JP2008544548A - 非均一なゲートピッチを可能にするために変動する電極幅を有する半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図3Aに示すように、第1のエピタキシャル層(バッファ層)12が基板10上に形成又は付着可能である。基板10は、半絶縁性基板、p型基板又はn型基板であってよい。基板10は、非常に薄くドープ可能である。基板10が半絶縁性である場合には、それは、同一出願人による、例えば、特許文献14に記載のように形成可能であり、その開示は、全体的に説明されたかのように、参照することにより本明細書にそれにより組み込まれる。半絶縁性基板を提供するための他の技術も使用可能である。バッファ層12は、キャリア濃度約3.0×1015cm−3以下、しかし、典型的には、1.0×1015cm−3以下を有するp型の伝導性炭化シリコンであってよい。代替としては、バッファ層12は、n型炭化シリコン又は非ドープ(意図的にドープされていない)炭化シリコンであってよい。図3Aにさらに示すように、第2のエピタキシャル層14が第1のエピタキシャル層12上に成長又は付着される。
Claims (35)
- 第1の電極、第2の電極及びゲートフィンガーをそれぞれが有する並列に接続された複数の単位セルを含む半導体デバイスであって、
中央部での前記第1の電極の少なくとも1つが第1の幅を有し、周辺部での前記第1の電極の少なくとも1つが前記第1の幅に比べてより小さい第2の幅を有し、前記第2の電極は、前記ゲートフィンガー間のピッチが非均一であるように実質的に一定の幅を有することを特徴とする半導体デバイス。 - 前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、動作中であるとき、実質的に均一な接合部温度を前記ゲートフィンガーの実質的過半数にもたらすことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第2の電極の前記幅は、前記第1及び第2の幅に比べてより狭く、ソース容量に対してのドレイン(Cds)が、動作中であるとき、前記複数の単位セルにおいて実質的に一定のままであることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記複数の単位セルは、直線配列で配置された複数の単位セルを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記中央部からの前記ゲートフィンガーの距離に反比例することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記周辺部での前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記中央部でのゲートフィンガー間のピッチに比べてより少ないことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記複数の単位セルは、複数の金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の単位セルを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 炭化シリコン(SiC)の金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)、ガリウム砒素(GaAs)のMESFET又は窒化ガリウム(GaN)の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記複数の単位セルは、複数の炭化シリコントランジスタの単位セル、又は複数の窒化ガリウムトランジスタの単位セルを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の幅及び第2の幅は、約20μmから約60μmであることが可能であることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、約10μmから約90μmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の電極は、ソース電極を含み、前記第2の電極は、ドレイン電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- ソースフィンガー、ドレインフィンガー及びゲートフィンガーをそれぞれが有する並列に接続された複数の単位セルを含む電界効果トランジスタ(FET)であって、
前記FETの中央部での前記ソースフィンガーの少なくとも1つが第1の幅を有し、前記FETの周辺部での前記ソースフィンガーの少なくとも1つが、前記第1の幅に比べてより小さい第2の幅を有し、前記ドレインフィンガーは、前記ゲートフィンガー間のピッチが非均一であるように、実質的に一定の幅を有し、前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、動作中であるとき、実質的に均一な接合部温度を前記ゲートフィンガーの実質的過半数にもたらすことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記第2の電極の前記幅は、前記第1の幅及び第2の幅に比べてより狭く、ソース容量に対してのドレイン(Cds)が、動作中であるとき、前記複数の単位セルにおいて実質的に一定のままであることを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数の単位セルは、直線配列で配置された複数の単位セルを含むことを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記中央部からの前記ゲートフィンガーの距離に反比例することを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記周辺部での前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記中央部でのゲートフィンガー間のピッチに比べてより少ないことを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数の単位セルは、複数の金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の単位セルを含むことを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)は、炭化シリコン(SiC)のMESFET、ガリウム砒素(GaAs)のMESFET又は窒化ガリウム(GaN)の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含むことを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記複数の単位セルは、複数の炭化シリコントランジスタの単位セル、又は複数の窒化ガリウムトランジスタの単位セルを含むことを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記第1の幅及び第2の幅は、約20μmから約60μmであることが可能であることを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、約10μmから約90μmであることを特徴とする請求項13に記載の電界効果トランジスタ。
- 並列に電気的に接続された複数のゲートフィンガーを有する半導体デバイスの最高接続部温度を制御する制御方法であって、
前記ゲートフィンガー間の間隔が非均一であるように、ソースフィンガーの幅を変動するステップと、ドレインフィンガーの幅を実質的に一定に保つステップとを含むことを特徴とする制御方法。 - 前記半導体デバイスの中央領域の前記ゲートフィンガー間の前記間隔は、前記半導体デバイスの周辺領域のゲートフィンガーに比べて、隣接ゲートからさらに離間されることを特徴とする請求項23に記載の制御方法。
- ソースフィンガー、ドレインフィンガー及びゲートフィンガーをそれぞれが有する並列に接続された複数の単位セルを形成するステップを含むトランジスタを形成する形成方法であって、
前記トランジスタの中央部での前記ソースフィンガーの少なくとも1つが第1の幅を有し、前記トランジスタの周辺部での前記ソースフィンガーの少なくとも1つが、前記第1の幅に比べてより小さい第2の幅を有し、前記ドレインフィンガーは、前記ゲートフィンガー間のピッチが非均一であるように実質的に一定の幅を有することを特徴とする形成方法。 - 前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、動作中であるとき、実質的に均一な接合部温度を前記ゲートフィンガーの実質的過半数にもたらすことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記第2の電極の前記幅は、前記第1の幅及び第2の幅に比べてより狭く、ソース容量に対してのドレイン(Cds)が、動作中であるとき、前記複数の単位セルにおいて実質的に一定のままであることを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記複数の単位セルは、直線配列で配置された複数の単位セルを含むことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記トランジスタの前記中央部からの前記ゲートフィンガーの距離に反比例することを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記トランジスタの前記周辺部での前記ゲートフィンガー間の前記ピッチは、前記トランジスタの前記中央部でのゲートフィンガー間のピッチに比べてより少ないことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記複数の単位セルは、複数の金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の単位セルを含むことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)は、炭化シリコン(SiC)のMESFET、ガリウム砒素(GaAs)のMESFET又は窒化ガリウム(GaN)の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を含むことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記複数の単位セルは、複数の炭化シリコントランジスタの単位セル、又は複数の窒化ガリウムの単位セルを含むことを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記第1の幅及び第2の幅は、約20μmから約60μmであることが可能であることを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
- 前記ゲートフィンガー間の前記非均一ピッチは、約10μmから約90μmであることを特徴とする請求項25に記載の形成方法。
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