JP2008510002A - シクロアルカン類の酸化およびシクロアルキルヒドロパーオキシドの分解のための触媒 - Google Patents
シクロアルカン類の酸化およびシクロアルキルヒドロパーオキシドの分解のための触媒 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本発明はシクロアルカン類の触媒酸化およびシクロアルキルヒドロパーオキシド類の触媒分解に関し、これよって対応するケトン類およびアルコール類を含む混合物を形成する。
シクロヘキサンから、シクロヘキサノンおよびシクロヘキサノールを含む生成物の混合物への酸化に関して幾つかの様々な方法が使用されている。このような生成物の混合物は、一般に、KA(ケトン/アルコール)混合物と呼ばれている。KA混合物は、容易に酸化して、アジピン酸を生成することができる。このアジピン酸は、特定の縮合ポリマー類、特に、ポリアミド類の製造方法に重要な反応物である。これらの方法および他の方法において大量のアジピン酸が消費される場合、アジピン酸およびその前駆体を製造するためには、費用に対して最も効率のよい方法が必要になる。
本発明は、反応混合物中のシクロアルカンを酸化して対応するアルコールおよびケトンを含む生成物の混合物を形成する方法に関する。当該方法は、多孔質結晶性シリケートまたはホスフェートの支持体上に支持された触媒有効量の金の存在下、反応混合物を酸素源と接触させる工程を包含する。
[式中、x=0〜0.13、Elは、アルミニウムを除く周期系(periodic system)の第2、第3、第4および第5周期の少なくとも1つの元素であり、nは元素Elの原子価である]
で記載することができる。
[式中、
本発明は、シクロアルカン類の触媒酸化方法に関する。本発明書で使用する用語「シクロアルカン」は、3〜約10の炭素原子、より通常は約5〜約8の炭素原子を有する飽和環状炭化水素を指す。シクロアルカン類の非限定的な例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロへプタンおよびシクロオクタンが挙げられる。
シリカライト−1(Silicalite−1)支持体の調製
シリカライト−1をFlanigen E.M.,Bennett J.M.,Grose R.W.,Cohen J.P.,Patton R.L.,Kirchner R.M.,Smith J.V.(1978)Nature 271,512に記載のように調製した。40%SiO2を含むシリカゾル(36g)を220mlの0.1M水酸化テトラプロピルアンモニウム溶液に添加した。混合物を30分間撹拌し、4mlの10M NaOH水溶液を混合物に滴下した。得られた混合物を周囲温度で1時間撹拌し、170℃で72時間維持した。沈殿物を濾過、蒸留水で洗浄し、100℃で24時間乾燥した。XRD解析によって得られた生成物のMFI構造を確認した。
この実施例は、支持体として、シリカライト−1(多孔質結晶性シリケート)を用いる金含有触媒の調製を例示する。シリカライト−1(3g)を50mlの水に懸濁し、この懸濁液に7.9mlの0.05M HAuCl4を滴下した。得られたスラリーのpHを6%アンモニア水で7に調整し、さらに2時間スラリーを撹拌した。沈殿を濾過し、100℃で10時間乾燥し、200℃で2時間か焼した。
この実施例は、以下の組成(TiO2)0.025(SiO2)を有するMFI構造のチタノシリケートTS−1を用いる金触媒の調製を例示する。実施例1に従い、支持体として結晶性チタンシリケート(titanium silicate)TS−1を使用して、触媒を調製した。
不活性雰囲気下、ガラスフラスコにテトラエチルオルトシリケート(91g)を入れた。テトラエチルチタネート(3g)を撹拌下で添加した。水酸化テトラプロピルアンモニウム(25%水溶液、160g)を添加し、混合物を周囲温度で1時間、80〜90℃で5時間撹拌した。その後、混合物をオートクレーブに移し、175℃で10日間維持した。生成物を冷却し、濾過し、蒸留水で洗浄した。550℃で3時間か焼することによって有機テンプレートを除去した。X線回折解析は生成物がMFI構造であることを示した。
この実施例は、以下の組成(B2O3)0.0083(SiO2)を有するMFI構造のホウケイ酸(borosilicate)を用いる金触媒の調製を例示する。実施例1に従い、支持体としてホウケイ酸を使用し、触媒を調製した。
不活性雰囲気下、ガラスフラスコに水酸化テトラプロピルアンモニウム(25%水溶液、61g)を入れた。ホウ酸(9.3g)を撹拌下で添加した。テトラエチルオルトシリケート(93.75g)を添加し、混合物を60℃まで徐々に加熱し、この温度で12時間一定撹拌下で維持した。その後、KOH(0.09g)および蒸留水を添加し、全容量を150mlとした。混合物をオートクレーブに移し、145℃で12日間維持した。生成物を冷却し、濾過し、蒸留水で洗浄し、120℃で乾燥した。有機テンプレートを750℃でのか焼によって除去した。X線回折解析は、生成物がMFI構造を有することを示した。以下、この材料をB−ZSM−5と称する。
この実施例は、FAU構造の脱アルミニウム化アルモシリケート(Na2O)0.0025(Al2O3)0.023SiO2上の金触媒の調製を例示する。この試料は典型的なYゼオライトよりも7倍少ないアルミニウムを含んでいた。実施例1に従い、金源として0.03MのHAuCl4水溶液を使用して触媒を調製した。Kerr G.T.,J.Phys.Chem71(1967)4155.に記載の通り支持体を調製した。
この実施例は、以下の組成Al2O3・P2O5を有するATS構造の結晶性アルモホスフェート上の金触媒の調製を例示する。実施例1に従い、支持体としてアルモホスフェートを用いて触媒を調製した。Bennet J.M.,Richardson J.M.,Pluth J.J.,Smith J.V.(1987)Zeolites 7,160に記載の通り支持体を調製した。
この実施例は、MFI構造の脱アルミニウム化アルモシリケート(Na2O)0.00007(Al2O3)0.0086SiO2を用いた金触媒の調製を例示する。実施例1に従い、支持体として結晶性多孔質シリケートを用いて触媒を調製した。Argauer R.J.,Landolt G.R.(1972)、米国特許第3,702,886号に記載の通り支持体を調製した。アルモシリケート格子からアルミニウムを除去し、酸性度を減らすために、2時間、650℃において蒸気を用いて支持体をさらに処理し、その後、金を析出した。
この実施例は、MFI構造のアルモシリケート(Na2O)0.0086(Al2O3)0.0086SiO2を用いた金触媒の調製を例示する。実施例1に従い、支持体としてアルモシリケートを用いて触媒を調製した。Argauer R.J.,Landolt G.R.(1972)、米国特許第3,702,886号に記載の通り支持体を調製した。アルモシリケート格子からアルミニウムを除去し、酸性度を減らすために、2時間、650℃において蒸気を用いて支持体をさらに処理し、その後、金を析出した。
実施例8〜19は、実施例1〜5の触媒のシクロヘキサン酸化での使用を例示する。
これらの比較例は、触媒を用いないシクロヘキサンの酸化を例示する。
シクロヘキサン(160g)およびシクロヘキサノン(0または0.70g)を300mlのParr圧力反応器に充填した。ヘリウム(300cc/分、大気圧)で反応器を20分間パージし、その後、ヘリウムで130〜140psigに加圧した。反応器の内容物を150℃または170℃に加熱し、ヘリウムの流入を停止し、300cc/分の速度で反応器に空気を供給し、所望のシクロヘキサンコンバージョンを達成した。試験の結果を表1に示す。
この比較例は、触媒として、金を含まないMFI構造を有するホウケイ酸B−ZSM−5を用いたシクロヘキサンの酸化を例示する。
この比較例は、触媒として、金を含まないMFI構造を有する多孔質結晶性シリケート(シリカライト−1)を用いたシクロヘキサンの酸化を例示する。
この比較例は、触媒として、金を含まないMFI構造を有するチタノシリケートTS−1を用いたシクロヘキサンの酸化を例示する。
この比較例は、触媒として、金を含有しない結晶性アルモホスフェートを用いたシクロヘキサンの酸化を例示する。
この比較例は、アモルファスSiO2上のAu触媒の調製および当該触媒のシクロヘキサン酸化での使用を例示する。
y−Al2O3(塩基性、Alpha Aesar、5.984g)を0.1%AuCl3の0.5%HCl溶液(117.3g)中に懸濁した。スラリーを9%NH3でpH7.0に滴定した。撹拌を周囲温度で4時間続けた。スラリーを濾過し、50mlの水を用いてフィルター上で沈殿を洗浄し、110℃で一晩乾燥し、450℃で3時間か焼した。実施例8〜19に記載のようにシクロヘキサン酸化で触媒Au/Al2O3を試験した。試験の結果を表1に示す。
この比較例は、NaYゼオライト[FAU構造のアルモシリケート(Na2O)0.026(Al2O3)0.15SiO2]上の金触媒の調製およびシクロヘキサン酸化でのこの触媒の使用を例示する。実施例1に従い、0.03MのHAuCl4水溶液を金源として用いて触媒を調製した。支持体をBreck D.W.、米国特許第3,130,007号(1964)に記載の通り調製した。実施例8〜19に記載のようにシクロヘキサン酸化において触媒Au/NaYを試験した。試験の結果を表1に示す。
実施例1、4、6および7の触媒を固定床反応器[内径4.5mmの金属チューブ(SS316)]中で試験した。反応器の金属壁でのCHHPの反応を防止するために、反応器の表面をNa4P2O7溶液で処理することによって、反応器を不活化した。シリンジポンプを用いて、液体供給物質を触媒床を通過させた。反応器からの流出液を回収容器に回収した。触媒充填量は0.3gであった。典型的には、触媒を反応器に充填し、シクロヘキサン供給(0.6ml/分)を開始した。シクロヘキサン置換の空気として、系中の圧力を徐々に上昇させた。圧力の設定値170psigへの到達後、反応器への加熱を行った。触媒床の温度が所望の値160℃に到達すると、シクロヘキサン供給を停止し、シクロヘキシルヒドロパーオキシド(8.8mol/l)、シクロヘキサノン(1.2mol/l)、シクロヘキサノール(2.6mol/l)および副生成物(副生成物濃度をCHHP当量で示す)(1.1mol/l)を含む混合物の供給を開始した。この時点から、流入時間を計測した。反応器からの流出液を30分毎にサンプリングした。サンプルをガスクロマトグラフで分析した。通常、3〜5時間触媒を試験した。
この比較例は、触媒を用いないCHHP分解を例示する。反応条件は実施例36〜39の記載と同一である。試験の結果を表2に示す。
この比較例は、触媒として、金を含有しないMFI構造を有する多孔質結晶性シリケート(シリカライト−1)を用いたCHHP分解を例示する。
この比較例は、触媒として、金を含有しないMFI構造の脱アルミニウム化アルモシリケート(Na2O)0.0086(Al2O3)0.0086SiO2を用いたCHHP分解を例示する。
この比較例は、触媒として、金を含有しないMFI構造の脱アルミニウム化アルモシリケート(Na2O)0.00007(Al2O3)0.0086SiO2を用いたCHHP分解を例示する。この実施例は、この実施例で使用される触媒が、H型(H−form)に変換され、そして少量のナトリウムを含む点において、実施例42とは異なる。
この比較例は、ゼオライトNaY[FAU構造のアルモシリケート(Na2O)0.15(Al2O3)0.15SiO2]上の金触媒を用いたCHHP分解を例示する。
この比較例は、ゼオライトNaY[FAU構造のアルモシリケート(Na2O)0.026(Al2O3)0.15SiO2]上の金触媒を用いたCHHP分解を例示する。この実施例は、この実施例で使用する支持体が金の析出前にH型(H−form)に変換され、そして、支持体が少量のナトリウムを含む点において、実施例44とは異なる。
この比較例は、CHHP分解でのAu/SiO2触媒の使用を例示する。
Drulinerらへの米国特許第6,160,183号に記載の通り触媒Au/Al2O3を調製した。実施例36〜39に記載のようにCHHP分解においてこの触媒を試験した。試験の結果を表2に示す。
Claims (15)
- 反応混合物中のシクロアルカンを酸化して対応するアルコールおよびケトンを含む生成物の混合物を形成する方法であって、約2重量%未満のアルミニウムを含む多孔質結晶性シリケートまたは結晶性ホスフェート上に支持された触媒有効量の金の存在下、該反応混合物を酸素源と接触させる工程を包含する方法。
- 前記シクロアルカンがシクロヘキサンである、請求項1の方法。
- 反応混合物中のシクロアルキルヒドロパーオキシドを分解して対応するアルコールおよびケトンを含む生成物の混合物を形成する方法であって、多孔質結晶性シリケートまたはホスフェート上に支持された触媒有効量の金と、該反応混合物を接触させる工程を包含する、方法。
- 前記シクロアルキルヒドロパーオキシドがシクロヘキシルヒドロパーオキシドである、請求項3の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケート支持体が、BEA、FAU、MFI、MEL、MOR、MTW、MTT、MCM−22、MCM−41、MCM−48、NU−1からなる群から選択される構造を有するエレメントシリケート(elemento−silicate)である、請求項1または請求項3の方法。
- 前記多孔質結晶性ホスフェート支持体が、AFI、AEL、AFO、AFR、AFS、AFT、AFY、ATN、ATO、ATS、ATT、ATV、AWWからなる群から選択される構造を有するエレメントホスフェート(elemento−phosphate)である、請求項1または請求項3の方法。
- 前記結晶性シリケート支持体が、AFI、AEL、AFO、AFR、AFS、AFT、AFY、ATN、ATO、ATS、ATT、ATV、AWWからなる群から選択される構造を有する脱アルミニウム化ゼオライトである、請求項1または請求項3の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケートまたは結晶性ホスフェートの支持体がヘテロ原子を含む、請求項1または請求項3の方法。
- 前記ヘテロ原子が、アルミニウムおよびその混合物を除く第2、第3、第4および第5周期の少なくとも1つの元素からなる群から選択される、請求項7の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケート支持体がMFI構造を有する、請求項5の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケート支持体が、MFI構造を有するチタノシリカライト(titanosilicalite)である、請求項5の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケート支持体が、MFl構造を有するホウケイ酸である、請求項5の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケート支持体がFAU構造を有する、請求項3の方法。
- 前記多孔質結晶性ホスフェート支持体がATS構造を有する、請求項4の方法。
- 前記多孔質結晶性シリケートが約1重量%未満のアルミニウムを含む、請求項1または請求項3の方法。
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