JP2008530786A - シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置 - Google Patents

シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008530786A
JP2008530786A JP2007554344A JP2007554344A JP2008530786A JP 2008530786 A JP2008530786 A JP 2008530786A JP 2007554344 A JP2007554344 A JP 2007554344A JP 2007554344 A JP2007554344 A JP 2007554344A JP 2008530786 A JP2008530786 A JP 2008530786A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
prism
facets
mask
objective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007554344A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008530786A5 (ja
JP4820377B2 (ja
Inventor
フェルバー、ヨエルク
シュミット、へニング
Original Assignee
コヒーレント・インク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コヒーレント・インク filed Critical コヒーレント・インク
Publication of JP2008530786A publication Critical patent/JP2008530786A/ja
Publication of JP2008530786A5 publication Critical patent/JP2008530786A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4820377B2 publication Critical patent/JP4820377B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスク像を基板上に投影する光学システムは、エキシマレーザと、該レーザとビーム分割プリズムからのレーザ光線を成形するビーム成形光学素子を含む。ビーム分割プリズムは、互いに角度を成して傾斜する4つのフェーセットを含む分割面を有する。4つのフェーセットは成形されたビームをシステム軸に対して角度を成して伝播する4つのビーム部分に分割する。これらのビーム部分はフォトマスクで重なって、そして、ビーム部分の光のすべてがシュワルツシルト対物鏡の凸面鏡の中央オブスキュレーションゾーンの外側の環状ゾーンにおいて対物鏡の凸面鏡に入射するように、互いに開いて凹面鏡の入口孔に入る。これは、通常このオブスキュレーションゾーンによって引き起こされる伝達損失を本質的になくす。

Description

本発明は一般に、紫外線(UV)光学リソグラフィー操作においてフォトマスクの縮写像を基板上に形成する光学投影システムに関する。発明は、特に、縮写像を投影するのにシュワルツシルト対物鏡を使用するそのような投影システムに関する。
UVマイクロマシーニング操作においてフォトマスクの像を基板上に形成する光学システムでは、フォトマスクにおいて高強度の照射を与えかつその高強度のフォトマスク照射を基板上のフォトマスク縮写像にできるだけ多く伝達することが望ましい。マスク像を投影するために一般的に使用される投影光学素子はシュワルツシルト対物鏡である。シュワルツシルト対物鏡は反転に使用される1つの周知のオンアキシス(投影システムの光軸)反射望遠鏡の例である。該対物鏡では、照射されたフォトマスクからの光が凹形反射面を持つ主鏡の中央孔を通って主鏡を通り抜けて、オンアキシス副鏡凸面で反射して前記主鏡凹形反射面に入射する。ここで使用され、また、以下で提示される発明の説明で使用される用語「主鏡」と「副鏡」は反射望遠鏡の鏡の指定に通常使用される用語であり、反射望遠鏡が縮写対物鏡として反転に使用されるときに放射が鏡に当たる順番を反映するものではないことに注意すべきである。
シュワルツシルト対物鏡などの全反射対物鏡は、反射光学素子が光の吸収による(UV)光の損失に関して屈折素子よりもより小さい損失を与えるという利点を有する。シュワルツシルト反射対物鏡及び同様なすべての反射対物鏡は、光軸の近くで又は光軸に若干の角度をなして対物鏡に入る光が副鏡から反射されて主鏡の孔に戻り、副鏡上の光軸に近い部分に事実上「暗いゾーン」、即ち、オブスキュレーションゾーンを生じさせるという、部分的相殺を生じさせる不利な点を有する。
従来の光学システムでは、エネルギー伝達損失を生じさせる暗いゾーンの影響を最小にする設計は、照射光を均等に分配してフォトマスク上を横切らせることにより副鏡の中央の暗いゾーン照射(イルミネーション)を低減するために、円筒レンズと、ビーム均質化要素という高価で実装が難しいシステムを使用していた。そのようなシステムは、ドイツ特許公報DE195 33 314で詳細に説明されている。この特許の全開示の内容は参照のためにここに取り入れられる。シュワルツシルト対物鏡他同様な対物鏡の暗いゾーンによる伝達損失を最小にするUV光学投影システムが必要とされているが、その必要とされる光学投影システムは上記ドイツ特許公報で説明されたタイプのものよりは低価格で実装がより簡単なものである。
本発明は、放射ビームでマスクを照らしマスク像を基板上に投影する装置に関する。そのような装置は、通常、像が形成されるマスクが置かれるマスク位置及び投影された像を受けるために基板が置かれる像位置を有する。1つの態様では、本発明による装置は、離間し対面する凸面第1鏡と凹面第2鏡を有する対物鏡を含む。第2鏡は第1鏡より大きく、第1鏡への光アクセスを提供する孔を有する。プリズムは放射ビームの通路においてマスク位置に位置している。プリズムは複数のフェーセットを有する。これらのフェーセットは、ビームがそれらのフェーセットによって複数のビーム部分に分割され、これらのビーム部分がプリズムを出るときに互いに集束するように構成され配置される。互いに収束するビーム部分は対象位置で交差し、次にビーム部分の本質的にすべての放射が第1鏡の凸面上の環状ゾーンで入射するように開いて第2鏡の孔を通る。環状ゾーンに入射したビーム部分は第2鏡へ反射され、そして、第2鏡によって反射されて基板位置で結像する。
ビーム部分を重ね合わせることにより、マスク上に高照度を与えることができる。ビーム部分のすべての放射を第1鏡の環状ゾーンに入射させることにより、上で議論したそのような対物鏡の凸面鏡の暗いゾーンによる放射損失は最小にすることができる。
発明の1つの好ましい態様では、対物鏡はシュワルツシルト対物鏡であり、プリズムの分割面はビームを4つの部分に分割する4つのフェーセットを持っている。プリズムは4未満か4つ以上のフェーセットを持つことができるが、望ましくは、これらのフェーセットは装置の光軸上の共通点で合う。発明の光学システムは、エキシマレーザからの光を使用することで像を作ることに主として向けられるが、そのようなレーザによる作られる像に制限されない。
発明の好ましい実施の形態
明細書の一部をなす添付図面は本発明を図示し、上の発明の開示の欄及び以下に与えられる好ましい実施の形態の詳細な説明と共に、本発明の原理を説明する役目をなす。
図1、図1A、図1B及び図1Cは、本発明による装置で使用されるタイプの光ビーム分割素子、すなわち、プリズム10を示す。この例では、プリズム10は、望ましくは、入口表面として使用される1つの平面表面12と、望ましくは、出口面として使用される4つの表面、即ち、4つのフェーセット14A,14B,14C,14Dを有する。ここで、これらのフェーセットは、等しいサイズで長方形(又は正方形)であり、プリズム10の中心頂点16で会う(合う)。本発明による光学システムの長軸方向の光軸18上に位置する頂点16(図1B参照)と、前記光軸18に垂直な入口表面12を備えるプリズム10を使用することを意図する。フェーセット14A−Dは、プリズムの入口表面12に対して角度α傾けられている。もちろんプリズム自体、光軸18と共線状の縦軸(図示省略)を有するとみなすことができる。
図2は本発明によるマスクの縮写像を基板上に形成するための基本的な光学装置20を図示する影なしの縦断面図である。プリズム10は、番号22によって表されるコリメートされた放射ビーム(ここでは、6つの光線24)を受ける。ビームはプリズムにその入口表面12から入り、プリズムの4つのすべてのフェーセット(14A−14D)に入射する。フェーセット14Bと14Dは、ビーム22を2つの対応するビーム部分22Bと22D(それぞれ、光線24Bと24Dによって示されている)に分割する。当業者であれば、図2の紙面に垂直な平面内に(プリズム10のフェーセット14Aと14Cによって生成される)対応する2つのビーム部分が存在することが理解できるであろう。
像が形成されるマスク(図示省略)は平面26内に位置することができ、そこにおいて、ビーム部分22Bと22D(そして、見えていない2つの対応するビーム部分)が交差する。ビームの交点では、強度又は放射がオリジナルビーム22のものの約4倍になる。ビーム22B、22D及び見えていない2本の対応するビームがマスク位置(平面26)から開いて(発散して)シュワルツシルト対物鏡にその主鏡32の孔33から入る。主鏡32は凹状反射面34を有する。シュワルツシルト対物レンズの副鏡36は凸状反射面38を有する。典型的なシュワルツシルト対物レンズでは、反射面34と38は球面状である。しかしながらこれは、本発明を制限するものと理解されるべきではない。発明に関して本明細書において鏡32と36へ適用される用語「主」と、「副」は、反射望遠鏡の設計に通常使用される用語であって、反射望遠鏡が図2に示すように縮写対物レンズとして反転に使用されるとき、放射が鏡に当たる順番を反映するものではないことを、ここで再び留意されたい。
引き続き図2かつ加えて図2Aに言及して、フェーセット傾き角α(図1B参照)は、望ましくは、プリズム10の素材の屈折率と、プリズムの副鏡36からの軸方向距離に従い、望ましくは、開くビームの本質的にすべての光線が先に説明した鏡の円形の「暗いゾーン」、即ち、オブスキュレーションゾーン44(ここで図2Aにおいて破線46によって境界が示される)の外側に位置してシステム軸上に中心を持つ環状ゾーン42において副鏡の反射面38に入射するように選択される。従って、ビームのすべての光線が鏡36の表面38から鏡32の凹形の反射面34に反射され、さらに、平面50における像点へ反射され、その結果、マスク平面26を平面50内に結像させる。基板(図示省略)の表面は、マスク像を受けるために平面50に位置するだろう。像点は、対象平面内の対応点から開く光線が結像平面において交差する点である。当業者は、図2の光線トレースによって描かれるマスクのサイズに比べて像のサイズ縮写度が通常実際のケースよりも小さいことを認識できるであろう。ここでは、図示の縮写度は、単に図示の容易さのためだけである。
破線46は、破線4ORによって示されるように鏡36の表面38から鏡32の表面34に反射されることを必要とする軸18に対する最小の傾斜である平面26において軸18上で始まる仮定光線路(点線の直線40によって示される通路等)のおよその場所である。この入射角度より小さい角度を持って平面26において軸18から始まるいかなる光線も孔30に戻るように反射され、従って、像平面に達しない。光線ビーム22を互いに開いて孔に入る複数のビーム部分に分割することにより、オリジナルビーム内の本質的にすべての光線(放射)が暗いゾーンの外側の鏡36の表面38に入射することができる。
図2の構成では、コリメートされた放射ビームは、TEM00品質ビームを提供するレーザ等の何らかのソースから、あるいは、よく修正されたコリメート光学装置を介してレーザから受け取ることが想定される。しかしながら、あるタイプのレーザは、ビームがマスクを照らす前に、「形成する」、すなわち、ビーム断面のサイズ又は形状を変更する必要があるビームを提供する。マスク投影のための放射(光)源として使用されるエキシマレーザは、例えば、およそ35ミリメートル(mm)の長さと、およそ12mmの幅を持つ細長い断面形状を有するビームを通常提供する。通常、そのようなビームの長さと幅の向きは、ビームに関する技術分野の専門家によって、それぞれ長軸、短軸と呼ばれる。そのようなレーザを含んでいるマスク投影システムでは、ビーム成形光学装置と、ビーム均質化光学装置と、結像されるべきマスクを照らすために、成形され均質化されたビームを集めかつ成形され均質化されたビームをマスクステージに投影する視野レンズとが備えられる。そのようなシステムでは、マスクはコリメートビームによって照らされず、図2の装置は実用的でない。
図3は、シュワルツシルト対物鏡を使用してマスクを基板上に投影する本発明によるエキシマレーザ光学装置60を機能ブロック線図として示すものである。エキシマレーザ光学装置60は、実質的にコリメートされているが上で議論したように細長い断面積を有するビーム20を提供するエキシマレーザ(Excimer Laser)62を含む。ビームは、ビームパワーを調節する可変減衰器(Variable Atenuator)64を通り、そして、円筒レンズ68と70を含んでビームの長軸寸法を減少させるように構成されたビーム成形(Beam Shaping)光学装置(望遠鏡)66を通る。ビーム20は、ビーム成形光学装置66から出て、本発明によるプリズム10を通り、次に、オプションのビームスプリッタ72を通る。ビームスプリッタ72は、例えば、ビームの診断を行うために少量のビームを装置へ指向させるように使用される。ビームは、ビームスプリッタを出た後、回転鏡74によって視野レンズ78へ指向され、視野レンズ78は、ビームを像が形成されるマスク80に投影する。マスクはシュワルツシルト対物鏡(Schwarzschild Objective)30によってイメージ化され光学出力窓82を通り基板84上に投影される。
図4は、図3の装置におけるビーム成形光学装置、ビーム分割プリズム、視野レンズ、およびシュワルツシルト対物鏡の1例6OAの詳細を示す影無しの断面面である。図4では、光路は短くされかつ広げられて、かつ、図示の便宜のために鏡74とビームスプリッタ72は省略されている。この例では、ビーム22はビーム形成光学装置66の円柱レンズ70を出るときコリメートされていないが、いまだ4つのビーム部分に分割されている(ただし、上で図2に関して説明したように、ビーム部分22Bと22Dのみが見える)。ビーム部分22B,22Dは個別にわずかに開いているが、互いに集束している。視野レンズ78はビーム部分を個別に集束させ、ビーム部分の互いの集束を強める。ビーム部分は、マスク80が位置しているであろうマスク平面(対象平面)26で交差し、次に、シュワルツシルト対物鏡32の鏡34の孔に入るときは互いに開いている。
対物レンズ30は、上で図2Aに関して説明したように、すべてのビーム部分の本質的にすべての放射(光)が暗いゾーン44(図4には示されていない)を囲む鏡36の環状ゾーン42において対物鏡の鏡36の凸面38に入射するように、レンズ78に関して配置される。ビーム部分の光は鏡36の環状ゾーンから鏡32の反射面34へ反射され、この反射面34はビーム部分をマスク像を受けるために基板84が置かれるであろう像平面50上の像点まで反射する。
付帯的な性質であるが、それにもかかわらず、有利でもあるプリズム10の性質は、それがマスク平面(マスクプレーン)に均質な光を提供するビームホモジナイザ(均質化要素)として機能することである。一例として、ガウス分布などの光の中心重み付け分布を有するプリズムに入射したビームがプリズムを通り、次に、プリズムによって生成されたビーム部分が交差する平面26を通ると、交差ビームの縁において、1つのビーム部分、例えば、14Bの最も高い強度は補足的なビーム部分14Dの最も低い強度と合計される。このように、捕捉の均質化光学装置を用いることなく、平面26において、設計平均強度のおよそプラス又はマイナス5%の均質なイルミネーションを達成することが可能である。これは、上で議論された最先端のホモジナイザ(円筒レンズ配列等を含む均質化要素)よりももちろん小さい均質性であるが、意義のある低コスト化と、複雑性の低減を達成することができ、また、シュワルツシルト対物鏡の暗いゾーン(オブスキュレーションゾーン)での放射損失を避けるという本発明の目的を達成することができる。
上で議論したシュワルツシルト対物鏡と、ビーム分割プリズムの装置は2個の可能な装置にすぎないことがここで強調される。当業者であれば、本発明の技術的思想と範囲から逸脱することなく、上に提供された説明から他の装置を考案可能である。本発明をエキシマレーザからの紫外線に使用するのに好ましい全反射対物鏡に関して説明した。反射対物鏡の凸面鏡及び凹面鏡を有しかつ光の修正等のために1つ以上の追加の屈折素子を有するカタディオプトリック対物鏡の使用に対して発明の原理を等しく適用可能である。
さらに、プリズム10は上で4つの出口フェーセットを持つように説明されているが、本発明による上の説明された装置他の装置において、本発明の技術的思想と範囲から逸脱することのなく、それ以上の数又はそれよりも少ない数のフェーセット(少なくとも2つは必要である)を有するプリズムを使用することが可能である。ビーム20がプリズムにそのフェーセットから入って、プリズムの表面12から出るようなプリズム10の向きとすることもまた可能である。プリズムの両側に傾斜するフェーセットを設け、各側の対応するフェーセットが同じ数と形であり、一直線上に配列されているものもまた可能である。
要約すると、本発明は好ましい実施の形態及び他の実施の形態に関して上で説明されているが、発明は説明されている実施例に限定されない。むしろ発明は添付された特許請求の範囲によってのみ限定される。
図1Aは、1つの平面表面と、該平面表面の反対側に位置する4つの表面即ち4つのフェーセットを有する本発明による光学素子であって、それに入射した放射ビームを互いに角度を成して伝播する4つのビーム部分に分割する光学素子を示す平面図である。図1Bは、図1Aの光学素子の第1及び第3フェーセットの詳細を示す側面図である。図1Cは、図1Aの光学素子の第1及び第2のフェーセットの詳細を示す正面図である。 本発明による光学装置を図式的に示す陰影無しの断面図であり、平行ビームが図1A−1Cに示す例の4つのフェーセットを持つ光学素子によって4つの平行ビーム部分に分割され、4つの平行ビーム部分がシュワルツシルト対物鏡によって集束する状態を示すものである。図2Aは、図2を左側から見たシュワルツシルト対物鏡の凸面鏡の端面図である。 本発明による基板上にマスクの像を形成する光学システムのレイアウトを示す図である。この光学システムでは、レーザ光線がビーム成形望遠鏡によって成形され図1A−1Cに示す例の4フェーセットを持つ光学素子によって4つのビーム部分に分割され、視野レンズが4つのビーム部分を一点に集めてマスク上で交差させてマスクを照らし、そして、シュワルツシルト対物鏡は基板上に照らされたマスクの像を形成する。 図3に示す例のビーム成形望遠鏡、4のフェーセットを持つ光学素子、視野レンズ及びシュワルツシルト対物鏡の詳細を示す陰影無しの断面図である。

Claims (21)

  1. 光軸、マスク位置及び像位置を有し、放射ビームでマスクを照らしてマスク像を基板上に投影する装置であって;
    前記像を形成する対物鏡であって、離間し対面する凸面第1鏡と凹面第2鏡を含み、前記第2鏡は前記第1鏡より大きく、かつ、前記第1鏡への光アクセスを提供する孔を有する対物鏡と;
    前記放射ビームの通路において前記マスク位置の前に位置し複数のフェーセットを有するプリズムであって、前記複数のフェーセットは、それらによって前記放射ビームを複数のビーム部分に分割し該複数のビーム部分が前記プリズムを出るときに互いに集束するように構成され配置されているプリズムと;
    を含み、
    前記複数のビーム部分のほぼすべての放射を前記第1鏡の前記凸面上の環状ゾーンに入射させ、そこから前記第2鏡へ反射させ、さらにそこから前記基板位置の像点へ反射させるために、前記互いに集束する複数のビーム部分が前記マスク位置で交差し、その後互いに開いて前記第2鏡の前記孔を通るように設けた装置。
  2. 請求項1の装置であって、前記第1鏡、前記第2鏡及び前記第2鏡の前記孔が前記光軸上に一直線上に並べられ、かつ、前記プリズムの前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれたフェーセット頂点で合う装置。
  3. 請求項1の装置であって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する装置。
  4. 請求項3の装置であって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通点で合う4つの長方形のフェーセットを有する装置。
  5. 請求項3の装置であって、前記放射ビームは、前記プリズムの前記平面表面を通って前記プリズムに入り、前記フェーセットを通って前記プリズムを出る装置。
  6. 請求項1の装置であって、前記放射ビームの前記通路において前記プリズムの前に設けられ前記放射ビームが前記プリズムへ入射する前に前記放射ビームの断面形状を変える光学装置をさらに含んでなる装置
  7. 請求項1の装置であって、前記複数のビーム部分の通路において前記プリズムと前記マスク位置の間に位置するレンズをさらに含んでなる装置。
  8. 請求項7の装置であって、前記互いに開くビーム部分は、前記第2鏡の前記孔に入るときに個別に収束する装置。
  9. 請求項1の装置であって、前記放射ビームは前記プリズムに入るときにコリメートされ、前記互いに開くビーム部分は、前記第2鏡の前記孔に入るときにコリメートされている装置。
  10. 請求項1の装置であって、前記第1及び第2鏡は球面状反射面を持つ装置。
  11. 光軸、マスク位置及び像位置を有し、放射ビームでマスクを照らしてマスク像を基板上に投影する装置であって;
    前記像を形成する対物鏡であって、離間し対面する凸面第1鏡と凹面第2鏡を含み、前記第2鏡は前記第1鏡より大きく、かつ、前記第1鏡への光アクセスを提供する孔を有する対物鏡と;
    前記放射ビームの通路において前記マスク位置の前に位置し複数のフェーセットを有するプリズムであって、前記複数のフェーセットは、それらによって前記放射ビームを複数のビーム部分に分割し該複数のビーム部分が前記プリズムを出るときに互いに集束するように構成され配置されたプリズムと;
    を含み、
    前記第1鏡の中央ゾーンの照射を最小にするように前記中央ゾーンを囲む環状ゾーンに前記ビーム部分を入射させ、そこから前記第2鏡へ反射させ、そこからさらに前記基板位置の像点へ反射させるために、前記互いに集束する複数のビーム部分が前記マスク位置で交差し、その後、開いて前記第2鏡の前記孔を通るように設けた装置。
  12. 請求項11の装置であって、前記第1鏡、前記第2鏡及び前記第2鏡の前記孔が前記光軸上に一直線上に並べられ、かつ、前記プリズムの前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれた前記プリズムの頂点で合う装置。
  13. 請求項11の装置であって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する装置。
  14. 請求項13の装置であって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通点で合う4つの長方形のフェーセットを有する装置。
  15. 光軸を有しマスク像を基板上に投影する光学システムであって;
    光ビームを提供する光源と;
    像が形成されるマスクが置かれる対象平面に前記光ビームを指向させる光学素子と;
    主鏡と副鏡を含み前記マスク像を形成する対物鏡であって、前記主鏡は前記対物鏡の入口孔をなす入口孔を有する対物鏡と;
    前記対象平面に指向された前記光ビームの通路に位置するプリズムであって、互いに角度をなす複数のフェーセットを含むプリズムと;
    を含んでなり、
    前記光ビームが前記複数のプリズムフェーセットによって対応する複数のビーム部分に分割され、該ビーム部分が光学システムの前記光軸に関してかつ互いに角度をなして伝播し前記対象平面における前記マスク位置で重なり、その後に開いて前記対物鏡の前記入口孔に入るように前記光ビーム指向光学素子と、前記プリズムと、前記対物鏡は相関的に構成されている光学システム。
  16. 請求項15の光学システムであって、前記副鏡は、開いて前記対物鏡の前記入口孔に入る前記ビーム部分の通路において前記光軸上に位置し、前記ビーム部分の発散は、前記ビーム部分による前記副鏡の中央ゾーンの照射が最小になるように選択される光学システム。
  17. 請求項16の光学システムであって、前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれた前記プリズムの頂点で合う光学システム。
  18. 請求項17の光学システムであって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する光学システム。
  19. 請求項18の光学システムであって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通なポイントで合う4つの長方形のフェーセットを有する光学システム。
  20. 請求項16の光学システムであって、前記発散するビーム部は前記主鏡の前記入口孔に入るときに個別に収束する光学システム。
  21. 請求項16の光学システムであって、前記光ビームは前記プリズムに入るときにコリメートされ、前記開くビーム部は前記主鏡の前記入口孔に入るときにコリメートされる光学システム。
JP2007554344A 2005-02-09 2006-02-07 シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置 Active JP4820377B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US65119305P 2005-02-09 2005-02-09
US60/651,193 2005-02-09
US11/348,185 US7331676B2 (en) 2005-02-09 2006-02-06 Apparatus for projecting a reduced image of a photomask using a schwarzschild objective
US11/348,185 2006-02-06
PCT/US2006/004458 WO2006086486A2 (en) 2005-02-09 2006-02-07 Apparatus for projecting a reduced image of a photomask using a schwarzschild objective

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008530786A true JP2008530786A (ja) 2008-08-07
JP2008530786A5 JP2008530786A5 (ja) 2009-04-02
JP4820377B2 JP4820377B2 (ja) 2011-11-24

Family

ID=36779047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007554344A Active JP4820377B2 (ja) 2005-02-09 2006-02-07 シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7331676B2 (ja)
JP (1) JP4820377B2 (ja)
WO (1) WO2006086486A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009541977A (ja) * 2006-06-21 2009-11-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光学装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040156455A1 (en) * 2003-08-29 2004-08-12 Hoke Charles D. External cavity laser in which diffractive focusing is confined to a peripheral portion of a diffractive focusing element
CN101801961B (zh) 2007-06-22 2014-09-24 艾科尔公司 吡咯烷酮、吡咯烷-2,5-二酮、吡咯烷和硫代琥珀酰亚胺衍生物、组合物以及治疗癌症的方法
DE102008038591B3 (de) * 2008-08-21 2010-07-22 Laser-Laboratorium Göttingen e.V. Vorrichtung zur Erzeugung eines periodischen Beleuchtungsmusters und Verfahren zu deren Betrieb
US8030632B2 (en) * 2009-03-30 2011-10-04 Tokyo Electron Limted Controlling angle of incidence of multiple-beam optical metrology tools
US7961306B2 (en) * 2009-03-30 2011-06-14 Tokyo Electron Limited Optimizing sensitivity of optical metrology measurements
US8030631B2 (en) * 2009-03-30 2011-10-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for controlling angle of incidence of multiple illumination beams
EP2525939A1 (en) * 2010-01-20 2012-11-28 GEM Solar Limited A method of laser processing
KR102483322B1 (ko) 2015-09-30 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 편광 모듈 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4988858A (en) * 1986-11-12 1991-01-29 The Boeing Company Catoptric multispectral band imaging and detecting device
US5019715A (en) * 1990-03-02 1991-05-28 Spectra-Tech, Inc. Optical system and method for sample analyzation
US5136413A (en) * 1990-11-05 1992-08-04 Litel Instruments Imaging and illumination system with aspherization and aberration correction by phase steps
JPH0513301A (ja) * 1991-06-28 1993-01-22 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置
JP3296346B2 (ja) * 1992-03-05 2002-06-24 株式会社ニコン 露光装置及び半導体素子の製造方法
JPH0695003A (ja) * 1992-08-28 1994-04-08 Tandem Scanning Corp 立体タンデム型走査反射光共焦点顕微鏡
JPH0694613A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Satoshi Kawada 赤外顕微測定装置
JP3077422B2 (ja) * 1992-11-05 2000-08-14 株式会社ニコン X線露光装置
JPH06204123A (ja) * 1992-12-29 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH07142369A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Nec Corp 露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2684994B2 (ja) * 1994-08-11 1997-12-03 日本電気株式会社 微細パターン形成方法
JPH08160200A (ja) * 1994-12-01 1996-06-21 Olympus Optical Co Ltd 照明光学系
DE19533314C2 (de) 1995-09-08 1998-05-20 Microlas Lasersystem Gmbh Abbildungsoptik zum verkleinernden Abbilden eines Lichtstrahls
JPH1020196A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Canon Inc 変倍光学系及びそれを用いた撮像装置
US5975703A (en) * 1996-09-30 1999-11-02 Digital Optics International Image projection system
EP1041606A4 (en) * 1997-11-10 2005-02-09 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS
DE19935404A1 (de) 1999-07-30 2001-02-01 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen
DE19838518A1 (de) 1998-08-25 2000-03-02 Bosch Gmbh Robert Anordnung
US6423925B1 (en) 2000-02-17 2002-07-23 Universal Laser Systems, Inc. Apparatus and method for combining multiple laser beams in laser material processing systems
JP2001236673A (ja) * 2000-02-17 2001-08-31 Minolta Co Ltd 光ヘッド及び光記録・再生装置
JP2001332489A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 照明光学系、投影露光装置、及びデバイス製造方法
US6313433B1 (en) 2000-04-03 2001-11-06 Universal Laser Systems, Inc Laser material processing system with multiple laser sources apparatus and method
US6771683B2 (en) 2000-10-26 2004-08-03 Coherent, Inc. Intra-cavity beam homogenizer resonator
JP4011896B2 (ja) * 2001-11-27 2007-11-21 キヤノン株式会社 露光方法
JP3962581B2 (ja) * 2001-11-27 2007-08-22 キヤノン株式会社 露光方法及びデバイス製造方法
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009541977A (ja) * 2006-06-21 2009-11-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006086486A3 (en) 2006-12-21
WO2006086486A2 (en) 2006-08-17
US7331676B2 (en) 2008-02-19
JP4820377B2 (ja) 2011-11-24
US20060175557A1 (en) 2006-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4820377B2 (ja) シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置
JP4653129B2 (ja) ライトバルブ均等照射装置
US10578881B2 (en) Illumination optical unit for a metrology system and metrology system comprising such an illumination optical unit
US7210820B2 (en) Methods and apparatuses for homogenizing light
JP4808893B2 (ja) 画像投影装置及び集光システム
JP5059049B2 (ja) 分割器及び光束の変形方法及び照明装置
US7405871B2 (en) Efficient EUV collector designs
CN109477970A (zh) 激光线照射
US5218660A (en) Illumination device
KR0150999B1 (ko) 평행광 조명장치
KR102344281B1 (ko) 콜렉터
EP1467234B1 (en) Image projector comprising a catoptric optical system
JPS63114186A (ja) 照明装置
KR100930238B1 (ko) 조명 장치 및 소형 프로젝션 시스템
JP2005504357A (ja) 可干渉性のビームの干渉性を低下させる装置
JP5038362B2 (ja) 反射光学系、及びそれを用いた投影装置
CN210136386U (zh) 光积分柱及投影装置
JP2016186659A (ja) 投射光学系および画像表示装置
JPH04250455A (ja) 円弧照明装置
KR100644586B1 (ko) 프로젝터용 균일광 조명장치
KR100188953B1 (ko) 액정프로젝트의 조명장치
JP6037185B2 (ja) 投射光学系および画像表示装置
JPH11133351A (ja) 投写装置
KR100188972B1 (ko) 액정프로젝트의 조명장치
JPH04252012A (ja) 円弧照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090129

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110817

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110830

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110902

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4820377

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250