JP2008538164A - 金属酸化物半導体膜、構造および方法 - Google Patents

金属酸化物半導体膜、構造および方法 Download PDF

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Abstract

【課題】
半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させること。
【解決手段】
半導体デバイスの性能を向上させる材料および構造には、ＺｎＢｅＯ合金材料、ＺｎＣｄＯＳｅ合金材料、格子整合のためにＭｇを含有し得るＺｎＢｅＯ合金材料、および、ＢｅＯ材料が挙げられる。ＺｎＢｅＯ合金系、すなわち、Ｚｎ１−ｘＢｅｘ０におけるＢｅの原子分率ｘは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも大きな値になるまで増加するよう変化させることができる。ＺｎＣｄＯＳｅ合金系、すなわち、Ｚｎ１−ＹＣｄＹＯｉ−ｚＳｅｚにおけるＣｄの原子分率ｙとＳｅの原子分率ｚは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも小さい値になるまで減少するよう変動させることができる。形成された各合金は、選択されたドーパント元素を用いることによって、アンドープ、または、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされることができる。これらの合金は、単独または組み合わせて用いられて、一定の波長値の範囲にわたって放射可能な活性フォトニック層、単一および多重量子井戸のようなヘテロ構造、並びに超格子層またはクラッド層を形成し、光半導体デバイスや電子半導体デバイスを製造することができる。このような構造は、半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させるために利用できる。
【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、本出願人による、２００５年３月３０日に出願された、発明の名称が「金属酸化物半導体膜および方法（“Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ”）」（代理人整理番号ＭＯＸＴ−００４−ＰＲ）である、米国仮特許出願第６０／６６６，４５３号明細書の優先権の利益を主張するものであり、その全内容を本明細書内で記載のように、参照により本明細書に援用する。
発明の分野
本発明は、酸化亜鉛系合金の半導体材料、特に、所望のエネルギーバンドギャップの値の範囲で製造できるような材料に関する。かかる半導体材料は、半導体層、半導体構造および半導体デバイスを製造するために、および、半導体デバイスの機能と性能を向上させるために用いることができる。
発明の背景
酸化亜鉛（ＺｎＯ）の光学特性は、半導体デバイスにおける潜在用途、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）のようなフォトニック発光素子、およびフォトダイオードのようなフォトニック検出器について研究されてきた。ＺｎＯのエネルギーバンドギャップは、室温で約３．３電子ボルト（ｅＶ）であり、このエネルギーの放出光子に対する、約３７６ナノメートル（ｎｍ）の波長に対応するものである。発光は、ＺｎＯのＬＥＤで実証され、ｐ型材料およびｎ型材料を用いてダイオードが形成されてきた。ＺｎＯは、また、ＵＶ光検出器および電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を製造することにも用いられてきた。
ＺｎＯには、いくつかの重要な特性があり、これによって、オプトエレクトロニクスデバイスおよびその用途にとって有望な半導体材料となっている。ＺｎＯの励起子結合エネルギーは、ＧａＮの２６ｍｅＶやＺｎＳｅの２０ｍｅＶに比べて大きく、６０ｍｅＶである。このＺｎＯの大きな励起子結合エネルギーのため、高温で、輝度の高いコヒーレント発光／検波能力を有するＺｎＯ系デバイスの製造が期待されている。ＺｎＯの破壊電界は極めて高く、約２×１０６Ｖ／ｃｍ（ＧａＡｓの破壊電界の２倍より大きい）と推定され、したがって、高出力且つ高利得のために、高い動作電圧がＺｎＯ系デバイスに印加され得ることを意味する。また、ＺｎＯの飽和速度は、室温で３．２×１０７ｃｍ／秒であり、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）の値よりも大きい。このように飽和速度が高いことは、こうした他の材料のデバイスよりもＺｎＯ系デバイスの方が高周波での用途に優れていることを意味する。
さらに、ＺｎＯは、高エネルギー放射による放射線損傷に対して例外的に耐性がある。高エネルギー放射が原因で生じる半導体内の一般的な現象は、禁制帯内に深い中央部を形成すること、並びに、放射線生成キャリアを形成することである。これらは、デバイスの感度、応答時間および読み出しノイズに著しく影響を与える。したがって、耐放射性は、宇宙および原子炉内といった過酷な環境での操作に関するデバイスのパラメータとして非常に重要である。
材料の耐放射性の観点から、ＺｎＯは、他の広バンドギャップ半導体よりも、宇宙での操作にはるかに適している。例えば、ＺｎＯは、電子や陽子からの高エネルギー放射による損傷に対して、ＧａＮよりも約１００倍耐性がある。
また、ＺｎＯの融解温度は高く、２０００℃近くあり、高温環境での用途だけでなく、デバイス製造中のアニールや焼成といった成長後のプロセスにおいて、高温処理の可能性をもたらしている。
大面積のＺｎＯ単結晶ウェハ（直径７５ｍｍ以下）が市販されている。転移密度の低いホモエピタキシャルＺｎＯ系デバイスを成長させることが可能である。ＺｎＯ基板上でホモエピタキシャルＺｎＯを成長させることによって、格子不整合による応力および熱膨張の問題といった、サファイアの上でヘテロエピタキシャルＧａＮを成長させることに伴う問題を数多く解決するであろう。
ＺｎＯのアクセプタ準位は、ＧａＮの２１５ｍｅＶに比べて浅く、１２９ｍｅＶである。アクセプタ準位が低い値であることは、ＺｎＯ内のｐ型ドーパントがより容易に活性化され、それによって、各材料が同じドーパントレベル濃度である場合、ＺｎＯのホール濃度を対応するＧａＮのホール濃度よりも高くするのに有用であることを意味する。ＺｎＯ系デバイスは、ウェット化学エッチング法によって製造することができる。こうした特性によって、ＺｎＯは、遠近ＵＶ検出器、ＬＥＤ、ＬＤ、ＦＥＴおよびその他のオプトエレクトロニクスデバイスの開発にとって最も魅力的な材料となっている。
半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させるために、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップを、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも小さい値に、またＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも大きい値に変更することが望ましい。
例えば、バンドギャップエネルギーがＺｎＯのバンドギャップエネルギーよりも大きい材料によれば、ＬＥＤデバイスおよびＬＤデバイスが、より短い波長で発光できる。これに対して、バンドギャップエネルギーがＺｎＯのバンドギャップエネルギーよりも小さい材料によれば、ＬＥＤデバイスおよびＬＤデバイスが、より長い波長で発光できる。
バンドギャップがより大きい材料によれば、例えば、活性発光層、量子井戸、多重量子井戸、超格子、クラッド層、吸収層、透過層および受光素子といった、スペクトルの紫外線（ＵＶ）領域において機能、能力および性能が向上した半導体へテロ構造を製造することができる。このようなデバイスおよび能力として、スペクトルのＵＶ領域で放射するＬＥＤおよびＬＤ、並びにソーラブラインドおよび他の用途のためのＵＶ光検出器が挙げられる。
バンドギャップがより小さい材料によれば、例えば、活性発光層、量子井戸、多重量子井戸、超格子、クラッド層、吸収層、透過層および受光素子といった、スペクトルの可視光域において機能、能力および性能が向上した半導体へテロ構造を製造することができる。
このようなデバイスおよび能力として、スペクトルの可視光域で放射するＬＥＤおよびＬＤ、並びに可視光検出器が挙げられる。
性能、能力および機能が向上した、動作可能な、ＺｎＯ系材料から製造された半導体デバイスは、これらに限定されないが、発光体、光検出器、ＦＥＴ、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタ、透明トランジスタ、回路素子、通信ネットワーク、レーダ、センサおよび医療画像化といったデバイスおよび領域を含む、数多くの商業的且つ軍事的分野で使用されることが望ましい。
したがって、特定のエネルギーバンドギャップの値を有するように調整可能なＺｎＯ系半導体材料を提供することが有用であろう。
本発明の一つの態様として、ＺｎＢｅＯ半導体合金中のＢｅの原子分率を調整することによって、特定のエネルギーバンドギャップの値を有するよう調整可能なＺｎＯ系半導体材料を提供することが有用であろう。
また、ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金中のＣｄの原子分率とＳｅの原子分率とを調整することによって、特定のエネルギーバンドギャップの値を有するように調整可能なＺｎＯ系半導体材料を提供することも有用であろう。
発明の概要
本発明は、ＺｎＢｅＯ合金材料、ＺｎＣｄＯＳｅ合金材料、格子整合のためにＭｇを含有し得るＺｎＢｅＯ合金材料およびＢｅＯ材料などの、半導体デバイスの性能を向上させるための材料を提供することによって、上記課題を解決する。
ＺｎＢｅＯ合金系、すなわち、Ｚｎ１−ｘＢｅｘＯにおけるＢｅの原子分率ｘは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップを、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも大きな値に増加させるために変化させることができる。
ＺｎＣｄＯＳｅ合金系、すなわち、Ｚｎ１−ｙＣｄｙＯ１−ｚＳｅｚにおけるＣｄの原子分率ｙおよびＳｅの原子分率ｚは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップを、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも小さい値に減少させるために変化させることができる。
各合金は、選択されたドーパント元素を用いて、アンドープ、またはｐ型ドープもしくはｎ型ドープされることができる。
これらの合金は、単独または組み合わせて用いられて、ある波長値の範囲にわたって放射可能な活性フォトニック層、単一および多重量子井戸のようなヘテロ構造、並びに超格子層またはクラッド層を形成し、光および電子半導体デバイスを製造することができる。
これらの構造は、半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させるために利用できる。
本発明の他の実施形態、例、特徴および態様も本明細書で開示する。
以上の説明や、本発明の他の目的、利点および特徴、並びに、本発明が達成される方法は、添付の図面と併せて、本発明の以下の詳細な説明を考慮した後に、より明らかとなるであろう。
本発明は、添付の図面の図と合わせて読まれる以下の詳細な説明によって、さらに理解される。
発明の詳細な説明
概要および本明細書で用いられる用語
本発明は、所望のエネルギーバンドギャップ値の範囲で製造できる酸化亜鉛系合金半導体材料に関するものであり、半導体構造およびデバイスを製造するために、また、半導体デバイスの機能と性能を向上させるために用いることができる。本発明を理解しやすくするために、発明者らは、まず、本発明の説明に関連して用いられる用語を以下に挙げて説明する。
ＬＥＤまたはＬＤの活性層は、光が放射される半導体層と関連がある。活性層内では、ｎ型またはｐ型の導電性をもつ電気キャリアが結合する。エネルギーバンドギャップの値によって、特徴的な発光の波長が決定される。
量子井戸（ＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造は、ｎ型キャリアおよびｐ型キャリアが、より小さいエネルギーバンドギャップの層内に位置する確率が高まるように、隣接する層よりもエネルギーバンドギャップが小さい層を有する積層された半導体構造から構成される。フォトニック放射の特性波長は、ＱＷまたはＭＱＷにおいてエネルギーバンドギャップが最小の半導体材料によって決定されるものである。
超格子（ＳＬ）構造は、エネルギーバンドギャップの値が異なる半導体材料からなる第１の層と第２の層とから構成され、第１および第２の層はそれぞれ十分に薄いため、必要であれば変形して、隣接する層でエピタキシャル層を形成することができ、第１および第２の層は、異なる濃度のｎ型ドーパント元素を有し得る、または異なる濃度のｐ型ドーパント元素を有し得る。均一な組成物でできた厚い層の代わりにＳＬ積層構造を使用すると、均一な組成物でできた半導体材料の厚い層の使用により生じ得る歪みを減らすことによって、より効率のよいデバイスを製造することができる。
ＬＥＤやＬＤといった半導体デバイスの性能を向上させるために、エピタキシャル積層構造に対する種々の設計が、従来技術において提案されてきた。こうした構造の中に、異なるエネルギーバンドギャップを有する材料でできた交互層で構成される半導体へテロ構造がある。かかるヘテロ構造としては、これらに限定されないが、量子井戸、多重量子井戸、超格子層、絶縁層、光反射膜および多層光反射層、金属接触層、クラッド層および基板が挙げられる。
例えば、異なるエネルギーバンドギャップを有するＧａＮ系半導体材料を採用したヘテロ構造および隣接するエピ層が、発光半導体デバイスの特性を変更するために説明または提案されてきた。
ＬＥＤまたはＬＤが放射する波長の下限は、発光が生じる活性層のエネルギーバンドギャップの値を大きくすることによって、より小さくすることができる。以下に詳述するように、本発明によれば、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップは、適切な成長方法を用いて、ＺｎＯを適切な材料で合金化することによって、増大させることができる。
ＬＥＤまたはＬＤが放射する波長の上限は、発光が生じる活性層のエネルギーバンドギャップの値を小さくすることによって、より大きくすることができる。以下に詳述するように、本発明によれば、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップは、適切な成長方法を用いて、ＺｎＯを適切な材料で合金化することによって、減少させることができる。
「バンドギャップ変調」および「バンドギャップエンジニアリング」とは、エネルギーバンドギャップの値を大きくまたは小さくするために材料のバンドギャップを変えることに対して、本発明に関連して本明細書で用いる用語である。
本発明によると、バンドギャップ変調は、半導体デバイスに閉じ込められる光子およびキャリアを増加させるために用いることができる。バンドギャップ変調は、発光半導体デバイスにおける発光の波長を調整するために、および、光検出器半導体デバイスの応答特性を改善するために用いることができる。
従来技術文献には、ＺｎＯをマグネシウム（Ｍｇ）で合金化してＺｎＭｇＯ、すなわちＺｎ１−ｗＭｇｗＯ、を形成することによって、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップを室温で３．９９ｅＶに増加させることが記載されている。Ｍｇの含有量を、最大ｗ＝０．３３まで増加させると、このエネルギーバンドギャップは、３．９９ｅＶに増加した。ＺｎＯ層とＺｎＭｇＯ層とを使用することによって、ヘテロ構造が製造される。しかし、ＺｎＯとＭｇＯとでは、結晶構造が異なり、格子定数が大きく異なるため、Ｍｇの含有量がｗ＝０．３３に対応する値を超える場合には、ＭｇＯとＺｎＯとの間に結晶相分離が生じる。ＭｇＯは、格子間隔が０．４２２ｎｍの立方格子構造であり、一方、ＺｎＯは、格子間隔が０．３２５ｎｍの六方晶である。そのため、半導体デバイスにおいてエネルギーバンドギャップを最大３．３ｅＶまで増加させ、それより大きなエネルギーバンドギャップの値にならないようにするために、ＺｎＭｇＯ合金の用途が制限される。
この分野でさらに研究することにより、短波長で動作可能な半導体デバイスを製造するために、バンドギャップを約３．３ｅＶよりも大きな値に増加させることができると考えられている。成長を簡単にするために、エネルギーバンドギャップの範囲が約３．３ｅＶから約１０．６ｅＶ（約１１７ｎｍの波長に対応）のエネルギーバンドギャップ値までをカバーするような一組の元素から構成される合金系を有することが望ましい。以下により詳細に説明するように、本発明は、このような合金系を可能にする。
ベリリウム酸化物（ＢｅＯ）のエネルギーバンドギャップは、室温で約１０．６ｅＶであり、これは約１１７ｎｍの波長に対応する。ＢｅＯは六方晶の格子構造を有する。
この分野でさらに研究することにより、長波長で動作可能な半導体デバイスを製造するために、バンドギャップを約３．３ｅＶよりも小さな値に減少させることができると考えられている。成長を簡単にするために、エネルギーバンドギャップの範囲が約３．３ｅＶから約１．７５ｅＶ（７１０ｎｍの波長に対応）のエネルギーバンドギャップ値までをカバーするような一組の元素から構成される合金系を有することが望ましい。本発明は、このような合金系を可能にする。
セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）のエネルギーバンドギャップは、約１．７５ｅＶであり、これは約７１０ｎｍの波長に対応する。ＣｄＳｅは、適切な成長条件を用いることにより、六角格子構造で成長することができる。
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）のエネルギーバンドギャップは、約２．８ｅＶであり、これは約４４４ｎｍの波長に対応する。ＺｎＳｅは、適切な成長条件を用いることにより、六角格子構造で成長することができる。ＺｎＯ、ＢｅＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯおよびＺｎＳｅは、ＩＩ−ＶＩ族の化合物である。
まとめると、２つの合金系、すなわちＺｎＢｅＯ、つまりＺｎ１−ｘＢｅｘＯ（ｘは必要に応じて０から１の間で変化する）と、ＺｎＣｄＯＳｅ、つまりＺｎ１−ｙＣｄｙＯ１−ｚＳｅｚ（ｙは必要に応じて０から１の間で変化し、ｚは必要に応じて０から１の間で独立して変化する）とから構成されるＺｎＯ系合金のエネルギーバンドギャップ値は、約１０．６ｅＶ〜約１．７５ｅＶの範囲にわたり、これは約１１７ｎｍ〜約７１０ｎｍの波長範囲に対応する。
以下の説明において、ＺｎＢｅＯ合金という用語は、Ｚｎ１−ｘＢｅｘＯ合金を指すために用いられ、Ｂｅの原子分率ｘは０から１まで変化する、または特定されるとおりである。
別の表示として、ＺｎＢｅＯ合金という用語は、本明細書では、Ｚｎ１−ｘＢｅｘＯ合金のことを指すために用いられ、０≦ｘ≦１、または特定されるとおりである。
同様に、ＺｎＣｄＯＳｅ合金という用語は、Ｚｎ１−ｙＣｄｙＯ１−ｚＳｅｚ合金のことを指すために用いられ、Ｃｄの原子分率ｙは０から１まで変化し、Ｓｅの原子分率ｚは０から１まで独立して変化し、またはｙおよびｚの値は、それぞれ特定されるとおりである。
別の表示として、ＺｎＣｄＯＳｅ合金という用語は、本明細書では、Ｚｎ１−ｙＣｄｙＯ１−ｚＳｅｚ合金のことを指すために用いられ、独立して０≦ｙ≦１および０≦ｚ≦１であり、またはｙおよびｚの値は、それぞれ特定されるとおりである。
エネルギーバンドギャップが変調した材料の結晶品質は高いはずなので、これらの材料から製造される半導体デバイスの性能特性は高い。高機能、高能力および高性能の半導体デバイスを製造するために用いられるＺｎＯおよびＺｎＯ合金材料は、膜成長、組成物および品質を適切に制御するための機能および能力と、アンドープの材料、ｐ型ドープされた半導体材料およびｎ型ドープされた半導体材料を成長させるための、並びに、層およびこれらの層を用いたヘテロ構造を成長させるための能力とを備えた成長プロセスを必要とする。
出願人らのＨＢＤ技術
この点において、出願人らは以前に、他の態様の中でも、Ａｓの拡散ではなく、Ａｓドーパントを膜に注入するために、外部のＡｓ分子ビームを用いて、ｐ型のＺｎＯを成長させることが可能なハイブリッドビーム蒸着（ＨＢＤ）法を開発した。このＨＢＤ法は、本出願人の米国仮特許出願第６０／４０６，５００号明細書（２００２年８月２８日出願）、ＰＣＴ／ＵＳ０３／２７１４３号明細書（２００３年８月２７日出願）、および米国特許出願第１０／５２５，６１１号明細書（２００５年２月２３日出願）において説明され、その各々および全てを参照により本明細書に援用する。
Ａｓドープされたｐ型のＺｎＯ膜を製造するための出願人らによるＨＢＤ法は、ドーピングレベルを正確に制御するために用いることができる。ＨＢＤによって成長したＺｎＯ：Ａｓの光学特性および電気的特性については、上記で引用し、参照により本明細書に援用した、本出願人による特許出願において記載されている。特に、半導体層および構造にとって、且つ、デバイスの製造にとって、十分に高いホールキャリア濃度を得ることができる。Ａｓアクセプタの熱結合エネルギー（ＥＡ ｔｈ−ｂ）は１２９ｍｅＶであり、これは温度依存性のホール効果測定から導き出される。ＰＬスペクトルは、ＺｎＯ価電子帯の最大値を上回る、１１５ｍｅＶと１６４ｍｅＶとにそれぞれ位置する２つの異なったアクセプタ準位（ＥＡ ｏｐｔ−ｂ）を示し、また、Ａｓアクセプタへの励起子結合エネルギー（ＥＡＸｂ）が約１２ｍｅＶであることを示している。ＨＢＤによって成長したｐ型のＺｎＯ：Ａｓ層の品質は、デバイスの製造にとっては十分に高いものである。
出願人らに関連した酸化亜鉛膜および構造
出願人らはまた、広バンドギャップ半導体材料が、高温でのデバイスの動作に有用であることに注目している。酸化亜鉛は広バンドギャップ材料であり、また、良好な耐放射特性を有する。酸化亜鉛でできた広バンドギャップ半導体膜は、現在、ｎ型およびｐ型の両方のキャリア型のものが入手可能であり、これらは半導体デバイスを製造するのに十分な性質を有する。
一例として、米国特許第６，２９１，０８５号明細書（ホワイト（Ｗｈｉｔｅ）ら著）には、ｐ型ドープされた酸化亜鉛膜が開示されており、この膜が、ＦＥＴを含む半導体デバイスに組み込まれ得る。
米国特許第６，３４２，３１３号明細書（ホワイト（Ｗｈｉｔｅ）ら著）には、正味アクセプタ濃度が少なくとも約１０１５アクセプタ／ｃｍ３である、ｐ型ドープされた金属酸化膜であって、この膜が、第２族の元素（ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびラジウム）と、第１２族の元素（亜鉛、カドミウムおよび水銀）と、第２族および第１２族の元素と、第１２族および第１６族の元素（酸素、硫黄、セレニウム、テルリウムおよびポロニウム）とからなる群から選択される元素の酸化化合物であり、ｐ型ドーパントは、第１族の元素（水素、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムおよびフランシウム）、第１１族の元素（銅、銀および金）、第５族の元素（バナジウム、ニオブおよびタンタル）、および第１５族の元素（窒素、リン、砒素、アンチモンおよびビスマス）からなる群から選択される元素である、ｐ型ドープされた金属酸化膜が開示されている。
米国特許第６，４１０，１６２号明細書（ホワイト（Ｗｈｉｔｅ）ら著）には、ｐ型ドープされた酸化亜鉛膜であって、ｐ型ドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族の元素から選択され、この膜は、デバイス内の材料と格子整合するための基板材料として、ＦＥＴを含む半導体デバイスまたは半導体デバイスに組み込み可能である、ｐ型ドープされた酸化亜鉛膜が開示されている。
上記参照した米国特許第６，２９１，０８５号明細書、同第６，３４２，３１３号明細書、および同第６，４１０，１６２号明細書を含む、上記参照した特許および開示内容を、参照により本明細書に援用する。
上記のように、および、本出願人による、参照により本明細書に援用した引用特許文献において説明されるように、出願人らのＨＢＤ法は、高品質の半導体材料を製造することができる。例えば、これらに限定されないが、アンドープのＺｎＯ、ｐ型ドープされたＺｎＯ、ｎ型ドープされたＺｎＯ、アンドープのＺｎＢｅＯ合金、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯ合金、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯ合金、アンドープのＺｎＣｄＯＳｅ合金、ｐ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ合金、ｎ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ合金が挙げられる。
また、出願人らは、以下に詳細に説明するように、本発明に関連して、次のさらなる態様にも注目している。
ＺｎＯは、エネルギーバンドギャップの値が３．３ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物であり、ＢｅＯは、エネルギーバンドギャップの値が１０．６ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物である。ＺｎＯは、適切な条件下で成長すると、六方晶の結晶構造を有する。ＢｅＯは、適切な条件下で成長すると、六方晶の結晶構造を有する。ヴァーナードの法則（Ｖｅｒｎａｒｄ’ｓ Ｌａｗ）を考慮すると、ＺｎＯおよびＢｅＯを適切な比で混合することにより、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間で特定のエネルギーバンドギャップの値を実現することができる。より具体的には、ヴァーナードの法則（Ｖｅｒｎａｒｄ’ｓ Ｌａｗ）によれば、合金Ｚｎ０．９Ｂｅ０．１Ｏのエネルギーバンドギャップは、ＺｎＯに対して、約０．７３ｅＶ分、約３．３ｅＶよりも大きいはずである。
ＺｎＯは、エネルギーバンドギャップの値が約３．３ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物であり、ＣｄＳｅは、エネルギーバンドギャップの値が約１．７５ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物である。ＣｄＳｅは、適切な条件下で成長すると、六方晶の結晶構造を有する。ヴァーナードの法則（Ｖｅｒｎａｒｄ’ｓ Ｌａｗ）を考慮すると、ＺｎＯおよびＣｄＳｅを適切な比で混合することにより、約３．３ｅＶと約１．７５ｅＶとの間で特定のエネルギーバンドギャップの値を実現することができる。
ＺｎＯは、エネルギーバンドギャップの値が約３．３ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物であり、ＺｎＳｅは、エネルギーバンドギャップの値が約２．８ｅＶの第ＩＩ−ＶＩ族化合物である。ＺｎＳｅは、適切な条件下で成長すると、六方晶の結晶構造を有する。ヴァーナードの法則（Ｖｅｒｎａｒｄ’ｓ Ｌａｗ）を考慮すると、ＺｎＯおよびＺｎＳｅを適切な比で混合することにより、約３．３ｅＶと約２．８ｅＶとの間で特定のエネルギーバンドギャップの値を実現することができる。
エネルギーバンドギャップが約１０．６ｅＶと約３．３ｅＶとの間にあるエピタキシャル積層された材料を設計することができ、この材料は、アンドープ、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされることができる。
エネルギーバンドギャップが約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間にあるエピタキシャル積層された材料を設計することができ、この材料は、アンドープ、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされることができる。
半導体デバイスの電力、効率、機能および速度は、半導体デバイス内のｎ型またはｐ型のキャリアの移動度によって制限される。ＳＬ、ＱＷおよびＭＱＷ構造をＺｎＯデバイスに利用することにより、半導体デバイスの性能、能力および機能を向上させるることができる。
本発明の例および実施形態
以上の説明を念頭に置き、次に、本発明の実施形態および例の説明に移る。
図１は、本発明の一実施形態の一例を示し、図示された例において、単結晶サファイア基板上でエピタキシャル成長した半導体ＺｎＢｅＯ合金層を含む。ＺｎＢｅＯ合金層はドープされ得るか、または、アンドープであり得る。
ＺｎＢｅＯの例：
図１に示す実施形態の一例では、ＺｎＢｅＯ合金のエネルギーバンドギャップは約４．５９ｅＶで、これは約２７１ｎｍの波長と対応しており、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質によって特徴付けられている。
図１に示す実施形態の別の例として、本発明は、単結晶サファイア基板上に堆積されたＺｎＢｅＯ合金で構成されたＺｎＯ系半導体材料であって、ＺｎＢｅＯ合金のエネルギーバンドギャップは約４．６８ｅＶで、これは約２６５ｎｍの波長に対応しており、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質を有する、ＺｎＯ系半導体材料を含むことができる。
さらなる例として、本発明は、単結晶サファイア基板上に堆積されたＺｎＢｅＯ合金で構成されたＺｎＯ系半導体材料であって、ＺｎＢｅＯ合金のエネルギーバンドギャップは約４．８６ｅＶで、これは約２５６ｎｍの波長に対応しており、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質を有する、ＺｎＯ系半導体材料を含むことができる。
さらに別の例として、本発明は、単結晶サファイア基板上に堆積されたＺｎＢｅＯ合金で構成されたＺｎＯ系半導体材料であって、ＺｎＢｅＯ合金のエネルギーバンドギャップは約４．９６ｅＶで、これは約２５０ｎｍの波長に対応しており、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質を有する、ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
さらなる例として、本発明は、単結晶サファイア基板上に堆積されたＺｎＢｅＯ合金で構成されたＺｎＯ系半導体材料であって、ＺｎＢｅＯ合金のエネルギーバンドギャップは約５．３９ｅＶであり、これは約２３０ｎｍの波長に対応しており、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質を有する、ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
本発明のＺｎＢｅＯ実施形態の合金膜のエネルギーバンドギャップは、ＺｎＢｅＯ合金内のＢｅの原子分率を０から１まで徐々に調整することによって、おおよそ約３．３〜約１０．６ｅＶまで変化させることができる。
本発明の上述の例および実施形態は、ＺｎＢｅＯ合金に関して説明しているが、本発明は、他のＺｎＢｅＯ合金および、例えば、（これらに限定されないが）ＺｎＣｄＯＳｅ合金およびＢｅＯ材料といった他の種類のＺｎＯ合金に対して実施されてもよいことが理解されよう。
ＺｎＣｄＯＳｅおよびＢｅＯの例：
さらなる例として、本発明は、単結晶サファイア基板上に堆積されたＺｎＣｄＯＳｅ合金で構成されたＺｎＯ系半導体材料の形態で実施可能であり、ＺｎＣｄＯＳｅ合金は、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる際の使用に適した、高い結晶品質を有する。
本発明のＺｎＣｄＯＳｅ合金のエネルギーバンドギャップの値は、ＺｎＣｄＯＳｅ合金内のＣｄの原子分率とＳｅの原子分率を、別々に、０から１まで調整することによって、おおよそ約３．３ｅＶ〜約１．７５ｅＶまで変化させることができる。
さらに、本発明のＺｎＢｅＯ合金膜のエネルギーバンドギャップは、ＢｅＯを成長させることによって、約１０．６ｅＶ前後にすることができる。
本発明のさらなる態様によれば、ＺｎＢｅＯ合金、ＺｎＣｄＯＳｅ合金およびＢｅＯは、例えば、これらに限定されないが、半導体ヘテロ構造、活性層、量子井戸、多重量子井戸、超格子層、絶縁層、反射膜および多層光反射層、金属接触層、クラッド層、ショットキー障壁、および基板などの有用な層および構造を形成するために、単独で、または、種々に組み合わせて、もしくはＺｎＯまたは他の半導体材料と種々に組み合わせて用いることができ、半導体デバイスを製造するために用いることができ、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させるために用いることができる。
本発明によれば、および、図１の例と類似して、数多くの変形が可能であり、且つ、本発明の範囲内であることが当業者には理解されよう。このような変形として、以下のいずれか、または、以下の組み合わせが一例として挙げられる。
−単結晶サファイア基板とは異なる組成物でできた材料または基板材料上で、半導体ＺｎＢｅＯ合金層をエピタキシャル成長させることができる、
−ｐ型またはｎ型ドープされた半導体材料であるＺｎＢｅＯ合金層を成長させることができる、
−単結晶サファイア基板上で、ＺｎＣｄＯＳｅ層をエピタキシャル成長させることができる、
−単結晶サファイア基板とは異なる組成物でできた材料または基板材料上で、半導体ＺｎＣｄＯＳｅ層をエピタキシャル成長させることができる、
−アンドープのＺｎＣｄＯＳｅ合金層、もしくはｐ型またはｎ型ドープされた半導体材料であるＺｎＣｄＯＳｅ合金層を成長させることができる、
−単結晶サファイア基板とは異なる組成物でできた材料または基板材料上で、半導体ＢｅＯ材料層をエピタキシャル成長させることができる、
−アンドープ、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされた半導体材料であるＢｅＯ材料層を成長させることができる、
−ｎ型ドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｎ型ＺｎＢｅＯ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族の元素から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｐ型ＺｎＢｅＯ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される、ｐ型ＺｎＢｅＯ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが砒素である、ｐ型ＺｎＢｅＯ半導体合金材料を調製することができる、
−ｎ型ドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｎ型ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族の元素から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｐ型ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される、ｐ型ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが砒素である、ｐ型ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を調製することができる、
−格子整合層を形成するための用途に対して、ＺｎＢｅＯ材料に取り込まれたある原子分率のＭｇでＺｎＢｅＯ半導体材料を成長させることができ、このＺｎＢｅＯ膜が、アンドープ、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープのいずれかの半導体材料であり得る、
−ｎ型ドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｎ型ＢｅＯ半導体材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、第１族、第１１族、第５族および／または第１５族の元素から選択される１つの元素または２つ以上の元素である、ｐ型ＢｅＯ半導体材料を調製することができる、
−ｐ型ドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される、ｐ型ＢｅＯ半導体材料を調製することができる、および／または、
−ｐ型ドーパントが砒素である、ｐ型ＢｅＯ半導体材料を調製することができる。
製造例：
このような一例において、バルク結晶から切断された研磨サファイアウェハを、基板として用いた。このウェハを、ハイブリッドビーム蒸着反応器内に置き、約７５０℃まで加熱した。約１×１０−５トルまで減圧し、ＲＦ酸素プラズマで３０分間基板を洗浄した。次に、温度を６５０℃まで下げた後、基板上にＺｎＢｅＯ層を約０．３ミクロンの厚さまで堆積した。ＺｅＢｅＯ半導体合金を堆積する間、Ｂｅを含んだ、熱制御されたクヌーセンセルを加熱して、ＺｎＯを成長させるのに用いるビームと同時に基板に衝突するＢｅ蒸気ビームを生成した。
（酸化亜鉛層、ｎ型酸化亜鉛層、およびｐ型酸化亜鉛層、特に、砒素でドープされたｐ型酸化亜鉛層、を堆積するための例示的なハイブリッドビーム蒸着法（ＨＢＤ）のより詳細な説明は、本出願人による米国特許第６，４７５，８２５号明細書および同第６，６１０，１４１号明細書、並びに米国仮特許出願第６０／４０６，５００号明細書、ＰＣＴ／ＵＳ０３／２７１４３号明細書、および米国特許出願第１０／５２５，６１１号明細書の１つまたは複数に記載され、その全内容を本明細書で記載のように、その各々および全てを参照により本明細書に援用する）
次に、堆積層を備えたウェハを反応器から取り出し、遮断波長の下限が約１８０ｎｍである可視紫外透過率分光計内に置いた。光透過測定値を用いて、室温でＺｎＢｅＯ半導体合金膜の特性を確認して、透過率対波長を測定した。
透過率対波長のデータ：
図２は、透過率をＺｎＢｅＯ合金膜への入射光の波長に対してプロットした、本発明のＺｎＢｅＯの実施形態の例、および、ＺｎＯ膜のデータも示す。曲線Ａと表示されたＺｎＯ膜に関しては、Ｂｅの原子分率はゼロである。膜成長の条件によって決定されたＢｅの原子分率は、曲線ＡからＢ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦへと進むに従って単調に増加し、Ｆと表示された曲線が、図示した中でＢｅの原子分率が一番高い膜に関するデータを示す。（分光計の最低波長限界能力は、約１８０ｎｍである）
図２の凡例におけるＺｎＢｅＯは、特定合金内のＺｎの原子分率とは異なる、いくらかの原子分率のＢｅを含有するＺｎＢｅＯ合金を示している。
本発明によると、各光透過測定曲線をデータ分析に適合させて、ＺｎＯ（透過率曲線Ａ）のエネルギーバンドギャップの値と、ＺｎＢｅＯ半導体合金（透過率曲線Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦ）のそれぞれのエネルギーバンドギャップの値とを決定することができる。
透過率曲線Ａの場合、エネルギーバンドギャップの値は、約３．３ｅＶであり、これは約３７６ｎｍの波長に対応する。このエネルギーバンドギャップの値はＺｎＯに対して妥当な値である。
透過率曲線Ｂの場合、エネルギーバンドギャップの値は、約４．５９ｅＶであり、これは約２７１ｎｍの波長に対応する。このエネルギーバンドギャップの値は、いくらかの原子分率のＢｅを含有するＺｎＢｅＯ合金に対して妥当な値である。
透過率曲線Ｃの場合、エネルギーバンドギャップの値は、約４．６８ｅＶであり、これは約２６５ｎｍの波長に対応する。これらの値は、そのＢｅの原子分率が、透過率曲線Ｂに対応するものより大きいが、透過率曲線Ｄに対応するものよりは小さいＺｎＢｅＯ合金に対して妥当な値である。
透過率曲線Ｄの場合、エネルギーバンドギャップの値は、約４．８６ｅＶであり、これは約２５６ｎｍの波長に対応する。このエネルギーバンドギャップの値は、そのＢｅの原子分率が透過率曲線Ｃに対応するものより大きいが、透過率曲線Ｆに対応するものよりは小さいＺｎＢｅＯ合金に対して妥当な値である。
透過率曲線Ｅの場合、エネルギーバンドギャップの値は、約４．９６ｅＶであり、これは約２５０ｎｍの波長に対応する。このエネルギーバンドギャップの値は、そのＢｅの原子分率が透過率曲線Ｄに対応するより大きいが、透過率曲線Ｅに対応するものよりは小さいＺｎＢｅＯ合金に対して妥当な値である。
透過率曲線Ｆについて、エネルギーバンドギャップの値は、約５．３９ｅＶであり、約２３０ｎｍの波長に対応する。このエネルギーバンドギャップの値は、そのＢｅの原子分率が透過率曲線Ｄに対応するものより大きいＺｎＢｅＯ合金に対して妥当な値である。
本発明のさらなる例および変形例：
本発明によれば、ＺｎＢｅＯ半導体材料は、そのＢｅの原子分率が透過率曲線Ａ〜Ｆに対応するＢｅの原子分率の間の任意の所望の値で成長することができる。
また、本発明によれば、ＺｎＢｅＯ、ＺｎＣｄＯＳｅまたはＢｅＯ半導体材料は、ＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅの場合は、それぞれ、ＢｅまたはＣｄおよびＳｅの原子分率が０〜１の間の任意の所望の値で成長することができる。また、ＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体材料は、アンドープ、ｐ型ドープまたはｎ型ドープされ、これらに限定されないが、ＺｎＯ、ＧａＮおよびＳｉＣを含む材料または基板上で成長し、半導体構造およびデバイスを製造するために用いるのに十分な結晶品質でできている。
本発明によれば、アンドープ、ｐ型ドープ、およびｎ型ドープされた半導体材料を含む、ＺｎＢｅＯ半導体合金、ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金、および、ＢｅＯ半導体材料は、単独で、または、種々に組み合わせて、もしくは、ＺｎＯまたは他の半導体材料と種々に組み合わせて用いることができ、その結果、これらに限定されないが、半導体ヘテロ構造、活性層、量子井戸、多重量子井戸、超格子層、絶縁層、光反射膜および多層光反射層、金属接触層、クラッド層、ショットキー障壁、および基板などの層および構造を形成し、半導体デバイスを製造し、半導体デバイスの機能、能力、性能および適用を向上させる。
また、本発明によれば、アンドープ、ｐ型ドープ、およびｎ型ドープされた半導体材料を含む、ＺｎＢｅＯ半導体合金、ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金、および／または、ＢｅＯ半導体材料で形成することが可能な層および構造は、光子および電子的用途で用いる光および電子半導体デバイスを製造するために用いることができる。
このようなデバイスの用途として、これらに限定されないが、ＬＥＤ、ＬＤ、ＦＥＴ、ＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ショットキー障壁ダイオード、ＵＶ検出器および送信器などのデバイス、ＥＬディスプレイ、トランジスタおよび透明トランジスタなどの用途で採用可能なトランジスタおよび透明トランジスタ、ディスプレイ、ＵＶおよび可視送信器並びに検出器用バックライティング、高周波レーダ、生物医学的な画像化、化学化合物同定、分子同定および分子構造、ガスセンサ、撮像システム、並びに、原子、分子、気体、蒸気および固体の基礎研究が挙げられる。
本発明によれば、ＺｎＢｅＯおよびＺｎＣｄＯＳｅの半導体材料は、約１１７ｎｍ〜約７１０ｎｍのスペクトル域の１つまたは複数の発光波長を有するＬＥＤおよびＬＤを製造するために用いることができ、ＢｅＯ半導体材料は、発光波長が約１１７ｎｍのＬＥＤおよびＬＤを製造するために用いられることができる。
さらに、本発明によれば、ＺｎＢｅＯまたはＢｅＯの半導体材料は、格子整合した層を形成するための用途に用いるため、成長の間にＺｎＢｅＯまたはＢｅＯの半導体材料に取り込まれる一定の原子分率のＭｇと共に成長させることができる。なお、Ｍｇを含有するＺｎＢｅＯ材料またはＢｅＯ材料は、アンドープ、ｐ型ドープまたはｎ型ドープされた半導体材料であり得る。
本明細書で説明した材料、層および構造は、このようなデバイスの性能、機能および能力、並びに速度を向上させるために、半導体デバイスに組み込まれることができる。
当業者には、本明細書で説明した材料、層、構造および実装において、種々の変形、追加および他の変更がなされ得ること、並びに、種々の変形は、権利請求の対象とする本発明の趣旨および範囲内で可能であることが理解されよう。本明細書で用いた用語および表現は、説明用語であって、限定用語ではなく、図示、説明した特徴の均等物、またはその一部を除外するために、このような用語および表現を用いるよう意図されない。さらに、本発明の任意の１つまたは複数の特徴および態様は、本発明の趣旨および範囲から逸脱せずに、本発明の１つまたは複数の他の特徴と組み合わせることができ、それらは、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
一例として、膜成長にＨＢＤプロセスを用いた、単結晶サファイア基板上（および、類似するものとして、例えば、Ｃｄおよび／またはＳｅを用いたものなどの他のＺｎ系合金の構造）に堆積されたＺｎＢｅＯ合金の膜を示す概略図である。 ＺｎＢｅＯ合金膜への入射光の波長に対して透過率をプロットした、本発明のＺｎＢｅＯの実施形態の例の、および、ＺｎＯ膜のデータを示す。

Claims (40)

  1. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  2. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  3. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  4. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、アンドープのＺｎＢｅＯおよびＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  5. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、アンドープのＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  6. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、アンドープのＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  7. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  8. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  9. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  10. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯおよびＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  11. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  12. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  13. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型の酸化亜鉛半導体合金材料用のドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族元素から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  14. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型の酸化亜鉛半導体合金材料用のドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族元素から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  15. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型の酸化亜鉛半導体合金材料用のドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族元素から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  16. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  17. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＢｅＯ半導体合金材料用のドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  18. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  19. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが砒素である、半導体材料または構造。
  20. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＢｅＯ半導体合金材料用のドーパントが砒素である、半導体材料または構造。
  21. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｐ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが砒素である、半導体材料または構造。
  22. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯおよびＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｎ型のＺｎＢｅＯおよびＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  23. エネルギーバンドギャップの値が、約３．３ｅＶと約１０．６ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｎ型のＺｎＢｅＯ半導体合金材料用のドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  24. エネルギーバンドギャップの値が、約１．７５ｅＶと約３．３ｅＶとの間である、ｎ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｎ型のＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料用のドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  25. 半導体デバイスを製造する、または、半導体デバイスの性能を修正するために用いることができる、層、半導体構造、ヘテロ構造または基板を形成するために使用可能な、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯ合金材料を含む、半導体材料。
  26. 半導体デバイスを製造する、または、半導体デバイスの性能を修正するために用いることができる、層、半導体構造、ヘテロ構造または基板を形成するために使用可能な、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされたＺｎＣｄＯＳｅ合金材料を含む、半導体材料。
  27. 半導体構造またはデバイスにおいて格子整合層を形成するために、一定の原子分率のＭｇを含有する、アンドープ、ｐ型ドープされた、もしくは、ｎ型ドープされたＺｎＢｅＯ半導体合金材料を含む、半導体材料または構造。
  28. エネルギーバンドギャップの値が約１０．６ｅＶであるＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造。
  29. エネルギーバンドギャップの値が約１０．６ｅＶであり、アンドープのＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造。
  30. エネルギーバンドギャップの値が約１０．６ｅＶであり、ｐ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＢｅＯ半導体材料用のドーパントが、第１族、第１１族、第５族および第１５族元素から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  31. エネルギーバンドギャップの値が、約１０．６ｅＶであり、ｐ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＢｅＯ半導体材料用のドーパントが、砒素、リン、アンチモンおよび窒素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  32. エネルギーバンドギャップの値が、約１０．６ｅＶであり、ｐ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｐ型のＢｅＯ半導体材料用のドーパントは砒素である、半導体材料または構造。
  33. エネルギーバンドギャップの値が、約１０．６ｅＶであり、ｎ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造であって、
    前記ｎ型のＢｅＯ半導体材料用のドーパントが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素からなる群から選択される少なくとも１つの元素である、半導体材料または構造。
  34. 半導体構造またはデバイスにおいて格子整合層を形成するために、一定の原子分率のＭｇを含有する、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料または構造。
  35. 半導体デバイスを製造する、または、半導体デバイスの性能を修正するために用いることができる、層、半導体構造、ヘテロ構造または基板を形成するために使用可能な、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされたＢｅＯ半導体材料を含む、半導体材料。
  36. 光または電子半導体デバイスを製造するために用いることができる、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされた半導体材料を含む、ＺｎＢｅＯ半導体合金材料で形成された層または構造を含む、半導体構造または構成。
  37. 光または電子半導体デバイスを製造するために用いることができる、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされた半導体材料を含む、ＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料で形成された、層または構造を含む、半導体構造または構成。
  38. 光または電子半導体デバイスを製造するために用いることができる、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされた半導体材料を含む、ＢｅＯ半導体材料で形成された層または構造を含む、半導体構造または構成。
  39. 半導体構造およびデバイスにおいて格子整合層を形成するために、一定の原子分率のＭｇを含有するＺｎＢｅＯおよびＢｅＯ半導体材料で形成された層または構造を含む、半導体構造または構成であって、
    前記層および構造は、アンドープ、ｐ型ドープされた、または、ｎ型ドープされた半導体材料を含む、半導体構造または構成。
  40. ＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅ半導体合金材料でできた層を用意する工程を含み、前記用意する工程は、前記ＺｎＢｅＯまたはＺｎＣｄＯＳｅでできた層に、約１．７５ｅＶと約１０．６ｅＶとの間のエネルギーバンドギャップの値を与える工程を含む、半導体材料または構造の製造方法。
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