JP2003142746A - セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 - Google Patents

セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体

Info

Publication number
JP2003142746A
JP2003142746A JP2002182063A JP2002182063A JP2003142746A JP 2003142746 A JP2003142746 A JP 2003142746A JP 2002182063 A JP2002182063 A JP 2002182063A JP 2002182063 A JP2002182063 A JP 2002182063A JP 2003142746 A JP2003142746 A JP 2003142746A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
piezoelectric
plate
additional member
ceramic plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002182063A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4038400B2 (ja
Inventor
Fumitake Takahashi
史武 高橋
Koji Ikeda
幸司 池田
Kazuyoshi Shibata
和義 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to US10/236,866 priority Critical patent/US7069630B2/en
Publication of JP2003142746A publication Critical patent/JP2003142746A/ja
Priority to US10/862,596 priority patent/US7062825B2/en
Priority to US11/376,859 priority patent/US7141916B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4038400B2 publication Critical patent/JP4038400B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041Beam type
    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • H10N30/2043Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H10N30/501Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane parallel to the stacking direction, e.g. polygonal or trapezoidal in side view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1002Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
    • Y10T156/1043Subsequent to assembly
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1002Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
    • Y10T156/1043Subsequent to assembly
    • Y10T156/1044Subsequent to assembly of parallel stacked sheets only
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49005Acoustic transducer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49789Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
    • Y10T29/49798Dividing sequentially from leading end, e.g., by cutting or breaking
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/252Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】長さの異なる複数のセラミック板を積層してな
るセラミック積層体の強度を高め、併せて、長いセラミ
ック板を共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や
共振周波数への影響を抑える。 【解決手段】長いセラミック板である薄板部12a及び
12bの内壁面60と短いセラミック板38の側面(切
込み面)62とから構成される角部40に付加部材42
を設ける。そして、付加部材42の表面を、縦断面でみ
た場合における曲線Cとしたとき、この曲線Cは、1つ
の変曲点64を有する自由曲線となっている。付加部材
42は、薄板部12a(及び12b)の内壁面60に沿
い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる部
分C2と、角部40に対応した部分における湾曲部分C
3とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、長さの異なる複数
のセラミック板が積層されたセラミック積層体及びその
製造方法並びにセラミック積層体を基体として使用する
圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及
びセラミック焼結体に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、セラミック積層体を作製する場
合、同一長さの複数のセラミック板を積層してセラミッ
ク積層体を作製する場合や、図17及び図18に示すよ
うに、長さの異なる複数のセラミック板200及び20
2を積層してセラミック積層体204を作製する場合な
どがある。
【0003】前者のセラミック積層体は、強度的には問
題がないが、後者のセラミック積層体204は、特に長
いセラミック板200を共振部材として使用する場合
に、長いセラミック板200の一主面206と、該一主
面206上に積層された短いセラミック板202の側面
208とから構成される角部210において応力集中が
発生し、強度的に問題がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、前記角部21
0にペースト212を塗布し、図17に示すように、角
部210に断面円弧状に盛り上がった補強部材214を
付加することや、図18に示すように、角部210に断
面円弧状に凹んだ形の補強部材216を付加することな
どが考えられる。
【0005】しかし、図17の提案例では、短いセラミ
ック板202の長さが補強部材214の長さ分だけ増え
たことと等価になる。即ち、長いセラミック板200を
共振部材として使用する場合、長いセラミック板200
の一主面206と補強部材214の円弧面との接触部分
218に応力が集中し、依然、強度的には問題がある。
【0006】しかも、共振部材としての長いセラミック
板200に厚みのある補強部材214が付着すると、そ
の分、長いセラミック板200の変位量が減り、共振周
波数が高くなるという新たな問題が生じる。
【0007】一方、図18の例のように、角部210に
断面円弧状に凹んだ形のものを付加するためには、液体
の表面張力を利用することとなるが、その場合、補強部
材216のペースト212の水分の量を多くするなどし
て、該ペースト212の粘度を極度に低く抑える必要が
ある。しかし、セラミック積層体204を作製する場合
には、ペースト212の塗布後に焼成工程が入るため、
この焼成工程において、ペースト212の水分がすべて
蒸発することになり、角部210に断面円弧状に凹んだ
形の補強部材216を付加することは困難となる。しか
も、短いセラミック板202の厚みが50μm以下の場
合において、角部210に断面円弧状に凹んだ形のもの
を付加することは不可能である。
【0008】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、長さの異なる複数のセラミック板を積層
してなるセラミック積層体の強度を高めことができ、し
かも、長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共
振部材の変位量や共振周波数への影響を抑えることがで
きるセラミック積層体及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【0009】本発明の他の目的は、圧電/電歪デバイス
における共振部分の強度を高めことができ、しかも、前
記共振部分の変位量や共振周波数への影響を抑えること
ができる圧電/電歪デバイス及びその製造方法を提供す
ることにある。
【0010】本発明の他の目的は、長さの異なる複数の
セラミック板を積層してなるセラミック焼結体の強度を
高めことができ、しかも、長いセラミック板を共振部材
とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波数への影
響を抑えることができるセラミック焼結体を提供するこ
とにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係るセラミック
積層体は、長さの異なる複数のセラミック板が積層され
たセラミック積層体において、長いセラミック板の一主
面と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面
とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設
けられ、前記付加部材の表面は、断面方向からみた際
に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とする。
【0012】また、本発明に係るセラミック積層体の製
造方法は、長さの異なる複数のセラミック板が積層され
たセラミック積層体であって、長いセラミック板の一主
面と該一主面上に積層された短いセラミック板の側面と
から構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が設け
られ、該付加部材の表面が、断面方向からみた際に、1
つ以上の変曲点を有するセラミック積層体の製造方法に
おいて、前記長いセラミック板となる第1のセラミック
グリーンシートと前記短いセラミック板となる第2のセ
ラミックグリーンシートとを積層してセラミックグリー
ン積層体とする工程と、前記第1のセラミックグリーン
シートの一主面と該一主面上に積層された前記第2のセ
ラミックグリーンシートの側面とから構成される角部
に、前記付加部材のためのペーストを充填する工程と、
前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化して前記セ
ラミック積層体を作製する工程とを有することを特徴と
する。
【0013】また、本発明に係る圧電/電歪デバイス
は、長さの異なる複数のセラミック板を多数積層してな
るセラミック積層体を基体として使用する圧電/電歪デ
バイスにおいて、前記セラミック積層体は、長いセラミ
ック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラミ
ック板の側面とから構成される角部に湾曲面を有する付
加部材が設けられ、前記付加部材の表面は、断面方向か
らみた際に、1つ以上の変曲点を有することを特徴とす
る。
【0014】また、本発明に係る圧電/電歪デバイスの
製造方法は、後に前記薄板部を構成する前記長いセラミ
ック板となる第1のセラミックグリーンシートと前記固
定部及び/又は可動部を構成する前記短いセラミック板
となる第2のセラミックグリーンシートとを積層する工
程と、前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と
該一主面上に積層された前記第2のセラミックグリーン
シートの側面とから構成される角部に、後に断面上1つ
以上の変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成する
ためのペーストを充填する工程と、前記複数のセラミッ
クグリーンシートを更に積層してセラミックグリーン積
層体とする工程と、前記セラミックグリーン積層体を焼
成一体化してセラミック積層体とする工程と、前記セラ
ミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成し、焼成し
た後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪デバイスを
作製する工程とを有することを特徴とする。
【0015】また、本発明に係るセラミック焼結体は、
長さの異なる複数のセラミック板が積層されたセラミッ
ク積層体を有するセラミック焼結体において、長いセラ
ミック板の一主面と、該一主面上に積層された短いセラ
ミック板の側面とから構成される角部に、湾曲面を有す
るセラミック製の付加部材が設けられ、前記付加部材の
表面は、断面方向からみた際に、1つ以上の変曲点を有
し、これら長いセラミック板、短いセラミック板及び付
加部材が一体焼結されていることを特徴とする。
【0016】まず、長いセラミック板と短いセラミック
板との角部を覆うように付加部材が付着する形となるた
め、長いセラミック板と短いセラミック板との積層部分
に不良箇所(隙間等)があっても、その不良箇所に付加
部材の一部が充填されることになり、セラミック積層体
を補強することができる。
【0017】しかも、長いセラミック板と短いセラミッ
ク板が積層されたセラミック積層体において、長いセラ
ミック板を共振させた場合、角部においてゴミが発生す
ることになるが、本発明では、角部に付加部材が付着し
た形となっているため、上述のような角部からのゴミの
発生は低減する。
【0018】通常、長いセラミック板と短いセラミック
板との積層界面に水分が浸入してクラックが入りやすく
なるが、長いセラミック板と短いセラミック板との角部
を覆うように付加部材が付着する形となるため、積層界
面への水分の浸入等はなくなる。これは、高温多湿下で
の耐久性の向上につながる。
【0019】ここで、本発明と上述した提案例(長いセ
ラミック板と短いセラミック板との角部に断面円弧状に
盛り上がった補強部材を付加した例)と比較する。提案
例の補強部材の表面は、長いセラミック板から急峻に盛
り上がった湾曲形状とされ、湾曲面がそのまま短いセラ
ミック板の側面まで連続して形成された状態となってい
る。そのため、短いセラミック板の長さが補強部材の長
さ分だけ増えたことと等価になり、長いセラミック板を
共振部材として使用する場合、長いセラミック板の一主
面と補強部材の円弧面との接触部分に応力が集中し、依
然、強度的には問題が生じることになる。
【0020】一方、本発明は、付加部材の表面が、断面
上、1つ以上の変曲点を有することから、付加部材は、
湾曲面がそのまま短いセラミック板の側面まで連続して
形成された形ではなく、端部における湾曲部分と、長い
セラミック板の一主面に沿い、かつ、表面が角部に向け
てほぼ平行に延びる部分と、角部に対応した部分におけ
る湾曲部分と、短いセラミック板の側面に沿い、かつ、
表面が角部に向けてほぼ平行に延びる部分とを有する形
状となる。
【0021】従って、長いセラミック板の一主面には、
付加部材のうち、厚みの薄い部分(長いセラミック板の
一主面に沿い、かつ、表面が角部に向けてほぼ平行に延
びる部分)が付着された形となるため、長いセラミック
板の一主面と付加部材の端部との接触部分に応力が集中
するということはなくなる。しかも、厚みが薄いことか
ら、長いセラミック板の共振周波数に影響を与えること
はほとんどない。
【0022】付加部材のうち、前記長いセラミック板の
一主面とほぼ平行な部分によって、前記長いセラミック
板を支える形となるため、長いセラミック板がたわむの
を防ぎ平滑性を高めることができる。また、前記長いセ
ラミック板の一主面とほぼ平行な部分は、その厚み及び
/又は長さを調整することで、長いセラミック板の共振
周波数や変位量を容易に微調整することができる。
【0023】また、付加部材のうち、角部に対応する箇
所に湾曲面を有することから、角部での応力集中が分散
され、長いセラミック板の共振に伴う強度劣化はほとん
ど生じなくなる。しかも、このセラミック積層体をその
後の工程で切断する際に、その切断による外力が長いセ
ラミック板に加わっても、角部への応力集中を分散させ
ることができ、切断処理時に割れなどは生じ難くなる。
【0024】上述した提案例のように、角部に断面円弧
状に盛り上がった補強部材を付加したり、角部に断面円
弧状に凹んだ形の補強部材を付加する場合においては、
補強部材をペーストにて形成する際に、該ペーストとし
て、粘度が極端に高いペーストを用いるか、粘度が極端
に低いペーストを用いることになるが、その場合、使用
できる材料が限られてくる。
【0025】しかし、本発明では、粘度が極端に高い、
あるいは極端に低いペーストを使用する必要はないた
め、使用する材料の選択の幅を広げることができる。
【0026】そして、前記構成において、長さの異なる
3種類のセラミック板を、中央に長さの最も短いセラミ
ック板を介在して積層し、長さが最も長いセラミック板
の一主面と、該一主面上に積層された前記長さが最も短
いセラミック板の側面とから構成される角部に前記付加
部材を設けるようにしてもよい。
【0027】また、前記構成において、前記短いセラミ
ック板の厚みを前記長いセラミック板の厚みより大きく
するようにしてもよい。
【0028】また、前記構成において、前記付加部材の
断面上における前記長いセラミック板との接触長さと、
前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板と
の接触長さとをほぼ同じにしてもよいし、前記付加部材
の断面上における前記短いセラミック板との接触長さ
を、該短いセラミック板の厚みの1〜1/5倍としても
よい。また、前記付加部材の断面上における前記長いセ
ラミック板との接触長さを、前記短いセラミック板の厚
みの10〜1/5倍としてもよい。また、前記付加部材
の断面上における前記短いセラミック板との接触長さ
を、前記長いセラミック板との接触長さよりも短くして
もよい。これらの場合において、前記付加部材の断面上
における前記短いセラミック板との接触長さを1〜50
μmとしてもよい。また、前記長いセラミック板の厚み
を3〜300μmとしてもよい。
【0029】そして、前記構成において、前記付加部材
をセラミック材料で構成するようにしてもよいし、前記
長いセラミック板あるいは前記短いセラミック板と同じ
材料で構成してもよい。
【0030】又は、前記付加部材を、金属材料あるいは
金属材料を含む材料で構成するようにしてもよいし、サ
ーメット材料で構成してもよい。
【0031】特に、本発明に係る圧電/電歪デバイスに
おいては、前記セラミック積層体からなる基体上に圧電
/電歪素子が形成され、前記基体は、前記長いセラミッ
ク板にて構成された薄板部と、前記短いセラミック板に
て構成された固定部とを有するようにしてもよい。
【0032】この場合、前記圧電/電歪素子は、前記薄
板部の他主面のうち、前記固定部の一部と対応する部分
を含む面上に配置することが好ましい。また、前記圧電
/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い違いに櫛
歯状に積層された構造、あるいは、圧電/電歪層と電極
層とが互い違いに櫛歯状に4層以上積層された構造を有
するようにしてもよい。
【0033】そして、前記基体は、前記長いセラミック
板にて構成された一対の薄板部と、該一対の薄板部の間
に介在され前記短いセラミック板にて構成された固定部
と、前記一対の薄板部の端部間に介在され前記短いセラ
ミック板にて構成された可動部とを有するようにしても
よい。
【0034】この場合、付加部材の存在により、一対の
薄板部の平行性をより高めることができる。また、一方
の薄板部と固定部との積層ずれ並びに他方の薄板部と固
定部との積層ずれによる左右の長さのずれを、付加部材
の長さ(長いセラミック板の一主面に沿い、かつ、表面
が角部に向けてほぼ平行に延びる部分の長さ)を調整す
ることによって、ほぼ同一にすることができ、振動板と
しての一対の薄板部の左右の変位量をほぼ同一にするこ
とができる。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック積
層体及びその製造方法並びにセラミック焼結体を、圧電
/電歪デバイス及びその製造方法に適用した実施の形態
例を図1〜図16を参照しながら説明する。
【0036】本実施の形態に係る圧電/電歪デバイス
は、圧電/電歪素子により電気的エネルギと機械的エネ
ルギとを相互に変換する素子を包含する概念である。従
って、各種アクチュエータや振動子等の能動素子、特
に、逆圧電効果や電歪効果による変位を利用した変位素
子として最も好適に用いられるほか、加速度センサ素子
や衝撃センサ素子等の受動素子としても好適に使用され
得る。
【0037】そして、この第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aは、図1に示すように、相対する
一対の薄板部12a及び12bと、これら薄板部12a
及び12bを支持する固定部14とが一体に形成された
セラミック基体16を具備し、一対の薄板部12a及び
12bの各一部にそれぞれ圧電/電歪素子18a及び1
8bが形成されて構成されている。
【0038】つまり、この第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aは、前記圧電/電歪素子18a及
び18bの駆動によって一対の薄板部12a及び12b
が変位し、あるいは薄板部12a及び12bの変位を、
圧電/電歪素子18a及び18bにより検出する構成を
有する。従って、図1の例では、薄板部12a及び12
bと圧電/電歪素子18a及び18bにてアクチュエー
タ部20a及び20bが構成されることになる。このこ
とから、一対の薄板部12a及び12bは、固定部14
によって振動可能に支持された振動部として機能するこ
とになる。
【0039】一対の薄板部12a及び12bの先端部分
における互いに対向する面32a及び32b間には、空
隙(空気)34を介在させるようにしてもよいし、図示
しないが、これら面32a及び32bの間に薄板部12
a及び12bの構成部材と同じ材質、あるいは異なる材
質からなる部材を介在させるようにしてもよい。この場
合、前記面32a及び32bは、取付面32a及び32
bとして機能することになる。
【0040】セラミック基体16は、例えばセラミック
グリーン積層体を焼成により一体化したセラミック積層
体で構成されている。これについては後述する。
【0041】更に、固定部14と薄板部12a及び12
b間には切込み(切欠き)36が設けられている。つま
り、この切込み36は、長さの異なる複数のセラミック
板(薄板部12a及び12b並びに短いセラミック板3
8)を積層することによって、あるいは、長さの異なる
3種類のセラミック板(薄板部12a及び12b、短い
セラミック板38並びに固定部14)を、中央に短いセ
ラミック板38を間に挟んで積層することによって形成
される。なお、薄板部12a及び12bの厚みと短いセ
ラミック板38の厚みはほぼ同一である。
【0042】そして、この第1の実施の形態では、長い
セラミック板である薄板部12a及び12bの内壁面と
短いセラミック板38の側面(切込み面)とから構成さ
れる角部40に、付加部材42が設けられている。
【0043】このようなセラミックスの一体化物、即
ち、セラミック焼結体は、各部の接合部に接着剤が介在
しないことから、経時的な状態変化がほとんど生じない
ため、接合部位の信頼性が高く、かつ、剛性確保に有利
な構造であることに加え、後述するセラミックグリーン
シート積層法により、容易に製造することが可能であ
る。
【0044】一方、圧電/電歪素子18a及び18b
は、膜形成法によって、直接セラミック基体16に形成
される。
【0045】この圧電/電歪素子18a及び18bは、
圧電/電歪層22と前記圧電/電歪層22の両側に形成
された一対の電極24及び26とを有して構成され、前
記一対の電極24及び26のうち、一方の電極24が少
なくとも一対の薄板部12a及び12bの上に形成され
ている。
【0046】第1の実施の形態では、圧電/電歪素子1
8a及び18bは、圧電/電歪層22と、電極24、2
6とが互い違いに櫛歯状に積層された多段構造としてい
る。図1及び図2では、圧電/電歪層22を電極24と
電極26とで挟んだ多層構造を1段としたとき、4段が
積層された構造とされている。なお、このような多段構
造に限らず1段構造であってもよい。
【0047】圧電/電歪素子18a及び18bは、図3
の拡大図に示すように、圧電/電歪層22が4層構造
(第1層目〜第4層目の圧電/電歪層22A〜22D)
とされている。この図3において、一方の電極24は、
第1、第3及び第5の配線パターン24A、24B及び
24Cにて構成され、他方の電極26は、第2及び第4
の配線パターン26A及び26Bにて構成されている。
【0048】具体的に、電極24及び26並びに圧電/
電歪層22の積層構造について薄板部12a側を主体に
説明すると、まず、セラミック基体16の薄板部12a
及び12b、並びに固定部14の各側面にかけてほぼ連
続して第1の配線パターン24Aが形成され、該第1の
配線パターン24A上のうち、固定部14上から薄板部
12a上にかけて連続する部分に第1層目の圧電/電歪
層22Aが形成されている。これは薄板部12bにおい
ても同じである。
【0049】この1層目の圧電/電歪層22Aは、薄板
部12aの一部から固定部14の一部にかけて形成され
た第1の圧電/電歪材料による第1の部分22A1と、
固定部14の一部に形成された第2の圧電/電歪材料に
よる第2の部分22A2にて構成されている。
【0050】ここで、第1の配線パターン24Aは、3
層構造とされている。具体的には、薄板部12a上に直
接形成され、かつ、基体材料と電極材料のサーメットに
よる第1の層50と、当該第1の層50上に形成され、
かつ、電極材料による第2の層52と、当該第2の層5
2上に形成され、かつ、圧電/電歪材料と電極材料のサ
ーメットによる第3の層54とを有して構成されてい
る。
【0051】引き続き、電極24及び26並びに圧電/
電歪層22の積層構造についてみると、前記第1層目の
圧電/電歪層22A上に第2の配線パターン26Aが形
成され、該第2の配線パターン26Aの一部(櫛歯部
分)を含むように、前記第1層目の圧電/電歪層22A
における第1の部分22A1に対応する部分に第2層目
の圧電/電歪層22Bが形成され、該第2層目の圧電/
電歪層22B上に前記第1の配線パターン24Aと電気
的に接続される第3の配線パターン24Bが形成され、
該第3の配線パターン24Bの一部(櫛歯部分)を含む
ように、前記第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第
1の部分22A1に対応する部分に第3層目の圧電/電
歪層22Cが形成されている。
【0052】更に、前記第3層目の圧電/電歪層22C
上に前記第2の配線パターン26Aと電気的に接続され
る第4の配線パターン26Bが形成され、該第4の配線
パターン26Bの一部(櫛歯部分)を含むように、前記
第1層目の圧電/電歪層22Aにおける第1の部分22
A1に対応する部分に第4層目の圧電/電歪層22Dが
形成され、該第4層目の圧電/電歪層22D上に前記第
1の配線パターン24Aと電気的に接続される第5の配
線パターン24Cが形成されている。
【0053】第2の配線パターン26Aのうち、前記櫛
歯部分を除く部分、即ち、前記第1層目の圧電/電歪層
22Aにおける第2の部分22A2に対応する部分には
第1の接続端子28が形成され、第5の配線パターン2
4Cの端部には第2の接続端子30が形成されている。
【0054】従って、圧電/電歪素子18a(18bも
同様である)のうち、第1層目の圧電/電歪層22Aに
おける第1の部分22A1に対応する積層構造部分は、
実際の駆動部(又は感知部)として機能する部分、即
ち、実作動部として定義することができる。
【0055】また、この第1の実施の形態では、一方の
電極24のうち、最上層の第5の配線パターン24Cが
電極材料のレジネートによって構成され、圧電/電歪素
子18a(18bも同様である)の内部に形成された各
電極24及び26の配線パターン(第2〜第4の配線パ
ターン26A、24B及び26B)は、電極材料と圧電
/電歪材料を含むサーメット膜を焼成することによって
構成されている。
【0056】この場合、前記第2〜第4の配線パターン
26A、24B及び26Bは、導体層として機能させる
必要から、電極材料と圧電/電歪材料の体積比は、4:
6〜9:1であることが好ましい。電極材料の体積比が
4より小さいと導体として機能しにくく、体積比が9よ
り大きいと電極を薄くする効果と圧電/電歪層との付着
力が共に低減する可能性がある。上述の配合条件を満足
することにより、各中間パターンは、それぞれ2μm以
下の導体層として構成させることができ、しかも、局所
的に導体部分がなくなる、いわゆる欠けがなくなり、ほ
ぼ設計通りのパターン形状を得ることができる。
【0057】そして、この第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aにおいては、図4の拡大図に示す
ように、薄板部12a及び12bの内壁面60と短いセ
ラミック板38の側面(切込み面)62とから構成され
る角部40に設けられた付加部材42が以下のような構
成を有する。
【0058】即ち、図4に示すように、付加部材42の
表面を、縦断面でみた場合における曲線Cとしたとき、
この曲線Cは、1つの変曲点64を有する自由曲線とな
っている。ちなみに2次曲線(放物線)には変曲点はな
く、カーブの方向が変わるところを表現できない曲線で
ある。一方、3次曲線は変曲点を1つだけ表現すること
ができ、従って、3次式は自由曲線を描ける最低の次数
である。
【0059】そして、本実施の形態における前記自由曲
線としては、例えばエルミート(Hermite)曲線、ベジ
ェ(Bezier)曲線、B−スプライン(B-spline)曲線、
カットマル−ロム(Catmul-Rom)曲線等のパラメトリッ
ク3次曲線を含む。
【0060】このように、第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aにおいては、薄板部12a(及び
12b)と短いセラミック板38とで形成される角部4
0を覆うように付加部材42が付着する形となるため、
薄板部12a(及び12b)と短いセラミック板38と
の積層部分及び短いセラミック板38と固定部14との
積層部分に不良箇所(隙間等)があっても、その不良箇
所に付加部材42の一部が充填されることになり、セラ
ミック基体16を補強することができる。
【0061】しかも、薄板部12a及び12bを共振さ
せた場合、通常は、角部40においてゴミが発生するこ
とになるが、この第1の実施の形態では、角部40に付
加部材42が付着した形となっているため、上述のよう
な角部40からのゴミの発生は低減する。
【0062】通常、薄板部12a(及び12b)と短い
セラミック板38との積層界面に例えば水分が浸入して
クラックが入りやすくなるが、薄板部12a(及び12
b)と短いセラミック板38とで形成される角部40を
覆うように付加部材42が付着する形となるため、前記
積層界面への水分の浸入等はなくなる。これは、高温多
湿下での耐久性の向上につながる。
【0063】ここで、この第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aのうち、図4に示すように、薄板
部12a(及び12b)と短いセラミック板38とで構
成されるセラミック積層体(以下、第1の実施の形態に
係るセラミック積層体70と記す)と、図17に示す提
案例(長いセラミック板200と短いセラミック板20
2とで形成される角部210に断面円弧状に盛り上がっ
た補強部材214を付加した例)とを比較する。
【0064】図17に示す提案例の補強部材214の表
面は、長いセラミック板200から急峻に盛り上がった
湾曲形状とされ、湾曲面がそのまま短いセラミック板2
02の側面208まで連続して形成された状態となって
いる。そのため、短いセラミック板202の長さが補強
部材214の長さ分だけ増えたことと等価になり、長い
セラミック板200を共振部材として使用する場合、長
いセラミック板200の一主面206と補強部材214
の円弧面との接触部分218に応力が集中し、依然、強
度的には問題が生じることになる。
【0065】一方、第1の実施の形態に係るセラミック
積層体70は、図4に示すように、付加部材42の表面
が、断面上、1つの変曲点64を有することから、付加
部材42は、湾曲面がそのまま短いセラミック板38の
側面62まで連続して形成された形ではなく、端部にお
ける湾曲部分C1と、薄板部12a(及び12b)の内
壁面60に沿い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平
行に延びる部分C2と、角部40に対応した部分におけ
る湾曲部分C3と、短いセラミック板38の側面62に
沿い、かつ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる
部分C4とを有する形状となる。
【0066】従って、薄板部12a(及び12b)の内
壁面60には、付加部材42のうち、厚みの薄い部分
(薄板部12a(及び12b)の内壁面60に沿い、か
つ、表面が角部40に向けてほぼ平行に延びる部分C
2)が付着された形となるため、薄板部12a(及び1
2b)の内壁面60と付加部材42の端部との接触部分
72に応力が集中するということはなくなる。しかも、
前記部分C2の厚みが薄いことから、薄板部12a及び
12bの共振周波数に影響を与えることはほとんどな
い。
【0067】付加部材42のうち、前記薄板部12a
(及び12b)の内壁面60とほぼ平行な部分C2によ
って、前記薄板部12a(及び12b)を支える形とな
るため、薄板部12a(及び12b)の平滑性を高める
ことができる。また、前記薄板部12a(及び12b)
の内壁面60とほぼ平行な部分C2は、その厚み及び/
又は長さを調整することで、薄板部12a(及び12
b)の共振周波数や変位量を容易に微調整することがで
きる。
【0068】また、付加部材42のうち、角部40に対
応する箇所に湾曲面C3を有することから、角部40で
の応力集中が分散され、薄板部12a(及び12b)の
共振に伴う強度劣化はほとんど生じなくなる。しかも、
この第1の実施の形態に係るセラミック積層体70をそ
の後の工程で切断する際に、その切断による外力が薄板
部12a(及び12b)に加わっても、角部40への応
力集中を分散させることができ、切断処理時に割れなど
は生じ難くなる。
【0069】図17に示す提案例のように、角部210
に断面円弧状に盛り上がった補強部材214を付加した
り、図18に示す提案例のように、角部210に断面円
弧状に凹んだ形の補強部材216を付加する場合におい
ては、補強部材214及び216をペースト212にて
形成する際に、該ペースト212として、粘度が極端に
高いペーストを用いるか、又は粘度が極端に低いペース
トを用いることになるが、その場合、使用できる材料が
限られてくる。
【0070】しかし、この第1の実施の形態に係るセラ
ミック積層体70では、粘度が極端に高い、あるいは極
端に低いペーストを使用する必要はないため、使用する
材料の選択の幅を広げることができる。
【0071】上述の例では、図4に示すように、薄板部
12a(及び12b)の厚みt1と短いセラミック板3
8の厚みt2をほぼ同一としたが、短いセラミック板3
8の厚みt2と薄板部12a(及び12b)の厚みt1
を異なる大きさにしてもよい。また、付加部材42の断
面上における薄板部12a(及び12b)との接触長さ
L1を、短いセラミック板38との接触長さL2とほぼ
同じにしてもよいし、前記接触長さL2を、該短いセラ
ミック板38の厚みt2の1〜1/5倍としてもよい。
また、前記接触長さL2を、薄板部12a(及び12
b)との接触長さL1よりも短くしてもよい。これらの
場合において、前記接触長さL2を1〜50μmとして
もよい。また、接触長さL1を、前記短いセラミック板
38の厚みt2の10〜1/5倍としてもよい。
【0072】なお、付加部材42はセラミック材料で構
成されていてもよいし、薄板部12a(及び12b)や
短いセラミック板38と同じ材料で構成されていてもよ
い。又は、金属材料あるいは金属材料を含む材料で構成
するようにしてもよいし、サーメット材料で構成しても
よい。
【0073】次に、第1の実施の形態に係る圧電/電歪
デバイス10Aの製造方法について図5〜図14を参照
しながら説明する。まず、定義付けをしておく。セラミ
ックグリーンシートを積層して得られた積層体をセラミ
ックグリーン積層体80(例えば図13参照)と定義
し、このセラミックグリーン積層体80を焼成して一体
化したものをセラミック積層体82(例えば図14参
照)と定義し、このセラミック積層体82から不要な部
分を切除して、薄板部12a及び12b並びに固定部1
4が一体化されたものをセラミック基体16(図1参
照)と定義する。
【0074】また、この製造方法においては、圧電/電
歪デバイス10Aを同一基板内に縦方向及び横方向にそ
れぞれ複数個配置した形態で、最終的にセラミック積層
体82をチップ単位に切断して、圧電/電歪デバイス1
0Aを同一工程で多数個取りするものであるが、説明を
簡単にするために、圧電/電歪デバイス10Aの1個取
りを主体にして説明する。
【0075】まず、図5のステップS1において、ジル
コニア等のセラミック粉末にバインダ、溶剤、分散剤、
可塑剤等を添加混合してスラリーを作製し、これを脱泡
処理後、リバースロールコーター法、ドクターブレード
法等の方法により、所定の厚みを有するセラミックグリ
ーンシートを作製する。
【0076】その後、図5のステップS2において、各
セラミックグリーンシートの所要箇所に接着剤(例えば
セラミックペースト)を例えばスクリーン印刷で塗布す
る。
【0077】その後、図5のステップS3a、ステップ
S3b及びステップS3cにおいて、各セラミックグリ
ーンシートに対して金型を用いた打抜加工やレーザ加工
等を施す。このうち、ステップS3aでは、前記加工に
よって、図6に示すように、後に薄板部12a及び12
bとなるセラミックグリーンシート90A及び90Bを
作製する。図5のステップS3bでは、前記加工によっ
て、図7に示すように、後に短いセラミック板38とな
るセラミックグリーンシート92A及び92Bを作製す
る。図5のステップS3cでは、前記加工によって、図
8に示すように、後に固定部14となるセラミックグリ
ーンシート94をn枚作製する。
【0078】その後、図5のステップS4aにおいて、
セラミックグリーンシート90Aとセラミックグリーン
シート92Aを仮積層して第1の仮積層体96を作製し
(図9及び図10参照)、セラミックグリーンシート9
0Bとセラミックグリーンシート92Bを仮積層して第
2の仮積層体98を作製する(図9及び図10参照)。
また、ステップS4bにおいて、n枚のセラミックグリ
ーンシート94を仮積層して第3の仮積層体を作製する
(図11参照)。これらの仮積層においては、セラミッ
クグリーンシート90A、90B、92A、92B並び
にn枚のセラミックグリーンシート94にそれぞれ所要
箇所に接着剤を例えばスクリーン印刷にて塗布してある
ため、積層状態が簡単にくずれるということが回避され
る。
【0079】その後、図5のステップS5において、第
1の仮積層体96のうち、図12に示すように、セラミ
ックグリーンシート90Aの一主面60とセラミックグ
リーンシート92Aの側面62で構成される角部40
に、後に付加部材42となるペースト102を例えばス
クリーン印刷によって塗布する。
【0080】この場合、図12に示すように、角部40
に対応した部分に窓104を有する製版106を用い、
該製版106上に供給されたペースト102をスキージ
108を摺動させることで、前記窓104を通じて角部
40にペースト102を塗布する。塗布した段階のペー
スト102の形状は、少なくともペースト102がセラ
ミックグリーンシート90Aの一主面60とセラミック
グリーンシート92Aの側面62とにかけて連続して付
着された形状である。これにより、その後の焼成後に、
図4に示すように、前記ペースト102による付加部材
42の表面が、断面上、1つの変曲点64を有すること
となる。
【0081】ここで、ペースト102の組成は、基本的
には薄板部12a及び12bの材質、組成と同等のもの
が好ましい。例えばセラミック粉末、バインダー、添加
剤及び溶剤を混合させてなるペースト102が使用され
る。この場合、一例として、セラミック粉末は、ZrO
2にY2O3を微量添加したものが使用される。そして、
バインダーとしてPVBもしくはエチルセルロース又は
これらの混合物がセラミック粉末に対して10〜20部
添加され、添加剤として可塑剤、分散剤をセラミック粉
末に対して数部添加され、溶剤として、第1溶剤として
のアセトンに、第2溶剤としての2エチルヘキサノール
を適量添加する。
【0082】ペースト102の粘性は、製版106の窓
104からスムーズに角部40に塗布され、かつ、印刷
後、乾燥前に適当にダレるものが望ましい。粘度が高す
ぎると、塗布後希望の形状にならず固まりとなったり、
また、粘度が低すぎると、乾燥後に厚みがなく希望の形
状にならない場合がある。この条件を決定するには短い
セラミック板38の厚み、製版106の厚み及び粘度を
考慮する必要がある。この実施の形態では、ペースト1
02の粘度として1〜10万cpsとした。
【0083】同様に、第2の仮積層体98のうち、セラ
ミックグリーンシート90Bの一主面60とセラミック
グリーンシート92Bの側面62で構成される角部40
に、後に付加部材42となるペースト102をスクリー
ン印刷によって塗布する。
【0084】その後、図5のステップS6において、図
13に示すように、第1及び第2の仮積層体96及び9
8で第3の仮積層体100を挟み込むようにして、これ
ら第1〜第3の仮積層体96、98及び100を積層し
た後、圧着して、セラミックグリーン積層体80とす
る。このとき、セラミックグリーンシート92A及び9
2Bの上部にペースト102がはみだすことも起こり得
るが、第3の仮積層体100を積層する際に埋没するた
め、このはみだした部分に関して考慮する必要はない。
【0085】その後、図5のステップS7において、前
記セラミックグリーン積層体80を焼成してセラミック
積層体82(図14参照)を得る。
【0086】次に、図5のステップS8において、図1
4に示すように、前記セラミック積層体82の両表面、
即ち、セラミックグリーンシート90A及び90Bが積
層された表面に相当する面に、それぞれ多層構造の圧電
/電歪素子18a及び18bを形成し、焼成によって圧
電/電歪素子18a及び18bをセラミック積層体82
に一体化させる。もちろん、圧電/電歪素子18a又は
18bはセラミック積層体82の片側の表面のみに形成
してもよい。
【0087】その後、図5のステップS9において、図
14に示すように、圧電/電歪素子18a及び18bが
形成されたセラミック積層体82のうち、切断線K1、
K2、K3に沿って切断することにより、セラミック積
層体82の側部と先端部を切除する。この切除によっ
て、図1に示すように、セラミック基体16に圧電/電
歪素子18a及び18bが形成され、かつ、互いに対向
する端面32a及び32bを有する一対の薄板部12a
及び12bが形成された圧電/電歪デバイス10Aを得
る。
【0088】切断のタイミングは、切断線K1及びK2
に沿って切断した後に、切断線K3に沿って切断しても
よく、切断線K3に沿って切断した後に、切断線K1及
びK2に沿って切断してもよい。もちろん、これらの切
断を同時に行うようにしてもよい。また、切断線K3と
対向する固定部14の端面も適宜切断するようにしても
よい。その後、例えば超音波洗浄によって、前記切断に
よる切屑等が除去されることになる。
【0089】次に、この第1の実施の形態に係る圧電/
電歪デバイス10Aの各構成要素について説明する。
【0090】一対の薄板部12a及び12bの互いに対
向する取付面32a及び32bには、圧電/電歪デバイ
ス10Aの使用目的に応じて種々の部材が取り付けられ
る。例えば、圧電/電歪デバイス10Aを変位素子とし
て使用する場合であれば、光シャッタの遮蔽板等が取り
付けられ、特に、ハードディスクドライブの磁気ヘッド
の位置決めや、リンギング抑制機構に使用するのであれ
ば、磁気ヘッド、磁気ヘッドを有するスライダ、スライ
ダを有するサスペンション等の位置決めを必要とする部
材が取り付けられる。
【0091】固定部14は、上述したように、薄板部1
2a及び12bを支持する部分であり、例えば前記ハー
ドディスクドライブの磁気ヘッドの位置決めに利用する
場合には、VCM(ボイスコイルモータ)に取り付けら
れたキャリッジアーム、前記キャリッジアームに取り付
けられた固定プレート又はサスペンション等に固定部1
4を支持固定することにより、圧電/電歪デバイス10
Aの全体が固定される。また、この固定部14には、図
1に示すように、圧電/電歪素子18a及び18bを駆
動するための接続端子28及び30やその他の部材が配
置される場合もある。
【0092】固定部14を構成する材料としては、剛性
を有する限りにおいて特に限定されないが、上述したよ
うに、セラミックグリーンシート積層法を適用できるセ
ラミックスを好適に用いることができる。
【0093】具体的には、安定化ジルコニア、部分安定
化ジルコニアをはじめとするジルコニア、アルミナ、マ
グネシア、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化チタンを
主成分とする材料等が挙げられる他、これらの混合物を
主成分とした材料が挙げられるが、機械的強度や靱性が
高い点において、ジルコニア、特に安定化ジルコニアを
主成分とする材料や部分安定化ジルコニアを主成分とす
る材料が好ましい。
【0094】薄板部12a及び12bは、上述したよう
に、圧電/電歪素子18a及び18bの変位により駆動
する部分である。薄板部12a及び12bは、可撓性を
有する薄板状の部材であって、表面に配設された圧電/
電歪素子18a及び18bの伸縮変位を屈曲変位として
増幅する機能を有する。従って、薄板部12a及び12
bの形状や材質は、可撓性を有し、屈曲変形によって破
損しない程度の機械的強度を有するものであればよく、
薄板部12a及び12bの取付面32a及び32bに取
り付けられる部材に必要な応答性、操作性を考慮して適
宜選択することができる。
【0095】薄板部12a及び12bを構成する材料と
しては、固定部14と同様のセラミックスを好適に用い
ることができ、ジルコニア、中でも安定化ジルコニアを
主成分とする材料と、部分安定化ジルコニアを主成分と
する材料は、薄肉であっても機械的強度が大きいこと、
靱性が高いこと、圧電/電歪層22や電極24及び23
6との反応性が小さいことから最も好適に用いられる。
【0096】前記安定化ジルコニア並びに部分安定化ジ
ルコニアにおいては、次のように安定化並びに部分安定
化されたものが好ましい。即ち、ジルコニアを安定化並
びに部分安定化させる化合物としては、酸化イットリウ
ム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウ
ム、及び酸化マグネシウムがあり、少なくともそのうち
の1つの化合物を添加、含有させることにより、あるい
は1種類の化合物の添加のみならず、それら化合物を組
み合わせて添加することによっても、目的とするジルコ
ニアの安定化は可能である。
【0097】なお、それぞれの化合物の添加量として
は、酸化イットリウムや酸化イッテルビウムの場合にあ
っては、1〜30モル%、好ましくは1.5〜10モル
%、酸化セリウムの場合にあっては、6〜50モル%、
好ましくは8〜20モル%、酸化カルシウムや酸化マグ
ネシウムの場合にあっては、5〜40モル%、好ましく
は5〜20モル%とすることが望ましいが、その中でも
特に酸化イットリウムを安定化剤として用いることが好
ましく、その場合においては、1.5〜10モル%、更
に好ましくは2〜4モル%とすることが望ましい。ま
た、焼結助剤等の添加物としてアルミナ、シリカ、遷移
金属酸化物等を0.05〜20wt%の範囲で添加する
ことが可能であるが、圧電/電歪素子18a及び18b
の形成手法として、膜形成法による焼成一体化を採用す
る場合は、アルミナ、マグネシア、遷移金属酸化物等を
添加物として添加することも好ましい。
【0098】なお、機械的強度と安定した結晶相が得ら
れるように、ジルコニアの平均結晶粒子径を0.05〜
3μm、好ましくは0.05〜1μmとすることが望ま
しい。また、上述のように、薄板部12a及び12bに
ついては、固定部14と同様のセラミックスを用いるこ
とができるが、好ましくは、実質的に同一の材料を用い
て構成することが、接合部分の信頼性、圧電/電歪デバ
イス10Aの強度、製造の煩雑さの低減を図る上で有利
である。
【0099】圧電/電歪素子18a及び18bは、少な
くとも圧電/電歪層22と、該圧電/電歪層22に電界
をかけるための一対の電極24及び26を有するもので
あり、ユニモルフ型、バイモルフ型等の圧電/電歪素子
を用いることができるが、薄板部12a及び12bと組
み合わせたユニモルフ型の方が、発生する変位量の安定
性に優れ、軽量化に有利であるため、このような圧電/
電歪デバイス10Aに適している。
【0100】前記圧電/電歪素子18a及び18bは、
図1に示すように、薄板部12a及び12bの側面に形
成する方が薄板部12a及び12bをより大きく駆動さ
せることができる点で好ましい。
【0101】圧電/電歪層22には、圧電セラミックス
が好適に用いられるが、電歪セラミックスや強誘電体セ
ラミックス、あるいは反強誘電体セラミックスを用いる
ことも可能である。但し、この圧電/電歪デバイス10
Aをハードディスクドライブの磁気ヘッドの位置決め等
に用いる場合は、薄板部12a及び12bの変位量と駆
動電圧、又は出力電圧とのリニアリティが重要とされる
ため、歪み履歴の小さい圧電材料を用いることが好まし
く、抗電界が10kV/mm以下の材料を用いることが
好ましい。
【0102】具体的な圧電材料としては、ジルコン酸
鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニ
オブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アン
チモンスズ酸鉛、マンガンタングステン酸鉛、コバルト
ニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビ
スマス、ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸スト
ロンチウムビスマス等の単独、又はこれらの適宜の混合
物等を挙げることができる。
【0103】特に、高い電気機械結合係数と圧電定数を
有し、圧電/電歪層22の焼結時における薄板部(セラ
ミックス)12a及び12bとの反応性が小さく、安定
した組成のものが得られる点において、ジルコン酸鉛、
チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材
料、又はチタン酸ナトリウムビスマスを主成分とする材
料が好適に用いられる。
【0104】更に、前記圧電材料に、ランタン、カルシ
ウム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バ
リウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウ
ム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、
イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等
の酸化物等を単独で、もしくは混合したセラミックスを
用いてもよい。
【0105】例えば、主成分であるジルコン酸鉛とチタ
ン酸鉛及びマグネシウムニオブ酸鉛に、ランタンやスト
ロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性
を調整可能となる等の利点を得られる場合がある。
【0106】なお、シリカ等のガラス化し易い材料の添
加は避けることが望ましい。なぜならば、シリカ等の材
料は、圧電/電歪層22の熱処理時に、圧電/電歪材料
と反応し易く、その組成を変動させ、圧電特性を劣化さ
せるからである。
【0107】一方、圧電/電歪素子18a及び18bの
一対の電極24及び26は、室温で固体であり、導電性
に優れた金属で構成されていることが好ましく、例えば
アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケ
ル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、パラ
ジウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステ
ン、イリジウム、白金、金、鉛等の金属単体、もしくは
これらの合金が用いられ、更に、これらに圧電/電歪層
22あるいは薄板部12a及び12bと同じ材料を分散
させたサーメット材料を用いてもよい。
【0108】圧電/電歪素子18a及び18bにおける
電極24及び26の材料選定は、圧電/電歪層22の形
成方法に依存して決定される。例えば薄板部12a及び
12b上に一方の電極24を形成した後、前記電極24
上に圧電/電歪層22を焼成により形成する場合は、一
方の電極24には、圧電/電歪層22の焼成温度におい
ても変化しない白金、パラジウム、白金−パラジウム合
金、銀−パラジウム合金等の高融点金属を使用する必要
があるが、圧電/電歪層22を形成した後に、前記圧電
/電歪層22上に形成される他方の電極26は、低温で
電極形成を行うことができるため、アルミニウム、金、
銀等の低融点金属を主成分として使用することができ
る。
【0109】また、電極24及び26の厚みは、少なか
らず圧電/電歪素子18a及び18bの変位を低下させ
る要因ともなるため、特に圧電/電歪層22の焼成後に
形成される電極には、焼成後に緻密でより薄い膜が得ら
れる有機金属ペースト、例えば金レジネートペースト、
白金レジネートペースト、銀レジネートペースト等の材
料を用いることが好ましい。
【0110】そして、この第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aは、超音波センサや加速度セン
サ、角速度センサや衝撃センサ、質量センサ等の各種セ
ンサに好適に利用でき、端面32a及び32bないし薄
板部12a及び12b間に取り付けられる物体のサイズ
を適宜調整することにより、センサの感度調整が容易に
なるという更なる利点がある。
【0111】また、圧電/電歪デバイス10Aの製造方
法においては、セラミック積層体82の表面に圧電/電
歪素子18a及び18bを形成する方法として、上述し
たスクリーン印刷法のほかに、ディッピング法、塗布
法、電気泳動法等の厚膜形成法や、イオンビーム法、ス
パッタリング法、真空蒸着、イオンプレーティング法、
化学気相成長法(CVD)、めっき等の薄膜形成法を用
いることができる。
【0112】このような膜形成法を用いて圧電/電歪素
子18a及び18bを形成することにより、接着剤を用
いることなく、圧電/電歪素子18a及び18bと薄板
部12a及び12bとを一体的に接合、配設することが
でき、信頼性、再現性を確保できると共に、集積化を容
易にすることができる。
【0113】この場合、厚膜形成法により圧電/電歪素
子18a及び18bを形成することが好ましい。特に、
圧電/電歪層22の形成において厚膜形成法を用いれ
ば、平均粒径0.01〜5μm、好ましくは0.05〜
3μmの圧電セラミックスの粒子、粉末を主成分とする
ペーストやスラリー、又はサスペンションやエマルジョ
ン、ゾル等を用いて膜化することができ、それを焼成す
ることによって良好な圧電/電歪特性を得ることができ
るからである。
【0114】なお、電気泳動法は、膜を高い密度で、か
つ、高い形状精度で形成できるという利点がある。ま
た、スクリーン印刷法は、膜形成とパターン形成とを同
時に行うことができるため、製造工程の簡略化に有利で
ある。
【0115】また、セラミック積層体82を切除する方
法としては、ダイシング加工、ワイヤソー加工等の機械
加工のほか、YAGレーザ、エキシマレーザ等のレーザ
加工や電子ビーム加工を適用することが可能である。
【0116】次に、第2の実施の形態に係る圧電/電歪
デバイス10Bについて図15を参照しながら説明す
る。
【0117】この第2の実施の形態に係る圧電/電歪デ
バイス10Bは、上述した第1の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Aとほぼ同様の構成を有するが、一
対の薄板部12a及び12bにおける各先端部分が内方
に向かって肉厚とされている点で異なる。
【0118】前記肉厚部分は、薄板部12a及び12b
の変位動作に伴って変位する可動部110a及び110
bとして機能することになる。なお、この可動部110
a及び110bの互いに対向する端面が取付面32a及
び32bとなる。また、可動部110a及び110bの
先端面と薄板部12a及び12bの先端面とはほぼ同一
面とされている。
【0119】そして、薄板部12a(及び12b)の内
壁面60と可動部110a(及び110b)の側面11
2とから構成される角部114に、付加部材116が設
けられている。この付加部材116は、薄板部12a
(12b)の内壁面60と短いセラミック板38の側面
62(図4参照)とから構成される角部40に設けられ
た付加部材42と同様に、その表面における縦断面でみ
た場合の曲線が、図4に示すように、1つの変曲点64
を有する自由曲線となっている。
【0120】従って、可動部110a及び110bの取
付面32a及び32b間に、光シャッタの遮蔽板や、磁
気ヘッド、磁気ヘッドを有するスライダ、スライダを有
するサスペンション等の位置決めを必要とする部材が取
り付けられた場合に、薄板部12a及び12bの変位動
作に伴う薄板部12a及び12bと可動部110a及び
110bとの境界部分(角部114)において応力集中
を発生させないようにすることができ、角部114での
強度劣化を抑制することができる。
【0121】次に、第3の実施の形態に係る圧電/電歪
デバイス10Cについて図16を参照しながら説明す
る。
【0122】この第3の実施の形態に係る圧電/電歪デ
バイス10Cは、上述した第2の実施の形態に係る圧電
/電歪デバイス10Bとほぼ同様の構成を有するが、可
動部110a及び110bの位置が固定部14寄りに配
置されている点で異なる。その関係で、例えば可動部1
10aと薄板部12aとの間には、2つの角部114A
及び114Bが存在することになるが、この第3の実施
の形態では、これら角部114A及び114Bにそれぞ
れ付加部材116A及び116Bが設けられて構成され
ている。
【0123】この場合、可動部110a及び110b
は、部品を取付面32a及び32b間に挟むように取り
付ける際に、取り付けに使用する接着剤の量(厚み)と
位置(接着面積)を規定するための機能をも果たすこと
になる。
【0124】なお、この発明に係るセラミック積層体、
セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧
電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体は、
上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱する
ことなく、種々の構成を採り得ることはもちろんであ
る。
【0125】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るセラ
ミック積層体及びその製造方法によれば、長さの異なる
複数のセラミック板を積層してなるセラミック積層体の
強度を高めることができ、しかも、長いセラミック板を
共振部材とした場合に、該共振部材の変位量や共振周波
数への影響を抑えることができる。
【0126】また、本発明に係る圧電/電歪デバイス及
びその製造方法によれば、圧電/電歪デバイスにおける
共振部分の強度を高めることができ、しかも、前記共振
部分の変位量や共振周波数への影響を抑えることができ
る。
【0127】また、本発明に係るセラミック焼結体によ
れば、長さの異なる複数のセラミック板を積層してなる
セラミック焼結体の強度を高めることができ、しかも、
長いセラミック板を共振部材とした場合に、該共振部材
の変位量や共振周波数への影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを
示す斜視図である。
【図2】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスを
示す正面図である。
【図3】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスに
おける圧電/電歪素子の部分を示す拡大断面図である。
【図4】薄板部と短いセラミック板とで形成される角部
を示す拡大斜視図である。
【図5】第1の実施の形態に係る圧電/電歪デバイスの
製造方法を示す工程ブロック図である。
【図6】後に薄板部となるセラミックグリーンシートを
示す斜視図である。
【図7】後に短いセラミック板となるセラミックグリー
ンシートを示す斜視図である。
【図8】後に固定部となるセラミックグリーンシートを
示す斜視図である。
【図9】第1及び第2の仮積層体を示す斜視図である。
【図10】図9におけるX−X線上の断面図である。
【図11】第3の仮積層体を示す斜視図である。
【図12】第1及び第2の仮積層体の角部に、後に付加
部材となるペーストを印刷する場合の工程を示す説明図
である。
【図13】第1〜第3の仮積層体を積層して、セラミッ
クグリーン積層体を作製する場合を示す説明図である。
【図14】セラミックグリーン積層体を焼成してセラミ
ック積層体とした後、圧電/電歪素子を形成した状態を
示す説明図である。
【図15】第2の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス
を示す斜視図である。
【図16】第3の実施の形態に係る圧電/電歪デバイス
を示す斜視図である。
【図17】セラミック積層体の角部に補強部材を形成し
た第1の提案例を示す断面図である。
【図18】セラミック積層体の角部に補強部材を形成し
た第2の提案例を示す断面図である。
【符号の説明】
10A、10B、10C…圧電/電歪デバイス 12a、12b…薄板部 14…固定部 16…セラミック基体 18a、18b
…圧電/電歪素子 36…切込み(切欠き) 38…短いセラ
ミック板 40…角部 42…付加部材 64…変曲点 70…セラミッ
ク積層体 96…第1の仮積層体 98…第2の仮
積層体 100…第3の仮積層体 102…ペース
ト 110a、110b…可動部 114、114
A、114B…角部 116、116A、116B…付加部材
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H02N 2/00 H01L 41/18 101C 101D 101Z (72)発明者 柴田 和義 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】長さの異なる複数のセラミック板が積層さ
    れたセラミック積層体において、 長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された
    短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲
    面を有する付加部材が設けられ、 前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以
    上の変曲点を有することを特徴とするセラミック積層
    体。
  2. 【請求項2】請求項1記載のセラミック積層体におい
    て、 長さの異なる3種類のセラミック板が、中央に長さの最
    も短いセラミック板が介在されて積層され、 長さが最も長いセラミック板の一主面と、該一主面上に
    積層された前記長さが最も短いセラミック板の側面とか
    ら構成される角部に前記付加部材が設けられていること
    を特徴とするセラミック積層体。
  3. 【請求項3】請求項1記載のセラミック積層体におい
    て、 前記短いセラミック板の厚みが前記長いセラミック板の
    厚みよりも大きいことを特徴とするセラミック積層体。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラ
    ミック積層体において、 前記付加部材の断面上における前記長いセラミック板と
    の接触長さと、前記付加部材の断面上における前記短い
    セラミック板との接触長さとがほぼ同じであることを特
    徴とするセラミック積層体。
  5. 【請求項5】請求項4記載のセラミック積層体におい
    て、 前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板と
    の接触長さが、該短いセラミック板の厚みの1〜1/5
    倍であることを特徴とするセラミック積層体。
  6. 【請求項6】請求項4記載のセラミック積層体におい
    て、 前記付加部材の断面上における前記長いセラミック板と
    の接触長さが、前記短いセラミック板の厚みの10〜1
    /5倍であることを特徴とするセラミック積層体。
  7. 【請求項7】請求項4〜6のいずれか1項に記載のセラ
    ミック積層体において、 前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板と
    の接触長さが1〜50μmであることを特徴とするセラ
    ミック積層体。
  8. 【請求項8】請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラ
    ミック積層体において、 前記付加部材の断面上における前記短いセラミック板と
    の接触長さが、前記長いセラミック板との接触長さより
    も短いことを特徴とするセラミック積層体。
  9. 【請求項9】請求項1〜8のいずれか1項に記載のセラ
    ミック積層体において、 前記長いセラミック板の厚みが3〜300μmであるこ
    とを特徴とするセラミック積層体。
  10. 【請求項10】請求項1〜9のいずれか1項に記載のセ
    ラミック積層体において、 前記付加部材がセラミック材料で構成されていることを
    特徴とするセラミック積層体。
  11. 【請求項11】請求項1〜9のいずれか1項に記載のセ
    ラミック積層体において、 前記付加部材が前記長いセラミック板あるいは前記短い
    セラミック板と同じ材料で構成されていることを特徴と
    するセラミック積層体。
  12. 【請求項12】請求項1〜9のいずれか1項に記載のセ
    ラミック積層体において、 前記付加部材が金属材料あるいは金属材料を含む材料で
    構成されていることを特徴とするセラミック積層体。
  13. 【請求項13】請求項1〜9のいずれか1項に記載のセ
    ラミック積層体において、 前記付加部材がサーメット材料で構成されていることを
    特徴とするセラミック積層体。
  14. 【請求項14】長さの異なる複数のセラミック板が積層
    されたセラミック積層体を有するセラミック焼結体にお
    いて、 長いセラミック板の一主面と、該一主面上に積層された
    短いセラミック板の側面とから構成される角部に、湾曲
    面を有するセラミック製の付加部材が設けられ、 前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以
    上の変曲点を有し、 これら長いセラミック板、短いセラミック板及び付加部
    材が一体焼結されていることを特徴とするセラミック焼
    結体。
  15. 【請求項15】長さの異なる複数のセラミック板が積層
    されたセラミック積層体であって、長いセラミック板の
    一主面と該一主面上に積層された短いセラミック板の側
    面とから構成される角部に、湾曲面を有する付加部材が
    設けられ、該付加部材の表面が、断面方向からみた際
    に、1つ以上の変曲点を有するセラミック積層体の製造
    方法において、 前記長いセラミック板となる第1のセラミックグリーン
    シートと前記短いセラミック板となる第2のセラミック
    グリーンシートとを積層してセラミックグリーン積層体
    とする工程と、 前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主
    面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシート
    の側面とから構成される角部に、前記付加部材のための
    ペーストを充填する工程と、 前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化して前記セ
    ラミック積層体を作製する工程とを有することを特徴と
    するセラミック積層体の製造方法。
  16. 【請求項16】長さの異なる複数のセラミック板を多数
    積層してなるセラミック積層体を基体として使用する圧
    電/電歪デバイスにおいて、 前記セラミック積層体は、長いセラミック板の一主面
    と、該一主面上に積層された短いセラミック板の側面と
    から構成される角部に湾曲面を有する付加部材が設けら
    れ、 前記付加部材の表面は、断面方向からみた際に、1つ以
    上の変曲点を有することを特徴とする圧電/電歪デバイ
    ス。
  17. 【請求項17】請求項16記載の圧電/電歪デバイスに
    おいて、 前記セラミック積層体からなる基体上に圧電/電歪素子
    が形成され、 前記基体は、前記長いセラミック板にて構成された薄板
    部と、前記短いセラミック板にて構成された固定部とを
    有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。
  18. 【請求項18】請求項17記載の圧電/電歪デバイスに
    おいて、 前記圧電/電歪素子は、前記薄板部の他主面のうち、前
    記固定部の一部と対応する部分を含む面上に配置されて
    いることを特徴とする圧電/電歪デバイス。
  19. 【請求項19】請求項17又は18記載の圧電/電歪デ
    バイスにおいて、 前記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い
    違いに櫛歯状に積層された構造を有することを特徴とす
    る圧電/電歪デバイス。
  20. 【請求項20】請求項17〜19のいずれか1項に記載
    の圧電/電歪デバイスにおいて、 前記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極層とが互い
    違いに櫛歯状に4層以上積層された構造を有することを
    特徴とする圧電/電歪デバイス。
  21. 【請求項21】請求項16〜20のいずれか1項に記載
    の圧電/電歪デバイスにおいて、 前記基体は、前記長いセラミック板にて構成された一対
    の薄板部と、該一対の薄板部の間に介在され前記短いセ
    ラミック板にて構成された固定部と、前記一対の薄板部
    の端部間に介在され前記短いセラミック板にて構成され
    た可動部とを有することを特徴とする圧電/電歪デバイ
    ス。
  22. 【請求項22】長さの異なる複数のセラミック板を多数
    積層してなるセラミック積層体を基体として使用し、該
    基体上に圧電/電歪素子が形成され、前記長いセラミッ
    ク板にて構成された一対の薄板部と、該一対の薄板部の
    間に介在され前記短いセラミック板にて構成された固定
    部と、前記一対の薄板部の端部間に介在され前記短いセ
    ラミック板にて構成された可動部とを有する圧電/電歪
    デバイスの製造方法において、 後に前記薄板部を構成する前記長いセラミック板となる
    第1のセラミックグリーンシートと前記固定部及び/又
    は可動部を構成する前記短いセラミック板となる第2の
    セラミックグリーンシートとを積層する工程と、 前記第1のセラミックグリーンシートの一主面と該一主
    面上に積層された前記第2のセラミックグリーンシート
    の側面とから構成される角部に、後に断面上1つ以上の
    変曲点を有する湾曲面を含む付加部材を形成するための
    ペーストを充填する工程と、 前記複数のセラミックグリーンシートを更に積層してセ
    ラミックグリーン積層体とする工程と、 前記セラミックグリーン積層体を焼成一体化してセラミ
    ック積層体とする工程と、 前記セラミック積層体上に前記圧電/電歪素子を形成
    し、焼成した後、不要な部分を切除して前記圧電/電歪
    デバイスを作製する工程とを有することを特徴とする圧
    電/電歪デバイスの製造方法。
JP2002182063A 2001-09-11 2002-06-21 セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体 Expired - Fee Related JP4038400B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/236,866 US7069630B2 (en) 2001-09-11 2002-09-06 Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device
US10/862,596 US7062825B2 (en) 2001-09-11 2004-06-07 Method of manufacturing a ceramic stack
US11/376,859 US7141916B2 (en) 2001-09-11 2006-03-16 Ceramic stack and a piezoelectric/electrostrictive device including same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US32218501P 2001-09-11 2001-09-11
US60/322185 2001-09-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003142746A true JP2003142746A (ja) 2003-05-16
JP4038400B2 JP4038400B2 (ja) 2008-01-23

Family

ID=23253780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002182063A Expired - Fee Related JP4038400B2 (ja) 2001-09-11 2002-06-21 セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体

Country Status (2)

Country Link
US (7) US7069630B2 (ja)
JP (1) JP4038400B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258280A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Tdk Corp 積層型圧電素子

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4058223B2 (ja) * 1999-10-01 2008-03-05 日本碍子株式会社 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
JP3965515B2 (ja) * 1999-10-01 2007-08-29 日本碍子株式会社 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
WO2001026167A1 (fr) * 1999-10-01 2001-04-12 Ngk Insulators, Ltd. Dispositif piezo-electrique / electrostrictif et procede de fabrication correspondant
JP4038400B2 (ja) * 2001-09-11 2008-01-23 日本碍子株式会社 セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体
CN1829082B (zh) * 2005-03-04 2010-05-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 声表面波器件及多频移动电话
JP4504237B2 (ja) * 2005-03-18 2010-07-14 富士通株式会社 ウエットエッチング方法、マイクロ可動素子製造方法、およびマイクロ可動素子
KR100747459B1 (ko) * 2005-10-21 2007-08-09 엘지전자 주식회사 모듈의 충돌 방지가 보장되는 멀티태스킹 방법 및 이동단말기
US8669694B2 (en) * 2005-11-29 2014-03-11 Kyocera Corporation Multi-layer electronic component and method for manufacturing the same
US7545084B2 (en) * 2006-07-20 2009-06-09 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of producing the same
US20080218972A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Ioan Sauciuc Cooling device, system containing same, and cooling method
US7948075B2 (en) * 2008-03-10 2011-05-24 Hitachi Metals, Ltd. Silicon nitride substrate, method of manufacturing the same, and silicon nitride circuit board and semiconductor module using the same
US8022601B2 (en) * 2008-03-17 2011-09-20 Georgia Tech Research Corporation Piezoelectric-coated carbon nanotube generators
JP4640459B2 (ja) * 2008-07-04 2011-03-02 ソニー株式会社 角速度センサ
DE102009043220A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Epcos Ag Piezoelektrisches Bauelement
DE102010005906A1 (de) * 2010-01-27 2011-07-28 Epcos Ag, 81669 Piezoelektrisches Bauelement
US8659207B2 (en) * 2011-11-24 2014-02-25 Htc Corporation Electronic device and adjustment method thereof
CN102545692B (zh) * 2012-01-18 2015-01-07 厦门大学 基于压电静电的复合式振动能量收集器
US12000740B2 (en) * 2020-11-17 2024-06-04 Board Of Trustees Of Michigan State University Sensor apparatus
US12015003B2 (en) 2021-09-29 2024-06-18 International Business Machines Corporation High density interconnection and wiring layers, package structures, and integration methods

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3336529A (en) * 1962-12-03 1967-08-15 Lockheed Aircraft Corp Vibrating reed frequency responsive device
GB1207974A (en) * 1966-11-17 1970-10-07 Clevite Corp Frequency selective apparatus including a piezoelectric device
JPS6230773Y2 (ja) * 1980-12-19 1987-08-07
DE3332949A1 (de) * 1983-09-13 1985-04-04 Finnigan MAT GmbH, 2800 Bremen Vorrichtung zur einstellung von spaltweiten bei spektrometern
JPS60135756A (ja) * 1983-12-24 1985-07-19 Ngk Insulators Ltd 電気化学的セルの製造方法
US4610475A (en) * 1984-09-06 1986-09-09 Microflex Technology, Inc. Piezoelectric polymer micromanipulator
JPH02262383A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Toyota Motor Corp 積層型圧電素子の製造方法
JP2518703B2 (ja) * 1989-11-02 1996-07-31 堺化学工業株式会社 積層型複合圧電体およびその製造方法
JPH04214686A (ja) * 1990-10-05 1992-08-05 Nec Corp 電歪効果素子
US5300852A (en) * 1991-10-04 1994-04-05 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Piezoelectric ceramic laminate device
JP3091280B2 (ja) * 1991-11-19 2000-09-25 日本電信電話株式会社 中空セラミックス板の製造方法
US5288351A (en) * 1991-12-02 1994-02-22 Motorola, Inc. Silver paste sintering method for bonding ceramic surfaces
JP3203788B2 (ja) * 1992-07-24 2001-08-27 オムロン株式会社 物理量センサ及びその製造方法
US5500777A (en) * 1993-05-19 1996-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic head drive which uses independently controlled piezo-electric elements
US5468290A (en) * 1994-07-29 1995-11-21 Caterpillar Inc. Ceramic adhesive
JP3501860B2 (ja) * 1994-12-21 2004-03-02 日本碍子株式会社 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法
JP3585310B2 (ja) * 1996-02-20 2004-11-04 日本碍子株式会社 マルチダイヤフラム構造体の製造法
JP3419244B2 (ja) * 1996-05-24 2003-06-23 株式会社村田製作所 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法
US6476539B1 (en) * 1999-10-01 2002-11-05 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device
US6455981B1 (en) 1999-10-01 2002-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same
JP4058223B2 (ja) 1999-10-01 2008-03-05 日本碍子株式会社 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
US6333681B1 (en) * 1999-10-01 2001-12-25 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device
WO2001026167A1 (fr) 1999-10-01 2001-04-12 Ngk Insulators, Ltd. Dispositif piezo-electrique / electrostrictif et procede de fabrication correspondant
US6351056B1 (en) * 1999-10-01 2002-02-26 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device having mutually opposing thin plate portions
WO2001026168A1 (fr) * 1999-10-01 2001-04-12 Ngk Insulators, Ltd. Dispositif piezo-electrique / electrostrictif
US6525448B1 (en) * 1999-10-01 2003-02-25 Ngk Insulators Ltd Piezoelectric/electrostrictive device
JP2001284673A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Taiyo Yuden Co Ltd 圧電トランス
JP3676185B2 (ja) * 2000-04-14 2005-07-27 シャープ株式会社 半導体装置
JP3741027B2 (ja) * 2001-01-10 2006-02-01 株式会社村田製作所 振動子およびそれを用いた振動ジャイロおよびそれを用いた電子装置
JP4038400B2 (ja) * 2001-09-11 2008-01-23 日本碍子株式会社 セラミック積層体、セラミック積層体の製造方法、圧電/電歪デバイス、圧電/電歪デバイスの製造方法及びセラミック焼結体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258280A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Tdk Corp 積層型圧電素子

Also Published As

Publication number Publication date
US20050093402A1 (en) 2005-05-05
JP4038400B2 (ja) 2008-01-23
US20060170306A1 (en) 2006-08-03
US7141916B2 (en) 2006-11-28
US20040251786A1 (en) 2004-12-16
US20030062806A1 (en) 2003-04-03
US20030067250A1 (en) 2003-04-10
US7069630B2 (en) 2006-07-04
US7062825B2 (en) 2006-06-20
US20060119221A1 (en) 2006-06-08
US7015626B2 (en) 2006-03-21
US6897600B2 (en) 2005-05-24
US6858971B2 (en) 2005-02-22
US7180226B2 (en) 2007-02-20
US20030062805A1 (en) 2003-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7141916B2 (en) Ceramic stack and a piezoelectric/electrostrictive device including same
US7336020B2 (en) Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same
US6448691B1 (en) Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same
JP3436727B2 (ja) 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
JP4053822B2 (ja) 圧電/電歪デバイスとその製造方法
WO2004109819A1 (ja) 圧電/電歪素子及びその製造方法
JP3965515B2 (ja) 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
JP2002314157A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2002299713A (ja) 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法
JP4067491B2 (ja) 圧電/電歪デバイスの製造方法
JP4756013B2 (ja) 圧電/電歪デバイス
JP3436725B2 (ja) 圧電/電歪デバイス及びその製造方法
JP4562756B2 (ja) 圧電/電歪デバイス
JP3999132B2 (ja) 圧電/電歪デバイス
JP4015909B2 (ja) 圧電/電歪デバイス
US20050035688A1 (en) Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same
JP2001274473A (ja) 圧電/電歪デバイス
JP2003163386A (ja) 圧電/電歪デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040409

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071005

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees