JP2009004022A - 磁気データ消去装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とが並存する時代に、需要者にとって望ましい、磁気データ消去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ハードディスク５１を格納するための格納部１５と、磁気記録媒体の磁気データを消去するための磁場を発生する２つのコイル１，６１と、１つまたは２つ以上のコンデンサ２と、１つの操作スイッチ４５とを備え、操作スイッチの１回のオン操作によって、コンデンサに蓄積された電荷を放出して、２つコイルに、格納部に格納された磁気記録媒体の板面水平方向および板面垂直方向の両方に、磁気データを消去するためのパルス磁場を生じ、２つのコイルが、板面平行方向に磁場を発生する平行方向磁場コイルと、板面垂直方向に磁場を発生する垂直方向磁場コイルとから形成されることを特徴とする。
【選択図】 図２２

Description

本発明は、磁気データ消去装置に関し、より具体的には、平行磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体が並存する時代に望ましい、磁気データ消去装置に関するものである。

磁気テープ、固定ディスク等の磁気記録媒体は大量のデータを書き込み、蓄積できるため、現代社会のあらゆる分野で大量に使用されている。そして、保管期限が過ぎた磁気記録媒体の廃棄にあたっては、個人情報の漏洩などのおそれがあるため、書き込まれたデータを完全に消去する必要がある。磁気記録媒体の磁気データ消去に関しては、従来から多くの装置が提案されている。たとえば空芯コイルの中に磁気テープを格納し、空芯コイルに正弦波交番電流を流すことにより、そのピーク値が漸減する交番磁界を磁気テープにかけて、磁気データを消去する方式が提案されている（特許文献１）。

大型の磁気テープの磁気データを消去するには広いスペースを持つ空芯コイルに高い磁場を形成する必要があり、このため電源部のコンデンサ等を含めて装置を大掛かりにしなければならない。しかし、装置を大型化すると商品価値が低下するので、大型化を抑制するための提案がなされている。たとえば、大型の磁気テープを部分的に空芯コイルに収納しては交番減衰磁場をかけ、位置をずらしながら磁気テープ全体の磁気データを消去する装置の提案がなされている（特許文献２）。このような装置によれば、比較的小さなコイルやコンデンサを用いて、大型磁気テープのデータを消去することが可能となる。このほか、磁気テープではなくハードディスクに書き込まれた磁気データを、消去するための装置の提案もなされている（特許文献３）。
特開昭６１−１７０９０４号公報 特開平２−１３２６０４号公報 実用新案登録３０８３６８３号

上記の先行発明は、磁気データ消去用の磁場の時間パターンに考え方の大きな相違はあるが、板状の磁気記録媒体の面に平行に記憶媒体材料の磁化容易軸方向を配置して、記録媒体の磁化の方向を磁化容易軸方向に平行か反平行かにすることで二値（デジタル）情報を記録する点では共通する。これらはいずれも水平磁気記録方式である。近年の磁気記録媒体材料の技術進歩によって、水平磁気記録方式より高密度の記録が可能な垂直磁気記憶方式の記録媒体が、実用化された。垂直磁気記録方式では、記録媒体材料の磁化容易軸を板面に垂直に配置して、記録媒体の磁化方向を、磁化容易軸方向に平行または反平行にすることで、二値情報を記憶する。垂直磁気記録方式の記憶媒体は、記憶装置を小型化できるため、急速に利用が拡大している。一方、低価格を理由に、従来の水平磁気記録媒体の利用も依然として、継続している。したがって、現在および将来にわたって、水平磁気記録方式の記録媒体と、垂直磁気記録方式の記録媒体とが並存することになる。

上記のように、水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とが並存する時代に、どのような磁気データ消去装置が望ましいのか、模索状態にあり、現在のところ不明である。すなわち、いかなるコンセプトの基に磁気データ消去装置を構成すべきか、不明の状態にある。本発明は、水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とが並存する時代に、需要者にとって望ましい、磁気データ消去装置を提供することを目的とする。なお、水平記録方式又は垂直記録方式は、水平方式又は垂直方式と略記される場合がある。

本発明の磁気データ消去装置は、水平方式及び垂直方式の磁気記録媒体の磁気データを消去するための磁気データ消去装置である。この装置は、磁気記録媒体を格納するための格納部と、格納部を含むように位置し、磁気データを消去するための磁場を発生する１つ又は２つのコイルと、１つ又は２つのコイルに電流を供給するための電荷を蓄積する１つまたは２つ以上のコンデンサと、磁気データ消去装置を作動させるための１つの操作スイッチとを備える。そして操作スイッチの１回のオン操作によって、１つ又は２つ以上のコンデンサに蓄積された電荷を放出して、１つ又は２つのコイルに、格納部に格納された磁気記録媒体の板面平行方向および板面垂直方向の両方に、磁気データを消去するためのパルス磁場を生じることを特徴とする。

上記の構成によれば、磁気記録媒体が水平方式か垂直方式かを知らなくても、単に磁気記録媒体を格納部に格納して、１回のオン操作をするだけで、磁気記録媒体の板面平行方向および垂直方向に磁場成分を発生し、磁気データを消去することができる。この場合、２つの方式の磁気データ消去装置を使い分けたり、磁気記録媒体の記録方式を判定する必要がないので、消去作業の能率を阻害することがなく、かつ個人情報の未消去などのミスのリスクを低減することができる。磁気記録媒体は、型式符号のみで識別され、流通過程にある取引者でないと、容易には型式符号のみで水平方式か垂直方式か判別できない。磁気データ消去装置を操作する者は、磁気記録媒体の流通過程にある取引者ではないので、型式符号のみで記録方式を容易には判別できない。上記の磁気データ消去装置が、「水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とが並存する時代に、磁気データ消去装置の操作者が、消去対象の磁気記録媒体の磁気記録方式を知らずとも、その磁気データを消去することができる。」という概念のもとに創られた磁気データ消去装置である。なお、水平方式又は垂直方式などにおける、「水平」又は「垂直」は、記録媒体の面に平行又は直交と同じことを意味し、重力場の方向等とは無関係である。

上記の格納部に格納された磁気記録媒体の板面平行方向に磁場を発生する平行方向磁場コイルと、該平行方向磁場コイルの軸芯と直交する軸芯を有し、磁気記録媒体の板面垂直方向に磁場を発生する垂直方向磁場コイルとを備えることができる。この構成によって、水平方式の磁気記録媒体の場合は、平行方向磁場コイルが消去の主分担をし、また垂直方式の磁気記録媒体の場合は、垂直方向磁場コイルが消去の主分担をして、操作者がどちらの方式の磁気記録媒体か知ることなく、磁気記録媒体の磁気データを消去することができる。

上記の垂直方向磁場コイルは、第１の部分と、該第１の部分に電気的に直列接続し、該第１の部分と同じ軸芯方向を持ち、該第１の部分から間をあけて位置する第２の部分とを有し、格納部が、コイルの第１の部分と第２の部分との間に設けられている構成をとることができる。これによって、垂直方向磁場コイルに十分な強度の、垂直方向磁場を発生させることができる。

上記のコンデンサは、平行方向磁場コイルに並列接続される平行磁場用コンデンサと、垂直方向磁場コイルに並列接続される垂直磁場用コンデンサとから構成され、該平行磁場用及び垂直磁場用コンデンサから電荷を放出するための放電素子として、平行磁場用コンデンサから平行方向磁場コイルに電荷を流すための平行磁場用サイリスタと、垂直磁場用コンデンサから垂直方向磁場コイルに電荷を流すための垂直磁場用サイリスタとを備えることができる。この構成によって、回路構成の簡単さを得ながら、１回のオン操作で、２つのコイルへ、ほとんど瞬時に又は同時に電流を流す制御を、確実に行うことができる。

上記の平行方向及び垂直方向磁場コイルに電流を流すための制御を行う制御部を備え、制御部は、操作スイッチの１回のオン操作によって、平行磁場用サイリスタと垂直磁場用サイリスタとが、所定の時間をあけて又は同時に、導通するように制御する構成をとることができる。これによって、操作者にとっては、従来の磁気データ消去作業と同じ感覚で、また同じ作業能率で、作業を遂行することができる。

上記のいくつかの装置とは別の磁気データ消去装置では、１つのコイルを備え、コイルの軸芯方向が、格納部に収納された磁気記録媒体の板面垂直方向と、０°超え９０°未満の角度をなすように配置された構成をとることができる。この構成によれば、１つのコイル内に磁気記録媒体を斜め配置して、磁場の方向を磁気記録媒体の板面垂直方向から傾くようにして、１発のパルス磁場により、板面平行方向成分と垂直方向成分との両方を生じることができる。この構成によっても、平行か垂直か記録方式を知ることなく、磁気記録媒体の磁気データを確実に消去することができる。

上記のコイルの軸芯方向が板面垂直方向に対して４５°±３５°の範囲内の角度をなすように配置される構成にしてもよい。これによって、格納部に格納される磁気記録媒体について、水平方式および垂直方式のいずれかに偏ることなく、いずれの方式の場合にも対応するように、同等の強さの磁場を発生することができる。なお、上記の角度範囲は１０°〜８０°と広い範囲になるが、後で説明するように、磁気記録媒体の容易磁化方向への磁場の方向変化により、斜め配置における広い角度範囲に対応することができる。しかし、いずれの方式の場合にも同等の磁場を発生する観点からは、上記の範囲は、４５°±２５°とするのが好ましい。

上記の１つのコイルを傾けた磁気データ消去装置は、コイルの外において磁気記録媒体を装着する際の格納部の装着位置と、コイルに含まれてパルス磁場を加えられる際の格納部の消去位置とを、格納部が移動できるように、格納部移動機構を備えることができる。これによって、磁気記録媒体の傾きの精度を高め、板面平行方向と板面垂直方向とに、正確に意図したとおりの磁場成分を発生することができる。また磁気記録媒体を装着する際の操作性を向上することができる。

上述のすべての磁気データ消去装置において、上記の１つ又は２つのコイルは、いずれも軸芯の中央部に、磁束密度のピーク値が０．４Ｔ〜１．２Ｔであり、かつ磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間が４ｍｓ〜４５ｍｓであるパルス磁場を形成することができる。

上記のパルス磁場を磁気記録部に十分深く浸透させ、磁化の方向を変えるには、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は、４ｍｓ以上は必要である。０．４Ｔ以上の継続時間が４ｍｓ未満では、パルス磁場は十分深く浸透せず、また磁化の方向が変わり始めても、完全に変わるには至らず、パルス磁場の継続時間が終了すると、磁場をかける前の磁化配列が復活してしまい、磁気データの破壊は不完全なものとなる。磁気記録媒体のなかには磁化の方向変化がしにくい材料で形成された磁気記録部を持つものもあり、そのような場合には、ピークの磁束密度は０．６Ｔ以上必要である。その場合、磁束密度０．６Ｔ以上の継続時間は３ｍｓ以上とするのがよい。

上記のパルス磁場の磁束密度のピーク値は、上述のように０．４Ｔ以上であれば高いほど好ましく、０．６Ｔ以上とするほうがよいが、あまり高くすると、コンデンサ容量、パルス磁場発生時の衝撃荷重等が過大になるなど、弊害が大きくなるので、１．２Ｔ以下とする。また、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は４ｍｓ以上、たとえば７ｍｓ以上とするのが確実に磁化方向を変化させる上で好ましいが、コンデンサ容量の制限から４５ｍｓ以下とする。上述のように、磁束密度０．６Ｔ以上とする場合には、０．６Ｔ以上の継続時間は３５ｍｓ以下とする。

上記の構成によれば、上記の両方式の磁気記録媒体のいずれであっても、上記のパルス磁場は、磁気データの消去に十分な強度の磁場であり、１回のオン操作で確実に磁気データを消去することができる。

上述のすべての磁気データ消去装置において、上記の１つ又は２つのコイルに、並列に順方向にダイオードが配置された構成をとることができる。これによれば、コンデンサで放電された電荷は過渡電流となってコイルを流れ、１発目のパルス磁場を形成した後、コンデンサの負極にも流れ込むが、ある程度負極側に電荷が蓄積され、負極側の電位が高くなるとコイルの正側、すなわちコンデンサの正極側にも流れる。このためコンデンサの正極から放電しながらコイルの負側から電荷の補充がなされるので、コイルを流れるパルス電流の継続時間が長くなり、その結果、パルス磁場の継続時間も長くなる。磁気データの磁化配列を破壊するには、パルス磁場の継続時間が長いほうが好ましく、確実に磁気データを消去することができる。また、このようなダイオードの配置により、電荷の放電後にコンデンサに高い逆電圧が印加される事態を避けることができ、コンデンサの寿命を長くすることができる。ダイオードという非常に簡単な素子により、上記のような２つの重要な作用（磁場継続時間の延長、コンデンサの長寿命化）を得ることができる。このダイオードは、整流作用がある各種の回路または素子により、当然、置き換えることができる。

上述のすべての磁気データ消去装置において、１つ又は２つのコイルは、いずれも、電気抵抗が０．２ｍΩ〜１５０ｍΩ、インダクタンスが０．３ｍＨ〜１．３ｍＨ、１／（Ｌ・Ｃ）^１／２が２５０（１／秒）〜６５０（１／秒）の範囲内にあり、１つ又は２つ以上のコンデンサの容量が、７０００μＦ以上であるものを用いることができる。コンデンサの容量は、過渡電流のピーク値を決め、電流とほぼ正比例関係にあるパルス磁場の強さのピーク値を決め、また、コイルのインダクタンスとともに所定値以上の磁束密度の継続時間を決める。コンデンサ容量を７０００μＦ以上と大きくすることにより、コイルの空芯内（格納部）に、高い磁束密度のピーク値のパルス磁場を形成し、その所定値以上の磁束密度の継続時間を長くすることができる。磁気データの消去に際しては、デジタル信号に対応する磁化配列が形成された磁気記録部に強磁場を浸透させ、その磁化配列を強制的に揃えるのに必要な時間、強磁場を継続しておく必要がある。上記の１／（Ｌ・Ｃ）^１／２は小さいほうが、パルス状過渡電流の巾（継続時間）を長くでき、上記の範囲にすることにより、各種の磁気記録媒体の磁気データを確実に消去することができる。１／（Ｌ・Ｃ）^１／２が２５０（１／秒）未満ではコンデンサ容量やコイルのインダクタンスを大きくしなければならず、科学研究プロジェクト用にはともかく、本発明の通常の用途には不適切な大掛かりな構成となってしまう。また、１／（Ｌ・Ｃ）^１／２が６５０（１／秒）を超えると、パルス磁場の継続時間が短くなりすぎて、磁化配列を完全に破壊することができなくなる。さらに、コイルのインダクタンスを確保した上で、コイルの電気抵抗を１５０ｍΩ以下とすることにより、最初のピーク磁束密度の急峻な低下すなわち継続時間の短縮を防ぐことができ、磁気データの確実な消去を促進することができる。コイルの電気抵抗は、銅線を使う限りゼロにすることはできず、コイルのインダクタンスを確保しながら極力低くしても０．２ｍΩが限度であるので、０．２ｍΩを下限とする。

上記のコイル及びコンデンサによって、ハードディスクなどの磁気記録部の表面から高い磁場を所定深さまで浸透させ、磁化の方向の変動を未遂に終わらせないようにできる。この結果、磁気記録部におけるデジタル化された磁化配列を確実に破壊して、磁気データを消去することができる。また、磁気データ消去を繰り返し連続して行う場合のコイルでの発熱を抑えることができ、耐久性を向上できる。

上述のすべての磁気データ消去装置において、コンデンサの充電のための電流経路にトライアックを用いることができる。この構成により、一般電源から大きな電流をコンデンサに流すことができるので、短時間でコンデンサを充電することができ、多数の磁気記録媒体の消去作業において、作業の能率向上に多大な貢献をすることができる。また、コンデンサは充電後に漏電のため最適充電状態から低くなるが、トライアックはコンデンサの電圧を取り込んで自動補充できるので、大きく電荷を減らして補充電のために多くの時間を費やす事態を避けることができる。また、上記のコンデンサの充電のための電流経路に昇圧用トランスを配置しないようにしてもよい。トランスを充電回路に組み込んで昇圧に用いると充電に非常に時間がかかり、繰り返し消去作業の能率を阻害する。このため、できればトランスは充電回路には用いないほうがよい。

本発明の磁気データ消去装置によれば、水平磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とが並存する時代に、需要者にとって望ましい機能が付与される。すなわち消去対象の磁気記録媒体が垂直方式か又は水平方式かを判定する必要なく、１回のオン操作により、磁気データを消去することができる。

（本発明のポイント）
（１）磁気記録媒体
図１は、磁気記録媒体であるハードディスクを示す図である。ハードディスク５１では、渦巻状のトラック５８に沿って磁気データの磁化配列が形成されている。渦巻状のトラック５８は、回転軸５７の回りに回転する円板に形成されている。円板の回転に合わせて磁気ヘッド５９が、トラックを追尾して磁気データの書込みおよび読出しを行う。磁気データの書込みは、磁化容易軸方向に沿って、単位領域ごとに平行磁化（たとえば０に対応）または反平行磁化（平行が０の場合は１に対応）の配列を形成することと同じである。また、読出しは、上記の磁化配列の配列を検知することと同じである。図１に示すハードディスク５１は、垂直記録方式にもまた水平記録方式にも用いられる一般的な構造である。水平記録方式の場合は、トラック５８に沿って形成される平行または反平行の磁化の方向が、ｘ−ｙ面内のトラックの方向に沿っている。一方、垂直記録方式の場合は、上記の平行または反平行の磁化の方向はｚ方向すなわちトラック面に垂直方向である。

図２は、水平記録方式の記録媒体であるハードディスク５１の磁化配列を示す断面図である。ガラス基板５２の上に各種の下地層を形成し、その下地層の上に水平方向の磁化配列層５５が配置される。磁化配列層５５の上に保護膜５６が配置される。図１と合わせて見ると、この水平方向の平行または反平行の磁化は、渦巻状のトラック５８に沿っている。単位領域の磁化容易軸方向は、渦巻のどの部分に位置するかによって変わってくる。

図３は、垂直記録方式の記録媒体であるハードディスク５１の磁化配列を例示する断面図である。ガラス基板５２の上に分厚い軟磁性層５３を配置して、その上に下地層を介在させて磁化配列層５５を設け、保護膜５６で覆っている。磁化配列の平行または反平行の磁化方向は、トラック面であるｘ−ｙ面に垂直であり、すなわちｚ方向に揃っている。垂直記録方式のハードディスク５１では、書込み等において薄い面状の記録層５５に垂直に磁場をかけて平行磁化および反平行磁化の配列を形成するため、反磁場が大きく磁場が入りにくいので、分厚い軟磁性層５３を記録層５５の下層に設けて、反磁場が実質的に問題にならないように、小さくしている。

上記のような垂直記録方式のハードディスク５１に対して、パルス磁場は、上述のようにｘ−ｙ面に垂直、すなわちｚ方向にかける。このパルス磁場も、軟磁性層５３があるため、記録層５５における反磁場は小さくなり、垂直方向に確実に高い磁束密度のパルス磁場をかけることができる。垂直記録方式のハードディスク５１では、トラックのどの位置でも、平行または反平行の磁化は垂直である。上記のように、垂直記録方式のハードディスク５１には、垂直方向にパルス磁場をかけるので、トラックの位置によって磁気データの消去がしにくくなることはなく、パルス磁場が所定値以上の磁束密度および継続時間を持てば、磁気データを確実に消去することができる。

なお、水平記録方式のハードディスクに垂直方向のパルス磁場をかけてもハードディスクは問題なく稼動し、従って磁気データを消去することはできないことを確認している。また、垂直記録方式のハードディスクに水平方向のパルス磁場をかけても、同様に、磁気データを消去できないことを確認している。

（２）水平磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体が並存するときの問題点
上記の水平記録方式のハードディスク（水平方式ＨＤＤ）および垂直記録方式のハードディスク（垂直方式ＨＤＤ）は、いずれも型式記号等で表示され、水平記録方式なのか垂直記録方式なのか、特定が困難な場合が多い。また、磁気記録データを消去する立場から、たとえ水平記録方式または垂直記録方式の別が分かったとしても、従来の水平方式ＨＤＤの磁気データを消去する消去装置を用いるだけでは、垂直方式ＨＤＤの磁気データを消去することはできない。また、仮に垂直方式ＨＤＤ用の磁気データ消去装置があれば、水平方式ＨＤＤと垂直方式ＨＤＤとに応じて、２種類の磁気データ消去装置を使い分けることによって、水平方式ＨＤＤと垂直方式ＨＤＤの両方の磁気データを消去することができる。

（３）本発明の技術思想
上記のように消去対象のハードディスクが水平記録方式か垂直記録方式かを判別したり（調べても分からない場合もある）、２種類の磁気データ消去装置を使い分けることは、は作業能率を阻害し、磁気データ未消去のミスを発生しやすい。銀行、保険、通信販売、その他の個人情報を扱う企業は、個人情報の漏洩の防止には細心の注意を払っており、消去に不安を残す消去作業は、大きなリスクと隣り合わせにあるといわなければならない。上記の企業では膨大な数の磁気記録媒体をパソコンその他の事務処理器に使用しており、保管期限の過ぎた磁気記録媒体を大量に処分しなければならない。その処分に際して、膨大な数のハードディスク等の磁気データの消去が必要となる。

本発明の技術思想は、図４に示すとおりである。消去対象のハードディスク５１が水平記録方式か垂直記録方式かを判別する必要はない。どちらの記録方式でも、ハードディスク５１を磁気データ消去装置１０に装入した後、１回の消去操作によって、ハードディスク５１の平行方向及び垂直方向の磁場を、同時に又は時間（１秒未満、通常０．１秒未満）をおいて発生する。平行方向の磁場及び垂直方向の磁場の両方とも、対応する記録方式のハードディスク５１の磁気データを消去することができる強度の磁場とする。この結果、ハードディスクが水平記録方式か又は垂直記録方式か判別することなく、どちらの方式のハードディスクであっても、その磁気データを１回の操作で消去することができる。

（実施の形態１）
（１）装置の概要
本発明の実施の形態１における磁気データ消去装置１０を図５（ａ）及び（ｂ）に示す。図５（ａ）及び（ｂ）の磁気データ消去装置１０は、ハードディスク５１の水平方向及び垂直方向の磁場を同時に発生するように、ハードディスク５１の板面に斜めに磁場を発生する。磁場の強さを、水平方向及び垂直方向に均等にするために、コイル１の軸芯方向と、ハードディスク５１の板面垂直方向とは４５°になるように設定するのがよい。しかし、このあと説明するように、断定的な理由は不明であるが、板面垂直方向又は板面平行方向からわずかに傾けただけでも、本発明の目的を達成することができるので、４５°方向にこだわる必要はない。

図５（ａ）では、格納部１５は、コイル１の空芯部から外に出ており、ハードディスク５１の装着を行いやすくする。格納部１５は、高強度の樹脂やアルミニウム等の非磁性金属で形成するのがよい。格納部１５を保持する部分とコイル筐体とには蝶番４９が取り付けられ、格納部１５をコイル１の空芯部から外に出し（図５（ａ））、また格納部１５をコイル１の空芯部内に配置する（図５（ｂ））。両方の位置を回動させる蝶番等が、格納部移動機構を構成する。格納部１５の傾き等の精度を出すために、回動機構にストッパを付随させておくのがよい。

図６は、ハードディスク５１の面を、パルス磁場Ｈの方向に対して４５°よりも立てて配置する場合の、磁場Ｈの面平行方向成分Ｈp及び垂直成分Ｈvを示す図である。図６のようなハードディスク５１の配置の場合、ハードディスク５１が垂直方式ＨＤＤであれば、Ｈv＝Ｈｓｉｎθなので、磁気データの消去に有利となり、水平方式ＨＤＤに対しては磁気データ消去に不利となる。このため、ハードディスク５１の面直交方向を、磁場Ｈの方向に対して４５°としたときには、水平方式ＨＤＤ及び垂直方式ＨＤＤともに磁気データの消去ができたのに、図６の場合には、水平方式ＨＤＤの磁気データの消去がしにくいのではないかという疑念が生じるかもしれない。しかしながら、実際には、図６に示すような４５°方向からのずれがあっても、傾いてさえいれば、磁気データを消去することができる。

その理由は、断定的な結論ではないが、図７に示す機構（水平方式ＨＤＤの場合）に基づくと考えられる。すなわち、４５°よりも磁場Ｈに対して立っていても、ハードディスク５１が水平方式なので、磁化容易軸はハードディスク５１の面内方向に沿っている。このため、外部磁場であるパルス磁場Ｈは、空気とハードディスク５１との界面において、ハードディスク５１の磁化容易軸方向に向きを変え、ハードディスク５１の水平方向の成分が高くなり、水平方式ＨＤＤの磁気データを消去しやすくなる。また、ハードディスク５１が垂直方式ＨＤＤであって、その面内方向が図８に示すように、磁場Ｈに対して４５°より寝ている傾きの場合には、同図に示すように、界面において磁場Ｈの方向が面垂直方向に向かうように変化する。すなわち、垂直方式ＨＤＤの磁化容易軸方向である面垂直方向に沿うように、方向を変える。このため、垂直方式のハードディスク５１にとっては、４５°配置の場合よりも、かなりの程度、寝た傾きの場合（図８）でも、磁気データを消去することができる。

図５に示す磁気データ消去装置の変形例を、図９及び図１０に示す。コイルの座標軸は大文字のＸＹＺで表示しており、コイルの軸芯方向はＺ方向に平行である。図９及び図１０において、破線で示したハードディスク５１ｖは、コイル１の軸芯に平行な仮想的なものである。仮想的なハードディスク５１ｖに付随する小文字座標軸ｘｙｚのいずれの座標軸も、ハードディスク５１ｖの各面に垂直又は平行であり、斜め方向のものはない。これに比べて、実際のハードディスク５１では、上記小文字座標軸のｘ方向は、その板面方向に平行ではない。すなわち、ハードディスク５１の板面垂直方向はｚ方向に平行ではなく、９０°未満の角度をなしており、斜め配置である。図９及び図１０の場合ともに、ハードディスク５１の板面垂直方向とコイル軸芯方向とは、４５°をなす必要はなく、図７及び図８で説明した理由に基づき、４５°±３５°程度の範囲内であればよい。また、図９の場合は、端面から格納部１５に装入し、また図１０の場合は、ハードディスク５１の板面を傾けたまま面を平行移動させるように装入するが、装入の移動の仕方、または装着の途中での姿勢は問題ではない。たとえば図１０の場合、右側上方からハードディスク５１を斜めに滑らすように、格納部１５に装入してもよい。

（２）パルス磁場の時間パターン
図１１は、コンデンサを充電後に放電して、コイルを流れる電流および上記格納部の中央での磁束密度の測定データを示す図である。この磁束密度は、図６〜図８の磁場Ｈに対応する磁束密度である。図１１より、電流の変化と磁場の変化とは、ほぼ１対１に対応していることが分かる。本発明の実施の形態では、減衰する交番磁界を用いることはせず、最初（１発目）のパルス磁場によって磁気データを消去する。図１１では、最初のピークの磁束密度は０．９５Ｔであるが、本発明の実施の形態では、最初のパルス磁場の磁束密度のピーク値は０．４Ｔ〜１．２Ｔの範囲内にあればよい。また、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は３０ｍｓ強あるが、本発明の実施の形態では４ｍｓ〜４５ｍｓの範囲にあればよい。

図１１では最初のパルス磁場の後に、逆向きに継続時間が短く、かつピークも小さいパルス磁場が半周期だけ発生する。このような逆向きの半周期は、コンデンサの構成によって現れる場合と現れない場合があり、磁気データの消去の性能（試験結果）は、逆向きの半周期の有無によって影響されないことを確認している。図１１のように、継続時間が長いパルス磁場が生成する理由は、あとで説明するように、コイルの負側からコンデンサの正側に順方向のダイオードを配置している影響が大きい。

（３）コイルおよびコンデンサ
最初のパルス磁場が上記の条件：（１）最初のパルス磁場の磁束密度ピーク値が０．４Ｔ〜１．２Ｔ、（２）磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間が４ｍｓ〜４５ｍｓ、を満たす限り、どのような回路構成で実現してもよい。たとえば、コンデンサの容量ＣおよびコイルのキャパシタンスＬを大きくすることにより、上記（１）および（２）を満たすことができる。また、パルス磁場のピークを平坦にして継続時間を長くする場合には、コンデンサ（容量Ｃ）とコイル（インダクタンスＬ）とを直列接続したＬＣ部を１単位として、そのＬＣ部をｍ段重ねて、パルス磁場発生コイルに接続する。この回路構成によりパルス磁場のピークを平坦にしてその平坦部の継続時間を２ｍ（ＬＣ）^１／２とすることができる。そして、ピーク部分から裾を引くより低い磁場の強さの場合、さらに継続時間を伸ばすことができる。

図１２は、典型的なＬＣ回路によるパルス磁場発生装置を示す図である。コンデンサ２には充電回路３１からの電流が流れ込み、電荷が蓄積される。所定電荷が蓄積されてコンデンサの電圧が所定値に到達したとき、放電素子５によってコンデンサ２の電荷が放電されてコイル１に電流が流れ、コイル１の空芯内（格納部）にコイル軸芯方向のパルス磁場が形成される。コイル１も含めて電流路は銅線で形成されるが、電気抵抗はゼロとはならず、有限な電気抵抗３が付随する。

上記のコンデンサ２の容量または合成容量は７０００μＦ以上とするのが、磁束密度のピーク値を高める上でも、また０．４Ｔ以上の磁束密度の継続時間を長くする上でも好ましい。コンデンサ３の容量または合成容量の上限は１３０００μＦ程度とする。通常は、９０００μＦ〜１１０００μＦ程度の容量とする（図１３（ａ）参照）。コンデンサに蓄積する電荷量を多くする場合には、９０００μＦ〜１１０００μＦ程度のコンデンサを並列接続して用いるのがよい。たとえば、図１３（ｂ）に示すように、９０００μＦ〜１１０００μＦのコンデンサを２個並列接続したもの同士を直列接続して合計４個の９０００μＦ〜１１０００μＦのコンデンサを用いることにより、蓄積する電荷量を２倍にすることができる。

図１４は、平角のエナメル線２１を用いた場合のコイルの部分断面図である。ボビン１１の回りに、ワニス２１ｂなどで被覆された矩形断面の銅線２１ａが巻かれており、そのエナメル線の間の隙間が少なく、密に巻かれている。図１５は、丸断面のエナメル線２３を用いた場合のコイルの部分断面図である。ボビン１１の回りに、ワニス２３ｂで被覆された丸断面の銅線２３ａが巻かれているが、図１４の平角エナメル線に比べて、隙間が多くあり、占積率が低下していることが分かる。コイルの形成には丸断面のエナメル線を用いるのが普通であるが、平角エナメル線２１を用いることにより、占積率を向上させ、この結果、コイルの電流密度を高めることができ、ひいては高い磁束密度を空芯部（格納部）に形成することができる。上記の平角エナメル線の断面は、たとえば３ｍｍ×９ｍｍ（断面積２７ｍｍ^２）、２ｍｍ×５ｍｍ（断面積１０ｍｍ^２）などを用いることができる。このような平角エナメル線を用いてコイル（ターン数５０〜１５０）を形成して、コイルのインダクタンス０．３ｍＨ〜１．３ｍＨとした上で、電気抵抗は、たとえば０．２ｍΩ〜１５０ｍΩとするのがよい。

（４）継続時間の延長のための回路構成
図１６は、コイル１の空芯部に生成するパルス磁場の継続時間を長くするための回路構成を示す図である。ポイントは、コイル１のマイナス側からプラス側に向けて順方向のダイオード７を配置することにある。放電素子であるサイリスタ５は、ゲートＧに電圧が印加されると、カソードＫとアノードＡとが導通されてオン状態となる。ゲートＧへの電圧印加は、このあと説明する制御部からの電圧信号によりなされる。コンデンサ２の電圧は検知されており、充電されて所定電圧に到達すると、サイリスタ５のゲートに電圧が印加される。この結果、コンデンサ２は放電を開始してコイル１に電流を流す。

コイル１を流れた電流はコンデンサのマイナス側に蓄積されてマイナス側の電位を高めるが、コンデンサ２のプラス側の電位より高くなると、ダイオード７を通って、マイナス側からプラス側に電流が流れる。この結果、コンデンサ２は電流をコイル１に向かって流しながら、コイル２を通った後の電流を補充されることになる。この結果、パルス電流の継続時間が延長され、電流と正比例する関係にある磁場についても継続時間が延長する。すなわち、図１６に示すダイオード７を備える回路構成により発生するパルス磁場の継続時間は、ダイオード７が無い回路構成によるパルス磁場に比べて、非常に長いものとなる。

また、上記のようなダイオード７の配置により、電荷の放電後にコンデンサ２に高い逆電圧が印加される事態を避けることができ、コンデンサの寿命を長くすることができる。さらに上記のダイオード７は、コンデンサ２の負側への電荷の蓄積を抑制するため、交番電流の生成を抑制し、その結果、交番磁界の生成を抑制することになる。上記ダイオードのパルス磁場に対する作用を全体的に見ると、上記ダイオードは図１２などに例示されるＬＣ回路における電気抵抗によって減衰する交番電流すなわち交番磁界の形成を抑制し、１発目のパルス磁場の継続時間を延長する作用を有するとみることができる。

その結果、ダイオード７という非常に簡単な素子により、２つの重要な作用（磁場継続時間の延長、コンデンサの長寿命化）を得ることができる。このダイオードは、整流作用がある各種の回路または素子で、当然、置き換えることができる。上記のダイオード７の作用効果のうち、パルス磁場の継続時間の延長については、実施例において測定した結果を説明する。

（５）充電時間短縮のための充電回路の構成
上記したように、磁気データ消去作業は、通常、非常に多数の廃棄処分になったハードディスクを対象とするため、高い作業能率が重要であり、とくに上記のコンデンサへの充電時間の短縮が重要である。図１７は、一般のコンセント３３から給電するためにトライアック１８を用いた充電回路を示す図である。一般のコンセント３３から給電された電力は、給電に対してオン状態とされたトライアック１８を経て倍圧整流部Ｓで昇圧されてコンデンサ２を充電する。制御部１９は、コンデンサ２の電圧を検知して、コンデンサ２の充電が遂行されたか否かを判断する。コンデンサ２への充電が必要な場合は、トライアック１８を給電オンとして、倍圧整流部Ｓからコンデンサ２へと電流を導入する。コンデンサ２の充電が完了して、外部から磁場発生のスイッチ（図示せず）が押されるとサイリスタ５のゲートに５Ｖ程度の信号を加えてサイリスタ５の導通をオンにして、コンデンサ２からの放電をスタートさせ、コイル１の空芯部（格納部）にパルス磁場を生成する。

また、図１８は、トライアックを用いずに抵抗素子３６を用いて、コンデンサ２への充電を行う方式の回路を示す図である。一般のコンセント３３から給電された電力は、抵抗素子３６から、倍圧整流部Ｓおよびオン状態のスイッチ４６を経てコンデンサ２を充電する。コンデンサ２が十分充電された表示がなされると、スイッチ４５をオンにしてコンデンサ２から放電を行いコイル１の空芯部にパルス磁場を発生する。

トライアック１８の使用により、コンデンサ２への充電は、その初期（コンデンサの電圧が低い状態）および終期（コンデンサの電圧が高い状態）によらず、図１９に示すように、一定の割合で充電される。トライアック１８はコンデンサ２の電圧に関係なく一定の電流を倍圧整流部Ｓの側に供給することができる。一方、抵抗素子３６を用い方式で充電する場合には、コンデンサ２の充電が進行するにつれコンデンサ２の電圧が上昇する影響を受ける。コンデンサ２の電圧上昇により抵抗素子を通る電流は小さくなり、図１９に示すように、充電速度は徐々に低下する。この結果、図１８に示す充電の方式では、作業能率は非常に低下する。また、実際上の問題として、コンデンサ２の定格能力に満たない所定の電圧を充電完了電圧と設定せざるをえないため、コンデンサ２の放電によるパルス磁場もその分、低いものにならざるをえない。

もう一つ作業能率を低下させる要因に、充電終了後のコンデンサ２からの漏電という問題がある。充電が終了したコンデンサ２からは少量であるが絶えず一定量の電荷が漏洩している。このため、トライアック１８を用いた図１７に示す充電方式では、制御部１９はコンデンサ２の電圧を検知していて、電圧が定格電圧の９４％になるとトライアック１８に指令を発して充電をスタートさせて定格電圧の１０４％まで充電を続ける自動充電を行うことができる。上記の充電におけるコンデンサ電位の時間経過の様子を図２０に示す。この結果、磁気データ消去作業者は、ほとんどいつでも外部スイッチを押すことができ、十分な量の電荷を放電して十分高いピーク磁束密度と、十分な継続時間とを有するパルス磁場を形成することができる。

これに対して、図１８に示す抵抗素子３６を用いる方式では、上記トライアック１８を用いる制御ができないので、スイッチ４６を手動で操作して、コンデンサの電位を表示するメータを見ながら、充電の調整をすることになる。このため磁気データ消去作業者が、ハードディスクの取り扱いに気をとられてコンデンサ２の漏電を放置すると、コンデンサ２の電圧が大きく低下して、充電に、再び多くの時間を要するということが度々生じる。トライアック１８の使用は、（１）一般コンセント３３からの充電を最初から最後まで確実に一定速度で行うことができるため、電気抵抗素子を用いる方式に比べて、充電時間の短縮を可能とし、また（２）充電後のコンデンサからの漏電の補充を自動化でき、コンデンサの電圧を一定範囲内に絶えず保持して、漏電の補充に時間をとらないことを可能とする。

また、上記の充電回路には、コンデンサの充電のために昇圧用トランスを用いていない。充電回路の充電経路に昇圧用トランスを用いると、充電に長時間を要し、迅速な充電ができない。したがって、短い充電時間が重要な要素を占める磁気データの消去作業の高能率化をはかるためには、磁気データ消去装置の充電回路に昇圧用トランスを用いないようにするのがよい。

（６）衝撃対策
コイル１にコンデンサ２からの電流が一気に流れるとき、コイル１に大きな電磁力が瞬間的に発生する。このためコイル１の巻線が巻き付けられるボビン１１に大きな衝撃が加わり、金属などを用いた剛構造体では変形や亀裂が生じ、多数回の使用に耐えられない。弾性変形が可能であり、かつ十分な強度を持つ樹脂板を組み合わせることにより、ボビンの耐久性を向上させることができる。一般の樹脂板を用いてもよいが、より好ましくは強度が高い樹脂板、たとえばＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂板を用いるのがよい。図２１は、ＡＢＳ樹脂板の端部を相互に嵌め込み形状にレーザ加工して、組み上げたボビン１１を示す斜視図である。組み上げた後に接着剤を隙間に注入して強固に接着している。このような樹脂板を組み上げたボビン１１は、衝撃に対して変形後、復元するので、多数回の衝撃にも問題なく耐えることができる。

なお、磁気データ消去作業中に、本発明の実施の形態における磁気データ消去装置で発生する磁場を作業者が受けるおそれがある。この点について確認のための磁場測定を行った。その結果、上記装置から５ｃｍ程度離れた位置では、電話の受話器を耳元につけたとき耳元がうける磁場の強さより小さいことを確認した。

（実施の形態２）
図２２は、本発明の実施の形態２における磁気データ消去装置１０を示す斜視図である。本実施の形態における磁気データ消去装置１０では、間をあけた２つのコイル部分１ａ，１ｂからなるコイル１と、コイル６１とが組み合わされている点に特徴を有する。磁気データ消去装置１０に付随する座標軸ＸＹＺにおいて、コイル１の軸芯はＺ方向に平行であり、コイル６１の軸芯はＸ方向に平行である。

図２３は、図２２のコイルと、磁場の向きと、ハードディスク５１の方向とを模式的に示す図である。図２２及び図２３において、コイル１は、２つのコイル部分１ａ，１ｂの間にＺ方向の磁場（Ｈv）を発生し、またコイル６１は、Ｘ方向の磁場（Ｈp）を発生する。コイル１及びコイル６１には、同時に電流を流して、同時にＺ方向及びＸ方向の磁場をそれぞれ発生してもよいし、１００ｍｓ程度又はそれ未満の時間をおいて、Ｚ方向及びＸ方向の磁場をそれぞれ発生してもよい。格納部１５に格納したとき、ハードディスク５１の面垂直方向（ｚ方向）は装置のＺ方向に平行であり、またハードディスク５１の面内のｘ方向は、装置のＸ方向に平行である。実施の形態２では、Ｚ方向用（垂直方向用）のコイル１と、Ｘ方向用（水平方向用）のコイル６１とが、配置される点で、実施の形態１における磁気データ消去装置と相違する。

図２４は、図２２に示す磁気データ消去装置１０の回路図である。コイル１に並列かつ順方向にダイオード７ａが配置され、またコイル６１に並列かつ順方向にダイオード７ｂが配置されている。コイル１を対象に電荷を蓄積するコンデンサ２ａと、コイル６１を対象に電荷を蓄積するコンデンサ２ｂとが設けられ、それぞれのコンデンサ２ａ，２ｂに電荷の放出を指示する放電素子として、サイリスタ５ａ，５ｂが設けられている。すなわち垂直方向の磁場Ｈv用のコイル１と、水平方向の磁場Ｈp用のコイル６１とは、相互に無関係に電荷を蓄積され、また相互に無関係に磁場発生の電流が流される。電流放出又は磁場発生のタイミングを決めるのは、制御回路１９である。操作スイッチ４５の１回のオン操作により、制御回路１９から放電信号Ｓ1及びＳ2が送信される。コイル１とコイル６１とに流される電流の放出タイミングのずれ、すなわち放電信号Ｓ1及びＳ2のずれは、１００ｍｓ未満にするのがよい。ヒトの感覚は、この電荷放出タイミングのずれは感知することができず、１回の操作により、磁気データの消去が終了したと認識される。

この磁気データ消去装置１０では、コンデンサ２ａ，２ｂは、両方とも７０００μＦ以上とするのがよい。このコンデンサ２ａ，２ｂは、図１３（ａ）のようにそれぞれ単一のコンデンサであってもよいし、図１３（ｂ）のように複数のコンデンサが合成されたものであってもよい。

コンデンサ２ａ，２ｂへの充電も、制御回路１９からの充電回路３１のトライアック１８への指示によってなされる。コンデンサ２ａ及び２ｂの電圧はモニタされており、制御回路１６に電圧信号Ｍ1及びＭ2が受信される。モニタ電圧Ｍ1及びＭ2がともにゼロの場合、言い換えればコンデンサ２ａ及び２ｂが、共に電荷を放出して空の場合にのみ、制御回路１９は、トライアック１８をオンにして充電する信号を発し、コンデンサ２ａ，２ｂの一方でも、電荷蓄積状態のときは、充電を指示しないようにする。これによって、安全性を確保することができる。図２５は、図２４の回路において、順次、コンデンサ２ａ，２ｂから電荷が放出され、コイル１及びコイル６１の電流の時間推移の計算機シミュレーション結果を示す図である。それぞれのコイル１，６１（Ｌ1，Ｌ2）の電流立ち上がりの時刻ｔ1とｔ2との差は、１００ｍｓ未満とするのがよい。また、上記の電流値は、各コイルとも、磁束密度が０．４Ｔ〜１．２Ｔとなるようにし、また磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は４ｍｓ〜４５ｍｓの範囲内にあるようにする。

実施の形態１における、（２）パルス磁場の時間パターン、（３）コイル及びコンデンサ、（４）継続時間の延長のための回路構成、（５）充電時間短縮のための充電回路の構成、（６）衝撃対策、のそれぞれの内容は、コイル１，６１のそれぞれに、そのまま当てはめることができ、同じ内容を本実施の形態でも実施している。すなわち、コイル１，６１の両方とも、（２）パルス磁場の時間パターンは、コイル１及びコイル６１のいずれも、軸芯の中央部において、磁束密度のピーク値が０．４Ｔ〜１．２Ｔであり、かつ磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間が４ｍｓ〜４５ｍｓであるパルス磁場を形成し、（３）コイルは平角線であり、コイルの電気抵抗及びインダクタンスは、コイル１及び６１ともに、実施の形態１のコイル１と同じ範囲内にあり、コンデンサ２ａ及び２ｂの容量も実施の形態１のコンデンサ２と同じ範囲内にあり、（４）上記インダクタンス及び容量の他に、継続時間延長のためにダイオード７ａ，７ｂを用いており、（５）受電回路にトライアック１８を用い、（６）各コイル１（１ａ，１ｂ），６１のボビン１１にＡＢＳ樹脂板の嵌め込み構造（図２１参照）を用いている。

本実施の形態における磁気データ消去装置１０では、１回のオン操作により、格納部に格納されたハードディスクの板面垂直方向の磁場Ｈvと、板面内方向Ｈpとの両方を、同時に又はほとんど瞬時に、発生する。この場合、磁場Ｈv及びＨpを発生するためのコンデンサ及びコイルは、それぞれ十分大きな容量、インダクタンス等とする。この結果、格納部に格納するハードディスクが垂直方式か水平方式かを判定することなく、ハードディスクの磁気データを消去することができる。また、上記の磁気データ消去装置１０では、コンデンサ２ａ，２ｂに充電する場合があるので、充電時間は重要であるが、充電回路３１にトライアック１８を用いるので、充電時間は長くならず、限定されたものとできる。また、安全性の確保についても十全の配慮がなされている。

（実施例１−パルス磁場の磁束密度／時間パターンの測定−）
次に、コイル１の負側から正側に向かって順方向にダイオード７を配置した場合（図１６参照）および配置しない場合について、パルス磁場／時間および電流／時間の測定を行った結果を示す。磁気データ消去装置には、図９に示すタイプの装置を用いた。そのコイルには、３ｍｍ×９ｍｍの平角エナメル線を６８ターン巻いたものを用いた。コイルのインダクタンスＬは０．４６ｍＨであり、抵抗Ｒは３６ｍΩである。コンデンサは容量１００００μＦのものを１個用いた。充電回路にはトライアックを用いた。磁場の測定は、格納部の中央部と、入口から２０ｍｍ入った位置の下部（床面位置）との２地点にホール素子を配置して、ホール素子からの信号を増幅器（ホール素子とセット：ＧＡＵＳＳ ＭＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ ＨＧＭ ８３００Ｐ３：ＡＤＳ社製）を経てオシロスコープ（ＴＤＳ３０１２：Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製）に入力した。また電流は、電流測定用のコイルをコンデンサ−コイル間の配線に周回させるように取り付け、その信号を増幅器（電流測定用コイルとセット：ピーク電流計ＰＨＳ−ＣＯ：株式会社アイエムエス製）を経てオシロスコープに入力した。オシロスコープ上で、時間軸（横軸）に同期させて、磁場と電流とを縦軸に表示した。

結果を図２６〜図２９に示す。図２６は、ダイオードを配置しない場合の電流および格納部の中央での磁場の測定結果を示すオシロスコープの表示画像である。ピーク磁束密度は０．８１Ｔと高い値が得られている。また、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は、６ｍｓ〜７ｍｓである。電流の時間パターンは磁束密度の時間パターンと同じとみることができる。これに対して、ダイオード７を配置した場合（図１６参照）には、図２７に示すように、ピークの磁束密度は０．８１Ｔと、ダイオードを配置しない場合と同じであるが、継続時間が大きく延長されている。たとえば０．４Ｔ以上の磁束密度の継続時間は１０ｍｓ〜１１ｍｓへと、ダイオードを配置しない場合の６ｍｓ〜７ｍｓから大幅に延長している。このようなパルス磁場の継続時間の延長は、繰り返し述べたように、磁気データの消去に非常に有効であり、確実に一発のパルス磁場による消去を得ることができる。

図２８は、格納部の手前の、開口部から２０ｍｍ奥に入った床面（下部）位置での磁場の測定結果を示す表示画像である。ピークの磁束密度は０．６３Ｔと図２６のピーク値０．８１Ｔから大きく低下しており、また０．４Ｔ以上の継続時間も５ｍｓ程度と短くなっている。これに対して、ダイオード７を配置した場合、図２９に示すように、ピークの磁束密度は０．６３Ｔであるが、０．４Ｔ以上の継続時間は７ｍｓ強であり、ダイオード７を配置しない場合に比べて４０％以上の継続時間の延長が得られる。

上記のようにコイル（コンデンサ）の負側からコンデンサの正側に向けて順方向のダイオードを配置することにより、パルス磁場の継続時間の大幅な延長が得られる。ダイオードという簡単な素子を用いて、パルス磁場の継続時間の延長が得られたことは大きく、磁気データ消去性に優れた装置を安価に提供する上で、大きな貢献をすることができる。さらにコンデンサに対する高い逆電圧の発生を防止することができるので、本装置に大きな比重を占めるコンデンサの耐久性向上に役立つ。

ただし、本発明の磁気データ消去装置は、最も広くはピークの磁束密度０．４Ｔ〜１．２Ｔで、０．４Ｔ以上の磁束密度の継続時間が４ｍｓ以上あれば、コンデンサ容量とコイルのインダクタンスとを選択することのみで対応してもよく、上記のダイオードを用いることは必ずしも必要ない。

（実施例２：図５に示す磁気データ消去装置の磁場測定）
次の試験体（本発明例Ａ及びＢ）を用いて、磁場の測定を行った。
（本発明例Ａ）：コンデンサ容量
９０００μＦ；コイル 巻線 ３×９の平角線 ６７ターン、インダクタンス ０．７９ｍＨ、巻線の電気抵抗 ３３ｍΩ、ダイオード配置
充電時のコンデンサ電圧は６８０Ｖであり、放電時のピーク電流は１．８１ｋＡであった。
（本発明例Ｂ）：コンデンサ容量
１１０００μＦ、；コイル 巻線 ３×９の平角線 ６７ターン、インダクタンス ０．７９ｍＨ、巻線の電気抵抗 ３３ｍΩ、ダイオード配置
充電時のコンデンサ電圧は６８０Ｖであり、放電時のピーク電流は１．４７ｋＡであった。

上記の本発明例Ａ及びＢのコイル内における磁場測定位置を図３０に示す。各位置の磁場測定結果を表１に示す。位置Ａ1がコイル内の中心位置であるが、十分高い磁場強度を示す。他の位置についても、同様に高い磁場を得ることができる。時間推移については測定していないが、図２５のシミュレーションを得たプログラムによって、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は、十二分に４ｍｓ以上あることの確認が得られた。

（実施例３：図２２に示す磁気データ消去装置のコイル１の磁場測定）
図２２又は図２３に示す磁気データ消去装置において、コイル１のコイル部分１ａとコイル部分１ｂとの間のスペースでの磁場測定を行った。試験体は次のとおりである。
（本発明例Ｃ）：コンデンサ容量
１００００μＦ；コイル 巻線 ３×９の平角線 コイル部分１ａ ９７ターン、コイル部分１ｂ ９７ターン、インダクタンス ０．７９ｍＨ、巻線の電気抵抗 ３３ｍΩ、ダイオード配置
充電時のコンデンサ電圧は３９０Ｖであり、放電時のピーク電流は１．２ｋＡであった。
（本発明例Ｄ）コンデンサ容量
９０００μＦ、；コイル 巻線 ３×９の平角線 コイル部分１ａ ９７ターン、コイル部分１ｂ ９７ターン、インダクタンス ０．７９ｍＨ、巻線の電気抵抗 ３３ｍΩ、ダイオード配置
充電時のコンデンサ電圧は６５０Ｖであり、放電時のピーク電流は１．８６ｋＡであった。

上記の本発明例Ｃ及びＤのコイル内における磁場測定位置を図３１に示す。各位置の磁場測定結果を表２に示す。位置Ａ2がコイル内の中心位置であるが、十分高い磁場強度を示す。他の位置についても、同様に高い磁場を得ることができる。時間推移については測定していないが、図２５のシミュレーションを得たプログラムによって、磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間は、十二分に４ｍｓ以上あることの確認が得られた。なお、上記の本発明例Ｃ及びＤは、図２２又は図２３に示す磁気データ消去装置１０のコイル１に対応するものとして説明した。すなわち、本発明例Ｃ又はＤを、図２４の回路図のコイル１に用い、これと通常のコイルたとえば本発明例Ａ又はＢをコイル６１に用いて、実施の形態２におけるコイル１，６１を構成することができる。しかし、本発明例Ｃ及びＤは、実施の形態１における図１０のコイル１と見てもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の磁気データ消去装置は、水平方式及び垂直方式の磁気記録媒体が並存する現在及び将来において、磁気記録媒体の表示からいずれの方式か判別が難しい状況において、いずれの方式か判別することなく、いずれの方式の磁気記録媒体でも、１回の操作によって磁気データを消去できる。個人情報保護が重要視される時代に、個人情報の漏洩防止に重要な貢献をすることが期待される。

磁気記録媒体のハードディスクを示す図である。 水平記録方式のハードディスクの磁化配列を示す断面図である。 垂直記録方式のハードディスクの磁化配列を示す断面図である。 本発明の磁気データ消去装置の技術思想を説明するための図である。 本発明の実施の形態１の磁気データ消去装置を示す図であり、（ａ）は格納部をコイルの外に出した状態を、また（ｂ）は回動機構を用いて格納部をコイル内に配置した状態を示す図である。 ハードディスクを傾けた場合の形式的な磁場成分を示す図である。 水平記録方式のハードディスクを傾けた場合に、実際に生じる磁場の方向変化を示す図である。 垂直記録方式のハードディスクを傾けた場合に、実際に生じる磁場の方向変化を示す図である。 本発明の実施の形態１の磁気データ消去装置の変形例を示す図である。 本発明の実施の形態１の磁気データ消去装置の別の変形例を示す図である。 本発明の実施の形態１におけるパルス磁場の時間パターンを示す図である。 本発明の実施の形態１における磁気データ消去装置の回路構成を説明するための図である。 本発明の実施の形態１におけるコンデンサの構成例を示す図であり、（ａ）はコンデンサ１つの構成を、（ｂ）はコンデンサ４つの構成を示す図である。 平角エナメル線を用いたコイル巻線部の断面図である。 丸状エナメル線を用いたコイル巻線部の断面図である。 本発明の実施の形態１においてコイル負側から正側に向かって順方向のダイオードを配置した回路構成例を示す図である。 本発明の実施の形態１において充電回路にトライアックを用いた例を示す図である。 充電回路に抵抗素子を用いた例を示す図である。 トライアックを用いた場合の充電時間の短縮を説明するための図である。 トライアックを用いてコンデンサの漏電を自動補充をする効果を説明するための図である。 本発明の実施の形態１におけるボビンを例示する図である。 本発明の実施の形態２の磁気データ消去装置を示す図である。 図２２のコイルと、磁場の向きと、ハードディスクの向きとを説明するための図である。 図２２の磁気データ消去装置の回路図である。 ２つのコイルに流れるパルス状電流のシミュレーション結果を示す図である。 実施例１においてダイオードを用いない場合のパルス磁場と電流とを示す図である（磁場測定位置＝格納部中央）。 実施例１においてダイオードを配置した場合のパルス磁場と電流とを示す図である（磁場測定位置＝格納部中央）。 実施例１においてダイオードを用いない場合のパルス磁場と電流とを示す図である（磁場測定位置＝開口部から２０ｍｍ奥の床面）。 実施例１においてダイオードを配置した場合のパルス磁場と電流とを示す図である（磁場測定位置＝開口部から２０ｍｍ奥の床面）。 実施例２における磁場測定位置を示す図である。 実施例３における磁場測定位置を示す図である。

符号の説明

１ コイル、１ａ，１ｂ コイルの部分、２，２ａ，２ｂ コンデンサ、３ 電気抵抗、５，５ａ，５ｂ サイリスタ、７，７ａ，７ｂ ダイオード、１０ 磁気データ消去装置、１１，１１ａ，１１ｂ ボビン、１５ 格納部、１８ トライアック、１９ 制御部、２１ 平角エナメル線、２１ａ 銅線、２１ｂ ワニス層、２３ 丸状エナメル線、２３ａ 銅線、２３ｂ ワニス層、３１ 充電回路、３３ コンセント、３６ 電気抵抗素子、４５ 放電スイッチ、４６ スイッチ、５１ ハードディスク（磁気記録媒体）、５２ ガラス基板、５３ 軟磁性層、５５ 磁気記録層、５６ 保護膜、５７ 回転軸（軸芯）、５８ トラック、５９ 磁気ヘッド、Ｓ 倍圧整流部。

Claims (12)

1. 水平方式及び垂直方式の磁気記録媒体の磁気データを消去するための磁気データ消去装置であって、
   前記磁気記録媒体を格納するための格納部と、
   前記格納部を含むように位置し、前記磁気データを消去するための磁場を発生する１つ又は２つのコイルと、
   前記１つ又は２つのコイルに電流を供給するための電荷を蓄積する１つまたは２つ以上のコンデンサと、
   前記磁気データ消去装置を作動させるための１つの操作スイッチとを備え、
   前記操作スイッチの１回のオン操作によって、前記１つ又は２つ以上のコンデンサに蓄積された電荷を放出して、前記１つ又は２つのコイルに、前記格納部に格納された前記磁気記録媒体の板面平行方向および板面垂直方向の両方に、前記磁気データを消去するためのパルス磁場を生じることを特徴とする、磁気データ消去装置。
2. 前記格納部に格納された磁気記録媒体の板面平行方向に磁場を発生する平行方向磁場コイルと、該平行方向磁場コイルの軸芯と直交する軸芯を有し、前記磁気記録媒体の板面垂直方向に磁場を発生する垂直方向磁場コイルとを備えることを特徴とする、請求項１に記載の磁気データ消去装置。
3. 前記垂直方向磁場コイルは、第１の部分と、該第１の部分に電気的に直列接続し、該第１の部分と同じ軸芯方向を持ち、該第１の部分から間をあけて位置する第２の部分とを有し、前記格納部が、前記コイルの第１の部分と第２の部分との間に設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の磁気データ消去装置。
4. 前記コンデンサは、前記平行方向磁場コイルに並列接続される平行磁場用コンデンサと、前記垂直方向磁場コイルに並列接続される垂直磁場用コンデンサとから構成され、該平行磁場用及び垂直磁場用コンデンサから電荷を放出するための放電素子として、前記平行磁場用コンデンサから前記平行方向磁場コイルに電荷を流すための平行磁場用サイリスタと、前記垂直磁場用コンデンサから前記垂直方向磁場コイルに電荷を流すための垂直磁場用サイリスタとを備えることを特徴とする、請求項２又は３に記載の磁気データ消去装置。
5. 前記平行方向及び垂直方向磁場コイルに前記電流を流すための制御を行う制御部を備え、前記制御部は、前記操作スイッチの１回のオン操作によって、前記平行磁場用サイリスタと前記垂直磁場用サイリスタとが、所定の時間をあけて又は同時に、導通するように制御することを特徴とする、請求項４に記載の磁気データ消去装置。
6. １つのコイルを備え、前記コイルの軸芯方向が、前記格納部に収納された磁気記録媒体の板面垂直方向と、０°超え９０°未満の角度をなすように配置されてなることを特徴とする、請求項１に記載の磁気データ消去装置。
7. 前記コイルの軸芯方向が前記板面垂直方向に対して４５°±３５°の範囲内の角度をなすように配置されていることを特徴とする、請求項６に記載の磁気データ消去装置。
8. 前記コイルの外において前記磁気記録媒体を装着する際の前記格納部の装着位置と、前記コイルに含まれて前記パルス磁場を加えられる際の前記格納部の消去位置とを、前記格納部が移動できるように、格納部移動機構を備えていることを特徴とする、請求項６又は７に記載の磁気データ消去装置。
9. 前記１つ又は２つのコイルは、いずれも、軸芯の中央部において、磁束密度のピーク値が０．４Ｔ〜１．２Ｔであり、かつ磁束密度０．４Ｔ以上の継続時間が４ｍｓ〜４５ｍｓであるパルス磁場を形成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の磁気データ消去装置。
10. 前記１つ又は２つのコイルに、並列に順方向にダイオードが配置されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の磁気データ消去装置。
11. 前記１つ又は２つのコイルは、いずれも、電気抵抗が０．２ｍΩ〜１５０ｍΩ、インダクタンスが０．３ｍＨ〜１．３ｍＨ、１／（Ｌ・Ｃ）^１／２が２５０（１／秒）〜６５０（１／秒）の範囲内にあり、前記１つ又は２つ以上のコンデンサの容量が、７０００μＦ以上であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の磁気データ消去装置。
12. 前記コンデンサの充電のための電流経路に、トライアックを用いることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の磁気データ消去装置。

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