JP4290739B2 - 磁気検出装置 - Google Patents

Description

この発明は、磁性移動体の移動に伴うバイアス磁界の変化を検出する磁気検出装置に関する。

従来の磁気検出装置（回転検出装置）は、被検出対象に結合された磁性移動体と、この磁性移動体に対向して配置された磁石と、磁性移動体の回転方向に沿って所定のピッチで配置された複数個のセグメントからなる磁電変換素子とを備え、磁性移動体の回転に伴う印加磁界強度の変化を磁電変換素子によって検出し、磁性移動体の回転方向を検知している（例えば、特許文献１参照）。

以下、図７〜図１１を参照しながら、従来の磁気検出装置について説明する。
図７（ａ）は従来の磁気検出装置の概略構成を示す斜視図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の磁気検出装置の部分上面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）の磁気抵抗セグメントのパターン図である。

図７において、この磁気検出装置は、バイアス磁界を印加するための磁石１と、バイアス磁界を変化させる磁性移動体２と、磁性移動体２の回転に伴って変化するバイアス磁界を検出し、互いに１／４周期の位相差を有する第１検出信号および第２検出信号を出力する磁気検出部３と、第１検出信号および第２検出信号に基づいて、バイアス磁界の変化を検出する信号処理部４とを備えている。

磁石１は、磁性移動体２に対向して配置され、磁性移動体２の回転軸５の方向に着磁されている。
磁性移動体２は、バイアス磁界を変化させるための凹凸が周縁部に形成され、回転軸５の回転に同期して回転する。

磁気検出部３は、磁性移動体２の回転方向（例えば、図中に矢印で示す正回転の方向）に沿って配置され、かつ磁性移動体２の回転方向と交差する磁石１の中心線に対して所定の間隔で対称的に配置された６個の磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆから構成される磁電変換素子を含んでいる。
磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆ（磁電変換素子）は、各種回路（後述する）が集積されたＩＣチップ６上に成膜によって形成されている。
また、６個の磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆのうち、２個の磁気抵抗セグメント３ｂ、３ｃは、磁石１の中心線上に櫛歯状に交差して形成されている。

ここで、磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆとＩＣチップ６に集積された各種回路とにより、磁気検出部３および信号処理部４が一体的に構成されている。
また、磁気検出部３および信号処理部４は、磁性移動体２の回転軸５の方向に、磁石１から所定の間隔を隔てて配置されている。

図８は、図７の磁気検出部３および信号処理部４を示す回路図である。
図８において、磁気検出部３は、第１ブリッジ回路１１と、第２ブリッジ回路１２と、第３ブリッジ回路１３と、分圧回路１４と、第１増幅回路１５と、第２増幅回路１６とを含んでいる。

第１ブリッジ回路１１および第２ブリッジ回路１２は、それぞれ一対の磁気抵抗セグメント３ａ、３ｂおよび磁気抵抗セグメント３ｃ、３ｄで構成されている。第１ブリッジ回路１１の中心線と第２ブリッジ回路１２の中心線とは、磁石１の中心線に対して互いに対称である。

第１ブリッジ回路１１および第２ブリッジ回路１２には、それぞれ定電圧が印加され、バイアス磁界の変化による磁気抵抗セグメントの抵抗値変化が電圧変化に変換される。
第１増幅回路１５は、第１ブリッジ回路１１の中点出力Ａと第２ブリッジ回路１２の中点出力Ｂとの差分を増幅し、第１検出信号ＯＰ１として出力する。

また、第３ブリッジ回路１３は、一対の磁気抵抗セグメント３ｅ、３ｆで構成され、第３ブリッジ回路１３の中心線は、磁石１の中心線と一致している。
第３ブリッジ回路１３には、第１ブリッジ回路１１および第２ブリッジ回路１２と同様に定電圧が印加され、バイアス磁界の変化による磁気抵抗セグメントの抵抗値変化が電圧変化に変換される。

第２増幅回路１６は、第３ブリッジ回路１３の中点出力Ｃと分圧回路１４の中点出力Ｄとの差分を増幅し、第２検出信号ＯＰ２として出力する。
なお、分圧回路１４は、磁気抵抗セグメントで構成されてもよいし、固定抵抗で構成されてもよい。

また、図８において、信号処理部４は、第１比較回路２１と、第２比較回路２２と、第１出力回路２３と、第２出力回路２４と、Ｄ−ＦＦ回路２５と、第３出力回路２６とを含んでいる。

第１比較回路２１は、第１増幅回路１５から出力された第１検出信号ＯＰ１と、所定の第１比較電圧Ｖｒｅｆ１（第１判定値）とを比較し、比較結果を第１比較信号Ｖｏｕｔ１として第１出力回路２３およびＤ−ＦＦ回路２５のＤ端子に出力する。
ここで、第１比較回路２１は、コンパレータ２７を含んでおり、コンパレータ２７の非反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路２８から、正帰還回路を介して第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が入力されている。
また、コンパレータ２７の反転入力端子には、第１検出信号ＯＰ１から得られる第１入力信号ＣＯ１（ここでは、第１検出信号ＯＰ１と一致する）が入力されている。

すなわち、第１比較回路２１は、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高い場合に、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を「Ｌ」で出力し、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも低い場合に、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を「Ｈ」で出力する。
第１出力回路２３は、第１比較回路２１から出力された第１比較信号Ｖｏｕｔ１を変換して、最終出力ＦＯ１を出力する。

第２比較回路２２は、第２増幅回路１６から出力された第２検出信号ＯＰ２と、所定の第２比較電圧Ｖｒｅｆ２（第２判定値）とを比較し、比較結果を第２比較信号Ｖｏｕｔ２として第２出力回路２４およびＤ−ＦＦ回路２５のＣＬ端子に出力する。
ここで、第２比較回路２２は、コンパレータ２９を含んでおり、コンパレータ２９の非反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路３０から、正帰還回路を介して第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が入力されている。
また、コンパレータ２９の反転入力端子には、第２検出信号ＯＰ２から得られる第２入力信号ＣＯ２（ここでは、第２検出信号ＯＰ２と一致する）が入力されている。

第２出力回路２４は、第２比較回路２２から出力された第２比較信号Ｖｏｕｔ２を変換して、最終出力ＦＯ２を出力する。
なお、最終出力ＦＯ１、ＦＯ２は、例えば内燃機関のクランク軸およびカム軸の角度検出等に用いられる。

Ｄ−ＦＦ回路２５は、ＣＬ端子に入力される第２比較信号Ｖｏｕｔ２の立ち上がりエッジトリガでＤ端子に入力される第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｈ」状態であれば、出力を「Ｈ」にする。また、第２比較信号Ｖｏｕｔ２の立ち上がりエッジトリガで第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｌ」状態であれば、出力を「Ｌ」にする。
第３出力回路２６は、Ｄ−ＦＦ回路２５からの出力を変換して、磁性移動体２の回転方向を示す移動方向検知出力ＲＯを出力する。

以下、図７、８とともに、図９〜１１の信号波形図を参照しながら、上記構成の磁気検出装置の動作について説明する。
図９は、磁性移動体２の正回転時における磁気検出部３および信号処理部４の信号波形図であり、（ａ）は磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆの抵抗値、（ｂ）は第１および第２ブリッジ回路１１、１２の中点出力Ａ、Ｂ、（ｃ）は第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２、（ｄ）は第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、（ｅ）は最終出力ＦＯ１、ＦＯ２、（ｆ）は移動方向検知出力ＲＯを示している。

また、図１０は、磁性移動体２の逆回転時における磁気検出部３および信号処理部４の信号波形図であり、図９と同様に、（ａ）は磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆの抵抗値、（ｂ）は第１および第２ブリッジ回路１１、１２の中点出力Ａ、Ｂ、（ｃ）は第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２、（ｄ）は第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、（ｅ）は最終出力ＦＯ１、ＦＯ２、（ｆ）は移動方向検知出力ＲＯを示している。

まず、回転軸５の回転に同期して磁性移動体２が回転すると、バイアス磁界の変化に応じて、磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆの抵抗値が変化する。抵抗値の変化は、第１、第２および第３ブリッジ回路１１、１２、１３の中点出力Ａ、Ｂ、Ｃの電圧変化に変換される。
中点出力Ａ、Ｂは、第１増幅回路１５で差動増幅され、第１検出信号ＯＰ１として出力される。また、中点出力Ｃと分圧回路１４の中点出力Ｄとは、第２増幅回路１６で差動増幅され、第２検出信号ＯＰ２として出力される。

続いて、第１検出信号ＯＰ１は、第１比較回路２１で第１比較電圧Ｖｒｅｆ１と比較され、比較結果が第１比較信号Ｖｏｕｔ１として、第１出力回路２３およびＤ−ＦＦ回路２５のＤ端子に出力される。
また、第２検出信号ＯＰ２は、第２比較回路２２で第２比較電圧Ｖｒｅｆ２と比較され、比較結果が第２比較信号Ｖｏｕｔ２として、第２出力回路２４およびＤ−ＦＦ回路２５のＣＬ端子に出力される。

第１出力回路２３に入力された第１比較信号Ｖｏｕｔ１は、最終出力ＦＯ１に変換されて出力される。また、第２出力回路２４に入力された第２比較信号Ｖｏｕｔ２は、最終出力ＦＯ２に変換されて出力される。
また、Ｄ−ＦＦ回路２５に入力された第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２は、第３出力回路２６を介して移動方向検知出力ＲＯに変換されて出力される。
このように、磁性移動体２の形状に対応した最終出力ＦＯ１、ＦＯ２、および移動方向検知出力ＲＯにより、磁性移動体２の回転方向および回転位置が検出される。

ここで、第１および第２比較回路２１、２２の第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２には、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２に重畳されるノイズによる誤動作を防止するために、ヒステリシスが設けられている。
そのため、磁性移動体２と磁気抵抗セグメント３ａ〜３ｆとの対向方向の間隔（以下、「ＧＡＰ」と称する）が大きい場合（以下、「ＧＡＰ大時」と称する）と小さい場合（以下、「ＧＡＰ小時」と称する）とで、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２を、「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングがそれぞれ異なる。

図１１は、磁性移動体２の正回転時における磁気検出部３および信号処理部４の信号波形を、ＧＡＰ大時とＧＡＰ小時とについて示す信号波形図である。
図１１において、（ａ）はコンパレータ２７、２９の反転入力端子に入力される第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２（ここでは、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２と一致する）、（ｂ）は拡大された第１入力信号ＣＯ１および第１比較電圧Ｖｒｅｆ１、（ｃ）は第１比較信号Ｖｏｕｔ１、（ｄ）は最終出力ＦＯ１、（ｅ）は拡大された第２入力信号ＣＯ２および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２、（ｆ）は第２比較信号Ｖｏｕｔ２、（ｇ）は最終出力ＦＯ２を、それぞれＧＡＰ大時およびＧＡＰ小時について示している。

図１１において、ＧＡＰ小時の第１入力信号ＣＯ１およびＧＡＰ大時の第１入力信号ＣＯ１と、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とが交差する箇所がそれぞれ異なるので、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を、「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングがそれぞれ異なる。
そのため、最終出力ＦＯ１において、ＧＡＰの大小によるずれ（ＧＡＰ特性）が大きく生じる。

なお、ＧＡＰ小時の第１入力信号ＣＯ１とＧＡＰ大時の第１入力信号ＣＯ１との交差箇所（一周期につき２箇所）の電圧値と、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とを一致させた場合であっても、ヒステリシスによる第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の変化により、何れか一方の交差箇所と第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とが一致しなくなる。

また、同様に、ＧＡＰ小時の第２入力信号ＣＯ２およびＧＡＰ大時の第２入力信号ＣＯ２と、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とが交差する箇所がそれぞれ異なるので、第２比較信号Ｖｏｕｔ２を、「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングがそれぞれ異なる。
そのため、最終出力ＦＯ２において、ＧＡＰの大小によるずれが大きく生じる。

特開２００５−１５６３６８号公報

従来の磁気検出装置では、第１および第２比較電圧にヒステリシスが設けられているので、ＧＡＰの大小によって、第１および第２比較信号を、「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングがそれぞれ異なる。
そのため、最終出力において、ＧＡＰの大小によるずれが大きく生じ、バイアス磁界の変化を正確に検出することができないという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするものであって、その目的は、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる磁気検出装置を提供することにある。

この発明に係る磁気検出装置は、バイアス磁界を印加するための磁石と、バイアス磁界を変化させる磁性移動体と、磁性移動体の移動に伴って変化するバイアス磁界を検出し、互いに位相の異なる第１検出信号および第２検出信号を出力する磁気検出部と、第１検出信号および第２検出信号に基づいて、バイアス磁界の変化を検出する信号処理部とを備え、信号処理部は、第１検出信号と第１判定値とを比較し、第１比較信号を出力する第１比較回路と、第２検出信号と第２判定値とを比較し、第２比較信号を出力する第２比較回路とを含み、第１比較信号および第２比較信号は、それぞれ第１比較回路および第２比較回路に入力されて、第１判定値および第２判定値と、第１検出信号および第２検出信号との両方をそれぞれ正方向または負方向にオフセットさせるものである。

この発明の磁気検出装置によれば、第１判定値および第２判定値と、第１検出信号および第２検出信号との少なくとも一方は、第１比較信号および第２比較信号によって正方向または負方向にオフセットされるので、第１および第２比較信号を、「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングをＧＡＰの大小によらず一致させて、ＧＡＰの大小による最終出力のズレを小さくすることができる。
そのため、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。

以下、この発明の各実施の形態について図に基づいて説明するが、各図において同一、または相当する部材、部位については、同一符号を付して説明する。
なお、以下の実施の形態において、前述した従来の磁気検出装置と同様のものについては、同一符号の後に「Ａ」〜「Ｃ」を付して示す。

実施の形態１．
この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の概略構成は、前述の図７に示した従来の磁気検出装置の構成と同様なので、説明を省略する。
図１は、この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の磁気検出部３および信号処理部４Ａを示す回路図である。
図１において、信号処理部４Ａは、図８に示した第１比較回路２１、第２比較回路２２、第１出力回路２３および第２出力回路２４に代えて、第１比較回路２１Ａ、第２比較回路２２Ａ、第１出力回路２３Ａおよび第２出力回路２４Ａを有している。

第１比較回路２１Ａは、第１増幅回路１５から出力された第１検出信号ＯＰ１と、所定の第１比較電圧Ｖｒｅｆ１（第１判定値）とを比較し、比較結果を第１比較信号Ｖｏｕｔ１として第１出力回路２３Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＤ端子および第１下部トランジスタ３５（後述する）に出力する。
ここで、第１比較回路２１Ａは、コンパレータ２７を含んでいる。

コンパレータ２７の反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路２８を含み、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の基準値を設定する回路３１（以下、「基準電位設定回路３１」と称する）から、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が入力されている。
また、コンパレータ２７の非反転入力端子には、第１検出信号ＯＰ１から得られる第１入力信号ＣＯ１（ここでは、第１検出信号ＯＰ１と一致する）が入力されている。
なお、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の基準値は、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

すなわち、第１比較回路２１Ａは、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高い場合に、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を「Ｈ」で出力し、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも低い場合に、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を「Ｌ」で出力する。

また、基準電位設定回路３１には、定電流源３２を介して定電圧源に接続された第１上部トランジスタ３３と、定電流源３４を介してグランドに接地された第１下部トランジスタ３５とがそれぞれ接続されている。
ここで、定電流源３２および定電流源３４は、それぞれ同一の電流を流すものとする。

第２比較回路２２Ａは、第２増幅回路１６から出力された第２検出信号ＯＰ２と、所定の第２比較電圧Ｖｒｅｆ２（第２判定値）とを比較し、比較結果を第２比較信号Ｖｏｕｔ２として第２出力回路２４Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＣＬ端子、第１上部トランジスタ３３および第２下部トランジスタ４０（後述する）に出力する。
ここで、第２比較回路２２Ａは、コンパレータ２９を含んでいる。

コンパレータ２９の反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路３０を含み、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２の基準値を設定する回路３６（以下、「基準電位設定回路３６」と称する）から、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が入力されている。
また、コンパレータ２９の非反転入力端子には、第２検出信号ＯＰ２から得られる第２入力信号ＣＯ２（ここでは、第２検出信号ＯＰ２と一致する）が入力されている。
なお、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２の基準値は、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

また、基準電位設定回路３６には、定電流源３７を介して定電圧源に接続された第２上部トランジスタ３８と、定電流源３９を介してグランドに接地された第２下部トランジスタ４０とがそれぞれ接続されている。
ここで、定電流源３７および定電流源３９は、それぞれ同一の電流を流すものとする。

第１出力回路２３Ａは、第１位相反転回路４１および第２位相反転回路４２を含み、第１比較回路２１Ａから出力された第１比較信号Ｖｏｕｔ１を変換して、最終出力ＦＯ１を出力する。
また、第１出力回路２３Ａは、第１位相反転回路４１で反転された第１比較信号Ｖｏｕｔ１の反転信号を、第２上部トランジスタ３８に出力する。
第２出力回路２４Ａは、２段の位相反転回路を含み、第２比較回路２２Ａから出力された第２比較信号Ｖｏｕｔ２を変換して、最終出力ＦＯ２を出力する。
なお、その他の回路構成は、前述の図８に示した回路構成と同様なので、説明を省略する。

以下、上記構成の磁気検出装置の動作について説明するが、第１比較回路２１Ａおよび第２比較回路２２Ａの動作以外ついては、前述した従来の磁気検出装置の動作と同様なので、説明を省略する。
図２は、この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の第１比較回路２１Ａおよび第２比較回路２２Ａの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図２において、（ａ）は第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２、（ｂ）は拡大された第１入力信号ＣＯ１および第１比較電圧Ｖｒｅｆ１、（ｃ）は拡大された第２入力信号ＣＯ２および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２、（ｄ）は第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、（ｅ）は最終出力ＦＯ１、ＦＯ２を、それぞれＧＡＰ大時およびＧＡＰ小時について示している。

図２において、まず、第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２がそれぞれ第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２よりも高く、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２がともに「Ｈ」であるとする。
このとき、第１比較回路２１Ａの第１上部トランジスタ３３および第１下部トランジスタ３５がともにオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、基準値と一致している。
また、このとき、第２比較回路２２Ａの第２上部トランジスタ３８がオフ状態となり、第２下部トランジスタ４０がオン状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、低電位側にオフセットされている。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも低くなった時刻ｔ１において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の基準値が、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ａの第１上部トランジスタ３３がオン状態となり、第１下部トランジスタ３５がオフ状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、高電位側にオフセットされる。
また、このとき、第２比較回路２２Ａの第２上部トランジスタ３８および第２下部トランジスタ４０がともにオン状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、基準値に戻る。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低くなった時刻ｔ２において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が基準値に戻っているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ａの第１上部トランジスタ３３および第１下部トランジスタ３５がともにオフ状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、基準値に戻る。
また、このとき、第２比較回路２２Ａの第２上部トランジスタ３８がオン状態となり、第２下部トランジスタ４０がオフ状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、高電位側にオフセットされる。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高くなった時刻ｔ３において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が基準値に戻っているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ａの第１上部トランジスタ３３がオフ状態となり、第１下部トランジスタ３５がオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、低電位側にオフセットされる。
また、このとき、第２比較回路２２Ａの第２上部トランジスタ３８および第２下部トランジスタ４０がともにオフ状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、基準値に戻る。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも高くなった時刻ｔ４において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が基準値に戻っているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ａの第１上部トランジスタ３３および第１下部トランジスタ３５がともにオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、基準値に戻る。
また、このとき、第２比較回路２２Ａの第２上部トランジスタ３８がオフ状態となり、第２下部トランジスタ４０がオン状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、低電位側にオフセットされる。
これ以降、時刻ｔ１〜ｔ４の動作が繰り返して実行される。

この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置によれば、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じて高電位側または低電位側にオフセットされる。
そのため、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２を「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングをＧＡＰの大小によらず一致させて、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１、ＦＯ２のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。

また、第１比較回路２１Ａの定電流源３２、３４、および第２比較回路２２Ａの定電流源３７、３９は、それぞれ同一の電流を流すようになっているので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の高電位側および低電位側へのオフセット量をそれぞれ等しくするとともに、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２の高電位側および低電位側へのオフセット量をそれぞれ等しくすることができる。
そのため、バイアス磁界の変化をより正確に検出することができる。

実施の形態２．
上記実施の形態１では、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてオフセットされるとした。
しかしながら、これに限定されず、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２が、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてオフセットされてもよい。

以下に、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２が、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてオフセットされる場合について説明する。
図３は、この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の磁気検出部３および信号処理部４Ｂを示す回路図である。
図３において、信号処理部４Ｂは、図１に示した第１比較回路２１Ａおよび第２比較回路２２Ａに代えて、第１比較回路２１Ｂおよび第２比較回路２２Ｂを有している。

第１比較回路２１Ｂは、第１増幅回路１５から出力された第１検出信号ＯＰ１と、所定の第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、比較結果を第１比較信号Ｖｏｕｔ１として第１出力回路２３Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＤ端子および第１下部トランジスタ３５Ｂ（後述する）に出力する。
ここで、第１比較回路２１Ｂは、コンパレータ２７を含んでいる。

コンパレータ２７の反転入力端子には、基準電位設定回路３１から、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が入力されている。
また、コンパレータ２７の非反転入力端子には、第１検出信号ＯＰ１から得られる第１入力信号ＣＯ１（後述する）が入力されている。
なお、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

また、第１増幅回路１５とコンパレータ２７の非反転入力端子との間には、定電流源３２Ｂを介して定電圧源に接続された第１上部トランジスタ３３Ｂと、定電流源３４Ｂを介してグランドに接地された第１下部トランジスタ３５Ｂとがそれぞれ接続されている。
ここで、定電流源３２Ｂおよび定電流源３４Ｂは、それぞれ同一の電流を流すものとする。

第２比較回路２２Ｂは、第２増幅回路１６から出力された第２検出信号ＯＰ２と、所定の第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、比較結果を第２比較信号Ｖｏｕｔ２として第２出力回路２４Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＣＬ端子、第１上部トランジスタ３３Ｂおよび第２上部トランジスタ３８Ｂ（後述する）に出力する。
ここで、第２比較回路２２Ｂは、コンパレータ２９を含んでいる。

コンパレータ２９の反転入力端子には、基準電位設定回路３６から、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が入力されている。
また、コンパレータ２９の非反転入力端子には、第２検出信号ＯＰ２から得られる第２入力信号ＣＯ２（後述する）が入力されている。
なお、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

また、第２増幅回路１６とコンパレータ２９の非反転入力端子との間には、定電流源３７Ｂを介して定電圧源に接続された第２上部トランジスタ３８Ｂと、定電流源３９Ｂを介してグランドに接地された第２下部トランジスタ４０Ｂとがそれぞれ接続されている。
ここで、定電流源３７Ｂおよび定電流源３９Ｂは、それぞれ同一の電流を流すものとする。
また、第１出力回路２３Ａは、第１位相反転回路４１で反転された第１比較信号Ｖｏｕｔ１の反転信号を、第２下部トランジスタ４０Ｂに出力する。
その他の構成については、前述の実施の形態１と同様であり、その説明は省略する。

以下、図４を参照しながら上記構成の磁気検出装置の動作について説明する。
なお、実施の形態１と同様の動作については、説明を省略する。
図４は、この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の第１比較回路２１Ｂおよび第２比較回路２２Ｂの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図４において、（ａ）は第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２、（ｂ）は拡大された第１入力信号ＣＯ１および第１比較電圧Ｖｒｅｆ１、（ｃ）は拡大された第２入力信号ＣＯ２および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２、（ｄ）は第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、（ｅ）は最終出力ＦＯ１、ＦＯ２を、それぞれＧＡＰ大時およびＧＡＰ小時について示している。

図４において、まず、第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２がそれぞれ第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２よりも高く、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２がともに「Ｈ」であるとする。
このとき、第１比較回路２１Ｂの第１上部トランジスタ３３Ｂおよび第１下部トランジスタ３５Ｂがともにオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は変化せず、そのまま第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力されている。
また、このとき、第２比較回路２２Ｂの第２上部トランジスタ３８Ｂがオン状態となり、第２下部トランジスタ４０Ｂがオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は、高電位側にオフセットされ、第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力されている。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも低くなった時刻ｔ５において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｂの第１上部トランジスタ３３Ｂがオフ状態となり、第１下部トランジスタ３５Ｂがオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は、低電位側にオフセットされ、第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。
また、このとき、第２比較回路２２Ｂの第２上部トランジスタ３８および第２下部トランジスタ４０がともにオン状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は変化せず、そのまま第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低くなった時刻ｔ６において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｂの第１上部トランジスタ３３Ｂおよび第１下部トランジスタ３５Ｂがともにオフ状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は変化せず、そのまま第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。
また、このとき、第２比較回路２２Ｂの第２上部トランジスタ３８Ｂがオフ状態となり、第２下部トランジスタ４０Ｂがオン状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は、低電位側にオフセットされ、第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高くなった時刻ｔ７において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｂの第１上部トランジスタ３３Ｂがオン状態となり、第１下部トランジスタ３５Ｂがオフ状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は、高電位側にオフセットされ、第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。
また、このとき、第２比較回路２２Ｂの第２上部トランジスタ３８Ｂおよび第２下部トランジスタ４０Ｂがともにオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は変化せず、そのまま第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも高くなった時刻ｔ８において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｂの第１上部トランジスタ３３Ｂおよび第１下部トランジスタ３５Ｂがともにオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は変化せず、そのまま第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。
また、このとき、第２比較回路２２Ｂの第２上部トランジスタ３８Ｂがオン状態となり、第２下部トランジスタ４０Ｂがオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は、高電位側にオフセットされ、第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。
これ以降、時刻ｔ５〜ｔ８の動作が繰り返して実行される。

この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置によれば、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２は、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じて高電位側または低電位側にオフセットされる（切り替えられる）。
そのため、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２を「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングをＧＡＰの大小によらず一致させて、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１、ＦＯ２のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。

実施の形態３．
上記実施の形態１、２では、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２と、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２とのうち、何れか一方のみが第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてオフセットされるとした。
しかしながら、これに限定されず、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２と、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２との両方が、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてオフセットされてもよい。

以下に、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２と、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２とが、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてそれぞれオフセットされる場合について説明する。
図５は、この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置の磁気検出部３および信号処理部４Ｃを示す回路図である。
図５において、信号処理部４Ｃは、図１に示した第１比較回路２１Ａおよび第２比較回路２２Ａに代えて、第１比較回路２１Ｃおよび第２比較回路２２Ｃを有している。

第１比較回路２１Ｃは、第１増幅回路１５から出力された第１検出信号ＯＰ１と、所定の第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、比較結果を第１比較信号Ｖｏｕｔ１として第１出力回路２３Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＤ端子および第２トランジスタ４６（後述する）に出力する。
ここで、第１比較回路２１Ｃは、コンパレータ２７を含んでいる。

コンパレータ２７の反転入力端子には、基準電位設定回路３１から、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が入力されている。
また、コンパレータ２７の非反転入力端子には、第１検出信号ＯＰ１から得られる第１入力信号ＣＯ１（後述する）が入力されている。
なお、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の基準値は、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

また、第１増幅回路１５とコンパレータ２７の非反転入力端子との間には、定電流源４３を介してグランドに接地された第１トランジスタ４４が接続されている。
また、基準電位設定回路３１には、定電流源４５を介してグランドに接地された第２トランジスタ４６が接続されている。
ここで、定電流源４３および定電流源４５は、それぞれ同一の電流を流すものとする。

第２比較回路２２Ｃは、第２増幅回路１６から出力された第２検出信号ＯＰ２と、所定の第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、比較結果を第２比較信号Ｖｏｕｔ２として第２出力回路２４Ａ、Ｄ−ＦＦ回路２５のＣＬ端子、第１トランジスタ４４および第４トランジスタ５０（後述する）に出力する。
ここで、第２比較回路２２Ｃは、コンパレータ２９を含んでいる。

コンパレータ２９の反転入力端子には、基準電位設定回路３６から、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が入力されている。
また、コンパレータ２９の非反転入力端子には、第２検出信号ＯＰ２から得られる第２入力信号ＣＯ２（後述する）が入力されている。
なお、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２の基準値は、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。

また、第２増幅回路１６とコンパレータ２９の非反転入力端子との間には、定電流源４７を介してグランドに接地された第３トランジスタ４８が接続されている。
また、基準電位設定回路３６には、定電流源４９を介してグランドに接地された第４トランジスタ５０が接続されている。
ここで、定電流源４７および定電流源４９は、それぞれ同一の電流を流すものとする。
また、第１出力回路２３Ａは、第１位相反転回路４１で反転された第１比較信号Ｖｏｕｔ１の反転信号を、第３トランジスタ４８に出力する。
その他の構成については、前述の実施の形態１と同様であり、その説明は省略する。

以下、図６を参照しながら上記構成の磁気検出装置の動作について説明する。
なお、実施の形態１と同様の動作については、説明を省略する。
図６は、この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置の第１比較回路２１Ｃおよび第２比較回路２２Ｃの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図６において、（ａ）は第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２、（ｂ）は拡大された第１入力信号ＣＯ１および第１比較電圧Ｖｒｅｆ１、（ｃ）は拡大された第２入力信号ＣＯ２および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２、（ｄ）は第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、（ｅ）は最終出力ＦＯ１、ＦＯ２を、それぞれＧＡＰ大時およびＧＡＰ小時について示している。

図６において、まず、第１および第２入力信号ＣＯ１、ＣＯ２がそれぞれ第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２よりも高く、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２がともに「Ｈ」であるとする。
このとき、第１比較回路２１Ｃの第１トランジスタ４４がオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は、低電位側にオフセットされ、第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力されている。また、第２トランジスタ４６がオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、低電位側にオフセットされている。
また、このとき、第２比較回路２２Ｃの第３トランジスタ４８がオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は変化せず、そのまま第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力されている。また、第４トランジスタ５０がオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、低電位側にオフセットされている。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも低くなった時刻ｔ９において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第１検出信号ＯＰ１が低電位側にオフセットされ、かつ第１比較電圧Ｖｒｅｆ１が低電位側にオフセットされているので、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所で第１比較信号Ｖｏｕｔ１を「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えることができ、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｃの第１トランジスタ４４がオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は、低電位側にオフセットされ、第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。また、第２トランジスタ４６がオフ状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、基準値に戻る。
また、このとき、第２比較回路２２Ｃの第３トランジスタ４８がオン状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は、低電位側にオフセットされ、第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。また、第４トランジスタ５０がオン状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、低電位側にオフセットされたままとなる。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも低くなった時刻ｔ１０において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｈ」から「Ｌ」に切り替わる。
ここで、第２検出信号ＯＰ２が低電位側にオフセットされ、かつ第２比較電圧Ｖｒｅｆ２が低電位側にオフセットされているので、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所で第２比較信号Ｖｏｕｔ２を「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えることができ、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｃの第１トランジスタ４４がオフ状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は変化せず、そのまま第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。また、第２トランジスタ４６がオフ状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、基準値のままとなる。
また、このとき、第２比較回路２２Ｃの第３トランジスタ４８がオン状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は、低電位側にオフセットされ、第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。また、第４トランジスタ５０がオフ状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、基準値に戻る。

続いて、第１入力信号ＣＯ１が第１比較電圧Ｖｒｅｆ１よりも高くなった時刻ｔ１１において、第１比較信号Ｖｏｕｔ１が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１の基準値が、ＧＡＰ小時の第１検出信号ＯＰ１とＧＡＰ大時の第１検出信号ＯＰ１との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｃの第１トランジスタ４４がオフ状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は変化せず、そのまま第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。また、第２トランジスタ４６がオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、低電位側にオフセットされる。
また、このとき、第２比較回路２２Ｃの第３トランジスタ４８がオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は変化せず、そのまま第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。また、第４トランジスタ５０がオフ状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、基準値のままとなる。

次に、第２入力信号ＣＯ２が第２比較電圧Ｖｒｅｆ２よりも高くなった時刻ｔ１２において、第２比較信号Ｖｏｕｔ２が「Ｌ」から「Ｈ」に切り替わる。
ここで、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２の基準値が、ＧＡＰ小時の第２検出信号ＯＰ２とＧＡＰ大時の第２検出信号ＯＰ２との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ２のずれを小さくすることができる。

このとき、第１比較回路２１Ｃの第１トランジスタ４４がオン状態となるので、第１検出信号ＯＰ１は、低電位側にオフセットされ、第１入力信号ＣＯ１としてコンパレータ２７に入力される。また、第２トランジスタ４６がオン状態となるので、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１は、低電位側にオフセットされたままとなる。
また、このとき、第２比較回路２２Ｃの第３トランジスタ４８がオフ状態となるので、第２検出信号ＯＰ２は変化せず、そのまま第２入力信号ＣＯ２としてコンパレータ２９に入力される。また、第４トランジスタ５０がオン状態となるので、第２比較電圧Ｖｒｅｆ２は、低電位側にオフセットされる。
これ以降、時刻ｔ９〜ｔ１２の動作が繰り返して実行される。

この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置によれば、第１比較電圧Ｖｒｅｆ１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ２と、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２とは、第１比較信号Ｖｏｕｔ１および第２比較信号Ｖｏｕｔ２に応じてそれぞれ低電位側にオフセットされる（切り替えられる）。
そのため、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２を「Ｌ」から「Ｈ」、あるいは「Ｈ」から「Ｌ」に切り替えるタイミングをＧＡＰの大小によらず一致させて、ＧＡＰの大小による最終出力ＦＯ１、ＦＯ２のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。

なお、上記実施の形態１〜３の磁性移動体２は、バイアス磁界を変化させるための凹凸が周縁部に形成され、回転軸５の回転に同期して回転するとしたが、これに限定されない。
磁性移動体は、縁部に凹凸を有し、往復直線運動するものであってもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜３と同様の効果を奏することができる。

また、上記実施の形態１〜３では、第１検出信号ＯＰ１および第２検出信号ＯＰ２が互いに１／４周期の位相差を有するとしたが、これに限定されない。
第１および第２検出信号は、互いに位相が異なっていれば、位相差はいくらであってもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜３と同様の効果を奏することができる。

また、磁電変換素子として、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を用いてもよい。
ＧＭＲ素子は、数オングストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子膜である。ＧＭＲ素子は、磁気抵抗セグメントと比較して、格段に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有しており、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスが存在するとともに、温度特性、特に温度係数が大きいという特徴を有している。
磁電変換素子としてＧＭＲ素子を用いることにより、ＳＮ比が向上し、ノイズ耐量を向上させることができる。

この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の磁気検出部および信号処理部を示す回路図である。 この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の第１比較回路および第２比較回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の磁気検出部および信号処理部を示す回路図である。 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の第１比較回路および第２比較回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置の磁気検出部および信号処理部を示す回路図である。 この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置の第１比較回路および第２比較回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 図７（ａ）は従来の磁気検出装置の概略構成を示す斜視図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の磁気検出装置の部分上面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）の磁気抵抗セグメントのパターン図である。 図７の磁気検出部および信号処理部を示す回路図である。 磁性移動体の正回転時における磁気検出部および信号処理部の信号波形図である。 磁性移動体の逆回転時における磁気検出部および信号処理部の信号波形図である。 磁性移動体の正回転時における磁気検出部および信号処理部の信号波形を、ＧＡＰ大時とＧＡＰ小時とについて示す信号波形図である。

符号の説明

１ 磁石、２ 磁性移動体、３ 磁気検出部、３ａ〜３ｆ 磁気抵抗セグメント、４、４Ａ〜４Ｃ 信号処理部、１１ 第１ブリッジ回路、１２ 第２ブリッジ回路、１３ 第３ブリッジ回路、２１、２１Ａ〜２１Ｃ 第１比較回路、２２、２２Ａ〜２２Ｃ 第２比較回路、ＯＰ１ 第１検出信号、ＯＰ２ 第２検出信号、Ｖｏｕｔ１ 第１比較信号、Ｖｏｕｔ２ 第２比較信号、Ｖｒｅｆ１ 第１比較電圧（第１判定値）、Ｖｒｅｆ２ 第２比較電圧（第２判定値）。

Claims (5)

1. バイアス磁界を印加するための磁石と、
   前記バイアス磁界を変化させる磁性移動体と、
   前記磁性移動体の移動に伴って変化する前記バイアス磁界を検出し、互いに位相の異なる第１検出信号および第２検出信号を出力する磁気検出部と、
   前記第１検出信号および前記第２検出信号に基づいて、前記バイアス磁界の変化を検出する信号処理部とを備え、
   前記信号処理部は、
   前記第１検出信号と第１判定値とを比較し、第１比較信号を出力する第１比較回路と、
   前記第２検出信号と第２判定値とを比較し、第２比較信号を出力する第２比較回路とを含み、
   前記第１比較信号および前記第２比較信号は、それぞれ第１比較回路および第２比較回路に入力されて、前記第１判定値および前記第２判定値と、前記第１検出信号および前記第２検出信号との両方をそれぞれ正方向または負方向にオフセットさせることを特徴とする磁気検出装置。
2. 前記磁気検出部は、前記磁性移動体の移動方向に沿って配置され、かつ前記磁性移動体の移動方向と直交する前記磁石の中心線に対して所定の間隔で対称的に配置された複数個のセグメントから構成される磁電変換素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出装置。
3. 前記磁気検出部は、
   それぞれ一対の前記セグメントで構成された第１ブリッジ回路、第２ブリッジ回路および第３ブリッジ回路を含み、
   前記第１ブリッジ回路の中心線と前記第２ブリッジ回路の中心線とは、前記磁石の中心線に対して互いに対称であり、かつ前記第３ブリッジ回路の中心線は、前記磁石の中心線と一致し、
   前記磁気検出部は、前記第１ブリッジ回路の出力と前記第２ブリッジ回路の出力との差を前記第１検出信号として出力することを特徴とする請求項２に記載の磁気検出装置。
4. 前記磁電変換素子は、ＧＭＲ素子であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の磁気検出装置。
5. 前記第１比較信号および前記第２比較信号によってオフセットされる前記第１判定値および前記第２判定値と、前記第１検出信号および前記第２検出信号との両方のオフセット量を、それぞれ同一量とすることを特徴とする請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の磁気検出装置。

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