WO2007091400A1

WO2007091400A1 - 磁気情報消去装置

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Publication number: WO2007091400A1
Application number: PCT/JP2007/050196
Authority: WO
Inventors: Tomoaki Ito
Original assignee: Orient Instrument Computer Co., Ltd.
Priority date: 2006-02-09
Filing date: 2007-01-11
Publication date: 2007-08-16
Also published as: TW200809799A

Abstract

【課題】低い電圧で強い磁界を発生させることができる消磁装置１を提供する。【解決手段】コイル２１ａ～２９ａ，２１ｂ～２９ｂに電圧を印加して磁界を発生させ、該磁界によってハードディスク９の磁気情報Ｊを消去する消磁装置１であって、軸Ｓ内の磁界方向Ｇを一致させた複数の前記コイル２１ａ～２９ａを同一軸上に直列配置し、各コイル２１ａ～２９ａを電気的に並列接続または直列接続し、複数の前記コイル２１ａ～２９ａに一斉に電圧を印加する構成にした。

Description

磁気情報消去装置

技術分野

[0001] この発明は、例えばノヽードディスクなどの磁気記憶媒体に記憶された磁気情報を消去するような磁気情報消去装置、コイルを用いて磁界を発生させるような磁界発生装置、および磁性体を着磁するような着磁装置に関する。

背景技術

[0002] 従来、磁気を用いて情報を記憶するハードディスクや磁気テープなどの磁気記憶媒体が提供されている。これらの磁気記憶媒体は、磁性体を磁化させてデータを記憶する。

[0003] この磁気記憶媒体が記憶している磁気情報を消去する装置として、ハードディスク装置の記録データ消去装置が提案されている（特許文献 1参照)。この記録データ消去装置は、コイルの軸内にハードディスクを挿入し、このコイルに電圧を印加して磁束密度が 6000ガウスから 15000ガウスの磁界を発生させてハードディスクに記憶された磁気情報を消去する。

[0004] また、複数のコイルを並設し、順番に電圧を印加して、前方部、中央部、後方部と順番に磁気情報を消去する磁気データ消去装置も提案されて!ヽる (特許文献 2参照 ) oこの磁気データ消去装置は、 2500エルステッドを超える範囲の磁場を発生させ、この磁場で磁気情報を消去する。

[0005] これらの装置は、、ずれも強力な磁界を発生させるために、複数のコンデンサを直列接続する等して、コイルに高、電圧を印加する構成にされて！/ヽる。

[0006] ここで、装置が使用する電圧が高いと、電気回路に接続する各素子に耐電圧の高いものを採用する必要が生じてコストアップに繋がる。このため、装置が使用する電圧は、低い方が好ましい。

[0007] しかし、上述した各特許文献には、電圧を低くすることについて特に記載されていなかった。

[0008] また、上述した各特許文献は、磁界を発生させる方向を 1方向とするものであり、多方向に磁界を発生させることについて考慮されていない。このため、例えばノヽードデイスクに対して、ディスクの半径方向^ ^一方向の磁界を照射した場合、ディスク中心付近に設けられた回転機構の後方が影となり、磁界が照射されない部分が発生する。このように影が発生すると、その部分の磁気情報を消去することができない。このように消去しきれない磁気情報が存在すると、残った磁気情報が第三者に不正に解析されて漏洩する可能性があるという問題点がある。

[0009] 一方、磁性体を着磁する場合、磁気の方向を一定の方向にして着磁することになる。着磁したい磁性体は種々の形状のものが存在し、また着磁する方向も様々である。このため、着磁装置に対して、磁性体をセットする方向を磁性体の種類に応じて手で調整することが必要となる。

[0010] しかし、磁性体を手でセットして着磁する磁界の方向を定めると、セット時の位置ずれゃ角度ずれによって正確な方向に着磁できな、と、う問題点がある。

[0011] 特許文献 1 :登録実用新案第 3088608号公報

特許文献 2：特開 2005 - 78713号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0012] この発明は、上述の問題に鑑み、低い電圧で強い磁界を発生させることができる磁気情報消去装置、部分的な磁気情報の消去漏れを回避できる磁気情報消去装置、多方向に磁界を発生させる磁界発生装置、磁気情報消去装置および着磁装置を提供し、利用者の満足度を向上させることを目的とする。

課題を解決するための手段

[0013] この発明は、電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルと、該コイルの磁界内に位置して磁気記憶媒体が挿入される挿入許容部とを備え、前記複数のコイルは、同一軸上に直列的に配置されると共に、電気的に並列接続され、前記複数のコィルに一斉に電圧を印加する磁気情報消去装置であることを特徴とする。

[0014] またこの発明は、電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルと、該コイルの磁界内に位置して磁気記憶媒体が挿入される挿入許容部とを備え、前記複数のコィルは、同一軸上に直列的に配置されると共に、電気的に直列接続され、前記複数のコイルに一斉に電圧を印加する磁気情報消去装置であることを特徴とする。

[0015] またこの発明は、電圧が印加されて磁界を発生させるコイルと、磁気記憶媒体を収容する内ケースと、該内ケースを収容する外ケースと、前記コイルに対して正方向の電圧と逆方向の電圧を順次切り替えて印加する切替手段とを備え、前記外ケースは、前記内ケースをシーソー状に揺動可能に支持する支持部と、前記内ケースが略平行な状態に該内ケースの一端を載置支持できる載置部とを備え、前記コイルは、前記支持部から前記載置部の方向に磁界を発生させる磁気情報消去装置であることを特徴とする。

[0016] またこの発明は、電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルを備え、前記複数のコイルは、磁界の向きが互いに交差するように第 1系統のコイルと第 2系統のコィルが配置されている磁界発生装置であることを特徴とする。

[0017] またこの発明は、前記磁界発生装置を用いて磁気記憶媒体に記憶されて!、る磁気情報を消去する磁気情報消去装置であることを特徴とする。

[0018] またこの発明は、前記磁界発生装置を用いて磁性体を着磁する着磁装置であることを特徴とする。

発明の効果

[0019] この発明により、低い電圧で強い磁界を発生させることができる磁気情報消去装置を提供することができ、部分的な磁気情報の消去漏れを回避でき、多方向に磁界を発生させる磁界発生装置、磁気情報消去装置および着磁装置を提供できる。

図面の簡単な説明

[0020] [図 1]実施例 1の消磁装置の斜視図。

[図 2]消磁装置の内部構成の斜視図。

[図 3]磁界方向の説明図。

[図 4]消磁装置の回路ブロック図。

[図 5]消磁効果の説明図。

[図 6]実施例 2の消磁装置の内部構成を示す斜視図。

[図 7]実施例 3の消磁装置の構成を示す斜視図。

[図 8]実施例 4の消磁装置の説明図。 [図 9]実施例 4の消磁装置の説明図。

[図 10:実施例 5の消磁装置の斜視図。

[図 11:実施例 5の消磁装置の内部構成の斜視図。

[図 12:実施例 5のトレイの縦断右側面図。

[図 13:実施例 5のトレイの平面図。

[図 14:実施例 5の消磁装置の回路ブロック図。

[図 15:実施例 5の消磁装置が実行する動作のフ口 -チャート。

[図 16:実施例 5の磁界の照射方向の説明図。

[図 17:実施例 5のトレイの縦断右側面図。

[図 18:実施例 5のトレイの縦断右側面図。

[図 19:実施例 5の磁界照射の影領域の説明図。

[図 20:実施例 6の消磁装置の斜視図。

[図 21:実施例 6の消磁装置の内部構成の斜視図。

[図 22:実施例 6の消磁装置の回路構成を示すブ口：ンク図。

[図 23:実施例 6の電流のグラフ図。

[図 24:実施例 6のコイルの磁界説明図。

[図 25:実施例 7のコイルの説明図。

[図 26:実施例 7の消磁装置の回路構成を示すブ口：ンク図。

[図 27:実施例 8のコイルの説明図。

[図 28:実施例 8の磁界の説明図。

符号の説明

1, 1A, 1B…消磁装置、 4A…開口部、 7A…表面カバー、 9…ハードディスク、 9A …マイクロドライブ、 11, 11A…挿入穴部、 21a〜29a, 21b〜29b…コイル、 21· ·· ペアコイル、 31〜39· ··スィッチ、 G…磁界方向、 J…磁気情報、 S…軸

101· ··消磁装置、 108· ··外ケース、 112· ··コイル、 121, 126· ··緩衝材、 123· ··支持軸、 125…支持突起、 133· ··内ケース、 139…ハードディスク、 142· ··極性反転スイッチ、 Ga, Gb, Gc…磁界

201· ··消磁装置、 211Α· ··第 1コイル、 211Β· ··第 2コイル、 211C…第 3コイル、 21 5…移相回路、 218…交流電源、 G , G , G…磁界

A B C

発明を実施するための最良の形態

[0022] この発明の一実施形態を以下図面と共に説明する。

実施例 1

[0023] 図 1は、実施例 1の消磁装置 1の斜視図を示し、図 2は消磁装置 1の内部構成の斜視図を示し、図 3は磁界方向の説明図を示す。

消磁装置 1は、長方形のボックス状に形成された筐体 2を有している。筐体 2の正面中央には、開口部 4が備えられ、その左上には、操作ボタン 3が備えられている。

[0024] 開口部 4は、内部に収納されているトレイ 5の表面カバー 7によって塞がれている。

この表面カバー 7の中央には、手前へ突出する取っ手 6が設けられて、る。

[0025] 図 2に示すように、トレイ 5は、表面カバー 7の裏側に、上面を開放したボックス状の記憶媒体収容ケース 8が固着されている。この記憶媒体収容ケース 8は、前後方向に長ぐ左右の幅方向が狭い略直方体形状に形成されている。そして、この記憶媒体収容ケース 8は、ハードディスク 9等の磁気記憶媒体を上面の開口部力収容できる

[0026] 筐体 2の正面の開口部 4 (図 1参照）の内部側には、トレイ 5の記憶媒体収容ケース 8の挿入および抜き取りを許容する挿入穴部 11が設けられてヽる。この挿入穴部 11 の周囲には、複数のコイル 21a〜29b (図示省略）が配設されている。

[0027] すなわち、挿入穴部 11の一方の側面である右側面には、 9個のコイル 21a〜29a が上下前後に 3個ずつマトリクス状に等間隔に配置されている。これらの 9個のコイル 21a〜29aは、いずれも軸が左右方向（幅方向）へ向くように配置されている。そして、これらの 9個のコイル 21a〜29aは、全てのコイル 21a〜29aの磁界の向きが同一になるように配置されている。

[0028] 挿入穴部 11の他方の側面である左側面には、 9個のコイル 21b〜29b (図示省略）力上述したコイル 21a〜29aと左右対称に配置されている。従って、コイル 21a〜2 9bは、上下前後に 3個ずつマトリクス状に等間隔に配置されている。そして、コイル 2 la〜29bは、いずれも軸が左右方向（幅方向）へ向くように配置されている。また、コィル 21a〜29bは、全てのコイル 21b〜29bの磁界の向きが上述のコイル 21a〜29a と同一になるように配置されている。

[0029] また、挿入穴部 11を挟んで対向しているコイル 21aとコイル 21bは、 1対のペアコィル 21を構成している。同様に、挿入穴部 11を挟んで対向している全てのコイル 22a 〜29a, 22b〜29b (図示省略）は、符号「a」と符号「b」とが一対となってペアコイル 2 2〜29を構成している。このペアコイル 21〜29は、ペアとなるコイル間の隙間間隔 L が全て同一となるように配置されて、る。

[0030] ペアコイル 21は、コイル 21a, 21bに同一方向の電流 iを流すことで、図 3に示すように磁界方向 Gの磁力が生じる。ここで、コイル 21a, 21bは、軸 Sが同一であって磁気的に直列配置されている。このため、コイル 21a, 21bが 1つのコイルであるかのように、ペアコイル 21全体に磁界方向 Gの磁力が発生する。従って、挿入穴部 11 (およびこの内部に挿入される記憶媒体収容ケース 8内のハードディスク 9)は、ペアコイル 21 において最も磁力が高いコイル 21aとコイル 21bの間に位置し、強力な磁力を受けることになる。

[0031] 図 4は、消磁装置 1の回路ブロック図を示す。

消磁装置 1は、交流電源 45に接続されている。この交流電源 45の後段には、操作ボタン 3 (図 1参照）に連動する操作スィッチ 46が設けられている。この操作スィッチ 4 6の後段には、整流回路 44が設けられている。この整流回路 44は、ダイオードブリツジ等によって交流電圧を全波整流する回路である。なお、該整流回路 44には、適宜の電源トランス等も設けても良い。

[0032] 整流回路 44の後段には、コンデンサ 43と磁界発生部 20とが並列に接続されている。コンデンサ 43と磁界発生部 20との間には、消磁スィッチ 42が設けられている。この消磁スィッチ 42は、図示省略するタイマ回路によって ONZOFF制御される。

[0033] 磁界発生部 20は、複数のペアコイル 21〜29が並列接続されている。各ペアコイル 21〜29には、それぞれスィッチ 31〜39が接続されている。

ペアコイル 21は、コイル 21a, 21bが電気的に並列接続されている。同様に、ペアコイル 22〜29も、対になる 2つのコイル 22a〜29a, 22b〜29bが電気的に並列接続されている。

[0034] 各スィッチ 31〜39は、図示省略する切替制御回路に接続されている。各スィッチ 3 1〜39は、該切替制御回路の制御に従って個別に ONZOFF切り替えされる。切替制御回路による ONZOFF制御は、ペアコイル 21〜29のうち物理的に離れているいくつかの組ごとに順次 ONZOFFを切り替える、あるいはペアコイル 21〜29を 1つずつ ON/OFFを切り替えることにより実行する。

[0035] 物理的に離れているいくつかの組ごとに順次 ONZOFFを切り替える場合、例えば、

, 23, 25, 27, 29のみを最初【こ ON【こし、次【こぺイノレ 22, 24, 2 6, 28のみを ONにすることで実現できる。

[0036] 他にも、ペアコイル 21, 23のみを ONにし、次にペアコイル 24, 26のみを ONにし、次〖こペアコィノレ 27, 29のみを ONにし、次〖こペアコィノレ 22, 28のみを ONにし、最後にペアコイル 25のみを ONにすることでも実現できる。なお、この切替制御回路は、上述したタイマ回路を含めて消磁スィッチ 42の ONZOFFも制御するように構成してちょい。

[0037] このように物理的に離れたペアコイルについて一斉に磁界を発生させた場合、ペアコイルが離れて、るために互、の磁界が干渉することを抑制でき、効率良く消磁することができる。また、 1つのペアコイル毎に順次実行するよりも短時間でノヽードディスク 9全体の消磁を完了できる。

[0038] 以上の構成により、利用者が取っ手 6を掴んでトレイ 5を引き出し、記憶媒体収容ケース 8に磁気情報を消去したヽ（消磁した!/ヽ)ハードディスク 9を収容し、トレイ 5の記憶媒体収容ケース 8部分を挿入穴部 11に最後まで挿入し、操作ボタン 3を押下すると、消磁装置 1の消磁動作が始まる。

[0039] 消磁装置 1は、操作ボタン 3の押下と連動して操作スィッチ 46が ONされると、交流電源 45の電圧を全波整流してコンデンサ 43を充電する。このとき、消磁スィッチ 42 は OFFの状態である。

[0040] 一定時間が経過すると、図示省略するタイマ回路の駆動によって消磁スィッチ 42 が OFF力も ONに切り替えられ、コンデンサ 43に蓄えられた電圧を磁界発生部 20に印加する。

[0041] 磁界発生部 20は、図示省略する切替制御回路の制御によってスィッチ 31〜39の一部が ONされており、この ONされているスィッチ 31〜39に対応するペアコイル 21 〜29のコイル 21a〜29bにコンデンサ 43が一斉に電圧を印加する。

[0042] このとき、コイル 21a〜29bは 1つで約 1万ガウスの磁界を発生させるが、ペアコイル 21〜29は 2つのコイル 21a〜29bを軸 S上に 2つずつ磁気的に直列接続したものである力ら、 1つのペアコイル全体で約 1. 5万ガウスの磁界を発生させることができる。したがって、 1つのコイルで 1. 5万ガウスの磁界を発生させるより低い電圧で、ぺアコィルに 1. 5万ガウスの磁界を発生させることができる。

[0043] ここで、コンデンサ 43による電圧の印加は、スィッチ 31〜39の ONによって急速に行われる。そして、コンデンサ 43とコイル 21a〜29bとが共振回路を構成しているため、コイル 21a〜29bに流れる電流は正逆に入れ替わりながら時間の経過につれて波高値が徐々に低下する減衰交番電流となる。このため、コイル 21a〜29bにより発生する磁界は、磁極が正逆交互に入れ替わりながら磁束密度が徐々に低下する減衰交番磁界となる。したがって、ハードディスク 9内の磁気ディスクのうち減衰交番磁界を受けた領域が消磁され、その領域の磁気情報が消去される。

[0044] そして、タイマ回路と切替制御回路は、上述した動作を、全てのペアコイル 21〜29 に対して実行するまで順次繰り返し、ハードディスク 9の全ての領域に対して消磁による磁気情報の消去を行う。

[0045] このようにして、図 5の説明図の（A)に示すように、ハードディスク 9 (図 2参照）の磁気ディスク Dに水平方式で磁気情 ¾Jが記憶されて、た場合、ペアコイル 21の磁界方向 Gの磁力を通過させることで、図 5の（B)に示すように消磁することができる。これにより、磁気情衞を消去することができる。

[0046] また、図 5の（C)に示すように、ハードディスク 9 (図 2参照）の磁気ディスク Dに垂直方式で磁気情 ¾Jが記憶されてヽた場合も、ペアコイル 21の磁界方向 Gの磁力を通過させることで、図 5の（D)に示すように消磁することができる。特に、このように垂直方式で磁気情衞が記憶されている場合に、本実施例の消磁装置 1は有効に作用する。

[0047] なお、上述した実施例では、ペアコイル 21〜29の数を 9つにした力これに限らず他の複数個としてもよい。この場合でも、同様の効果を奏することができる。

[0048] また、ペアコイル 21〜29に対して複数の組ごとに電圧を印加して部分単位で消磁する場合、同一組数のペアコイル単位で順次電圧を印加する構成にしてもよい。この場合、切り替えて印加する電圧を常に同じ電圧とすることができるため、回路を簡素ィ匕することがでさる。

[0049] また、 2つのコイル 21a〜29bを軸 S上に磁気的に直列配置して 1つのペアコイル 2 1〜29を構成した力例えば 4つのコイルを磁気的に直列配置して 1つのペアコイルを構成するなど、他の複数個のコイルでペアコイルを構成してもよい。この場合も、直列接続した複数のコイルの中央部分に挿入穴部 11を位置させることで、同様の効果を奏することができる。

実施例 2

[0050] 図 6は、実施例 2の消磁装置 1Aの内部構成を示す斜視図である。

消磁装置 1Aは、球形で内部中空の挿入穴部 11 Aを有している。消磁装置 1Aの正面に設けられた開口部 4Aには、表面カバー 7Aが枢着部 10Aにより開閉可能に枢着されている。

[0051] 挿入穴部 11Aには、磁界の向きが 3次元の XYZ方向に異なるように、コイル 21a〜 23bが配置されている。このコイル 21a〜23bは、それぞれペアコイル 21〜23を構成している。

[0052] この消磁装置 1Aは、図示省略するボックス状の筐体を有して、その正面に図示省略する操作ボタンを有している。そして、消磁装置 1Aは、筐体の内部に上述した挿入穴部 11 A等を備えている。

[0053] この消磁装置 1Aの回路構成は、磁界発生部 20 (図 4参照）のペアコイル 21〜29 およびスィッチ 31〜39の数が異なる以外は、実施例 1と同一である。

[0054] 以上の構成により、利用者は、表面カバー 7Aを開き、小型ハードディスクであるマイクロドライブ 9Aなどの磁気記憶媒体を挿入穴部 11 Aの内部に陰線で示すように挿入し、表面カバー 7Aを閉じ、図示省略する操作ボタンを押下して消磁装置 1Aに消磁動作を開始させることができる。

[0055] 消磁装置 1Aは、ペアコイル 21〜23〖こより、 X方向、 Y方向、 Z方向と 3次元的に磁力を発生させることができる。これによろい、挿入穴部 11 A内に挿入されたマイクロドライブ 9Aの磁気情報を確実に消去することができる。すなわち、マイクロドライブ 9A に対して様々な方向から磁力を照射できるため、時期情報を消去しきれていない部分が発生することを防止できる。

[0056] なお、この実施例 2では、ペアコイルを 3セットとした力これに限らず複数のペアセットを挿入穴部 11の周囲に球形に配置してもよヽ。この場合でも同様の効果を得ることがでさる。

実施例 3

[0057] 次に、実施例 3の消磁装置 1Bについて、図 7の斜視図と共に説明する。

この消磁装置 1Bは、コイル 21a, 21bの配置以外は実施例 1と同一であるので、同一要素に同一符号を付してその詳細な説明を省略する。

[0058] 挿入穴部 11の周囲には、トレイ 5を挿入する方向へ軸方向を向けてコイル 21a, 21 bが軸 S上に磁気的に直列配置されている。したがって、挿入穴部 11は、コイル 21a

, 2 lbの軸内に位置して設けられている。

[0059] コイル 21a, 21bは、磁力の方向が同一となるように配置されてペアコイル 21を構成している。

消磁装置 1Bの回路構成は、磁界発生部 20 (図 4参照）にスィッチ 31〜39が無いこと、およびペアコイル 21〜29がーセットのペアコイル 21だけであることを除いて実施例 1と同一であるため、その詳細な説明を省略する。

[0060] 以上の構成により、実施例 1と同様に、低い電圧で強い磁力を発生させて消磁効果を奏することができる。

なお、この実施例 3ではペアコイル 21としてコイル 21a, 21bの 2つを使用した力 3 つ以上のコイルを磁気的に直列配置するなど、他の複数個でペアコイル 21を構成してもよい。この場合でも同様の効果を奏することができる。

[0061] また、以上の各実施例では交流電圧を全波整流して直流を用いる構成としたが、これに限らず交流を用いる構成としてもよい。この場合でも、各コイルに流れる電流を正逆に入れ替わる交番電流とすることができ、各コイルにより発生する磁界を磁極が正逆交互に入れ替わる交番磁界とすることができる。そして、印加する交流電圧を徐々に減衰すれば、各コイルに流れる電流を減衰交番電流とすることができ、各コイルにより減衰交番磁界を発生させることができる。実施例 4

[0062] 次に、各コイルの接続について、他の実施例を説明する。

図 8 (A)は、実施例 1のペアコイル 21におけるコイル 21a, 21bの接続と磁界方向を説明する説明図である。

実施例 1では、コイル 21a, 21bが電気的に直列接続されており、磁気的にも直列的に配置されている。これにより、コイル 21a, 21bで挟まれている水平穴部 11で一方向の強力な磁力を得るように構成されている。この一方向の強力な磁力により、水平穴部 11に挿入された磁気記憶媒体に記憶されて!、る磁気データを消去できる。

[0063] 図 8 (B)は、コイル 21a, 2 lbを電気的に直列接続した例を示している。この場合も、コイル 21a, 21bで挟まれている水平穴部 11で一方向の強力な磁力を得ることができる。特に、コイル 21a, 21bを直列接続しているため、発生する磁界の同期を取ることが容易である。このため、コイル 21a, 21bのそれぞれから発生する磁界の相乗効果で一方向の強力な磁力を得ることが容易である。この一方向の強力な磁力により、水平穴部 11に挿入された磁気記憶媒体に記憶されて、る磁気データを消去できる

[0064] 図 8 (C)は、コイル 21a, 21bを電気的に並列接続し、力つ各コイル 211, 21b力発生する磁界が逆方向を向く例を示している。この場合、コイル 21a, 21bのそれぞれ力発生する磁界が水平穴部 11で衝突し、磁界の向きが滅茶苦茶になる。この方向が滅茶苦茶な磁力により、水平穴部 11に挿入された磁気記憶媒体に記憶されて V、る磁気データを消去できる。

[0065] 図 9 (A)は、コイル 21a, 21bのそれぞれに流す電流の方向を、同一方向と逆方向とに切り替えるスィッチ 41を設けた例を示す。この場合、図 9 (A)に示すようにスイツチ 41を一方の接点に接続すると、コイル 21bにはコイル 21aと同一方向に電流が流れ、同一方向に磁界が発生する。これにより水平穴部 11で一方向の強力な磁界が得られ、水平穴部 11に収納された磁気記憶媒体の磁気データを消去できる。図 9 (B )に示すようにスィッチ 41を他方の接点に接続すると、コイル 21bにはコイル 21aと逆方向に電流が流れ、逆方向に磁界が発生する。これにより水平穴部 11で磁界を衝突させることができ、水平穴部 11に収納された磁気記憶媒体の磁気データを消去できる。このようにスィッチ 41で電流の流れる方向を正逆に切り替えることで、コイル 21 a, 21bのそれぞれが発生する磁界を同一方向と逆方向とに切り替えることができる。また、この切替を何度力、行えば、同一方向の磁界による磁気データの消去と、衝突する磁界による磁気データの消去の両方を交互に何度も実行でき、磁気データを確実に消去できる。

実施例 5

[0066] 図 10は、実施例 5の消磁装置 101の斜視図を示し、図 11は実施例 5の消磁装置 1

01の内部構成の斜視図を示し、図 12はトレイ 105の縦断右側面図を示し、図 13はトレイ 105の平面図を示す。

[0067] 消磁装置 101は、長方形のボックス状に形成された筐体 102を有している。筐体 1

02の正面中央には、開口部 104が備えられている。開口部 104の左上には、操作ボタン 103が備えられている。

開口部 104は、内部に収納されているトレイ 105の表面カバー 107によって塞がれている。この表面カバー 107の中央に、手前へ突出する取っ手 106が設けられている。

[0068] 図 11に示すように、トレイ 105は、表面カバー 107の裏側に、上面を開放したボックス状の外ケース 108が固着されている。この外ケース 108は、前後方向に長ぐ左右の幅方向が狭!、略直方体形状に榭脂部材 (非金属部材)で形成されて!、る。

[0069] 筐体 102の正面の開口部 104 (図 10参照）の内部側には、トレイ 105の外ケース 1 08の挿入および抜き取りを許容する挿入穴部 111が設けられてヽる。この挿入穴部 111の周囲には、トレイ 105を挿入する方向へ軸 Sの方向を向けてコイル 112が配置されている。したがって、挿入穴部 111は、コイル 112の軸内に位置して設けられている。

コイル 112は、正面力も背面へ向力磁界方向 Gの磁力を発生させることができ、またこの逆向きの磁界も発生させることができる。

[0070] 図 12の縦断右側面図に示すように、外ケース 108の正面板 108aの内面側（背面）には、上下左右全面に厚み一定の緩衝材 121が貼着されている。また、外ケース 10 8の底面板 108bの内面側（上面）には、前後左右全面に厚み一定の緩衝材 122が貼着されている。

[0071] さらに、外ケース 108の背面板 108cの内面側には、底部より少し上方に正面へ向けて略水平に突出する榭脂部材 (非金属部材)の支持突起 125が設けられている。該支持突起 125より上方部分には、上下左右全面に厚み一定の緩衝材 126が貼着されている。

[0072] 外ケース 108の左右の側面板 108dには、前後方向略中央で上下方向中央より下方位置に、左右に架設された榭脂部材 (非金属部材)の支持軸 123が設けられている。この支持軸 123の上方には、上面を開放したボックス状の内ケース 133が載置されている。

[0073] この支持軸 123の上端は、前記支持突起 125の上端と同一の高さになるように構成されている。このため、支持軸 123と支持突起 125の上面で、内ケース 133を略水平に保持できる。

[0074] 外ケース 108の左右の側面板 108dの内面略中央部には、へ字型の溝で形成される規制ガイド 124が左右対称に設けられている。

[0075] 内ケース 133は、前後方向に長ぐ左右の幅方向が狭い略直方体形状に榭脂部材

(非金属部材)で形成されている。この内ケース 133は、ハードディスク 139を収容できる大きさに形成されている。さらに言えば、内ケース 133は、内面の大きさが、ハードディスク 139より前後方向および上下方向に大きく形成されている。これにより、内ケース 133内でハードディスク 139が前後動できる。また、ハードディスク 139の上に載置した緩衝材 131が内ケース 133の外に落ちな、ようにできる。

[0076] 内ケース 133の左右の両側面の外面には、中央に規制突起 134が左右対称に設けられている。この規制突起 134は、規制ガイド 124内に嵌まり込んでいる。そして、この規制突起 134は、規制ガイド 124内でのみ移動でき、これによつて内ケース 133 の移動範囲が規制されて、る。

[0077] 図 14は、消磁装置 101の回路ブロック図を示す。

消磁装置 101は、交流電源 145に接続されている。この交流電源 145の後段には、操作ボタン 103 (図 10参照）に連動する操作スィッチ 146が設けられている。この操作スィッチ 146の後段には整流回路 144が設けられている。この整流回路 144は、ダィオードブリッジ等によって交流電圧を全波整流する回路である。なお、該整流回路

144〖こは、適宜の電源トランス等も設けても良い。

[0078] 整流回路 144の後段には、コンデンサ 143とコイル 112とが並列に接続されている。コンデンサ 143とコイル 112との間には、極性を反転する極性反転スィッチ 142と消磁スィッチ 141が設けられている。極性反転スィッチ 142は、図示省略する切替制御回路によって切り替え制御される。これによつて、極性反転スィッチ 142は、コンデンサ 143からコイル 112に放電する極性方向を正逆に切り替える。また消磁スィッチ 14 1は、図示省略する切替制御回路とタイマ回路によって ONZOFF制御される。

[0079] 図 15は、消磁装置 101が実行する動作のフローチャートを示す。

消磁装置 101は、操作ボタン 103が押下されるまで待機する (ステップ SI :NO)。操作ボタン 103が押下されると (ステップ SI : YES)、消磁装置 101は、コンデンサ 14 3の充電を開始する (ステップ S 2)。

[0080] コンデンサ 143が充分充電されると、タイマ回路により、コンデンサ 143に逐電した電圧を第 1方向（図 14の矢印 A方向）に放電せる (ステップ S3)。このとき、図 12に示した矢印 A方向に磁界が流れ、図 16 (A)の説明図に示すように、ハードディスク 139 内の磁気ディスク 139aは影領域 E 1以外の部分で磁界 Gaにより消磁される。つまり、磁気ディスク 139aの中心には回転駆動部 139bが設けられているため、この回転駆動部 139bの後方については影となって充分な磁界が照射されず、磁気情報を消去しきれな!/、可能性のある影領域 E1ができる。

[0081] また、金属製であるハードディスク 139は、磁界 Gaによって力を受け、図 17の縦断右側面図に示すように背面側へ移動し、支持軸 123と支持突起 125の上に略水平に支持される。このため、ハードディスク 139および内ケース 133は、図 12に示したように約 30° 前方下がりに傾斜した状態から、図 17に示すように略水平状態に移行し、内ケース 133の前方にあったハードディスク 139が内ケース 133の後方に移動する。また、規制突起 134の位置は、規制ガイド 124の正面側の端部力も背面側の端部に移動する。

[0082] このとき、内ケース 133の背面が外ケース 108の背面板 108cの内側に衝突することになるが、緩衝材 126によって衝撃がやわらげられる。さらに、ハードディスク 139 が内ケース 133の中で後方に移動することで、ハードディスク 139の前方上部に載置されてヽた球形の緩衝材 131がハードディスク 139の前方に出来た内ケース 133内の隙間に落ちて嵌まり込む。

[0083] この緩衝材 131は、球形に限らず適宜の形状のものを採用できる力球形のものを採用することで、嵌まり込む際の姿勢によらず内ケース 133の中でノヽードディスク 13 9の位置を前後動させな、ように規制できる。

[0084] また、コンデンサ 143による電圧の印加は、消磁スィッチ 141の ONによって急速に行われる力コンデンサ 143とコイル 112とが共振回路を構成しているため、コイル 1 12に流れる電流は正逆に入れ替わりながら時間の経過につれて波高値が徐々に低下する減衰交番電流となる。このため、コイル 112により発生する磁界は、磁極が正逆交互に入れ替わりながら磁束密度が徐々に低下する減衰交番磁界となる。したがつて、ハードディスク 139内の磁気ディスク 139aのうち減衰交番磁界を受けた領域（影領域 E1以外の全領域)が消磁され、その領域の磁気情報が消去される。

[0085] 続いて、消磁装置 101は、再度コンデンサ 143の充電を開始する (ステップ S4)。そして、コンデンサ 143が充分充電されると、切替制御回路によって極性反転スィッチ 1 42を切り替えて極性を反転し、タイマ回路により、コンデンサ 143に逐電した電圧を第 2方向（図 14の矢印 B方向）に放電せる (ステップ S5)。

[0086] このとき、図 17に示した矢印 B方向に磁界が流れ、図 16 (B)の説明図に示すように、ハードディスク 139内の磁気ディスク 139aは影領域 E2以外の部分で磁界 Gbにより消磁される。また、磁界 Gbによって金属製であるハードディスク 139が図 18の縦断右側面図に示すように前面側へ移動する。このとき、緩衝材 131があるため、ハードディスク 139は内ケース 133の中で前面側へ移動せず、内ケース 133が全体として移動する。この内ケース 133は、外ケース 108の正面板 108aに衝突する力緩衝材 121によって衝撃がやわらげられる。

[0087] また、内ケース 133が前面側へ移動することにより、内ケース 133の背面側端が支持突起 125から外れる。このとき、ハードディスク 139は内ケース 133の中で後方に位置しているため、支持軸 123よりも後方に重心が位置し、内ケース 133が重力によつて後ろ下がりに回転し、約 30° 後ろ下がりの状態で支持軸 123に支持される。このとき、規制突起 134の位置は、規制ガイド 124の中央の屈曲部分に位置する。

[0088] 続いて、消磁装置 101は、再度コンデンサ 143の充電を開始する (ステップ S6)。そして、コンデンサ 143が充分充電されると、切替制御回路によって極性反転スィッチ 1 42を切り替えて再度極性を反転して最初の状態に戻し、タイマ回路により、コンデンサ 143に逐電した電圧を第 3方向（図 14の矢印 C方向）に放電せる (ステップ S7)。

[0089] このとき、図 18に示した矢印 C方向に磁界が流れ、図 16 (C)の説明図に示すように、ハードディスク 139内の磁気ディスク 139aは影領域 E3以外の部分で磁界 Gcにより消磁される。また、磁界 Gcによって金属製であるハードディスク 139が内ケース 133 と共に背面側へ移動する力緩衝材 126があるため、衝撃がやわらげられる。

[0090] 以上の動作により、ハードディスク 139に対して、 3方向力順番に磁界を照射し、磁気ディスク 139aに記憶された磁気情報を消去することができる。磁気ディスク 139 aには、回転駆動する構造のために中心に回転駆動部 139bが設けられており、 1方向の磁界照射ではこの回転駆動部 139bによって磁界の影が生じる力他の方向からの磁界照射によってこの影部分についても磁界を照射し、磁気情報を確実に消去できる。この実施形態では、 3方向力もの磁界の照射により、図 19の説明図に示すように、影領域 El, E2, E3の全てが重なる領域をゼロにでき、磁気情報を確実に消去できる。

[0091] また、この実施形態では、金属製であるハードディスク 139が磁界によって受ける力を利用して、磁界の照射方向を正逆に切り替えるだけで、ハードディスク 139に対して磁界を照射する角度を切り替えることができる。このため、例えばステッピングモータを設けてハードディスク 139の角度を所定角度ずつ変更する場合に比べて安価に製造することができる。また、ステッピングモータを接続する回路や回転角度を制御する回路も不要となるため、回路構成を簡易化でき、この点でもコストダウンを図ることがでさる。

[0092] さらに、角度変更のためにステッピングモータに電流を流す間はコンデンサ 143を充電できな!/、と、つたこともな、ため、短時間で磁気情報の消去を完了することができる。

[0093] その上、ハードディスク 139の磁気情報を消去するための強力な磁界によってステッビングモータやこれを制御する回路が影響を受けるといったことを考慮する必要がない。このため、ステッピングモータやこれを制御する回路に対して防磁するといつた必要がなぐ消磁装置 101の設計を簡易化することができると共にコストダウンを図ることができる。

[0094] なお、以上の実施形態では、規制ガイド 124と規制突起 134により外ケース 108の中で内ケース 133が移動する範囲を規制したが、規制ガイド 124と規制突起 134を設けず、ある程度自由に内ケース 133が移動できるように構成しても良い。

また、ハードディスク 139に限らず、ビデオテープなど他の磁気媒体の磁気情報を消去する際に利用してもよい。

[0095] また、交流電圧を全波整流して直流を用いる構成としたが、これに限らず交流を用いる構成としてもよい。この場合でも、コイル 112に流れる電流を正逆に入れ替わる交番電流とすることができ、コイル 112により発生する磁界を磁極が正逆交互に入れ替わる交番磁界とすることができる。そして、印加する交流電圧を徐々に減衰すれば、コイル 112に流れる電流を減衰交番電流とすることができ、コイル 112により減衰交番磁界を発生させることができる。

実施例 6

[0096] 図 20は、実施例 6の消磁装置 201の斜視図を示し、図 21は消磁装置 201の内部構成の斜視図を示す。

消磁装置 201は、略正方形のボックス状に形成された筐体 202を有しており、筐体 202の正面中央に開口部 204が備えられ、その右下に操作ボタン 203が備えられている。

[0097] 開口部 204は、該開口部 204から挿入されて筐体 202の内部に収納されているトレィ 205の表面カバー 207によって塞がれており、この表面カバー 207の中央に、手前へ突出する取っ手 206が設けられて、る。

筐体 202の内部には、図 21に示す第 1系統の第 1コイル 211Aおよび第 2系統の第 2コイル 211Bが直交配置されて!、る。この第 1コイル 211Aおよび第 2コイル 211B は、いずれも 1. 5万ガウス程度の磁界を発生させるコイルである。

[0098] ここで、第 1コイル 211Aは、第 2コイル 211Bを内側に収納できるように交差部分が幅広に構成されている。そして、第 1コイル 211Aと第 2コイル 211Bのコイル内側には磁界を発生させる空間である消磁空間 Eが設けられており、この消磁空間 Eにトレィ 205が収納される構成となっている。このトレィ 205は、上面開放のボックス状であり、内部に磁気記憶媒体収納空間 209を有している。この磁気記憶媒体収納空間 20 9に、ハードディスクや FDディスクなどの情報消去した、磁気記憶媒体を収納する。

[0099] 図 22は、消磁装置 201の回路構成を示すブロック図である。

消磁装置 201は、交流電源 218に第 1コイル 211Aと第 2コイル 211Bとが並列に接続されている。交流電源 218の後段で、第 1コイル 211Aと第 2コイル 211Bとの前段側の分岐点 214より前段には、操作ボタン 203の押下操作に連動して ONZOFFが切り替わるスィッチ 217が設けられている。

[0100] 分岐点 214の後段で第 2コイル 211Bの前段には、交流電源 218から供給される交番電流 (正負が交互に入れ替わる電流）の位相を 45° 移す移相回路 215が設けられている。

[0101] 以上の構成により、利用者に操作ボタン 203が押下されてスィッチ 217が ONとなると、交流電源 218から交番電流が供給される。第 1コイル 211Aには、この交番電流がそのままの位相で入力される。また、第 2コイル 211Bには、移相回路 215で 45° 移相された交番電流が入力される。従って、図 23のグラフ図に示すように、第 1コィル 211Aに流れる電流 Iと第 2コイル 211Bに流れる電流 Iは、位相が 45° ずれてい

A B

る。つまり、移相回路 215がディレイ回路として機能し、電流 Iより電流 I力 5° 遅れ

A B

た位相になっている。

[0102] ここで、図 24の磁界説明図の (A)に示すように第 1コイル 211Aが発生させる磁界 Gと、図 24 (B)に示すように第 2コイル 211Bが発生させる磁界 Gは、互いに直交し

A B

ている。このため、両磁界を合成した合成磁界 Gは、図 24 (C)に示すように磁界 G

S A

の方向および強度と磁界 G の方向および強度を合成した磁界となる。

B

[0103] 従って、図 24 (D)に示すように、合成磁界 Gの照射方向をタイミング T〜Tに示

S 0 4 すように 360度全方位に連続的に変化させながら磁界を照射できる。これにより、例えば磁気情報を消去した、磁気記憶媒体がハードディスクであった場合、ディスクの回転中心部付近に回転機構の影となって磁気情報を消去しきれない部分が残ることがなぐ死角をなくして確実に磁気情報を消去することができる。また、ハードディスクの磁気記憶方式が、ディスクの円周に沿って磁気を記憶する水平方式や、ディスクの円周に直交する方向に磁気を記憶する垂直方式のいずれであっても、 360° 全方位に磁気を照射することで磁気情報を確実に消去することができる。

[0104] 第 1コイル 211Aと第 2コイル 211Bは、磁界の方向を交差させて配置しておけば、交番電流によって多方向への合成磁界 Gを発生させることができるが、本実施例で

S

は第 1コイル 211 Aと第 2コイル 211Bの磁界方向を直行させて、るため、合成磁界 G の方向を効率良く 360° 全方向に変化させることができる。

S

また、第 1コイル 211Aと第 2コイル 211Bには、同一周波数の交番電流を付与しているため、合成磁界 Gの方向を安定して変化させることができる。

S

実施例 7

[0105] 実施例 6では、第 1系統の第 1コイル 211Aと第 2系統の第 2コイル 211Bをそれぞれ 1つのコイルで構成した力各系統にっ、てそれぞれ複数のコイルを組み合わせて構成した場合について説明する。この場合、図 25 (A)の配置説明図、および図 25 (B)の磁界説明図に示すように、各系統でコイル 211A, 211Bを磁気的に直列配置して構成すると良い。

[0106] またこのときの回路構成は、図 26のブロック図に示すように、第 1系統と第 2系統を電気的に並列接続した上で、各系統内でさらにコイル 211 (211A, 211B)を電気的に並列接続すると良い。

他の構成については実施例 6と同一であるので、その詳細についての説明を省略する。

[0107] このように構成した場合でも、実施例 6と同一の効果を得ることができる。

そのうえ、コイル 211に供給する電力の容量を小さくすることもできる。つまり、 1つの系統を 1つのコイル 211で構成した場合であれば、強力な磁力を発生させるためにコィル 211に大容量の電力を供給する必要がある。しかし、複数の小さなコイル 211を磁気的に直列配置して構成することにより、各コイル 211に小容量の電力を供給すれば、直列配置された各コイル 211の磁力が合成されて強力な磁力を得ることができる。実施例 8

[0108] 実施例 6では第 1系統と第 2系統の 2系統とし、二次元平面上で磁界の方向が 360 ° 回転する構成にしたが、図 27の説明図の (A)〜(C)に示すように第 3系統の第 3 コイル 211Cを備え、 3方向に磁界を照射する 3系統のコイル 211 (211A, 211B, 2 11C)を備えても良い。この場合、図 28 (A)に示すように、各コイル 211は X軸、 Y軸、 Z軸方向にそれぞれの磁界 G , G , Gを照射すると良い。

A B C

[0109] この場合、電気回路的にはコイル 211A, 211Bと並列にコイル 211Cを備えると良い。また、コイル 211A, 211Bには、コイル 211A, 211Bの合成磁界 Gの強度が変 s

化するように、実施例 6で説明した各位相の周波数での交番電流を最大電流となるピーク値を周期毎に変化させるピーク値変換回路を備えるとよい。

その他の構成については、実施例 6と同一であるので、その詳細な説明を省略する

[0110] 以上の構成により、図 28 (A) , (B)に示すように、磁界 G , G , Gの強さをそれぞ

A B C

れ変化させて、これらの合成磁界 Gの方向を 3次元で自由に変化させることができる

S

[0111] そして、この合成磁界 Gの方向を、 3次元で球形に変化させることもできる。詳述す

S

ると、第 1系統の第 1コイル 211Aと第 2系統の第 2コイル 211Bとの合成磁界は、磁界方向が 2次元平面状で 360° 回転する。この 360° 回転する磁界の強度は、ピーク値変換回路によって変化させられる。そして、このように変化する磁界の方向を第 3 系統の第 3コイル 211Cによって Z軸方向にも変化させるため、全ての系統の合成磁界は、 3次元で球形を描くように方向を変化させることができる。

[0112] なお、以上の各実施形態では、電流の正負が連続的に変化する交流電源を用いて説明したが、コンデンサを使用して直流電源を用いて構成してもよい。この場合、電流の正負が異なる単発の直流を適宜の周期でコイル 211に付与すれば良い。このように直流を用いる場合、コンデンサとコイル 211とが共振回路を構成するため、コィル 211に流れる電流は正逆に入れ替わりながら時間の経過につれて波高値が徐々に低下する減衰交番電流となる。このため、コイル 211により発生する磁界は、磁極が正逆交互に入れ替わりながら磁束密度が徐々に低下する減衰交番磁界となる。このように直流を用いて構成しても、各コイル 211から発生させる磁界を合成した合成磁界の方向を種々の方向に変化させることができる。

[0113] また、実施例 6〜8は消磁装置 201として利用した力この消磁装置 201を、 1パルスの電圧を前記コイル 211に付与して磁性体を着磁させる着磁装置として利用しても良い。この場合、磁界を発生させたい方向の入力を受け付ける入力手段と、入力された内容を表示する表示手段と、各系統のコイル 211に付与する電圧の強度や電流の方向を制御する制御手段を備えるとよい。

[0114] 入力手段は、タツチパネルやテンキーなどの適宜の装置で構成すればよぐ表示手段は液晶ディスプレイやデジタル表示板などで構成すればよく、制御手段は CPU やマイクロチップ等で構成すればょヽ。

[0115] そして、制御手段は、入力手段で入力された内容を表示手段に表示する制御と、入力手段で入力された内容に従って交流電源 218から各コイル 211に付与する電圧および電流を決定する制御を実行すればよ!ヽ。

[0116] これにより、利用者は、トレイ 205の磁気記憶媒体収納空間 209に着磁したい磁性体を収納し、入力手段で各コイル 211に付与する電圧の強さと電流の向きを着磁したい方向と強度に設定し、操作ボタン 203を押下すれば、磁性体を任意の方向で任意の強度に着磁することができる。着磁する方向を設定するに際して、磁性体の置く方向を手で調整すると、つた必要がな、ため、磁性体を正確な磁界方向で確実に着磁することができる。

[0117] この発明の構成と、上述の実施形態との対応において、

この発明の磁気情報消去装置は、実施形態の消磁装置 1, 1A, 1Bに対応し、以下同様に、

蓋部は、表面カバー 7Aに対応し、

磁気記憶媒体は、ハードディスク 9およびマイクロドライブ 9Aに対応し、

磁気記憶媒体挿入許容部および離間部は、挿入穴部 11, 11Aに対応し、コイル群は、ペアコイル 21に対応し、

一方のコイルは、実施例 3のコィノレ 22aに対応し、

切替手段は、スィッチ 31〜39および切替制御回路に対応し、磁気情報消去装置は、消磁装置 101に対応し、

支持部は、支持軸 123に対応し、

載置部は、支持突起 125に対応し、

磁気記憶媒体は、ハードディスク 139に対応し、

切替手段は、極性反転スィッチ 142に対応し、

第 1磁界発生処理は、ステップ S3に対応し、

第 2磁界発生処理は、ステップ S5に対応し、

第 3磁界発生処理は、ステップ S7に対応し、

磁界発生装置、磁気情報消去装置、および着磁装置は、消磁装置 201に対応し、第 1系統のコイルは、第 1コイル 211Aに対応し、

第 2系統のコイルは、第 2コイル 211Bに対応し、

第 3系統のコイルは、第 3コイル 211Cに対応し、

移相手段は、移相回路 215に対応し、

交番電流供給手段は、交流電源 218に対応し、

磁界の向きは、磁界 G , G , G に対応するも、

A B C

この発明は、上述の実施形態の構成のみに限定されるものではなぐ多くの実施の形態を得ることができる。

Claims

請求の範囲

[1] 電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルと、

該コイルの磁界内に位置して磁気記憶媒体が挿入される挿入許容部とを備え、前記複数のコイルは、同一軸上に直列的に配置されると共に、電気的に並列接続され、

前記複数のコイルに一斉に電圧を印加する

磁気情報消去装置。

[2] 電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルと、

該コイルの磁界内に位置して磁気記憶媒体が挿入される挿入許容部とを備え、前記複数のコイルは、同一軸上に直列的に配置されると共に、電気的に直列接続され、

前記複数のコイルに一斉に電圧を印加する

磁気情報消去装置。

[3] 前記複数のコイルは、発生させる磁界の方向を同一方向に向けて配置されている請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[4] 前記複数のコイルは、発生させる磁界の方向を逆方向に向けて配置されている請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[5] 前記複数のコイルの少なくとも 1つに、該コイルに流れる電流の方向を逆向きに切り替えるスィッチが接続された

請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[6] 前記挿入許容部は、直列的に配置された前記複数のコイルの間または前記複数のコイルの軸内に配置されている

請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[7] 前記複数のコイルは、所定間隔の離間部を設けて同一軸上に直列配置されたコィル群であり、

該コイル群は、コイル半径方向に複数並設され、

前記挿入許容部は、すべてのコイル群の前記離間部を一体ィ匕した全体空間に配置されている請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[8] 電圧を印加する前記コイル群を順次切り替える切替手段を備えた

請求項 7記載の磁気情報消去装置。

[9] 前記複数のコイルは、所定間隔の離間部を設けて同一軸上に直列配置されたコィル群であり、

複数の該コイル群は、前記離間部中心が同一となるように球形に配置され、前記挿入許容部は、全てのコイル群に共通する前記離間部に配置されて、る請求項 1または 2記載の磁気情報消去装置。

[10] 前記磁気記憶媒体挿入許容部の入り口となる開口部に開閉可能な蓋部を備え、該蓋部に、少なくとも 1つの前記コイル群の一方のコイルが配置されて!、る請求項 9記載の磁気情報消去装置。

[11] 電圧が印加されて磁界を発生させるコイルと、

磁気記憶媒体を収容する内ケースと、

該内ケースを収容する外ケースと、

前記コイルに対して正方向の電圧と逆方向の電圧を順次切り替えて印加する切替手段とを備え、

前記外ケースは、

前記内ケースをシーソー状に揺動可能に支持する支持部と、

前記内ケースが略平行な状態に該内ケースの一端を載置支持できる載置部とを備え、

前記コイルは、前記支持部から前記載置部の方向に磁界を発生させる

磁気情報消去装置。

[12] 前記内ケースは、内面サイズが前記磁界の印加方向へ前記磁気記憶媒体より大きく構成されている

請求項 11記載の磁気情報消去装置。

[13] 前記磁界の印加方向における前記外ケースと前記内ケースの互いの対向面の少なくとも一方に緩衝材を備えた

請求項 11または 12記載の磁気情報消去装置。

[14] 前記切替手段は、正方向に電圧を印加する第 1磁界発生処理、逆方向に電圧を印加する第 2磁界発生処理、および正方向に電圧を印加する第 3磁界発生処理を順次実行する

請求項 11、 12または 13記載の磁気情報消去装置。

[15] 電圧が印加されて磁界を発生させる複数のコイルを備え、

前記複数のコイルは、磁界の向きが互いに交差するように第 1系統のコイルと第 2系統のコイルが配置されて、る

磁界発生装置。

[16] 前記第 1系統のコイルと第 2系統のコイルは、磁界が互いに直交するように配置されている

請求項 15記載の磁界発生装置。

[17] 前記第 1系統のコイルおよび前記第 2系統のコイルと磁界方向が直交する第 3系統のコィノレを備えた

請求項 16記載の磁界発生装置。

[18] 電流の正負が交互に入れ替わる交番電流を前記各系統のコイルに供給する交番電流供給手段と、

前記各系統のコイルに供給する前記交番電流の位相を異ならせる移相手段とを備えた

請求項 15、 16または 17記載の磁界発生装置。

[19] 前記第 1系統のコイルと第 2系統のコイルには、同一周波数の交番電流が付与され前記移相手段は、第 1系統のコイルと第 2系統のコイルとで位相を 45度異ならせる請求項 18記載の磁界発生装置。

[20] 請求項 15から 19のいずれか 1つに記載の磁界発生装置を用いて磁気記憶媒体に記憶されてヽる磁気情報を消去する

磁気情報消去装置。

[21] 請求項 15から 17のいずれか 1つに記載の磁界発生装置を用いて磁性体を着磁する 26