JP5129553B2 - 水素検知素子 - Google Patents
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H/M=a×PH2 b 式(1)
H/M:金属合金への水素溶解量、PH2:水素圧力、a:定数、b:定数
また、この発明によれば、水素溶解量と水素圧力の間に明確な相関関係を有する金属合金としてPd−Cu−Si系、Pd−Ni−Si系、Pd−Cu−Ni−P系の合金で感応部を形成することができ、気体の圧力の変化の検出に基づいて電気抵抗変化の変動を正確に補正することができるものであり、水素ガスを含む気体の圧力が変化しても水素濃度を正確に測定することができるものである。
また、Pd−Cu−Si系、Pd−Ni−Si系、Pd−Cu−Ni−P系の合金は、酸素がない雰囲気下での水素検知が可能であると共に、H 2 O、CO、CH 4 、CO 2 などを含む雰囲気においても優れた耐性を持ち、かつ水素溶解時の体積膨張が小さいものであり、金属合金膜で形成される感応部に剥離などが生じることがなく、耐久性に優れた水素検知素子を作製することができるものである。
である。
H/M=a×PH2 b 式(1)
H/M:金属合金への水素溶解量、PH2:水素圧力、a:定数、b:定数
このような関係を満たす特性を有する合金金属は、Pd−Cu−Si系、Pd−Ni−Si系、Pd−Cu−Ni−P系のものであることが好ましい。
PH2=((ΔR/R0)×100)1/0.4292/0.13231/0.4292 式(3)
CH2=PH2/(PGAS/100) 式(4)
R:水素/水素と窒素混合ガス中での感応部の電気抵抗(Ω)
R0:窒素ガス中での感応部の電気抵抗(Ω)
ΔR=R−R0
CH2:水素ガス濃度(%)
PGAS:ガス圧力(kPa)
次に、上記のようにして作製した、非晶質合金薄膜からなる感応部9を設けたダイアフラム6を用い、図1に示す水素検知素子を組み立てた。そしてこの水素検知素子を密閉チャンバー内に取り付け、感応部9の電気抵抗の変化を抵抗計測器15で検出し、圧力の変化をセンサ回路16で検出する試験を行なった。まず始めにチャンバー内に窒素ガスを導入し、感応部9の電気抵抗が安定しているのを確認した後、「表2」に示すステップ1〜9の順序で、チャンバー内に導入する水素ガス濃度とガス圧力を切り替え、各ステップでの水素ガス濃度による電気抵抗変化(ΔR/R0(%))の信号と、ガス圧力(PGAS)の信号を検出した。
17 補正部
18 電気抵抗検出部
19 圧力検出部
Claims (3)
- 金属合金からなる感応部と、前記感応部の前記金属合金が水素を溶解することにより生じる電気抵抗変化を検出する電気抵抗検出部と、前記感応部近傍の気体の圧力を検出する圧力検出部と、前記電気抵抗検出部で検出された電気抵抗変化の検出信号を前記圧力検出部で検出された圧力変化の検出信号で補正する補正部とを備える水素検知素子において、前記感応部は、一定温度において下式(1)の関係を満たす前記金属合金からなり、前記金属合金は、Pd−Cu−Si系、Pd−Ni−Si系、及びPd−Cu−Ni−P系の合金から選ばれることを特徴とする水素検知素子。
H/M=a×PH2 b 式(1)
H/M:金属合金への水素溶解量、PH2:水素圧力、a:定数、b:定数 - 上記金属合金からなる感応部に、水素解離触媒層としてPdもしくはPtが薄膜状に積層されていることを特徴とする請求項1に記載の水素検知素子。
- 上記感応部を加熱する加熱手段を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の水素検知素子。
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