JP2008309611A - 非接触型位置センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、複雑な形状の部品を設けるという必要がなく、組立性の向上が図れる非接触型位置センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の非接触型位置センサは、第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24と並設されるよう凹凸形状の被検出体47を設け、かつこの被検出体47を第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24に沿って移動させるように構成したものである。
【選択図】図5
【解決手段】本発明の非接触型位置センサは、第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24と並設されるよう凹凸形状の被検出体47を設け、かつこの被検出体47を第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24に沿って移動させるように構成したものである。
【選択図】図5
Description
本発明は、特に、磁気の変化により直動位置を検出する非接触型位置センサに関するものである。
従来のこの種の非接触型位置センサは、図7に示すような構成を有していた。
図7は従来の非接触型位置センサの斜視図を示したもので、この図7において、1は厚さ方向に着磁された磁石である。2は長さ方向の位置によって幅が異なる二等辺三角形状のパーマロイからなる磁性体で、この磁性体2は前記磁石1の上面に載置されている。3は軸で、この軸3は上面に前記磁石1を載置するとともに、側面に溝部4を設けている。5は摺動子で、この摺動子5は内側面に凸部6を設けており、そしてこの凸部6を前記軸3の溝部4に嵌合させることにより摺動子5が軸3の長手方向、すなわち矢印D方向に摺動するように構成している。7は磁電変換部で、この磁電変換部7は前記摺動子5の上面に載置されるとともに、前記磁性体2の幅に合わせた磁力の変化を検出するようにしている。また、前記磁電変換部7には、リード線8が接続されており、そしてこのリード線8は相手側コンピュータ(図示せず)等に接続するようにしていた。
以上のように構成された従来の非接触型位置センサについて、次に、その動作を説明する。
摺動子5の上面に載置した磁電変換部7に対して軸3が軸3の長手方向に移動すると、軸3の上面側に位置する二等辺三角形状の磁性体2によって、磁電変換部7に対する磁界の強さが変化するもので、この磁界の強さの変化を磁電変換部7により電圧の変化に変換し、そしてリード線8を介して相手側コンピュータ(図示せず)等に出力して、摺動子5の変位を検出するようにしていた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平5−264326号公報
しかしながら、上記した従来の構成においては、磁性体2を長さ方向の位置によって幅が異なる二等辺三角形状のパーマロイにより構成しているため、磁性体2の形状が複雑となり、これにより、製造が困難になってしまうという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、複雑な形状の部品を設けるという必要がなく、組立性の向上が図れる非接触型位置センサを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、磁石と、この磁石の磁極面に所定の間隔をおいて略一列に配設された第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子を電源およびGNDに直列に接続することにより構成された磁気抵抗直列回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第1の分圧回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第2の分圧回路と、前記磁気抵抗直列回路における第1の磁気抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との中点電位と第1の分圧回路における中点電位とを比較する第1の比較器と、前記磁気抵抗直列回路における第2の磁気抵抗素子と第3の磁気抵抗素子との間の中点電位と第2の分圧回路における中点電位とを比較する第2の比較器と、前記第1の比較器および第2の比較器から出力されるデジタル出力信号をアナログ信号に変換するDA変換器とを備え、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と並設されるように凹凸形状に構成された被検出体を設け、かつこの被検出体を前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子に沿って移動させるように構成したもので、この構成によれば、第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と並設されるように凹凸形状に構成された被検出体を設け、かつこの被検出体を前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子に沿って移動させるように構成しているため、複雑な形状の磁性体を設けるという必要はなくなり、これにより、組立性の向上が図れるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明の非接触型位置センサは、磁石と、この磁石の磁極面に所定の間隔をおいて略一列に配設された第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子を電源およびGNDに直列に接続することにより構成された磁気抵抗直列回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第1の分圧回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第2の分圧回路と、前記磁気抵抗直列回路における第1の磁気抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との中点電位と第1の分圧回路における中点電位とを比較する第1の比較器と、前記磁気抵抗直列回路における第2の磁気抵抗素子と第3の磁気抵抗素子との間の中点電位と第2の分圧回路における中点電位とを比較する第2の比較器と、前記第1の比較器および第2の比較器から出力されるデジタル出力信号をアナログ信号に変換するDA変換器とを備え、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と並設されるように凹凸形状に構成された被検出体を設け、かつこの被検出体を前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子に沿って移動させるように構成しているため、複雑な形状の磁性体を設けるという必要はなくなり、これにより、組立性の向上が図れる非接触型位置センサを提供することができるという優れた効果を奏するものである。
以下、本発明の一実施の形態における非接触型位置センサについて、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の一実施の形態における非接触型位置センサの分解斜視図、図2は同非接触型位置センサの側断面図、図3は同非接触型位置センサの回路図である。
図1〜図3において、21は磁石である。22は第1の磁気抵抗素子で、この第1の磁気抵抗素子22は前記磁石21の磁極面に設けられている。23は第2の磁気抵抗素子で、この第2の磁気抵抗素子23は前記磁石21の磁極面に前記第1の磁気抵抗素子22と所定の間隔をおいて設けられている。24は第3の磁気抵抗素子で、この第3の磁気抵抗素子24は前記磁石21の磁極面に前記第1の磁気抵抗素子23と所定の間隔をおいて設けられている。そして、前記第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24は略一列に配設されている。25は磁気抵抗直列回路で、この磁気抵抗直列回路25は、図3に示すように、電源26、第1の磁気抵抗素子22、第3の磁気抵抗素子24、第2の磁気抵抗素子23およびGND27を直列に接続することにより構成されている。28は第1の分圧回路で、この第1の分圧回路28は一対の固定抵抗29を直列に接続することにより構成されている。30は第2の分圧回路で、この第2の分圧回路30は一対の固定抵抗31を直列に接続することにより構成されており、そしてこの一対の固定抵抗の抵抗値を2:1に設定することにより、分圧が電源32とGND33との間の66%になるようにしている。
34は第1のコンパレータで、この第1のコンパレータ34は反転入力端子35と非反転入力端子36を設けており、前記反転入力端子35は磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22と第3の磁気抵抗素子24における中点電位に電気的に接続され、かつ前記非反転入力端子36は固定抵抗29を直列に接続することにより設けられた第1の分圧回路28の中点電位に電気的に接続されている。37は第2のコンパレータで、この第2のコンパレータ37は反転入力端子38と非反転入力端子39を設けており、前記反転入力端子38は前記磁気抵抗直列回路25における第3の磁気抵抗素子24と第2の磁気抵抗素子23との間の中点電位に増幅器40を介して電気的に接続され、かつ非反転入力端子39は第2の分圧回路30における中点電位に電気的に接続されている。41はDA変換器で、このDA変換器41は前記第1のコンパレータ34および第2のコンパレータ37からのデジタル値からなる出力信号を入力するとともに、その出力信号に応じたアナログ値からなる出力信号を出力している。42は樹脂製の基体で、この基体42は前記磁石21、第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24を端部に固着するとともに、側面に前記第1の分圧回路28、第2の分圧回路30、第1のコンパレータ34、第2のコンパレータ37、増幅器40およびDA変換器41を設けている。また、前記基体42には、前記磁石21を固着した端部と反対側の端部に接続端子43を設けている。44は樹脂製のケースで、このケース44は、前記基体42を内側に収納するとともに、外方へ突出するようにコネクタ端子45を設けており、かつこのコネクタ端子45は前記基体42における接続端子43と電気的に接続している。46は蓋で、この蓋46は前記ケース44の開口部を閉塞するものである。47は被検出体で、この被検出体47は、図4に示すように、軸部48とこの軸部48に取り付けられた円柱形状の径大部49とにより凹凸形状に構成されている。そして、この径大部49の軸方向の長さは、前記第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24間のピッチの2倍以下になるように構成されている。
上記したように本発明の一実施の形態においては、第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24と並設されるように凹凸形状に構成された被検出体47を設け、かつこの被検出体47を前記第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24に沿って移動させるように構成しているため、複雑な形状の磁性体を設けるという必要はなくなり、これにより、組立性の向上が図れるという効果を有するものである。
以上のように構成された本発明の一実施の形態における非接触型位置センサについて、次にその組立方法を説明する。
先ず、磁石21の磁極面にSi基板(図示せず)を介して第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24を蒸着により形成する。
次に、接続端子43を金型(図示せず)に設置して、この接続端子43を一体に設けた基体42を形成する。
次に、接続端子43を設けた側と反対側の基体42に磁石21を固着する。
次に、基体42の側面に、第1の分圧回路28、第2の分圧回路30、第1のコンパレータ34、第2のコンパレータ37、増幅器40およびDA変換器41を実装する。
次に、予めコネクタ端子45を一体に成形したケース44の内側に前記基体42を収納した後、前記ケース44のコネクタ端子45に基体42の接続端子43をはんだ付けする。
次に、前記ケース44の開口部を蓋46で閉塞する。
最後に、第1の磁気抵抗素子22、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24と対向する位置に被検出体47における径大部49が位置するように、被検出体47をケース44の下面の対向する位置に取り付ける。
以上のように構成され、かつ組み立てられた本発明の一実施の形態における非接触型位置センサについて、次にその動作を説明する。
被検出体47の移動ストロークが全移動ストロークである7mmのうちの初期位置である0mm〜1.75mmの場合においては、図5(a)に示すように、第1の磁気抵抗素子22と対向する位置に被検出体47における径大部49が位置している。これにより、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22の抵抗値が大きくなるとともに、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24の抵抗値が小さくなり、その結果、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位が小さくなり、一方、第1の分圧回路28における一対の固定抵抗29間の中点電位は不動であるため、第1のコンパレータ34からはハイの出力信号が出力される。また、磁気抵抗直列回路25における第2の磁気抵抗素子23と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位も小さくなり、一方、第2の分圧回路30における中点電位は不動であるため、第2のコンパレータ37からはハイの出力信号が出力される。したがって、第1のコンパレータ34および第2のコンパレータ37からは2bit(11)信号がDA変換器41に入力される。これにより、図6に示すように、DA変換器41により約4.7vのアナログ信号が出力される。
次に、被検出体42の移動ストロークが1.75mm〜3.5mmの場合においては、図5(b)に示すように、第1の磁気抵抗素子22および第2の磁気抵抗素子23と対向する位置に被検出体47における径大部49が位置している。これにより、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22および第2の磁気抵抗素子23の抵抗値が大きくなるとともに、第3の磁気抵抗素子24の抵抗値が小さくなり、その結果、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位は高くなり、一方、第1の分圧回路28における一対の固定抵抗29間の中点電位は不動であるため、第1のコンパレータ34からはハイの出力信号が出力される。また、磁気抵抗直列回路25における第2の磁気抵抗素子23と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位からはハイの出力信号が第2のコンパレータ37に入力され、一方、第2の分圧回路30における中点電位は不動であるため、第2のコンパレータ37からはローの出力信号が出力される。したがって、第1のコンパレータ34および第2のコンパレータ37からは2bit(10)信号がDA変換器41に入力される。これにより、図6に示すように、DA変換器41により約3.3vのアナログ信号が出力される。
次に、被検出体42の移動ストロークが3.5mm〜5.25mmの場合においては、図5(c)に示すように、第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24と対向する位置に被検出体47における径大部49が位置している。これにより、磁気抵抗直列回路25における第2の磁気抵抗素子23および第3の磁気抵抗素子24の抵抗値が大きくなるとともに、第1の磁気抵抗素子22の抵抗値が小さくなり、その結果、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位が大きくなり、一方、第1の分圧回路28における一対の固定抵抗29間の中点電位は不動であるため、第1のコンパレータ34からはローの出力信号が出力される。また、磁気抵抗直列回路25における第2の磁気抵抗素子23と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位も大きくなり、一方、第2の分圧回路30における中点電位は不動であるため、第2のコンパレータ37からはローの出力信号が出力される。したがって、第1のコンパレータ34および第2のコンパレータ37からは2bit(00)信号がDA変換器41に入力される。これにより、図6に示すように、DA変換器41により約0.3vのアナログ信号が出力される。
次に、被検出体42の移動ストロークが5.25mm〜7mmの場合においては、図5(d)に示すように、第3の磁気抵抗素子24と対向する位置に被検出体47における径大部49が位置している。これにより、磁気抵抗直列回路25における第3の磁気抵抗素子24の抵抗値が大きくなるとともに、第1の磁気抵抗素子22および第2の磁気抵抗素子23の抵抗値が小さくなり、その結果、磁気抵抗直列回路25における第1の磁気抵抗素子22と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位が大きくなり、一方、第1の分圧回路28における一対の固定抵抗29間の中点電位は不動であるため、第1のコンパレータ34からはローの出力信号が出力される。また、磁気抵抗直列回路25における第2の磁気抵抗素子23と第3の磁気抵抗素子24との間の中点電位も大きくなり、一方、第2の分圧回路30における中点電位は不動であるため、第2のコンパレータ37からはハイの出力信号が出力される。したがって、第1のコンパレータ34および第2のコンパレータ37からは2bit(01)信号がDA変換器41に入力される。これにより、図6に示すように、DA変換器41により約1.8vのアナログ信号が出力される。
本発明に係る非接触型位置センサは、複雑な形状の部品を設けるという必要がなく、組立性の向上が図れる非接触型位置センサを提供することができるという効果を有するものであり、特に磁気の変化により直動位置を検出する非接触型位置センサに適用することにより有用となるものである。
21 磁石
22 第1の磁気抵抗素子
23 第2の磁気抵抗素子
24 第3の磁気抵抗素子
25 磁気抵抗直列回路
26 電源
27 GND
28 第1の分圧回路
29、31 固定抵抗
30 第2の分圧回路
34 第1のコンパレータ
37 第2のコンパレータ
41 DA変換器
47 被検出体
22 第1の磁気抵抗素子
23 第2の磁気抵抗素子
24 第3の磁気抵抗素子
25 磁気抵抗直列回路
26 電源
27 GND
28 第1の分圧回路
29、31 固定抵抗
30 第2の分圧回路
34 第1のコンパレータ
37 第2のコンパレータ
41 DA変換器
47 被検出体
Claims (1)
- 磁石と、この磁石の磁極面に所定の間隔をおいて略一列に配設された第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子を電源およびGNDに直列に接続することにより構成された磁気抵抗直列回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第1の分圧回路と、一対の固定抵抗を直列に接続することにより構成された第2の分圧回路と、前記磁気抵抗直列回路における第1の磁気抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との中点電位と第1の分圧回路における中点電位とを比較する第1の比較器と、前記磁気抵抗直列回路における第2の磁気抵抗素子と第3の磁気抵抗素子との間の中点電位と第2の分圧回路における中点電位とを比較する第2の比較器と、前記第1の比較器および第2の比較器から出力されるデジタル出力信号をアナログ信号に変換するDA変換器とを備え、前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子と並設されるように凹凸形状に構成された被検出体を設け、かつこの被検出体を前記第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子および第3の磁気抵抗素子に沿って移動させるように構成した非接触型位置センサ。
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