JP2008196993A - 磁気検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイアス磁界を印加する磁石1と、バイアス磁界を変化させる磁性移動体2と、バイアス磁界を検出して第1および第2検出信号OP1、OP2を出力する磁気検出部3と、第1および第2検出信号OP1、OP2に基づいて、バイアス磁界の変化を検出する信号処理部4とを備え、信号処理部4は、第1検出信号OP1と第1比較電圧Vref1とを比較し、第1比較信号Vout1を出力する第1比較回路21と、第2検出信号OP2と第2比較電圧Vref2とを比較し、第2比較信号Vout2を出力する第2比較回路22とを含み、第1および第2比較信号Vout1、Vout2は、第1比較回路21および第2比較回路22に入力され、第1および第2比較電圧Vref1、Vref2と、第1および第2検出信号OP1、OP2との少なくとも一方をオフセットさせる。
【選択図】図1
Description
図7(a)は従来の磁気検出装置の概略構成を示す斜視図であり、図7(b)は図7(a)の磁気検出装置の部分上面図であり、図7(c)は図7(a)の磁気抵抗セグメントのパターン図である。
磁性移動体2は、バイアス磁界を変化させるための凹凸が周縁部に形成され、回転軸5の回転に同期して回転する。
磁気抵抗セグメント3a〜3f(磁電変換素子)は、各種回路(後述する)が集積されたICチップ6上に成膜によって形成されている。
また、6個の磁気抵抗セグメント3a〜3fのうち、2個の磁気抵抗セグメント3b、3cは、磁石1の中心線上に櫛歯状に交差して形成されている。
また、磁気検出部3および信号処理部4は、磁性移動体2の回転軸5の方向に、磁石1から所定の間隔を隔てて配置されている。
図8において、磁気検出部3は、第1ブリッジ回路11と、第2ブリッジ回路12と、第3ブリッジ回路13と、分圧回路14と、第1増幅回路15と、第2増幅回路16とを含んでいる。
第1増幅回路15は、第1ブリッジ回路11の中点出力Aと第2ブリッジ回路12の中点出力Bとの差分を増幅し、第1検出信号OP1として出力する。
第3ブリッジ回路13には、第1ブリッジ回路11および第2ブリッジ回路12と同様に定電圧が印加され、バイアス磁界の変化による磁気抵抗セグメントの抵抗値変化が電圧変化に変換される。
なお、分圧回路14は、磁気抵抗セグメントで構成されてもよいし、固定抵抗で構成されてもよい。
ここで、第1比較回路21は、コンパレータ27を含んでおり、コンパレータ27の非反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路28から、正帰還回路を介して第1比較電圧Vref1が入力されている。
また、コンパレータ27の反転入力端子には、第1検出信号OP1から得られる第1入力信号CO1(ここでは、第1検出信号OP1と一致する)が入力されている。
第1出力回路23は、第1比較回路21から出力された第1比較信号Vout1を変換して、最終出力FO1を出力する。
ここで、第2比較回路22は、コンパレータ29を含んでおり、コンパレータ29の非反転入力端子には、定電圧が印加された分圧回路30から、正帰還回路を介して第2比較電圧Vref2が入力されている。
また、コンパレータ29の反転入力端子には、第2検出信号OP2から得られる第2入力信号CO2(ここでは、第2検出信号OP2と一致する)が入力されている。
なお、最終出力FO1、FO2は、例えば内燃機関のクランク軸およびカム軸の角度検出等に用いられる。
第3出力回路26は、D−FF回路25からの出力を変換して、磁性移動体2の回転方向を示す移動方向検知出力ROを出力する。
図9は、磁性移動体2の正回転時における磁気検出部3および信号処理部4の信号波形図であり、(a)は磁気抵抗セグメント3a〜3fの抵抗値、(b)は第1および第2ブリッジ回路11、12の中点出力A、B、(c)は第1および第2検出信号OP1、OP2、(d)は第1および第2比較信号Vout1、Vout2、(e)は最終出力FO1、FO2、(f)は移動方向検知出力ROを示している。
中点出力A、Bは、第1増幅回路15で差動増幅され、第1検出信号OP1として出力される。また、中点出力Cと分圧回路14の中点出力Dとは、第2増幅回路16で差動増幅され、第2検出信号OP2として出力される。
また、第2検出信号OP2は、第2比較回路22で第2比較電圧Vref2と比較され、比較結果が第2比較信号Vout2として、第2出力回路24およびD−FF回路25のCL端子に出力される。
また、D−FF回路25に入力された第1および第2比較信号Vout1、Vout2は、第3出力回路26を介して移動方向検知出力ROに変換されて出力される。
このように、磁性移動体2の形状に対応した最終出力FO1、FO2、および移動方向検知出力ROにより、磁性移動体2の回転方向および回転位置が検出される。
そのため、磁性移動体2と磁気抵抗セグメント3a〜3fとの対向方向の間隔(以下、「GAP」と称する)が大きい場合(以下、「GAP大時」と称する)と小さい場合(以下、「GAP小時」と称する)とで、第1および第2比較信号Vout1、Vout2を、「L」から「H」、あるいは「H」から「L」に切り替えるタイミングがそれぞれ異なる。
図11において、(a)はコンパレータ27、29の反転入力端子に入力される第1および第2入力信号CO1、CO2(ここでは、第1および第2検出信号OP1、OP2と一致する)、(b)は拡大された第1入力信号CO1および第1比較電圧Vref1、(c)は第1比較信号Vout1、(d)は最終出力FO1、(e)は拡大された第2入力信号CO2および第2比較電圧Vref2、(f)は第2比較信号Vout2、(g)は最終出力FO2を、それぞれGAP大時およびGAP小時について示している。
そのため、最終出力FO1において、GAPの大小によるずれ(GAP特性)が大きく生じる。
そのため、最終出力FO2において、GAPの大小によるずれが大きく生じる。
そのため、最終出力において、GAPの大小によるずれが大きく生じ、バイアス磁界の変化を正確に検出することができないという問題点があった。
そのため、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。
なお、以下の実施の形態において、前述した従来の磁気検出装置と同様のものについては、同一符号の後に「A」〜「C」を付して示す。
この発明の実施の形態1に係る磁気検出装置の概略構成は、前述の図7に示した従来の磁気検出装置の構成と同様なので、説明を省略する。
図1は、この発明の実施の形態1に係る磁気検出装置の磁気検出部3および信号処理部4Aを示す回路図である。
図1において、信号処理部4Aは、図8に示した第1比較回路21、第2比較回路22、第1出力回路23および第2出力回路24に代えて、第1比較回路21A、第2比較回路22A、第1出力回路23Aおよび第2出力回路24Aを有している。
ここで、第1比較回路21Aは、コンパレータ27を含んでいる。
また、コンパレータ27の非反転入力端子には、第1検出信号OP1から得られる第1入力信号CO1(ここでは、第1検出信号OP1と一致する)が入力されている。
なお、第1比較電圧Vref1の基準値は、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
ここで、定電流源32および定電流源34は、それぞれ同一の電流を流すものとする。
ここで、第2比較回路22Aは、コンパレータ29を含んでいる。
また、コンパレータ29の非反転入力端子には、第2検出信号OP2から得られる第2入力信号CO2(ここでは、第2検出信号OP2と一致する)が入力されている。
なお、第2比較電圧Vref2の基準値は、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
ここで、定電流源37および定電流源39は、それぞれ同一の電流を流すものとする。
また、第1出力回路23Aは、第1位相反転回路41で反転された第1比較信号Vout1の反転信号を、第2上部トランジスタ38に出力する。
第2出力回路24Aは、2段の位相反転回路を含み、第2比較回路22Aから出力された第2比較信号Vout2を変換して、最終出力FO2を出力する。
なお、その他の回路構成は、前述の図8に示した回路構成と同様なので、説明を省略する。
図2は、この発明の実施の形態1に係る磁気検出装置の第1比較回路21Aおよび第2比較回路22Aの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図2において、(a)は第1および第2入力信号CO1、CO2、(b)は拡大された第1入力信号CO1および第1比較電圧Vref1、(c)は拡大された第2入力信号CO2および第2比較電圧Vref2、(d)は第1および第2比較信号Vout1、Vout2、(e)は最終出力FO1、FO2を、それぞれGAP大時およびGAP小時について示している。
このとき、第1比較回路21Aの第1上部トランジスタ33および第1下部トランジスタ35がともにオン状態となるので、第1比較電圧Vref1は、基準値と一致している。
また、このとき、第2比較回路22Aの第2上部トランジスタ38がオフ状態となり、第2下部トランジスタ40がオン状態となるので、第2比較電圧Vref2は、低電位側にオフセットされている。
ここで、第1比較電圧Vref1の基準値が、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Aの第2上部トランジスタ38および第2下部トランジスタ40がともにオン状態となるので、第2比較電圧Vref2は、基準値に戻る。
ここで、第2比較電圧Vref2が基準値に戻っているので、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Aの第2上部トランジスタ38がオン状態となり、第2下部トランジスタ40がオフ状態となるので、第2比較電圧Vref2は、高電位側にオフセットされる。
ここで、第1比較電圧Vref1が基準値に戻っているので、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Aの第2上部トランジスタ38および第2下部トランジスタ40がともにオフ状態となるので、第2比較電圧Vref2は、基準値に戻る。
ここで、第2比較電圧Vref2が基準値に戻っているので、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Aの第2上部トランジスタ38がオフ状態となり、第2下部トランジスタ40がオン状態となるので、第2比較電圧Vref2は、低電位側にオフセットされる。
これ以降、時刻t1〜t4の動作が繰り返して実行される。
そのため、第1および第2比較信号Vout1、Vout2を「L」から「H」、あるいは「H」から「L」に切り替えるタイミングをGAPの大小によらず一致させて、GAPの大小による最終出力FO1、FO2のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。
そのため、バイアス磁界の変化をより正確に検出することができる。
上記実施の形態1では、第1比較電圧Vref1および第2比較電圧Vref2が、第1比較信号Vout1および第2比較信号Vout2に応じてオフセットされるとした。
しかしながら、これに限定されず、第1検出信号OP1および第2検出信号OP2が、第1比較信号Vout1および第2比較信号Vout2に応じてオフセットされてもよい。
図3は、この発明の実施の形態2に係る磁気検出装置の磁気検出部3および信号処理部4Bを示す回路図である。
図3において、信号処理部4Bは、図1に示した第1比較回路21Aおよび第2比較回路22Aに代えて、第1比較回路21Bおよび第2比較回路22Bを有している。
ここで、第1比較回路21Bは、コンパレータ27を含んでいる。
また、コンパレータ27の非反転入力端子には、第1検出信号OP1から得られる第1入力信号CO1(後述する)が入力されている。
なお、第1比較電圧Vref1は、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
ここで、定電流源32Bおよび定電流源34Bは、それぞれ同一の電流を流すものとする。
ここで、第2比較回路22Bは、コンパレータ29を含んでいる。
また、コンパレータ29の非反転入力端子には、第2検出信号OP2から得られる第2入力信号CO2(後述する)が入力されている。
なお、第2比較電圧Vref2は、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
ここで、定電流源37Bおよび定電流源39Bは、それぞれ同一の電流を流すものとする。
また、第1出力回路23Aは、第1位相反転回路41で反転された第1比較信号Vout1の反転信号を、第2下部トランジスタ40Bに出力する。
その他の構成については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明は省略する。
なお、実施の形態1と同様の動作については、説明を省略する。
図4は、この発明の実施の形態2に係る磁気検出装置の第1比較回路21Bおよび第2比較回路22Bの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図4において、(a)は第1および第2入力信号CO1、CO2、(b)は拡大された第1入力信号CO1および第1比較電圧Vref1、(c)は拡大された第2入力信号CO2および第2比較電圧Vref2、(d)は第1および第2比較信号Vout1、Vout2、(e)は最終出力FO1、FO2を、それぞれGAP大時およびGAP小時について示している。
このとき、第1比較回路21Bの第1上部トランジスタ33Bおよび第1下部トランジスタ35Bがともにオン状態となるので、第1検出信号OP1は変化せず、そのまま第1入力信号CO1としてコンパレータ27に入力されている。
また、このとき、第2比較回路22Bの第2上部トランジスタ38Bがオン状態となり、第2下部トランジスタ40Bがオフ状態となるので、第2検出信号OP2は、高電位側にオフセットされ、第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力されている。
ここで、第1比較電圧Vref1が、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Bの第2上部トランジスタ38および第2下部トランジスタ40がともにオン状態となるので、第2検出信号OP2は変化せず、そのまま第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。
ここで、第2比較電圧Vref2が、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Bの第2上部トランジスタ38Bがオフ状態となり、第2下部トランジスタ40Bがオン状態となるので、第2検出信号OP2は、低電位側にオフセットされ、第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。
ここで、第1比較電圧Vref1が、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Bの第2上部トランジスタ38Bおよび第2下部トランジスタ40Bがともにオフ状態となるので、第2検出信号OP2は変化せず、そのまま第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。
ここで、第2比較電圧Vref2が、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Bの第2上部トランジスタ38Bがオン状態となり、第2下部トランジスタ40Bがオフ状態となるので、第2検出信号OP2は、高電位側にオフセットされ、第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。
これ以降、時刻t5〜t8の動作が繰り返して実行される。
そのため、第1および第2比較信号Vout1、Vout2を「L」から「H」、あるいは「H」から「L」に切り替えるタイミングをGAPの大小によらず一致させて、GAPの大小による最終出力FO1、FO2のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。
上記実施の形態1、2では、第1比較電圧Vref1および第2比較電圧Vref2と、第1検出信号OP1および第2検出信号OP2とのうち、何れか一方のみが第1比較信号Vout1および第2比較信号Vout2に応じてオフセットされるとした。
しかしながら、これに限定されず、第1比較電圧Vref1および第2比較電圧Vref2と、第1検出信号OP1および第2検出信号OP2との両方が、第1比較信号Vout1および第2比較信号Vout2に応じてオフセットされてもよい。
図5は、この発明の実施の形態3に係る磁気検出装置の磁気検出部3および信号処理部4Cを示す回路図である。
図5において、信号処理部4Cは、図1に示した第1比較回路21Aおよび第2比較回路22Aに代えて、第1比較回路21Cおよび第2比較回路22Cを有している。
ここで、第1比較回路21Cは、コンパレータ27を含んでいる。
また、コンパレータ27の非反転入力端子には、第1検出信号OP1から得られる第1入力信号CO1(後述する)が入力されている。
なお、第1比較電圧Vref1の基準値は、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
また、基準電位設定回路31には、定電流源45を介してグランドに接地された第2トランジスタ46が接続されている。
ここで、定電流源43および定電流源45は、それぞれ同一の電流を流すものとする。
ここで、第2比較回路22Cは、コンパレータ29を含んでいる。
また、コンパレータ29の非反転入力端子には、第2検出信号OP2から得られる第2入力信号CO2(後述する)が入力されている。
なお、第2比較電圧Vref2の基準値は、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されている。
また、基準電位設定回路36には、定電流源49を介してグランドに接地された第4トランジスタ50が接続されている。
ここで、定電流源47および定電流源49は、それぞれ同一の電流を流すものとする。
また、第1出力回路23Aは、第1位相反転回路41で反転された第1比較信号Vout1の反転信号を、第3トランジスタ48に出力する。
その他の構成については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明は省略する。
なお、実施の形態1と同様の動作については、説明を省略する。
図6は、この発明の実施の形態3に係る磁気検出装置の第1比較回路21Cおよび第2比較回路22Cの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図6において、(a)は第1および第2入力信号CO1、CO2、(b)は拡大された第1入力信号CO1および第1比較電圧Vref1、(c)は拡大された第2入力信号CO2および第2比較電圧Vref2、(d)は第1および第2比較信号Vout1、Vout2、(e)は最終出力FO1、FO2を、それぞれGAP大時およびGAP小時について示している。
このとき、第1比較回路21Cの第1トランジスタ44がオン状態となるので、第1検出信号OP1は、低電位側にオフセットされ、第1入力信号CO1としてコンパレータ27に入力されている。また、第2トランジスタ46がオン状態となるので、第1比較電圧Vref1は、低電位側にオフセットされている。
また、このとき、第2比較回路22Cの第3トランジスタ48がオフ状態となるので、第2検出信号OP2は変化せず、そのまま第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力されている。また、第4トランジスタ50がオン状態となるので、第1比較電圧Vref1は、低電位側にオフセットされている。
ここで、第1検出信号OP1が低電位側にオフセットされ、かつ第1比較電圧Vref1が低電位側にオフセットされているので、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所で第1比較信号Vout1を「H」から「L」に切り替えることができ、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Cの第3トランジスタ48がオン状態となるので、第2検出信号OP2は、低電位側にオフセットされ、第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。また、第4トランジスタ50がオン状態となるので、第2比較電圧Vref2は、低電位側にオフセットされたままとなる。
ここで、第2検出信号OP2が低電位側にオフセットされ、かつ第2比較電圧Vref2が低電位側にオフセットされているので、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所で第2比較信号Vout2を「H」から「L」に切り替えることができ、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Cの第3トランジスタ48がオン状態となるので、第2検出信号OP2は、低電位側にオフセットされ、第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。また、第4トランジスタ50がオフ状態となるので、第2比較電圧Vref2は、基準値に戻る。
ここで、第1比較電圧Vref1の基準値が、GAP小時の第1検出信号OP1とGAP大時の第1検出信号OP1との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO1のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Cの第3トランジスタ48がオフ状態となるので、第2検出信号OP2は変化せず、そのまま第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。また、第4トランジスタ50がオフ状態となるので、第2比較電圧Vref2は、基準値のままとなる。
ここで、第2比較電圧Vref2の基準値が、GAP小時の第2検出信号OP2とGAP大時の第2検出信号OP2との交差箇所の電圧値と一致するように設定されているので、GAPの大小による最終出力FO2のずれを小さくすることができる。
また、このとき、第2比較回路22Cの第3トランジスタ48がオフ状態となるので、第2検出信号OP2は変化せず、そのまま第2入力信号CO2としてコンパレータ29に入力される。また、第4トランジスタ50がオン状態となるので、第2比較電圧Vref2は、低電位側にオフセットされる。
これ以降、時刻t9〜t12の動作が繰り返して実行される。
そのため、第1および第2比較信号Vout1、Vout2を「L」から「H」、あるいは「H」から「L」に切り替えるタイミングをGAPの大小によらず一致させて、GAPの大小による最終出力FO1、FO2のずれを小さくすることができる。
したがって、ノイズによる誤動作を防止するとともに、バイアス磁界の変化を正確に検出することができる。
磁性移動体は、縁部に凹凸を有し、往復直線運動するものであってもよい。
この場合も、上記実施の形態1〜3と同様の効果を奏することができる。
第1および第2検出信号は、互いに位相が異なっていれば、位相差はいくらであってもよい。
この場合も、上記実施の形態1〜3と同様の効果を奏することができる。
GMR素子は、数オングストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子膜である。GMR素子は、磁気抵抗セグメントと比較して、格段に大きなMR効果(MR変化率)を有しており、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスが存在するとともに、温度特性、特に温度係数が大きいという特徴を有している。
磁電変換素子としてGMR素子を用いることにより、SN比が向上し、ノイズ耐量を向上させることができる。
Claims (5)
- バイアス磁界を印加するための磁石と、
前記バイアス磁界を変化させる磁性移動体と、
前記磁性移動体の移動に伴って変化する前記バイアス磁界を検出し、互いに位相の異なる第1検出信号および第2検出信号を出力する磁気検出部と、
前記第1検出信号および前記第2検出信号に基づいて、前記バイアス磁界の変化を検出する信号処理部とを備え、
前記信号処理部は、
前記第1検出信号と第1判定値とを比較し、第1比較信号を出力する第1比較回路と、
前記第2検出信号と第2判定値とを比較し、第2比較信号を出力する第2比較回路とを含み、
前記第1比較信号および前記第2比較信号は、第1比較回路および第2比較回路に入力されて、前記第1判定値および前記第2判定値と、前記第1検出信号および前記第2検出信号との少なくとも一方を正方向または負方向にオフセットさせることを特徴とする磁気検出装置。 - 前記磁気検出部は、前記磁性移動体の移動方向に沿って配置され、かつ前記磁性移動体の移動方向と直交する前記磁石の中心線に対して所定の間隔で対称的に配置された複数個のセグメントから構成される磁電変換素子を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。
- 前記磁気検出部は、
それぞれ一対の前記セグメントで構成された第1ブリッジ回路、第2ブリッジ回路および第3ブリッジ回路を含み、
前記第1ブリッジ回路の中心線と前記第2ブリッジ回路の中心線とは、前記磁石の中心線に対して互いに対称であり、かつ前記第3ブリッジ回路の中心線は、前記磁石の中心線と一致し、
前記磁気検出部は、前記第1ブリッジ回路の出力と前記第2ブリッジ回路の出力との差を前記第1検出信号として出力することを特徴とする請求項2に記載の磁気検出装置。 - 前記磁電変換素子は、GMR素子であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の磁気検出装置。
- 前記第1比較信号および前記第2比較信号によってオフセットされる前記第1判定値および前記第2判定値と、前記第1検出信号および前記第2検出信号との少なくとも一方のオフセット量を、同一量とすることを特徴とする請求項1から請求項4までの何れか1項に記載の磁気検出装置。
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JP2007033356A JP4290739B2 (ja) | 2007-02-14 | 2007-02-14 | 磁気検出装置 |
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