生じないため、接合部位の信頼性が高く、かつ、剛性確保に有利な構造であることに加え、後述するセラミックグリーンシート積層法により、容易に製造することが可能である。
【0044】
一方、圧電/電歪素子18a及び18bは、膜形成法によって、直接セラミック基体16に形成される。
【0045】
この圧電/電歪素子18a及び18bは、圧電/電歪層22と前記圧電/電歪層22の両側に形成された一対の電極24及び26とを有して構成され、前記一対の電極24及び26のうち、一方の電極24が少なくとも一対の薄板部12a及び12bの上に形成されている。
【0046】
第1の実施の形態では、圧電/電歪素子18a及び18bは、圧電/電歪層22と、電極24、26とが互い違いに櫛歯状に積層された多段構造としている。図1及び図2では、圧電/電歪層22を電極24と電極26とで挟んだ多層構造を1段としたとき、4段が積層された構造とされている。なお、このような多段構造に限らず1段構造であってもよい。
【0047】
圧電/電歪素子18a及び18bは、図3の拡大図に示すように、圧電/電歪層22が4層構造(第1層目〜第4層目の圧電/電歪層22A〜22D)とされている。この図3において、一方の電極24は、第1、第3及び第5の配線パターン24A、24B及び24Cにて構成され、他方の電極26は、第2及び第4の配線パターン26A及び26Bにて構成されている。
【0048】
具体的に、電極24及び26並びに圧電/電歪層22の積層構造について薄板部12a側を主体に説明すると、まず、セラミック基体16の薄板部12a及び12b、並びに固定部14の各側面にかけてほぼ連続して第1の配線パターン24Aが形成され、該第1の配線パターン24A上のうち、固定部14上から薄板部12a上にかけて連続する部分に第1層目の圧電/電歪層22Aが形成されている。これは薄板部12bにおいても同じである。
【0049】
この1層目の圧電/電歪層22Aは、薄板部12aの一部から固定部14の一部にかけて形成された第1の圧電/電歪材料による第1の部分22A1と、固定部14の一部に形成された第2の圧電/電歪材料による第2の部分22A2にて構成されている。
【0050】
ここで、第1の配線パターン24Aは、3層構造とされている。具体的には、薄板部12a上に直接形成され、かつ、基体材料と電極材料のサーメットによる第1の層50と、当該第1の層50上に形成され、かつ、電極材料による第2の層52と、当該第2の層52上に形成され、かつ、圧電/電歪材料と電極材料のサーメットによる第3の層54とを有して構成されている。
【0051】
引き続き、電極24及び26並びに圧電/電歪層22の積層構造についてみると、前記第1層目の圧電/電歪層22A上に第2の配線パターン26Aが形成され、該第2の配線パターン26Aの一部(櫛歯部分)を含むように、前記第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第1の部分22A1に対応する部分に第2層目の圧電/電歪層22Bが形成され、該第2層目の圧電/電歪層22B上に前記第1の配線パターン24Aと電気的に接続される第3の配線パターン24Bが形成され、該第3の配線パターン24Bの一部(櫛歯部分)を含むように、前記第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第1の部分22A1に対応する部分に第3層目の圧電/電歪層22Cが形成されている。
【0052】
更に、前記第3層目の圧電/電歪層22C上に前記第2の配線パターン26Aと電気的に接続される第4の配線パターン26Bが形成され、該第4の配線パターン26Bの一部(櫛歯部分)を含むように、前記第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第1の部分22A1に対応する部分に第4層目の圧電/電歪層22Dが形成され、該第4層目の圧電/電歪層22D上に前記第1の配線パターン24Aと電気的に接続される第5の配線パターン24Cが形成されている。
【0053】
第2の配線パターン26Aのうち、前記櫛歯部分を除く部分、即ち、前記第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第2の部分22A2に対応する部分には第1の接続端子28が形成され、第5の配線パターン24Cの端部には第2の接続端子30が形成されている。
【0054】
従って、圧電/電歪素子18a(18bも同様である)のうち、第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第1の部分22A1に対応する積層構造部分は、実際の駆動部(又は感知部)として機能する部分、即ち、実作動部として定義することができる。
【0055】
また、この第1の実施の形態では、一方の電極24のうち、最上層の第5の配線パターン24Cが電極材料のレジネートによって構成され、圧電/電歪素子18a(18bも同様である)の内部に形成された各電極24及び26の配線パターン(第2〜第4の配線パターン26A、24B及び26B)は、電極材料と圧電/電歪材料を含むサーメット膜を焼成することによって構成されている。
【0056】
この場合、前記第2〜第4の配線パターン26A、24B及び26Bは、導体層として機能させる必要から、電極材料と圧電/電歪材料の体積比は、4:6〜9:1であることが好ましい。電極材料の体積比が4より小さいと導体として機能しにくく、体積比が9より大きいと電極を薄くする効果と圧電/電歪層との付着力が共に低減する可能性がある。上述の配合条件を満足することにより、各中間パターンは、それぞれ2μm以下の導体層として構成させることができ、しかも、局所的に導体部分がなくなる、いわゆる欠けがなくなり、ほぼ設計通りのパターン形状を得ることができる。
【0057】
そして、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aにおいては、図4の拡大図に示すように、薄板部12a及び12bの内壁面60と短いセラミック板38の側面(切込み面)62とから構成される角部40に設けられた付加部材42が以下のような構成を有する。
【0058】
即ち、図4に示すように、付加部材42の表面を、縦断面でみた場合における曲線Cとしたとき、この曲線Cは、1つの変曲点64を有する自由曲線となっている。ちなみに2次曲線(放物線)には変曲点はなく、カーブの方向が変わるところを表現できない曲線である。一方、3次曲線は変曲点を1つだけ表現することができ、従って、3次式は自由曲線を描ける最低の次数である。
【0059】
そして、本実施の形態における前記自由曲線としては、例えばエルミート(Hermite)曲線、ベジェ(Bezier)曲線、B−スプライン(B-spline)曲線、カットマル−ロム(Catmul-Rom)曲線等のパラメトリック3次曲線を含む。
【0060】
このように、第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aにおいては、薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38とで形成される角部40を覆うように付加部材42が付着する形となるため、薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38との積層部分及び短いセラミック板38と固定部14との積層部分に不良箇所(隙間等)があっても、その不良箇所に付加部材42の一部が充填されることになり、セラミック基体16を補強することができる。
【0061】
しかも、薄板部12a及び12bを共振させた場合、通常は、角部40においてゴミが発生することになるが、この第1の実施の形態では、角部40に付加部材42が付着した形となっているため、上述のような角部40からのゴミの発生は低減する。
【0062】
通常、薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38との積層界面に例えば水分が浸入してクラックが入りやすくなるが、薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38とで形成される角部40を覆うように付加部材42が付着する形となるため、前記積層界面への水分の浸入等はなくなる。これは、高温多湿下での耐久性の向上につながる。
【0063】
ここで、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aのうち、図4に示すように、薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38とで構成されるセラミック積層体(以下、第1の実施の形態に係るセラミック積層体70と記す)と、図17に示す提案例(長いセラミック板200と短いセラミック板202とで形成される角部210に断面円弧状に盛り上がった補強部材214を付加した例)とを比較する。
【0064】
図17に示す提案例の補強部材214の表面は、長いセラミック板200から急峻に盛り上がった湾曲形状とされ、湾曲面がそのまま短いセラミック板202の側面208まで連続して形成された状態となっている。そのため、短いセラミック板202の長さが補強部材214の長さ分だけ増えたことと等価になり、長いセラミック板200を共振部材として使用する場合、長いセラミック板200の一主面206と補強部材214の円弧面との接触部分218に応力が集中し、依然、強度的には問題が生じることになる。
【0065】
一方、第1の実施の形態に係るセラミック積層体70は、図4に示すように、付加部材42の表面が、断面上、1つの変曲点64を有することから、付加部材42は、湾曲面がそのまま短いセラミック板38の側面62まで連続して形成された形ではなく、端部における湾曲部分C1と、薄板部12a(及び12b)の内壁面60に沿い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる部分C2と、角部40に対応した部分における湾曲部分C3と、短いセラミック板38の側面62に沿い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる部分C4とを有する形状となる。
【0066】
従って、薄板部12a(及び12b)の内壁面60には、付加部材42のうち、厚みの薄い部分(薄板部12a(及び12b)の内壁面60に沿い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる部分C2)が付着された形となるため、薄板部12a(及び12b)の内壁面60と付加部材42の端部との接触部分72に応力が集中するということはなくなる。しかも、前記部分C2の厚みが薄いことから、薄板部12a及び12bの共振周波数に影響を与えることはほとんどない。
【0067】
付加部材42のうち、前記薄板部12a(及び12b)の内壁面60とほぼ平行な部分C2によって、前記薄板部12a(及び12b)を支える形となるため、薄板部12a(及び12b)の平滑性を高めることができる。また、前記薄板部12a(及び12b)の内壁面60とほぼ平行な部分C2は、その厚み及び/又は長さを調整することで、薄板部12a(及び12b)の共振周波数や変位量を容易に微調整することができる。
【0068】
また、付加部材42のうち、角部40に対応する箇所に湾曲面C3を有することから、角部40での応力集中が分散され、薄板部12a(及び12b)の共振に伴う強度劣化はほとんど生じなくなる。しかも、この第1の実施の形態に係るセラミック積層体70をその後の工程で切断する際に、その切断による外力が薄板部12a(及び12b)に加わっても、角部40への応力集中を分散させることができ、切断処理時に割れなどは生じ難くなる。
【0069】
図17に示す提案例のように、角部210に断面円弧状に盛り上がった補強部材214を付加したり、図18に示す提案例のように、角部210に断面円弧状に凹んだ形の補強部材216を付加する場合においては、補強部材214及び216をペースト212にて形成する際に、該ペースト212として、粘度が極端に高いペーストを用いるか、又は粘度が極端に低いペーストを用いることになるが、その場合、使用できる材料が限られてくる。
【0070】
しかし、この第1の実施の形態に係るセラミック積層体70では、粘度が極端に高い、あるいは極端に低いペーストを使用する必要はないため、使用する材料の選択の幅を広げることができる。
【0071】
上述の例では、図4に示すように、薄板部12a(及び12b)の厚みt1と短いセラミック板38の厚みt2をほぼ同一としたが、短いセラミック板38の厚みt2と薄板部12a(及び12b)の厚みt1を異なる大きさにしてもよい。また、付加部材42の断面上における薄板部12a(及び12b)との接触長さL1を、短いセラミック板38との接触長さL2とほぼ同じにしてもよいし、前記接触長さL2を、該短いセラミック板38の厚みt2の1〜1/5倍としてもよい。また、前記接触長さL2を、薄板部12a(及び12b)との接触長さL1よりも短くしてもよい。これらの場合において、前記接触長さL2を1〜50μmとしてもよい。また、接触長さL1を、前記短いセラミック板38の厚みt2の10〜1/5倍としてもよい。
【0072】
なお、付加部材42はセラミック材料で構成されていてもよいし、薄板部12a(及び12b)や短いセラミック板38と同じ材料で構成されていてもよい。又は、金属材料あるいは金属材料を含む材料で構成するようにしてもよいし、サーメット材料で構成してもよい。
【0073】
次に、第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aの製造方法について図5〜図14を参照しながら説明する。まず、定義付けをしておく。セラミックグリーンシートを積層して得られた積層体をセラミックグリーン積層体80(例えば図13参照)と定義し、このセラミックグリーン積層体80を焼成して一体化したものをセラミック積層体82(例えば図14参照)と定義し、このセラミック積層体82から不要な部分を切除して、薄板部12a及び12b並びに固定部14が一体化されたものをセラミック基体16(図1参照)と定義する。
【0074】
また、この製造方法においては、圧電/電歪デバイス10Aを同一基板内に縦方向及び横方向にそれぞれ複数個配置した形態で、最終的にセラミック積層体82をチップ単位に切断して、圧電/電歪デバイス10Aを同一工程で多数個取りするものであるが、説明を簡単にするために、圧電/電歪デバイス10Aの1個取りを主体にして説明する。
【0075】
まず、図5のステップS1において、ジルコニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード法等の方法により、所定の厚みを有するセラミックグリーンシートを作製する。
【0076】
その後、図5のステップS2において、各セラミックグリーンシートの所要箇所に接着剤(例えばセラミックペースト)を例えばスクリーン印刷で塗布する。
【0077】
その後、図5のステップS3a、ステップS3b及びステップS3cにおいて、各セラミックグリーンシートに対して金型を用いた打抜加工やレーザ加工等を施す。このうち、ステップS3aでは、前記加工によって、図6に示すように、後に薄板部12a及び12bとなるセラミックグリーンシート90A及び90Bを作製する。図5のステップS3bでは、前記加工によって、図7に示すように、後に短いセラミック板38となるセラミックグリーンシート92A及び92Bを作製する。図5のステップS3cでは、前記加工によって、図8に示すように、後に固定部14となるセラミックグリーンシート94をn枚作製する。
【0078】
その後、図5のステップS4aにおいて、セラミックグリーンシート90Aとセラミックグリーンシート92Aを仮積層して第1の仮積層体96を作製し(図9及び図10参照)、セラミックグリーンシート90Bとセラミックグリーンシート92Bを仮積層して第2の仮積層体98を作製する(図9及び図10参照)。また、ステップS4bにおいて、n枚のセラミックグリーンシート94を仮積層して第3の仮積層体を作製する(図11参照)。これらの仮積層においては、セラミックグリーンシート90A、90B、92A、92B並びにn枚のセラミックグリーンシート94にそれぞれ所要箇所に接着剤を例えばスクリーン印刷にて塗布してあるため、積層状態が簡単にくずれるということが回避される。
【0079】
その後、図5のステップS5において、第1の仮積層体96のうち、図12に示すように、セラミックグリーンシート90Aの一主面60とセラミックグリーンシート92Aの側面62で構成される角部40に、後に付加部材42となるペースト102を例えばスクリーン印刷によって塗布する。
【0080】
この場合、図12に示すように、角部40に対応した部分に窓104を有する製版106を用い、該製版106上に供給されたペースト102をスキージ108を摺動させることで、前記窓104を通じて角部40にペースト102を塗布する。塗布した段階のペースト102の形状は、少なくともペースト102がセラミックグリーンシート90Aの一主面60とセラミックグリーンシート92Aの側面62とにかけて連続して付着された形状である。これにより、その後の焼成後に、図4に示すように、前記ペースト102による付加部材42の表面が、断面上、1つの変曲点64を有することとなる。
【0081】
ここで、ペースト102の組成は、基本的には薄板部12a及び12bの材質、組成と同等のものが好ましい。例えばセラミック粉末、バインダー、添加剤及び溶剤を混合させてなるペースト102が使用される。この場合、一例として、セラミック粉末は、ZrO2にY2O3を微量添加したものが使用される。そして、バインダーとしてPVBもしくはエチルセルロース又はこれらの混合物がセラミック粉末に対して10〜20部添加され、添加剤として可塑剤、分散剤をセラミック粉末に対して数部添加され、溶剤として、第1溶剤としてのアセトンに、第2溶剤としての2エチルヘキサノールを適量添加する。
【0082】
ペースト102の粘性は、製版106の窓104からスムーズに角部40に塗布され、かつ、印刷後、乾燥前に適当にダレるものが望ましい。粘度が高すぎると、塗布後希望の形状にならず固まりとなったり、また、粘度が低すぎると、乾燥後に厚みがなく希望の形状にならない場合がある。この条件を決定するには短いセラミック板38の厚み、製版106の厚み及び粘度を考慮する必要がある。この実施の形態では、ペースト102の粘度として1〜10万cpsとした。
【0083】
同様に、第2の仮積層体98のうち、セラミックグリーンシート90Bの一主面60とセラミックグリーンシート92Bの側面62で構成される角部40に、後に付加部材42となるペースト102をスクリーン印刷によって塗布する。
【0084】
その後、図5のステップS6において、図13に示すように、第1及び第2の仮積層体96及び98で第3の仮積層体100を挟み込むようにして、これら第1〜第3の仮積層体96、98及び100を積層した後、圧着して、セラミックグリーン積層体80とする。このとき、セラミックグリーンシート92A及び92Bの上部にペースト102がはみだすことも起こり得るが、第3の仮積層体100を積層する際に埋没するため、このはみだした部分に関して考慮する必要はない。
【0085】
その後、図5のステップS7において、前記セラミックグリーン積層体80を焼成してセラミック積層体82(図14参照)を得る。
【0086】
次に、図5のステップS8において、図14に示すように、前記セラミック積層体82の両表面、即ち、セラミックグリーンシート90A及び90Bが積層された表面に相当する面に、それぞれ多層構造の圧電/電歪素子18a及び18bを形成し、焼成によって圧電/電歪素子18a及び18bをセラミック積層体82に一体化させる。もちろん、圧電/電歪素子18a又は18bはセラミック積層体82の片側の表面のみに形成してもよい。
【0087】
その後、図5のステップS9において、図14に示すように、圧電/電歪素子18a及び18bが形成されたセラミック積層体82のうち、切断線K1、K2、K3に沿って切断することにより、セラミック積層体82の側部と先端部を切除する。この切除によって、図1に示すように、セラミック基体16に圧電/電歪素子18a及び18bが形成され、かつ、互いに対向する端面32a及び32bを有する一対の薄板部12a及び12bが形成された圧電/電歪デバイス10Aを得る。
【0088】
切断のタイミングは、切断線K1及びK2に沿って切断した後に、切断線K3に沿って切断してもよく、切断線K3に沿って切断した後に、切断線K1及びK2に沿って切断してもよい。もちろん、これらの切断を同時に行うようにしてもよい。また、切断線K3と対向する固定部14の端面も適宜切断するようにしてもよい。その後、例えば超音波洗浄によって、前記切断による切屑等が除去されることになる。
【0089】
次に、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aの各構成要素について説明する。
【0090】
一対の薄板部12a及び12bの互いに対向する取付面32a及び32bには、圧電/電歪デバイス10Aの使用目的に応じて種々の部材が取り付けられる。例えば、圧電/電歪デバイス10Aを変位素子として使用する場合であれば、光シャッタの遮蔽板等が取り付けられ、特に、ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めや、リンギング抑制機構に使用するのであれば、磁気ヘッド、磁気ヘッドを有するスライダ、スライダを有するサスペンション等の位置決めを必要とする部材が取り付けられる。
【0091】
固定部14は、上述したように、薄板部12a及び12bを支持する部分であり、例えば前記ハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めに利用する場合には、VCM(ボイスコイルモータ)に取り付けられたキャリッジアーム、前記キャリッジアームに取り付けられた固定プレート又はサスペンション等に固定部14を支持固定することにより、圧電/電歪デバイス10Aの全体が固定される。また、この固定部14には、図1に示すように、圧電/電歪素子18a及び18bを駆動するための接続端子28及び30やその他の部材が配置される場合もある。
【0092】
固定部14を構成する材料としては、剛性を有する限りにおいて特に限定されないが、上述したように、セラミックグリーンシート積層法を適用できるセラミックスを好適に用いることができる。
【0093】
具体的には、安定化ジルコニア、部分安定化ジルコニアをはじめとするジルコニア、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化チタンを主成分とする材料等が挙げられる他、これらの混合物を主成分とした材料が挙げられるが、機械的強度や靱性が高い点において、ジルコニア、特に安定化ジルコニアを主成分とする材料や部分安定化ジルコニアを主成分とする材料が好ましい。
【0094】
薄板部12a及び12bは、上述したように、圧電/電歪素子18a及び18bの変位により駆動する部分である。薄板部12a及び12bは、可撓性を有する薄板状の部材であって、表面に配設された圧電/電歪素子18a及び18bの伸縮変位を屈曲変位として増幅する機能を有する。従って、薄板部12a及び12bの形状や材質は、可撓性を有し、屈曲変形によって破損しない程度の機械的強度を有するものであればよく、薄板部12a及び12bの取付面32a及び32bに取り付けられる部材に必要な応答性、操作性を考慮して適宜選択することができる。
【0095】
薄板部12a及び12bを構成する材料としては、固定部14と同様のセラミックスを好適に用いることができ、ジルコニア、中でも安定化ジルコニアを主成分とする材料と、部分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、薄肉であっても機械的強度が大きいこと、靱性が高いこと、圧電/電歪層22や電極24及び236との反応性が小さいことから最も好適に用いられる。
【0096】
前記安定化ジルコニア並びに部分安定化ジルコニアにおいては、次のように安定化並びに部分安定化されたものが好ましい。即ち、ジルコニアを安定化並びに部分安定化させる化合物としては、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウム、及び酸化マグネシウムがあり、少なくともそのうちの1つの化合物を添加、含有させることにより、あるいは1種類の化合物の添加のみならず、それら化合物を組み合わせて添加することによっても、目的とするジルコニアの安定化は可能である。
【0097】
なお、それぞれの化合物の添加量としては、酸化イットリウムや酸化イッテルビウムの場合にあっては、1〜30モル%、好ましくは1.5〜10モル%、酸化セリウムの場合にあっては、6〜50モル%、好ましくは8〜20モル%、酸化カルシウムや酸化マグネシウムの場合にあっては、5〜40モル%、好ましくは5〜20モル%とすることが望ましいが、その中でも特に酸化イットリウムを安定化剤として用いることが好ましく、その場合においては、1.5〜10モル%、更に好ましくは2〜4モル%とすることが望ましい。また、焼結助剤等の添加物としてアルミナ、シリカ、遷移金属酸化物等を0.05〜20wt%の範囲で添加することが可能であるが、圧電/電歪素子18a及び18bの形成手法として、膜形成法による焼成一体化を採用する場合は、アルミナ、マグネシア、遷移金属酸化物等を添加物として添加することも好ましい。
【0098】
なお、機械的強度と安定した結晶相が得られるように、ジルコニアの平均結晶粒子径を0.05〜3μm、好ましくは0.05〜1μmとすることが望ましい。また、上述のように、薄板部12a及び12bについては、固定部14と同様のセラミックスを用いることができるが、好ましくは、実質的に同一の材料を用いて構成することが、接合部分の信頼性、圧電/電歪デバイス10Aの強度、製造の煩雑さの低減を図る上で有利である。
【0099】
圧電/電歪素子18a及び18bは、少なくとも圧電/電歪層22と、該圧電/電歪層22に電界をかけるための一対の電極24及び26を有するものであり、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電/電歪素子を用いることができるが、薄板部12a及び12bと組み合わせたユニモルフ型の方が、発生する変位量の安定性に優れ、軽量化に有利であるため、このような圧電/電歪デバイス10Aに適している。
【0100】
前記圧電/電歪素子18a及び18bは、図1に示すように、薄板部12a及び12bの側面に形成する方が薄板部12a及び12bをより大きく駆動させることができる点で好ましい。
【0101】
圧電/電歪層22には、圧電セラミックスが好適に用いられるが、電歪セラミックスや強誘電体セラミックス、あるいは反強誘電体セラミックスを用いることも可能である。但し、この圧電/電歪デバイス10Aをハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決め等に用いる場合は、薄板部12a及び12bの変位量と駆動電圧、又は出力電圧とのリニアリティが重要とされるため、歪み履歴の小さい圧電材料を用いることが好ましく、抗電界が10kV/mm以下の材料を用いることが好ましい。
【0102】
具体的な圧電材料としては、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等の単独、又はこれらの適宜の混合物等を挙げることができる。
【0103】
特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を有し、圧電/電歪層22の焼結時における薄板部(セラミックス)12a及び12bとの反応性が小さく、安定した組成のものが得られる点において、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材料、又はチタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材料が好適に用いられる。
【0104】
更に、前記圧電材料に、ランタン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸化物等を単独で、もしくは混合したセラミックスを用いてもよい。
【0105】
例えば、主成分であるジルコン酸鉛とチタン酸鉛及びマグネシウムニオブ酸鉛に、ランタンやストロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性を調整可能となる等の利点を得られる場合がある。
【0106】
なお、シリカ等のガラス化し易い材料の添加は避けることが望ましい。なぜならば、シリカ等の材料は、圧電/電歪層22の熱処理時に、圧電/電歪材料と反応し易く、その組成を変動させ、圧電特性を劣化させるからである。
【0107】
一方、圧電/電歪素子18a及び18bの一対の電極24及び26は、室温で固体であり、導電性に優れた金属で構成されていることが好ましく、例えばアルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等の金属単体、もしくはこれらの合金が用いられ、更に、これらに圧電/電歪層22あるいは薄板部12a及び12bと同じ材料を分散させたサーメット材料を用いてもよい。
【0108】
圧電/電歪素子18a及び18bにおける電極24及び26の材料選定は、圧電/電歪層22の形成方法に依存して決定される。例えば薄板部12a及び12b上に一方の電極24を形成した後、前記電極24上に圧電/電歪層22を焼成により形成する場合は、一方の電極24には、圧電/電歪層22の焼成温度においても変化しない白金、パラジウム、白金−パラジウム合金、銀−パラジウム合金等の高融点金属を使用する必要があるが、圧電/電歪層22を形成した後に、前記圧電/電歪層22上に形成される他方の電極26は、低温で電極形成を行うことができるため、アルミニウム、金、銀等の低融点金属を主成分として使用することができる。
【0109】
また、電極24及び26の厚みは、少なからず圧電/電歪素子18a及び18bの変位を低下させる要因ともなるため、特に圧電/電歪層22の焼成後に形成される電極には、焼成後に緻密でより薄い膜が得られる有機金属ペースト、例えば金レジネートペースト、白金レジネートペースト、銀レジネートペースト等の材料を用いることが好ましい。
【0110】
そして、この第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aは、超音波センサや加速度センサ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種センサに好適に利用でき、端面32a及び32bないし薄板部12a及び12b間に取り付けられる物体のサイズを適宜調整することにより、センサの感度調整が容易になるという更なる利点がある。
【0111】
また、圧電/電歪デバイス10Aの製造方法においては、セラミック積層体82の表面に圧電/電歪素子18a及び18bを形成する方法として、上述したスクリーン印刷法のほかに、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着、イオンプレーティング法、化学気相成長法(CVD)、めっき等の薄膜形成法を用いることができる。
【0112】
このような膜形成法を用いて圧電/電歪素子18a及び18bを形成することにより、接着剤を用いることなく、圧電/電歪素子18a及び18bと薄板部12a及び12bとを一体的に接合、配設することができ、信頼性、再現性を確保できると共に、集積化を容易にすることができる。
【0113】
この場合、厚膜形成法により圧電/電歪素子18a及び18bを形成することが好ましい。特に、圧電/電歪層22の形成において厚膜形成法を用いれば、平均粒径0.01〜5μm、好ましくは0.05〜3μmの圧電セラミックスの粒子、粉末を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンションやエマルジョン、ゾル等を用いて膜化することができ、それを焼成することによって良好な圧電/電歪特性を得ることができるからである。
【0114】
なお、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成できるという利点がある。また、スクリーン印刷法は、膜形成とパターン形成とを同時に行うことができるため、製造工程の簡略化に有利である。
【0115】
また、セラミック積層体82を切除する方法としては、ダイシング加工、ワイヤソー加工等の機械加工のほか、YAGレーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工や電子ビーム加工を適用することが可能である。
【0116】
次に、第2の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Bについて図15を参照しながら説明する。
【0117】
この第2の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Bは、上述した第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Aとほぼ同様の構成を有するが、一対の薄板部12a及び12bにおける各先端部分が内方に向かって肉厚とされている点で異なる。
【0118】
前記肉厚部分は、薄板部12a及び12bの変位動作に伴って変位する可動部110a及び110bとして機能することになる。なお、この可動部110a及び110bの互いに対向する端面が取付面32a及び32bとなる。また、可動部110a及び110bの先端面と薄板部12a及び12bの先端面とはほぼ同一面とされている。
【0119】
そして、薄板部12a(及び12b)の内壁面60と可動部110a(及び110b)の側面112とから構成される角部114に、付加部材116が設けられている。この付加部材116は、薄板部12a(12b)の内壁面60と短いセラミック板38の側面62(図4参照)とから構成される角部40に設けられた付加部材42と同様に、その表面における縦断面でみた場合の曲線が、図4に示すように、1つの変曲点64を有する自由曲線となっている。
【0120】
従って、可動部110a及び110bの取付面32a及び32b間に、光シャッタの遮蔽板や、磁気ヘッド、磁気ヘッドを有するスライダ、スライダを有するサスペンション等の位置決めを必要とする部材が取り付けられた場合に、薄板部12a及び12bの変位動作に伴う薄板部12a及び12bと可動部110a及び110bとの境界部分(角部114)において応力集中を発生させないようにすることができ、角部114での強度劣化を抑制することができる。
【0121】
次に、第3の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Cについて図16を参照しながら説明する。
【0122】
この第3の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Cは、上述した第2の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス10Bとほぼ同様の構成を有するが、可動部110a及び110bの位置が固定部14寄りに配置されている点で異なる。その関係で、例えば可動部110aと薄板部12aとの間には、2つの角部114A及び114Bが存在することになるが、この第3の実施の形態では、これら角部114A及び114Bにそれぞれ付加部材116A及び116Bが設けられて構成されている。
【0123】
この場合、可動部110a及び110bは、部品を取付面32a及び32b間に挟むように取り付ける際に、取り付けに使用する接着剤の量(厚み)と位置(接着面積)を規定するための機能をも果たすことになる。
【0124】
なお、この発明に係るセラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【0125】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るセラミック積層体及びその製造方法によれば、長さの異なる複数のセラミック板を積層してなるセラミック積層体の強度を高めることができ、しかも、長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波数への影響を抑えることができる。
【0126】
また、本発明に係る圧電/電歪デバイス及びその製造方法によれば、圧電/電歪デバイスにおける共振部分の強度を高めることができ、しかも、前記共振部分の変位量や共振周波数への影響を抑えることができる。
【0127】
また、本発明に係るセラミック焼結体によれば、長さの異なる複数のセラミック板を積層してなるセラミック焼結体の強度を高めることができ、しかも、長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波数への影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを示す斜視図である。
【図2】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを示す正面図である。
【図3】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスにおける圧電/電歪素子の部分を示す拡大断面図である。
【図4】薄板部と短いセラミック板とで形成される角部を示す拡大斜視図である。
【図5】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスの製造方法を示す工程ブロック図である。
【図6】後に薄板部となるセラミックグリーンシートを示す斜視図である。
【図7】後に短いセラミック板となるセラミックグリーンシートを示す斜視図である。
【図8】後に固定部となるセラミックグリーンシートを示す斜視図である。
【図9】第1及び第2の仮積層体を示す斜視図である。
【図10】図9におけるX−X線上の断面図である。
【図11】第3の仮積層体を示す斜視図である。
【図12】第1及び第2の仮積層体の角部に、後に付加部材となるペーストを印刷する場合の工程を示す説明図である。
【図13】第1〜第3の仮積層体を積層して、セラミックグリーン積層体を作製する場合を示す説明図である。
【図14】セラミックグリーン積層体を焼成してセラミック積層体とした後、圧電/電歪素子を形成した状態を示す説明図である。
【図15】第2の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを示す斜視図である。
【図16】第3の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを示す斜視図である。
【図17】セラミック積層体の角部に補強部材を形成した第1の提案例を示す断面図である。
【図18】セラミック積層体の角部に補強部材を形成した第2の提案例を示す断面図である。
【符号の説明】
10A、10B、10C…圧電/電歪デバイス
12a、12b…薄板部 14…固定部
16…セラミック基体 18a、18b…圧電/電歪素子
36…切込み(切欠き) 38…短いセラミック板
40…角部 42…付加部材
64…変曲点 70…セラミック積層体
96…第1の仮積層体 98…第2の仮積層体
100…第3の仮積層体 102…ペースト
110a、110b…可動部 114、114A、114B…角部
116、116A、116B…付加部材
Claims (23)
- 長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体において、
長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設けられ、
前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1記載のセラミック積層体において、
長さの異なる3種類のセラミック板が、中央に長さの最も短いセラミック板が介在されて積層され、
長さが最も長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された前記長さが最も短いセラミック板の側面とから構成される角部に前記付加部材が設けられていることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1記載のセラミック積層体において、
前記短いセラミック板の厚みが前記長いセラミック板の厚みよりも大きいことを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さが、該短いセラミック板の厚みの1〜1/5倍であることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材の断面上における前記長いセラミック板との接触長さが、前記短いセラミック板の厚みの10〜1/5倍であることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項4又は5記載のセラミック積層体において、
前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さが1〜50μmであることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板との接触長さが、前記長いセラミック板との接触長さよりも短いことを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記長いセラミック板の厚みが3〜300μmであることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材がセラミック材料で構成されていることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材が前記長いセラミック板あるいは前記短いセラミック板と同じ材料で構成されていることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材が金属材料あるいは金属材料を含む材料で構成されていることを特徴とするセラミック積層体。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラミック積層体において、
前記付加部材がサーメット材料で構成されていることを特徴とするセラミック積層体。 - 長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体を有するセラミック焼結体において、
長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有するセラミック製の付加部材が設けられ、
前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有し、
これら長いセラミック板、短いセラミック板及び付加部材が一体焼結されていることを特徴とするセラミック焼結体。 - 長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミック積層体であって、長いセラミック板の一主面と該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設けられ、該付加部材の表面が、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有するセラミック積層体の製造方法において、
前記長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、
前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、前記付加部材のためのペーストを充填する工程と、
前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化して前記セラミック積層体を作製する工程とを有することを特徴とするセラミック積層体の製造方法。 - 長さの異なる複数のセラミック板を多数積層してなるセラミック積層体を基体として使用する圧電/電歪デバイスにおいて、
前記セラミック積層体は、長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面とから構成される角部に湾曲面を有する付加部材が設けられ、
前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項15記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記セラミック積層体からなる基体上に圧電/電歪素子が形成され、
前記基体は、前記長いセラミック板にて構成された薄板部と、前記短いセラミック板にて構成された固定部とを有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項16記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記圧電/電歪素子は、前記薄板部の他主面のうち、前記固定部の一部と対応する部分を含む面上に配置されていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項16又は17記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い違いに櫛歯状に積層された構造を有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項16〜18のいずれか1項に記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い違いに櫛歯状に4層以上積層された構造を有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項15〜19のいずれか1項に記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記基体は、それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の 各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部と、前記一対の薄板部の各他方の端部の相対向する面にそれぞれ設けられた矩形体状の可動部とを有し、
前記一対の薄板部が前記長いセラミック板にて構成され、
前記固定部及び前記可動部が前記短いセラミック板にて構成されていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 請求項15〜19のいずれか1項に記載の圧電/電歪デバイスにおいて、
前記基体は、それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部とを有し、
前記一対の薄板部が前記長いセラミック板にて構成され、
前記固定部が前記短いセラミック板にて構成されていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部と、前記一対の薄板部の各他方の端部の相対向する面にそれぞれ設けられた矩形体状の可動部とを有し、
前記一対の薄板部のうち、少なくとも1つの薄板部に圧電/電歪素子が配置された圧電/電歪デバイスの製造方法において、
後に前記薄板部を構成する長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記固定部及び前記可動部を構成する短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層する工程と、
前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、後に断面上1つ以上の変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成するためのペーストを充填する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートを更に積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、
前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化してセラミック積層体とする工程と、
前記セラミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成し、焼成した後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪デバイスを作製する工程とを有することを特徴とする圧電/電歪デバイスの製造方法。 - それぞれ板面が相対向して配された一対の薄板部と、前記一対の薄板部の各一方の端部の相対向する面間に挟まれて設けられた矩形体状の固定部とを有し、
前記一対の薄板部のうち、少なくとも1つの薄板部に圧電/電歪素子が配置された圧電/電歪デバイスの製造方法において、
後に前記薄板部を構成する長いセラミック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記固定部を構成する短いセラミック板となる第2のセラミックグリーンシートとを積層する工程と、
前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシートの側面とから構成される角部に、後に断面上1つ以上の変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成するためのペーストを充填する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートを更に積層してセラミックグリーン積層体とする工程と、
前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化してセラミック積層体とする工程と、
前記セラミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成し、焼成した後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪デバイスを作製する工程とを有することを特徴とする圧電/電歪デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/236,866 US7069630B2 (en) | 2001-09-11 | 2002-09-06 | Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device |
US10/862,596 US7062825B2 (en) | 2001-09-11 | 2004-06-07 | Method of manufacturing a ceramic stack |
US11/376,859 US7141916B2 (en) | 2001-09-11 | 2006-03-16 | Ceramic stack and a piezoelectric/electrostrictive device including same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32218501P | 2001-09-11 | 2001-09-11 | |
US60/322185 | 2001-09-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003142746A JP2003142746A (ja) | 2003-05-16 |
JP4038400B2 true JP4038400B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=23253780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002182063A Expired - Fee Related JP4038400B2 (ja) | 2001-09-11 | 2002-06-21 | セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US7069630B2 (ja) |
JP (1) | JP4038400B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3965515B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
EP1833102A3 (en) | 1999-10-01 | 2009-04-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
JP4058223B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2008-03-05 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
JP4038400B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2008-01-23 | 日本碍子株式会社 | セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 |
CN1829082B (zh) * | 2005-03-04 | 2010-05-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 声表面波器件及多频移动电话 |
JP4504237B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-07-14 | 富士通株式会社 | ウエットエッチング方法、マイクロ可動素子製造方法、およびマイクロ可動素子 |
KR100747459B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 모듈의 충돌 방지가 보장되는 멀티태스킹 방법 및 이동단말기 |
WO2007063850A1 (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Kyocera Corporation | 積層型電子部品およびその製造方法 |
JP2007258280A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
US7545084B2 (en) * | 2006-07-20 | 2009-06-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of producing the same |
US20080218972A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Ioan Sauciuc | Cooling device, system containing same, and cooling method |
US7948075B2 (en) * | 2008-03-10 | 2011-05-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same |
US8022601B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric-coated carbon nanotube generators |
JP4640459B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2011-03-02 | ソニー株式会社 | 角速度センサ |
DE102009043220A1 (de) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement |
DE102010005906A1 (de) * | 2010-01-27 | 2011-07-28 | Epcos Ag, 81669 | Piezoelektrisches Bauelement |
US8659207B2 (en) * | 2011-11-24 | 2014-02-25 | Htc Corporation | Electronic device and adjustment method thereof |
CN102545692B (zh) * | 2012-01-18 | 2015-01-07 | 厦门大学 | 基于压电静电的复合式振动能量收集器 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3336529A (en) * | 1962-12-03 | 1967-08-15 | Lockheed Aircraft Corp | Vibrating reed frequency responsive device |
GB1207974A (en) * | 1966-11-17 | 1970-10-07 | Clevite Corp | Frequency selective apparatus including a piezoelectric device |
JPS6230773Y2 (ja) * | 1980-12-19 | 1987-08-07 | ||
DE3332949A1 (de) | 1983-09-13 | 1985-04-04 | Finnigan MAT GmbH, 2800 Bremen | Vorrichtung zur einstellung von spaltweiten bei spektrometern |
JPS60135756A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Ngk Insulators Ltd | 電気化学的セルの製造方法 |
US4610475A (en) * | 1984-09-06 | 1986-09-09 | Microflex Technology, Inc. | Piezoelectric polymer micromanipulator |
JPH02262383A (ja) | 1989-04-03 | 1990-10-25 | Toyota Motor Corp | 積層型圧電素子の製造方法 |
JP2518703B2 (ja) * | 1989-11-02 | 1996-07-31 | 堺化学工業株式会社 | 積層型複合圧電体およびその製造方法 |
JPH04214686A (ja) | 1990-10-05 | 1992-08-05 | Nec Corp | 電歪効果素子 |
US5300852A (en) | 1991-10-04 | 1994-04-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Piezoelectric ceramic laminate device |
JP3091280B2 (ja) * | 1991-11-19 | 2000-09-25 | 日本電信電話株式会社 | 中空セラミックス板の製造方法 |
US5288351A (en) * | 1991-12-02 | 1994-02-22 | Motorola, Inc. | Silver paste sintering method for bonding ceramic surfaces |
JP3203788B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2001-08-27 | オムロン株式会社 | 物理量センサ及びその製造方法 |
US5500777A (en) | 1993-05-19 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head drive which uses independently controlled piezo-electric elements |
US5468290A (en) * | 1994-07-29 | 1995-11-21 | Caterpillar Inc. | Ceramic adhesive |
JP3501860B2 (ja) * | 1994-12-21 | 2004-03-02 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
JP3585310B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2004-11-04 | 日本碍子株式会社 | マルチダイヤフラム構造体の製造法 |
JP3419244B2 (ja) * | 1996-05-24 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法 |
US6351056B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-02-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device having mutually opposing thin plate portions |
US6476539B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-11-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
US6455981B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-09-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same |
US6525448B1 (en) * | 1999-10-01 | 2003-02-25 | Ngk Insulators Ltd | Piezoelectric/electrostrictive device |
US6657364B1 (en) * | 1999-10-01 | 2003-12-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
EP1833102A3 (en) | 1999-10-01 | 2009-04-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
US6333681B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device |
JP4058223B2 (ja) | 1999-10-01 | 2008-03-05 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
JP2001284673A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電トランス |
JP3676185B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2005-07-27 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP3741027B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2006-02-01 | 株式会社村田製作所 | 振動子およびそれを用いた振動ジャイロおよびそれを用いた電子装置 |
JP4038400B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2008-01-23 | 日本碍子株式会社 | セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 |
-
2002
- 2002-06-21 JP JP2002182063A patent/JP4038400B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-06 US US10/236,866 patent/US7069630B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-06 US US10/236,865 patent/US6858971B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-06 US US10/236,864 patent/US6897600B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-07 US US10/862,596 patent/US7062825B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-16 US US11/013,555 patent/US7015626B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-09 US US11/328,386 patent/US7180226B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-16 US US11/376,859 patent/US7141916B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050093402A1 (en) | 2005-05-05 |
US20060170306A1 (en) | 2006-08-03 |
JP2003142746A (ja) | 2003-05-16 |
US7062825B2 (en) | 2006-06-20 |
US20030067250A1 (en) | 2003-04-10 |
US7069630B2 (en) | 2006-07-04 |
US6897600B2 (en) | 2005-05-24 |
US20030062806A1 (en) | 2003-04-03 |
US7141916B2 (en) | 2006-11-28 |
US7015626B2 (en) | 2006-03-21 |
US7180226B2 (en) | 2007-02-20 |
US6858971B2 (en) | 2005-02-22 |
US20060119221A1 (en) | 2006-06-08 |
US20040251786A1 (en) | 2004-12-16 |
US20030062805A1 (en) | 2003-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7336020B2 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same | |
JP3808262B2 (ja) | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 | |
JP4038400B2 (ja) | セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 | |
JP3436735B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
JP3436727B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
JP3466550B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP4015820B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP3965515B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
JP2001169572A (ja) | 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 | |
JP4067491B2 (ja) | 圧電/電歪デバイスの製造方法 | |
JP4756013B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP3436725B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 | |
JP4015909B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP3466548B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP4562756B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
JP3999132B2 (ja) | 圧電/電歪デバイス | |
US20050035688A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same | |
JP2003163386A (ja) | 圧電/電歪デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |