JP2008521226A - 半導体デバイスおよび整流装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 12
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
Description
本発明は請求項1の上位概念記載の半導体デバイス、およびこのような半導体デバイスを有する整流装置に関する。
jR = JF exp ( -q UF / k Tj ) (1)
ここでqは電子電荷、kはボルツマン定数である。Tjはケルビンでのダイオードの空乏層温度(接合部温度)である。阻止電流は導通電圧が小さく選択されていると高いことが分る。しかし導通電圧UFの適切な選択により、阻止電流を発電機での使用のために十分に小さく選択することもできる。(導通電圧と阻止電流とのトレードオフ。)
上記式(1)は理想的なショットキーダイオードの限界例だけを表す。技術的理由による欠陥の他に、この式によってはとりわけ阻止電流の阻止電圧に対する依存関係は記述されない。この依存関係により、阻止電流は阻止電圧の上昇と共に、式1により表される電流値を大きく上回って上昇する。その原因は、障壁レベルPhiBnが阻止電圧の上昇と共に低下するからである。この関係は鏡像力効果ないしはショットキー効果、または障壁低下効果(BL)と称される。従来のショットキーダイオードで阻止電流により形成される阻止損失は、とりわけ発電機で使用される場合には高温であるので一般的に高く、このシステムが熱的に不安定になるほどである。
本発明の半導体デバイスは、非常に頑強であり、かつ阻止電流が非常に低いという利点を有する。この利点は、半導体デバイスが高効率ショットキーダイオード(HED)として構成されており、「障壁低下効果」(BL)を有しないことによって達成される。このことにより低い阻止電流が補償される。
P = 0.5 UF IF + 0.5 IR UR (2)
ただし、導通電圧UF、導通電流IF、阻止電流IRおよび阻止電圧URである。阻止電流と導通電圧の温度に対する依存性も同様に上記の教科書に説明されている。そこでは阻止電圧が阻止電流に及ぼす影響についても述べられている。この当業者には周知に関係により、式2を用いて通常のショットキーダイオード(BL効果あり)の損失電力をHED(BL効果なし)の損失電力と比較することができる。
本発明の実施例が図面に示されており、以下詳細に説明する。
図1は、全体損失電力の経過を、従来のショットキーダイオードと本発明による半導体デバイスないしはTMBSダイオードに対する空乏層温度上に示す。
図2は、TMBSダイオードの一部断面を示す。
図3は、1つのパッケージに2つのチップを有する整流器の側面図および平面図である。
図4は、ハンダ付けしたダイオードの側面図および平面図である。
図5は、1つのケーシングにある2つのプラスチップまたはマイナスチップのパーティショニングを示す。
図6と図7は、とりわけ1つのケーシングにある3つないし6つのチップのパーティショニングを示す。
図1には、従来のショットキーダイオードと高効率ショットキーダイオードHEDの全体損失電力の比較が温度の関数としてプロットされている。ここにはショットキーダイオードの全体損失電力に及ぼすBL効果の影響が障壁レベルPhiBn=0.7eVおよびチップ面積A=26mm2に対して示されている。例として順方向電流IF=100Aであり、阻止電圧UR=14Vである。上方の曲線は、障壁低下効果を備える従来のショットキーダイオードに相当し、下方の曲線は障壁低下効果のない高効率ショットキーダイオードに相当する。
Claims (21)
- 半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも1つのショットキーダイオードと別の半導体素子との組合わせを備える高効率ショットキーダイオードHEDを含む半導体デバイスであって、
半導体チップはトレンチ構造または溝構造を有する半導体デバイス。 - 請求項1記載の半導体デバイスにおいて、
前記別の半導体素子は少なくとも1つのフィールドプレート、pnダイオードまたは別のショットキーダイオードである、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1または2記載の半導体デバイスにおいて、
種々異なる障壁金属を備えるショットキーダイオードが使用される、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から3までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
半導体素子の構成は、トレンチ型MOSバリアショットキーダイオードTMBSを形成する、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から4までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
個々の素子はトレンチ技術で構成されており、
高効率ショットキーダイオードHEDは少なくとも複数のトレンチ構造または溝構造を有する、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から5までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
トレンチ構造およびその間にあるメサ領域の所定のパラメータまたは特性は、所定の特性が調整されるように選択される、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から6までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
トレンチは約1から3μmの深さであり、約0.5から1μmの幅である、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項7記載の半導体デバイスにおいて、
トレンチの間隔は約0.5から1μmである、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から8までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
半導体デバイスは、高濃度にドープされたサブストレートn+(1)と、エピタキシャル層(2)と、該エピタキシャル層(2)にエッチングされた少なくとも2つのトレンチないし溝(6)からなり、
金属層(4)がアノード電極として、金属層(5)がカソード電極として設けられており、
酸化層(7)がトレンチ(6)と金属層(4)との間に配置されている、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項9記載の半導体デバイスにおいて、
当該構成は電気的には、金属層(4)、酸化層(7)およびn型エピ層(2)を備えるMOS構造体と、アノードとしての金属層(4)と、カソードとしてのn型エピ層(2)との間にあるショットキー障壁を備えるショットキーダイオードとの組合わせとして作用する、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1から10までのいずれか一項記載の半導体デバイスにおいて、
導通電圧(UF)の調整を、ショットキー障壁に対する金属の選択によって行い、
当該選択は、導通電圧がUF=0.5Vから0.6Vの領域となり、同時に小さな阻止電流が発生し、障壁レベルは約0.65eVから0.75eV(エレキトロンボルト)であるように行う、ことを特徴とする半導体デバイス。 - 自動車の発電機用の整流装置において、請求項1から11までのいずれか一項記載の半導体デバイスが使用される、ことを特徴とする整流装置。
- 請求項12記載の整流装置において、
整流素子は、発電機のB−終端シールド上に直接取り付けられている、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12記載の整流装置において、
整流素子は、別個の冷却体上に直接取り付けられている、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12から14までのいずれか一項記載の整流装置において、
整流素子としてHEDダイオードだけが使用される、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項15記載の整流装置において、
2つのHEDダイオードが2つのチップと共に実装されており、とりわけ1つのケーシングに配置されており、発電機用の整流器の構成部材として用いられる、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項8から16までのいずれか一項記載の整流装置において、
半導体デバイスは挿入ダイオードとして構成されている、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12から17までのいずれか一項記載の整流装置において、
それぞれ2つまたは3つのプラスチップと、それぞれ2つまたは3つのマイナスチップが1つの整流器に接続されている、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12から18までのいずれか一項記載の整流装置において、
スタンド端子部材が設けられており、外スタンド端子部材は回路基板を介して半導体素子のヘッドワイヤと接続されている、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12から19までのいずれか一項記載の整流装置において、
複数のHED素子またはすべてのHED素子に対して標準ツェナーダイオードが並列に接続されており、ロードダンプ保護を形成する、ことを特徴とする整流装置。 - 請求項12から20までのいずれか一項記載の整流装置において、
複数のHED素子またはすべてのHED素子に対して標準ツェナーダイオードまたはHS素子が並列に接続されており、
種々異なる損失電力を考慮して、整流装置の温度耐性が高められている。ことを特徴とする整流装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004056663A DE102004056663A1 (de) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | Halbleitereinrichtung und Gleichrichteranordnung |
PCT/EP2005/055164 WO2006056505A1 (de) | 2004-11-24 | 2005-10-11 | Halbleitereinrichtung und gleichrichteranordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008521226A true JP2008521226A (ja) | 2008-06-19 |
Family
ID=35520787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007541893A Pending JP2008521226A (ja) | 2004-11-24 | 2005-10-11 | 半導体デバイスおよび整流装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8969995B2 (ja) |
EP (1) | EP1817799B1 (ja) |
JP (1) | JP2008521226A (ja) |
KR (1) | KR20070089677A (ja) |
CN (1) | CN101065848A (ja) |
DE (1) | DE102004056663A1 (ja) |
TW (1) | TWI466303B (ja) |
WO (1) | WO2006056505A1 (ja) |
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- 2005-10-11 CN CNA2005800402668A patent/CN101065848A/zh active Pending
- 2005-10-11 JP JP2007541893A patent/JP2008521226A/ja active Pending
- 2005-10-11 US US11/667,050 patent/US8969995B2/en active Active
- 2005-10-11 WO PCT/EP2005/055164 patent/WO2006056505A1/de active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI466303B (zh) | 2014-12-21 |
US20080122323A1 (en) | 2008-05-29 |
EP1817799B1 (de) | 2017-04-05 |
TW200629577A (en) | 2006-08-16 |
KR20070089677A (ko) | 2007-08-31 |
EP1817799A1 (de) | 2007-08-15 |
US8969995B2 (en) | 2015-03-03 |
DE102004056663A1 (de) | 2006-06-01 |
WO2006056505A1 (de) | 2006-06-01 |
CN101065848A (zh) | 2007-10-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100401 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100628 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100705 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100729 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110916 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120111 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120118 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120904 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120907 |