JP2008533447A5 - - Google Patents
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Claims (34)
- 基板上に配置されるターゲット層の厚さを測定するためのヘテロダイン反射率計であって、
分割周波数の二重偏光ビームを発生する光学的な光源と、
分割周波数の二重偏光ビームを所定の入射角で基板上に配置される露出したターゲット層へ向かって伝播するためのビームパス迂回光学部品と、
分割周波数の二重偏光ビームを受け取り、参照電気的ヘテロダインうなり信号を生成するための第1ヘテロダイン検出器と、
反射された分割周波数の二重偏光ビームをターゲット層から受け取り、測定電気的ヘテロダインうなり信号を生成するための第2ヘテロダイン検出器と、
参照電気的ヘテロダインうなり信号及び測定電気的ヘテロダインうなり信号を受け取り、前記参照及び測定電気的ヘテロダインうなり信号の間の位相シフトを検出するための位相検出器と、
位相シフトからターゲット層に関連する厚さを計算するためのデータプロセッサと、
を備えるヘテロダイン反射率計。 - 分割周波数の二重偏光ビームが、
第1の周波数で振動する第1の楕円偏光されたビーム成分と、
第2の周波数から固有である第1の周波数で振動する第2の楕円偏光されたビーム成分と、
を備える、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 分割周波数の二重偏光ビームが、
第1の周波数で発振する第1の直線偏光されたビーム成分と、
第2の周波数、第2の周波数から固有な第1の周波数で発振する第2の直線偏光されたビーム成分と、
を備える請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 分割周波数の二重偏光ビームが、
第1の周波数で振動するs偏光されたビーム成分と、
第2の周波数で振動するp偏光されたビーム成分であって、s偏光されたビーム成分に直交するp偏光されたビーム成分と、
を備える、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - ターゲット層が膜である、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。
- 第1ヘテロダイン検出器は、
第1の周波数の第1の偏光と、第2の周波数の分割周波数の二重偏光されたビームとを光学的に混ぜ、かつ、参照光学うなり信号を生成する、第1の光学偏光ミキサーと、
第1の光学偏光ミキサーに接続され、参照光学的うなり信号を受け、参照電気的ヘテロダインうなり信号を生成する第1光学検出器と、をさらに含み、
第2ヘテロダイン検出器は、
反射された第1の周波数の第1の偏光と、反射された分割周波数の二重偏光されたビームの第2周波数の第2の偏光とを光学的に混ぜ、かつ測定光学的うなり信号を生成する第2の光学偏光ミキサーと、
第2の光学偏光ミキサーに接続され、測定光学的うなり信号を受け、測定電気的ヘテロダインうなり信号を生成する第2光学検出器と、をさらに含む、
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 既知の厚さに対する実際の位相シフトと既知の厚さに対する予想される位相シフトとの相違の比較に基づいて位相シフトを調整することによって補正された位相シフトを引き起こすための、位相シフトのエラーを補正するための位相シフト補正器であって、データプロセッサが補正された位相シフトを受け取り、補正された位相シフトから厚さを計算する位相シフト補正器をさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 所定の入射角がターゲット層に関する屈折率と関連付けられる、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角が所定のデフォルト角度である、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角がターゲット層のブルースター角に近い、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角の最下方は、ターゲット層と、分割周波数の二重偏光されたビームに対して等方的であるターゲット層の下の界面とのいずれか一方に基づいて0°である、請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。
- 分割周波数の二重偏光ビームをターゲット層から受け取り、分割周波数の二重偏光ビームを膜へ伝播するための第2のパス迂回光学部品をさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 位相検出器が、参照電気的ヘテロダインうなり信号及び測定電気的ヘテロダインうなり信号を所定の形式に適合させるためのマッピング機能、及び信号を所定の形式に適合させるのに先立って参照電気的ヘテロダインうなり信号及び測定電気的ヘテロダインうなり信号を標準化するための信号調整器をさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 位相検出器が、
参照及び測定電気的信号における2つの対応する参照時点間の時間を測定するための時間間隔カウンターと、
参照及び測定電気的ヘテロダインうなり信号の間の位相差に比例する出力電圧を作り出すための周波数ミキサーと、
参照及び測定電気的ヘテロダインうなり信号を初期の位相に設定するための位相シフト器と、
位相シフト器に出力電圧を供給するためのフィードバックループと
をさらに備える請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 位相検出器が、
周波数信号を生み出すための発振器と、
参照電気的ヘテロダインうなり信号及び周波数信号から第1のうなり信号を作り出すための第1の周波数ミキサーと、
測定電気的ヘテロダインうなり信号及び周波数信号から第2のうなり信号を作り出すための第2の周波数ミキサーと、
第1及び第2のうなり信号における2つの対応する参照時点間の時間を測定するための時間間隔カウンターをさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 位相検出器が、参照及び測定電気的ヘテロダインうなり信号の間の位相シフトを決定するための離散フーリエ変換(DFT)、及び
測定及び参照電気的ヘテロダインうなり信号のヘテロダインうなり周波数に基づく所定の比率で、測定及び参照信号のそれぞれをサンプリングするための少なくとも1つのデジタイザをさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 位相検出器が、参照及びヘテロダイン電気的ヘテロダインうなり信号の間で位相シフトを決定するための相互相関関数と、
測定及び参照電気的ヘテロダインうなり信号のヘテロダインうなり周波数に基づく所定の比率で、測定及び参照電気的ヘテロダインうなり信号のそれぞれをサンプリングするため、及び、測定及び参照電気的ヘテロダインうなり信号のうなりサイクルにおける多くのサンプルポイントに対する遅延を決定するための、少なくとも1つのデジタイザをさらに備える
請求項1に記載のヘテロダイン反射率計。 - 分割周波数の二重偏光ビームであって、第1の周波数で振動する第1の偏光されたビーム成分と、第2の周波数で振動する第2の偏光されたビーム成分とを有し、第1の周波数が第2の周波数から固有である、前記分割周波数の二重偏光ビームを発生する光学的な光源と、
分割周波数の二重偏光ビームを所定の入射角で表面及び本体部を有しかつ基板上に配置されるターゲット層へ向かって伝播するためのビームパス迂回光学部品と;
分割周波数の二重偏光ビームを受け取り、参照電気的ヘテロダインうなり信号を生成するための第1の検出器と、
ターゲット層から反射された分割周波数の二重偏光ビームであって、主に、ターゲット層の表面から反射された第1の偏光されたビーム成分及び第2の偏光ビーム成分のいずれか一方と、主に、ターゲット層の表面の下からの反射された第1の偏光されたビーム成分及び第2の偏光ビーム成分のいずれか他方とを含む前記反射された分割周波数の二重偏光ビームを受け取り、測定電気的ヘテロダインうなり信号を生成するための第2検出器と、
参照電気的ヘテロダインうなり信号及び測定電気的ヘテロダインうなり信号を受け取り、前記参照及び測定電気的ヘテロダインうなり信号間の位相シフトであってターゲット層の本体の厚さによって誘発された前記位相シフトを検出する位相検出器と、
を備える基板上に配置されるターゲット層についての厚さパラメータを測定するためのヘテロダイン反射率計。 - 位相シフトから前記ターゲット層の本体の厚さの厚さ計算をするためのデータプロセッサをさらに備える
請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。 - 第1の偏光成分が、第1の楕円偏光ビーム成分、第1の直線偏光ビーム成分、及びs偏光ビーム成分のうちの1つであり、第2の偏光成分が、第2の楕円偏光ビーム成分、第2の直線偏光ビーム成分、及びp偏光ビーム成分のうちの1つであり、p偏光ビーム成分がs偏光ビーム成分に直交する、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。
- ターゲット層が膜である、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角が58度から62度の間の所定のデフォルト角度である、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角がターゲット層のブルースター角に近い、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。
- 所定の入射角の最下方は、ターゲット層材と、分割周波数の二重偏光されたビームに対して等方的であるターゲット層の下の界面とのいずれか一方に基づいて0°である、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。
- 第1の周波数の第1の偏光と、分割周波数の二重偏光されたビームの第2の周波数の第2の偏光とを混ぜるために、第1検出器に光学的に接続される第1の光学偏光ミキサーと、
第1の周波数の反射された第1の偏光と、反射された分割周波数の二重偏光されたビームの第2の周波数の反射された第2の偏光と、を光学的に混ぜるために、第2検出器に光学的に接続される第2の光学偏光ミキサーと、
位相シフトのエラーを補正するための位相シフト補正器であって、データプロセッサが補正された位相シフトを受け取り、補正された位相シフトから厚さを計算する位相シフト補正器と、をさらに含み、位相シフト補正器は、既知の厚さに対する実際の位相シフトと既知の厚さに対する予想される位相シフトとの差の比較に基づいて位相シフトを調整することによって、補正された位相シフトを引き起こす、請求項18に記載のヘテロダイン反射率計。 - 分割周波数の二重偏光ビームであって、第1の周波数で振動する第1の偏光ビーム成分と、第2の周波数から固有である第1の周波数で振動する第2の偏光されたビーム成分とを有する前記分割周波数の二重偏光ビームを発生させるために、表面及び本体部を備えかつ基板上に配置される露出したターゲット層の方に光源を所定の入射角で向けることと、
参照光学的うなり信号を生成するために、第1の周波数で振動する第1の偏光ビーム成分と、第2の周波数で振動する第2の偏光ビーム成分とをヘテロダインすることによって参照電気的ヘテロダインうなり信号を生成すること及び参照光学的ヘテロダインうなり信号を参照電気的ヘテロダインうなり信号に変換することと、
ターゲット層からの反射された分割周波数の二重偏光ビームを受け取ることと、
第1の周波数で振動する第1の反射された偏光されたビーム成分と、測定光学的うなり信号を生成するための、及び測定光学的ヘテロダインうなり信号を測定電気的ヘテロダインうなり信号に変換する第2の周波数で振動する第2の反射された偏光ビーム成分とをヘテロダインすることによって測定信号を生成することと、
前記参照電気的ヘテロダインうなり信号及び前記測定電気的ヘテロダインうなり信号の間の位相シフトであって、前記ターゲット層の本体の厚さによって引き起こされる前記位相シフトを検出することと、
を含む基板上に配置される露出したターゲット層についての厚さパラメータを測定するための反射率の測定方法。 - 位相シフトから前記ターゲット層の本体の厚さの厚さ計算することをさらに含む、
請求項26に記載の反射率の測定方法。 - 第1の偏光成分が、第1の楕円偏光ビーム成分、第1の直線偏光ビーム成分、及びs偏光ビーム成分のうちの1つであり、第2の偏光成分が、第2の楕円偏光ビーム成分、第2の直線偏光ビーム成分、及びp偏光ビーム成分のうちの1つであり、p偏光ビーム成分がs偏光ビーム成分に直交する、請求項26に記載の反射率の測定方法。
- ターゲット層が膜である、請求項26に記載の反射率の測定方法。
- 所定の入射角が、ターゲット層の屈折率に関連し、かつ、ターゲット層のブルースター角に基づくものである、請求項26に記載の反射率の測定方法。
- 所定の入射角が、58度から62度の間の所定のデフォルト角度である、請求項26に記載の反射率の測定方法。
- 所定の入射角の最下方は、ターゲット層の本体と、分割周波数の二重偏光されたビームに対して等方的であるターゲット層の下の界面とのいずれか一方に基づいて0°である、 請求項26に記載の反射率の測定方法。
- 参照光学的うなり信号を生成するために、第1の周波数の第1の偏光と、分割周波数の二重偏光ビームの第2の周波数の第2の偏光とを混ぜることと、
測定光学的うなり信号を生成するために、第1の周波数の反射された第1の偏光と、反射された分割周波数の二重偏光ビームの第2の周波数の反射された第2の偏光とを混ぜることと、
位相シフトのエラーを補正すること、
補正された位相シフトからエラー補正厚さを計算することと、をさらに含み、
位相シフトのエラーを補正することは、既知の厚さに対する実際の位相シフトと既知の厚さに対する予想される位相シフトとの相違の比較に基づいて位相シフトを調整することによって、補正された位相シフトを引き起こすこと、
をさらに含む請求項26に記載の反射率の測定方法。 - ターゲット層から分割周波数の二重偏光されたビームをリダイレクトすること、及び分割周波数の二重偏光されたビームを、所定の入射角で、基板上に配置された露出したターゲット層に向かって第2の経路内に伝播すること、
をさらに含む請求項26に記載の反射率の測定方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/066,933 | 2005-02-25 | ||
US11/066,933 US7339682B2 (en) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | Heterodyne reflectometer for film thickness monitoring and method for implementing |
US11/178,856 US20060285120A1 (en) | 2005-02-25 | 2005-07-10 | Method for monitoring film thickness using heterodyne reflectometry and grating interferometry |
US11/178,856 | 2005-07-10 | ||
PCT/US2006/005937 WO2006093709A2 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-21 | Heterodyne reflectometer for film thickness monitoring and method for implementing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008533447A JP2008533447A (ja) | 2008-08-21 |
JP2008533447A5 true JP2008533447A5 (ja) | 2009-04-09 |
JP4819065B2 JP4819065B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=36941619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007557085A Active JP4819065B2 (ja) | 2005-02-25 | 2006-02-21 | 膜厚モニタ用のヘテロダイン反射率計及びその実施方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060285120A1 (ja) |
JP (1) | JP4819065B2 (ja) |
KR (1) | KR20070110390A (ja) |
TW (1) | TWI285257B (ja) |
WO (1) | WO2006093709A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR102292209B1 (ko) | 2014-07-28 | 2021-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 계측 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 계측 방법 |
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JP6800800B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2020-12-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成長速度測定装置および成長速度検出方法 |
JP6285597B1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-02-28 | 大塚電子株式会社 | 光学測定装置および光学測定方法 |
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TWI794416B (zh) * | 2018-02-28 | 2023-03-01 | 美商賽格股份有限公司 | 多層堆疊結構之計量方法及干涉儀系統 |
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CN110715931B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-04-12 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种透明样品缺陷自动检测方法和检测装置 |
JPWO2021106299A1 (ja) | 2019-11-26 | 2021-06-03 | ||
US11442025B1 (en) | 2021-03-26 | 2022-09-13 | Arun Anath Aiyer | Optical sensor for surface inspection and metrology |
CN114894712B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-08-25 | 业成科技(成都)有限公司 | 光学量测设备及其校正方法 |
TWI812482B (zh) * | 2022-09-23 | 2023-08-11 | 中國鋼鐵股份有限公司 | 旋轉機械系統與平衡方法 |
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-
2005
- 2005-07-10 US US11/178,856 patent/US20060285120A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-02-21 KR KR1020077022039A patent/KR20070110390A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-02-21 JP JP2007557085A patent/JP4819065B2/ja active Active
- 2006-02-21 WO PCT/US2006/005937 patent/WO2006093709A2/en active Application Filing
- 2006-02-24 TW TW095106373A patent/TWI285257B/zh active
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