JP2008512862A - 選択的エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・少なくとも2つ異なる化学元素をベースとする半導体性を持つ材料を含んでなる、グループAから選択される第1の材料を基板上に準備し、
・グループBから選択される第2の材料を基板上に準備し、
・最小0.1m/秒の基板表面に平行な平均速度vを生じるのに充分速い流れで基板表面を横切って流れる液体エッチング剤により前記第2の材料に対して少なくとも15:1の選択性をもって前記第1の材料を選択的にエッチングする
ことを含んでなる選択的エッチングの方法を提供することによりこの目的を達成する。好ましい速度vは約0.5m/秒である。
・基板(ウエハー)に実質的に平行なプレートを準備し、それにより前記基板と前記プレートの間にギャップ距離dでギャップを作り、
・基板表面(プレートに面する)とプレート表面(基板に面する)の両方が濡れるように、ギャップの中に前記液体エッチング剤を導入し、
・前記液体エッチング剤をギャップの中に速度vで導入する。
・液体を上から分配。
va2=v02+2gl
・液体を下から分配。
va2=v02−2gl
va...ウエハーに接触するときの液体の速度。
v0...分配ノズルを出るときの液体の速度。
g...重力による加速
l...ノズルと基板表面の間の高さ差
う一つが半金属から選択される半導体性の材料を含んでなる。このような材料は、例えば種々のゲルマニウム含量のシリコンゲルマニウム(SiGe)、スズシリサイド(SnSi)、チタンシリサイド(Ti2Si)、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、白金シリサイドまたは上記に挙げた他の材料である。
・フッ化水素酸(HF)、フッ化アンモニウム(NH4F)、二フッ化水素アンモニウム(NH4HF2)、フルオロホウ酸(H2BO2F)、フルオロスルホン酸(HSO3F)のようなフッ素を含んでなる化合物;
・硝酸(HNO3)、亜硝酸(HNO2)、過酸化水素(H2O2)、オゾン(O3)、過塩素酸(HClO4)、過カルボン酸(例えば、過酢酸、過プロパン酸)のような酸化剤;
・無機酸素含有酸(例えば、リン酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4))、カルボン酸(例えば、酢酸、プロパン酸)、ジカルボン酸(例えば、シュウ酸、マロン酸)、芳香族カルボン酸(例えば、安息香酸)、ヒドロキシカルボン酸(例えば、酒石酸、クエン酸)、過カルボン酸(例えば、過酢酸、過プロパン酸)、カルボン酸エステル(例えば、酢酸エチル)、カルボン酸過エステル(例えば、過酢酸エチル)、カルボン酸アミド(例えば、ジメチルアセトアミド)または双極性溶媒(例えば、ジメチルスルホキシド、N−メチル−ピロリドン)のような場合によっては、拡散層、この混合物の表面張力またはウエハー表面の濡れ性の制御を可能とさせる1つ以上の化合物
からなる液体エッチング剤を使用する。
Claims (11)
- −少なくとも2つ異なる化学元素をベースとする半導体性を持つ材料を含んでなる、グループAから選択される第1の材料を基板上に準備し、
−グループBから選択される第2の材料を基板上に準備し、
−最小0.1m/秒の基板表面に平行な平均速度vを生じるのに充分速い流れで基板表面にわたって流れる液体エッチング剤により前記第2の材料に対して少なくとも15:1の選択性をもって前記第1の材料を選択的にエッチングする
ことを含んでなる選択的エッチングの方法。 - 前記液体が連続流れで基板上に分配され、そして基板の表面にわたって拡げられる請求項1に記載の方法。
- 液体流の衝撃点が基板の表面を横切って時間系列で移動される請求項2に記載の方法。
- 前記液体が少なくとも0.05リットル/分(特に、少なくとも0.5リットル/分)の体積流れで分配される請求項2に記載の方法。
- 前記基板が前記液体エッチング剤に暴露されながら回転される請求項1に記載の方法。
- グループAが少なくとも2つの異なる化学元素をベースとする、半導体性を持つ材料を含んでなり、前記元素の少なくとも一方が金属および/または半金属から選択され、そして前記元素のもう一方が半金属から選択される請求項1に記載の方法。
- グループBがシリコン(例えば、バルクシリコン、多結晶性シリコン、歪シリコン、絶縁体上のシリコン、絶縁体上の歪シリコン)またはシリサイド(例えば、スズシリサイド(SnSi)、チタンシリサイド(Ti2Si)、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、白金シリサイドまたは他の材料)などの半導体性を持つ材料を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 前記第1の材料が前記第2の材料を成長させるための基板として使用される請求項1に記載の方法。
- 前記第1の材料が前記第2の材料から選択的に除去されるべき犠牲層として使用される請求項1に記載の方法。
- 前記液体エッチング剤が
−フッ化水素酸(HF)、フッ化アンモニウム(NH4F)、二フッ化水素アンモニウム(NH4HF2)、フルオロホウ酸(H2BO2F)、フルオロスルホン酸(HSO3F)のようなフッ素を含んでなる化合物;
−硝酸(HNO3)、亜硝酸(HNO2)、過酸化水素(H2O2)、オゾン(O3)、過塩素酸(HClO4)、過カルボン酸(例えば、過酢酸、過プロパン酸)のような酸化剤;
を含んでなる請求項1に記載の方法。 - 前記液体エッチング剤が無機酸素含有酸(例えば、リン酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4))、カルボン酸(例えば、酢酸、プロパン酸、ジカルボン酸(例えば、シュウ酸、マロン酸)、芳香族カルボン酸(例えば、安息香酸)、ヒドロキシカルボン酸(例えば、酒石酸、クエン酸)、過カルボン酸(例えば、過酢酸、過プロパン酸)、カルボン酸エステル(例えば、酢酸エチル)、カルボン酸過エステル(例えば、過酢酸エチル)、カルボン酸アミド(例えば、ジメチルアセトアミド)または双極性溶媒(例えば、ジメチルスルホキシド、N−メチル−ピロリドン)からなる群から選択される、拡散層、この混合物の表面張力またはウエハー表面の濡れ性の制御を可能とさせる1つ以上の添加物を更に含んでなる請求項10に記載の方法。
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