JP2008518201A - 感知ゲッター層を有する表面弾性波ガスセンサーおよびその製造のためのプロセス - Google Patents

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Abstract

基板上に、本ゲッター材料により吸着された分子が、2つの送受波器(2、3)の間で送信された信号の周波数を変化させることが出来るように、ガス感知材料(6)の少なくとも1つの層が、2つの相互デジタル送受波器(2、3)の間に配置され、そしてゲッター材料を含む、圧電性基材(1)を含む弾性表面波ガスセンサー、特に真空または水素センサー。本発明は、また製造本センサーのための工程にも関する。

Description

本発明は、弾性表面波またはSAW技術、特に真空または水素センサーを具体化するガスセンサーに関する。本発明は本センサー製造のための工程にも関する。
既知のガスセンサーは、SAWデバイスを含み、決められたガスに感受性を有する材料の層がSAWデバイスの圧電性基材上で相互デジタル送受波器の間に配置されている。
Y、J、リーの文献”SOガス監視のためのSAWガスセンサーの開発”、センサーおよびアクチュエーター A64(1998)は、SOの濃度の測定のための硫化カドミウムの感知層を開示する。
米国特許番号5592215号明細書は、水銀の濃度測定のための金、銀または銅の感知層を開示する。米国特許出願番号2004/0107765号明細書は、アセトン、ベンゼン、ジクロロエタン、エタノールまたはトルエンの濃度測定のための硝酸セルロースの感知層を開示する。
しかし、該センサーは、それらの感知層の相対的な低感度により、単純分子の濃度を測定、または排気環境中の真空レベルをも測定できない。
したがって、本発明の目的はそうした不都合がないSAWセンサーを提供することである。該目的は、主特徴がそれぞれ請求項1および19に開示されており、ほかの特性が残りの請求項に開示されているセンサーおよび製造工程で達成される。
感知層が上記の分子が透過できる材料の特別な層によって覆われていれば、ガス感知層内に含まれるゲッター材料により、本発明に従ったセンサーは、真空のセンサーまたは例えば水素といった単純分子のためのセンサーとして適用可能である。特に、該センサーはゲッターが再生されるべき時を検出するように、既にゲッターが備えられている排気システム中に配置されることが可能である。
抵抗デバイスは、熱で送受波器を損傷することなく、高温でゲッター材料を活性化および/又は再生するために、圧電性基材とガス感知層の間に配置されることが可能である。
センサー製造を単純化するためおよびその感度を出来るだけ一定に保ち、その測定精度を改善するために、感知層は、好ましくは通常”スパッタリング”としても示される物理的蒸着または”PVD”によって適用された薄いゲッターフィルムで出来ている。
センサーの測定精度を改善するために、第2の対の相互デジタル送受波器を、第1の対の送受波器の間にのみ配置される感知層を有する圧電性基材上に配置することができる。
センサーの製造のために、較正された開口(calibrated openings)を備えたマスクが、製造時間およびコストを減少させるため、そして高いセンサー品質を再生して保つために、既に1対以上の送受波器を備えたウェハー上の正確な寸法を有する層を堆積するために使用されることが可能である。
図1を参照すると、本発明の第1の態様に従ったガスセンサーは、既知の方法で圧電性基材1を含み、該基材上に、電気および/又は電子コントロールデバイスへ有線または無線接続のために、1または2以上の入力または出力導電性ライン4、5を備えた2つの相互デジタル送受波器2、3が配置されているのがわかる。ガス感知材料の少なくとも1つの層6が、送受波器2、3の間を構成する基材1の表面上に配置される。
本発明に従って、本ゲッター材料によって吸着された分子が、周波数送受波器2、3の間で送信された電気信号を可変できるように、感知層6は適切にゲッター材料を含む。従って排気環境中の真空度は、本環境中にセンサー配置することによっておよび該周波数変化を測定することによって、適切な校正曲線を通して測定可能である。
特に、感知層6は、0.5〜5μm(マイクロメーター)から構成される厚さを有するゲッターフィルムであり、スパッタリングによって基材1の上に適用されている。ゲッター材料は、ジルコニウム、チタン、ニオブ、タンタル、バナジウムまたはこれらの金属の合金、またはこれらおよび以下から選択された1または2以上のほかの元素の合金等の金属を含むことが出来る:クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、アルミニウム、イットリウム、ランタンおよび希土類、Ti−V、Zr−V、Zr−Fe、Zr−AlおよびZr−Ni二成分合金および特にZr70%、V24、6%、Fe5、4%またはZr84%、Al16%の重量組成が、特に好適なことが証明されたZr−Mn−Fe、Zr−V−FeおよびZr−Co−MM三成分合金(ここで、MMは、イットリウム、ランタンおよび希土類の商業上の混合物であるミッシュメタルを表す)。
図2を参照すると、本発明の第2の態様では、1つのまたはいくつかの決められたガスだけに選択的に透過性である材料の層7が、非排気(non-evacuated)環境中でも、センサーが透過性層7を通って透過するガスの濃度を測定できる様に、感知層6の上に配置されているのが見える。特に、透過性の層7は、50〜500nm(ナノメーター)の間を構成する厚みを有し、貴金属は、感知層6のゲッター材料によって、この様に吸着される水素分子だけを透過させるように、好ましくはパラジウムまたはプラチナまたはそれらの合金を含む。
図3を参照すると、本発明の第3の態様の中で、ゲッター材料のための活性化温度、特に300〜450℃の温度で加熱されるのに好適な抵抗デバイス8が、基材1と感知層6の間に配置されているのが見える。抵抗デバイス8は、感知層6のゲッター材料の第1の活性化または再生を実行するように電流によって、例えば適切な電気接続端子(図には示されていない)を通って同じく電力を供給することによって、加熱可能である。実際、水素センサーの場合には、感知層6の加熱は同様に予め吸着された水素の放出に役立つ。
図4を参照すると、本発明の第4の態様の中で、それぞれ1または2以上の入力または出力ライン4、4’、5、5’を備えた2つの対の相互デジタル送受波器2、2’、3、3’が、圧電性基材1上に並んで配置されているのが見える。送受波器2、2’と3、3’の間で送信された電気信号の周波数変化の差分測定が実行できるように、感知層6は2つの相互デジタル送受波器2、3の間だけに配置される。
図5を参照すると、本発明の第5の態様中で、第1の相互デジタル送受波器2が、外部のデバイスから無線信号の受信および/又は送信のための1または2以上のアンテナ9に接続されているのが見える。第2の相互デジタル送受波器3は、ケーブルにも、無線にも、いかなるデバイスにも接続されておらず、圧電性基材1を通って受信され、そして送受波器2、3の間に配置される感知層6によって変調された信号を第1の送受波器2に向かって単に反射する。
本発明に従ったセンサー製造のためには、マスクは、機械的に位置合わせされ、そして圧電性基材のウェハーと接して配置され、該基板上には、複数の対の相互デジタル送受波器および、もし必要であれば、複数の抵抗デバイスが、すでに適用されている。該マスクは、スパッタリングによって、ウェハー上に堆積されるこれらの所望の感知層に対応する寸法を有する較正された開口を備える。水素センサーの製造のためには、ウェハーに堆積した感知層の上へ、再びマスクを通したスパッタリングによって、透過性層を適用することで充分である。感知層および、もしあれば、透過性の層の堆積の後で、ウェハーは、使用できる状態である複数のセンサーを得るために、機械的またはレーザーカットによって切断される。
同発明の範囲内に留まる一方で、さらに、以上に記載され、具体的に示された本発明の態様の変化および/又は追加が、当業者によってなされてもよい。
さらに、本発明に従ったセンサーの利点および特性並びに製造工程が、付属の図を参照して、それらのいくつかの態様の以下の詳細なおよび限定されない記載から当業者に明らかになるであろう、ここで: 図1は、センサーの第1の態様の上面図を示し; 図2は、センサーの第2の態様の部分的な断面図を示し; 図3は、センサーの第3の態様の部分的な断面図を示し; 図4は、センサーの第4の態様の上面図を示し;および 図5は、センサーの第5の態様の上面図を示す。

Claims (22)

  1. 圧電基材上でガス感知材料の少なくとも1つの層(6)が2つの相互デジタル送受波器(2、3)の間に配置されている圧電性基材(1)を含むセンサーであって、該ガス感知層(6)がゲッター材料を含み、該ゲッター材料により吸着された分子が該2つの送受波器(2、3)間で送信される信号周波数を可変できることを特徴とするセンサー。
  2. 該感知層(6)が、ゲッターフィルムである請求項1に記載のセンサー。
  3. 当該ゲッターフィルムが0.5〜5μmの間を構成する厚さを有する請求項2に記載のセンサー。
  4. 当該ゲッターフィルムが、スパッタリングによって圧電性基材(1)上に適用される請求項2に記載のセンサー。
  5. 当該ゲッター材料が、ジルコニウム、チタン、ニオブ、タンタル、バナジウム、またはこれらの金属の合金、もしくはこれらとクロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、アルミニウム、イットリウム、ランタンおよび希土類の中から選択された1または2以上の他の元素との合金の中から選択された金属を含む、請求項2に記載のセンサー。
  6. 前記ゲッター材料が、Ti−V、Zr−V、Zr−Fe、Zr−AlおよびZr−Ni二成分合金、並びにZr−Mn−Fe、Zr−V−FeおよびZr−Co−MM(ここでMMは、イットリウム、ランタンおよび希土類の混合物である)三成分合金を含む請求項5に記載のセンサー。
  7. 前記ゲッター材料が、Zr70%−V24.6%−Fe5.4%の重量組成の合金を含む請求項6に記載のセンサー。
  8. 前記ゲッター材料が、Zr84%−Al16%の重量組成の合金を含む請求項6に記載のセンサー。
  9. 圧電性基材(1)とガス感知層(6)との間に配置される、ゲッター材料のための活性化温度での加熱に好適な抵抗デバイス(8)をさらに含む請求項1に記載のセンサー。
  10. 該活性化温度が300〜450℃の間から構成される請求項9に記載のセンサー。
  11. さらに、圧電性基材(1)上に配置される第2の一組の相互デジタル送受波器(2’、3’)、第1の一組の相互デジタル送受波器(2、3)の間だけに配置される感知層(6)を含む請求項1に記載のセンサー。
  12. 前記センサーが、バキュームセンサーである請求項1に記載のセンサー。
  13. さらに、感知層(6)の上に配置された1種または2種以上の決められたガスを透過可能な材料層(7)を含む請求項1に記載のセンサー。
  14. 該透過性の層(7)が、50〜500nmの間から構成される厚さを有する請求項13に記載のセンサー。
  15. 該透過性の層(7)が、貴金属またはそれらの合金を含む請求項13に記載のセンサー。
  16. 該透過性の層(7)が、パラジウムまたはプラチナを含む請求項15に記載のセンサー。
  17. 当該センサーが、水素センサーである請求項13に記載のセンサー。
  18. 少なくとも1つの相互デジタル送受波器(2)に接続されたラジオ(電波)信号の受信および/又は送信のための少なくとも1つのアンテナ(9)をさらに含む請求項1に記載のセンサー。
  19. 以下の操作ステップを含むガスセンサー製造のための工程:
    圧電性基材のウェハー上へ、複数の対の相互デジタル送受波器を適用する工程;
    これらの開口は1対の相互デジタル送受波器の間に構成される、該ウェハーの上に複数の較正された開口を備えたマスクを配置する工程;
    該マスク層を通してスパッタリングによって、ガス感知材料をウェハーの上に堆積する工程。
  20. 該ガス感知材料が、ゲッター材料を含む請求項19に記載の工程。
  21. ウェハーの上にガス感知材料の層を堆積する前に、複数の抵抗デバイスが、対の相互デジタル送受波器間のウェハーの上に配置される請求項19に記載の工程。
  22. 以下の操作ステップをさらに含む請求項19に記載の工程:
    これらの開口が、1対の相互デジタル送受波器の間に構成されるように、ウェハーの上に、較正された開口を備えたマスクを配置する工程;
    1種または2種以上の決められたガスに透過性である材料の層をスパッタリングすることによって、該マスクを通して、ウェハー上に堆積する工程。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081256A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 한국과학기술원 표면 탄성파를 이용한 그래핀 가스센서
CN111781271A (zh) * 2020-07-14 2020-10-16 电子科技大学 一种柔性声表面波气体传感器及其制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420717B (zh) * 2008-06-20 2013-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 表面聲波感測器之製作方法
CN102735753A (zh) * 2012-06-29 2012-10-17 中国科学院微电子研究所 一种声表面波气体传感器多层敏感膜的制备方法
EP2728345B1 (de) * 2012-10-31 2016-07-20 MTU Aero Engines AG Verfahren zum Ermitteln einer Randschichtcharakteristik eines Bauteils
CN103499638B (zh) * 2013-10-22 2015-08-19 天津七一二通信广播有限公司 具有监测汽车尾气功能的声表面波气体传感器
CN105445367A (zh) * 2015-12-30 2016-03-30 桂林斯壮微电子有限责任公司 氢气检测系统
CN109342558A (zh) * 2018-11-26 2019-02-15 中国科学院声学研究所 一种基于钯铜纳米线薄膜的声表面波氢气传感器
CN114323407B (zh) * 2021-12-28 2022-09-09 电子科技大学 一种柔性薄膜式自驱动多功能传感器及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02259458A (ja) * 1989-03-30 1990-10-22 Sanyo Electric Co Ltd 水素ガスセンサ
JPH0486028A (ja) * 1990-07-30 1992-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子会議システム
JPH06198149A (ja) * 1992-09-01 1994-07-19 Air Prod And Chem Inc 酸素含有混合ガスから酸素を回収する方法
JPH09189685A (ja) * 1996-01-05 1997-07-22 Mitsubishi Electric Corp 自己再生型ガス感応膜を用いたガスセンサ
JPH09210975A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Kurita Water Ind Ltd ガス検出装置
JP2001141868A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Hitachi Ltd 水素ガス処理設備

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3203901A (en) * 1962-02-15 1965-08-31 Porta Paolo Della Method of manufacturing zirconiumaluminum alloy getters
IT1198325B (it) * 1980-06-04 1988-12-21 Getters Spa Struttura e composizione getteranti,particolarmente adatti per basse temperature
US4759210A (en) * 1986-06-06 1988-07-26 Microsensor Systems, Inc. Apparatus for gas-monitoring and method of conducting same
US4793182A (en) * 1987-06-02 1988-12-27 Djorup Robert Sonny Constant temperature hygrometer
US4932255A (en) * 1988-12-16 1990-06-12 Johnson Service Company Flow sensing using surface acoustic waves
US5583282A (en) * 1990-12-14 1996-12-10 Millipore Investment Holdings Limited Differential gas sensing in-line monitoring system
US5571944A (en) * 1994-12-20 1996-11-05 Sandia Corporation Acoustic wave (AW) based moisture sensor for use with corrosive gases
US5670115A (en) * 1995-10-16 1997-09-23 General Motors Corporation Hydrogen sensor
US5795993A (en) * 1995-11-29 1998-08-18 Sandia Corporation Acoustic-wave sensor for ambient monitoring of a photoresist-stripping agent
US5821425A (en) * 1996-09-30 1998-10-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Remote sensing of structural integrity using a surface acoustic wave sensor
US5992215A (en) * 1997-05-29 1999-11-30 Sensor Research And Development Corp. Surface acoustic wave mercury vapor sensors
JP3515131B2 (ja) * 1997-07-28 2004-04-05 株式会社東芝 弾性表面波素子およびその製造方法
US6596236B2 (en) * 1999-01-15 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2 containing gases, and method of making and using the same
EP1280595A4 (en) * 2000-05-08 2007-04-11 Mass Sensors Inc CHEMICAL GAS MASS SPECTROMETRIC SENSOR WITH REDUCED SCALE
US6848295B2 (en) * 2002-04-17 2005-02-01 Wayne State University Acoustic wave sensor apparatus, method and system using wide bandgap materials
WO2002007309A2 (en) * 2000-07-13 2002-01-24 Rutgers, The State University Of New Jersey Integrated tunable surface acoustic wave technology and sensors provided thereby
US6945090B2 (en) * 2002-06-24 2005-09-20 Particle Measuring Systems, Inc. Method and apparatus for monitoring molecular contamination of critical surfaces using coated SAWS
US20060124448A1 (en) * 2003-01-23 2006-06-15 Jayaraman Raviprakash Thin film semi-permeable membranes for gas sensor and catalytic applications
GB2399170A (en) * 2003-03-05 2004-09-08 Boc Group Plc Chemical sensor with temperature differential between measurement and reference SAWs
US20040223884A1 (en) * 2003-05-05 2004-11-11 Ing-Shin Chen Chemical sensor responsive to change in volume of material exposed to target particle
US20040244466A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Chi-Yen Shen Ammonia gas sensor and its manufacturing method
US7134319B2 (en) * 2004-08-12 2006-11-14 Honeywell International Inc. Acoustic wave sensor with reduced condensation and recovery time

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02259458A (ja) * 1989-03-30 1990-10-22 Sanyo Electric Co Ltd 水素ガスセンサ
JPH0486028A (ja) * 1990-07-30 1992-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子会議システム
JPH06198149A (ja) * 1992-09-01 1994-07-19 Air Prod And Chem Inc 酸素含有混合ガスから酸素を回収する方法
JPH09189685A (ja) * 1996-01-05 1997-07-22 Mitsubishi Electric Corp 自己再生型ガス感応膜を用いたガスセンサ
JPH09210975A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Kurita Water Ind Ltd ガス検出装置
JP2001141868A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Hitachi Ltd 水素ガス処理設備

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081256A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 한국과학기술원 표면 탄성파를 이용한 그래핀 가스센서
KR101722460B1 (ko) * 2014-12-31 2017-04-04 한국과학기술원 표면 탄성파를 이용한 그래핀 가스센서
CN111781271A (zh) * 2020-07-14 2020-10-16 电子科技大学 一种柔性声表面波气体传感器及其制备方法

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