JP2008306066A - 基板の加工装置、基板の加工方法及び半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上に形成されるレジストパターン不良に起因する製品の不良を低減することができる基板の加工装置、加工方法、及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板の加工装置1は、凹凸パターンが形成されたモールド3を用いて凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる装置である。加工装置1は、基板5が設置されると共に、レジスト層の材料である液状の樹脂Sが導入されて基板5を浸漬させるチャンバー9を備え、基板5をチャンバー9に設置して液状の樹脂Sに浸漬させ、チャンバー9内を真空引きし、液状の樹脂Sに浸漬された状態の基板5にモールド3を押し付けることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板の加工装置1は、凹凸パターンが形成されたモールド3を用いて凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる装置である。加工装置1は、基板5が設置されると共に、レジスト層の材料である液状の樹脂Sが導入されて基板5を浸漬させるチャンバー9を備え、基板5をチャンバー9に設置して液状の樹脂Sに浸漬させ、チャンバー9内を真空引きし、液状の樹脂Sに浸漬された状態の基板5にモールド3を押し付けることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、凹凸パターンが形成されたモールドを用いて前記凹凸パターンに対応するレジストパターンを基板上に形成させる基板の加工装置、基板の加工方法及び半導体デバイスに関するものである。
従来、このような分野の技術として、例えば、下記非特許文献1に記載の基板の加工方法が知られている。この文献に記載された加工方法では、Polymethylmethacrylate(PMMA)が塗布された基板が、PMMAのガラス転移点である105℃以上に加熱されて、微細な凹凸パターンをもつ石英製モールドが塗布層に押し付けられる。このモールドによる型押しにより、PMMA層には、上記モールドの凹凸パターンが転写されたレジストパターンが形成される。そして、このパターンをマスクとして基板に微細なエッチング加工を行うことができる。
Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, and Preston J. Renstrom, "Imprintof sub-25 nm vias and trenches in polymers", Applied Physics Letters, 20 November 1995 , vol. 67, no. 21, pp. 3114-3116. Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, and Preston J. Renstrom, "Nanoimprintlithography", J.Vac.Sci.Technol, Nov/Dec 1996 , vol. B14, no. 6, pp. 4129-4133. Jan Haisma, Martin Verheijen, Kees van den Heuvel, and Jan van denBerg, "Mold-assisted nanolithography:A process for reliable pattern replication",J.Vac.Sci.Technol, Nov/Dec 1996 , vol. B14, no. 6, pp. 4124-4128. 米国特許第5772905号明細書
特表2003−516644号公報
Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, and Preston J. Renstrom, "Imprintof sub-25 nm vias and trenches in polymers", Applied Physics Letters, 20 November 1995 , vol. 67, no. 21, pp. 3114-3116. Stephen Y. Chou, Peter R. Krauss, and Preston J. Renstrom, "Nanoimprintlithography", J.Vac.Sci.Technol, Nov/Dec 1996 , vol. B14, no. 6, pp. 4129-4133. Jan Haisma, Martin Verheijen, Kees van den Heuvel, and Jan van denBerg, "Mold-assisted nanolithography:A process for reliable pattern replication",J.Vac.Sci.Technol, Nov/Dec 1996 , vol. B14, no. 6, pp. 4124-4128.
しかしながら、上記の加工方法では、例えば、シリコン、石英、又はサファイアからなる平坦性の良いモールドを用いたとしても、基板の平坦性によっては、PMMA層に押し付けられたモールドの凹凸の隅々にまではPMMAが拡がり難く、凹凸が十分に再現されない場合もあり得る。特に、半導体デバイス用の基板として商業的に提供されるGaAsやInP等の化合物半導体基板は、平坦度が十分ではない場合もあるため、上記のようなレジストパターン不良に起因する半導体デバイスの不良が生じてしまうおそれがある。
そこで、本発明は、基板上に形成されるレジストパターン不良に起因する製品の不良を低減することができる基板の加工装置、加工方法、及び半導体デバイスを提供することを目的とする。
本発明に係る基板の加工装置は、凹凸パターンが形成されたモールドを用いて凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる基板の加工装置において、基板が設置されレジスト層の材料である液状の樹脂が導入されて基板を浸漬させる加工室を備え、基板を加工室に設置して液状の樹脂に浸漬させ、加工室内を真空引きすると共に、液状の樹脂に浸漬された状態の基板にモールドを押し付けることを特徴とする。
この加工装置において、加工室には、基板が設置され当該基板が浸漬されるように液状の樹脂が導入される。そして、加工室内が真空引きされ、液状の樹脂に浸漬された状態の基板に対して、凹凸パターンが形成されたモールドが押し付けられる。このとき、基板とモールドとの間には、基板を浸漬している上記液状の樹脂が挟まれて存在することになる。この樹脂は、基板とモールドとの間に挟まれた際に、モールドの凹凸パターンに沿って流動し凹凸パターンに充填される。そして、後工程において、その状態のまま樹脂を硬化させれば、モールドの凹凸パターンが転写されたレジスト層が基板上に形成される。このように、レジストの原料である樹脂が、液状でモールドと基板とで挟み込まれるので、この樹脂がモールドの凹凸パターンに沿って円滑に流動し、凹凸パターンの隅々にまで充填される。また、モールドが基板に押し付けられる際に、加工室内が真空引きされるので、基板とモールドとの間における樹脂の気泡の発生が抑えられる。従って、このような液状の樹脂の硬化により基板上のレジスト層に再現される凹凸パターンの不良が抑制される。
また、本発明に係る基板の加工方法は、凹凸パターンが形成されたモールドを用いて凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる基板の加工方法において、基板を加工室内に設置し、レジスト層の材料である液状の樹脂に基板を浸漬させる浸漬工程と、加工室内を真空引きする真空引き工程と、液状の樹脂に浸漬された状態の基板にモールドを押し付ける型押工程と、を備えたことを特徴とする。
この加工方法において、加工室には、基板が設置され当該基板が浸漬されるように液状の樹脂が導入される。そして、加工室内が真空引きされ、液状の樹脂に浸漬された状態の基板に対して、凹凸パターンが形成されたモールドが押し付けられる。このとき、基板とモールドとの間には、基板を浸漬している上記液状の樹脂が挟まれて存在することになる。この樹脂は、基板とモールドとの間に挟まれた際に、モールドの凹凸パターンに沿って流動し凹凸パターンに充填される。そして、後工程において、その状態のまま樹脂を硬化させれば、モールドの凹凸パターンが転写されたレジスト層が基板上に形成される。このように、レジストの原料である樹脂が、液状でモールドと基板とで挟み込まれるので、この樹脂がモールドの凹凸パターンに沿って円滑に流動し、凹凸パターンの隅々にまで充填される。また、モールドが基板に押し付けられる際に、加工室内が真空引きされるので、基板とモールドとの間における樹脂の気泡の発生が抑えられる。従って、このような液状の樹脂の硬化により基板上のレジスト層に再現される凹凸パターンの不良が抑制される。
また、本発明に係る半導体デバイスは、凹凸パターンが形成されたモールドを用いて凹凸パターンが転写されたレジスト層が形成された半導体基板から作製される半導体デバイスにおいて、半導体基板は、加工室内に設置されてレジスト層の材料である液状の樹脂に浸漬され、加工室内が真空引きされ、液状の樹脂に浸漬された状態の半導体基板にモールドが押し付けられる処理を経て、表面にレジスト層が形成されることを特徴とする。
この半導体デバイスの作製にあたり、半導体基板にレジストパターンを形成する際、加工室には、基板が設置されると共に当該基板が浸漬されるように液状の樹脂が導入される。そして、加工室内が真空引きされ、液状の樹脂に浸漬された状態の基板に対して、凹凸パターンが形成されたモールドが押し付けられる。このとき、基板とモールドとの間には、基板を浸漬している上記液状の樹脂が挟まれて存在することになる。この樹脂は、基板とモールドとの間に挟まれた際に、モールドの凹凸パターンに沿って流動し凹凸パターンに充填される。そして、後工程において、その状態のまま樹脂を硬化させれば、モールドの凹凸パターンが転写されたレジスト層が基板上に形成される。
このように、レジストの原料である樹脂が、液状でモールドと基板とで挟み込まれるので、この樹脂がモールドの凹凸パターンに沿って円滑に流動し、凹凸パターンの隅々にまで充填される。また、モールドが基板に押し付けられる際に、加工室内が真空引きされるので、基板とモールドとの間における樹脂の気泡の発生が抑えられる。従って、このような液状の樹脂の硬化により基板上のレジスト層に再現される凹凸パターンの不良が抑制される。このようなパターン不良が少ないレジスト層が形成された基板を用いて作製される結果、半導体デバイスの不良が抑制される。
本発明の、基板の加工装置、加工方法、及び半導体デバイスによれば、基板上に形成されるレジストパターン不良に起因する製品の不良を低減することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係る基板の加工装置、基板の加工方法及び半導体デバイスの好適な一実施形態について詳細に説明する。
図1に示す加工装置1は、高低差約0.1μmの凹凸パターンが形成された石英製のモールド3を用いて、この凹凸パターンが転写されたレジスト層を、半導体基板5の上に形成する装置である。この装置1の装置台7上には、チャンバー本体9b及び上蓋9aで画成される空間に半導体基板5を格納するチャンバー(加工室)9が設けられている。また、装置台7に立設された支柱11には、上下にスライド可能な調整可動部13aを介して、チャンバー9の上方で水平に延びる梁13が支持されている。この梁13には、水平にスライド可能な調整可動部19aを介して、下方に延びるアーム19が支持されている。
このアーム19には、モールド3を水平に保持するモールド保持部15と、このモールド保持部15と上記調整可動部19aとの間に配置され上下にスライド可能なチャンバー上蓋9aと、が取り付けられている。このような構成により、モールド保持部15は、装置台7上のチャンバー本体9bに対して、水平方向及び鉛直方向に位置調整可能である。上記モールド保持部15の下部には、石英モールド3が凹凸面を下に向けた状態で保持される。そして、モールド保持部15には、モールド3で覆われる中空部に配置されたUVランプ15aが内蔵されている。
また、チャンバー9は、格納した半導体基板5を浸漬するための液体樹脂Sを導入する樹脂導入口9c、この液体樹脂Sをチャンバー本体9b底部から引き抜く樹脂排出口9d、及び内部を真空引きするための真空排気口9eを有している。このような構成により、チャンバー9内の基板台9f上に半導体基板5を設置した状態で、樹脂導入口9cから液体樹脂Sが導入されると、チャンバー本体9bの底部に溜まる液体樹脂Sによって半導体基板5が浸漬される。
続いて、本発明に係る半導体デバイスの一実施形態である分布型半導体レーザを、上記加工装置1を用いて作製する方法について説明する。
最初に、上記半導体レーザ作製の一工程として、半導体基板5の表面にエッチングのためのレジスト層を形成する加工方法について、図2〜図7を参照し説明する。ここで用いられる、半導体基板5は、Snドープした2インチのn型InP基板5dに、n型クラッド層5c、InGaAsPの多層超格子層(MQW)の活性層5b、及びInGaAsPの回折格子層5aを有機金属気相成長法で順次形成して作製される。なお、ここでは、上記InP基板に代えて、GaAs基板、GaN基板、サファイア基板、又はSiC基板を用いてもよい。また、活性層、回折格子層としては、基板や求められるレーザ波長に応じて適切な材料を選択してもよく、AlGaInAs、AlGaInN、GaInNAs等を適宜用いることができる。
図2に示すように、装置1のチャンバー上蓋9aを開けた状態で、上記基板5を、チャンバー本体9b底部の基板台9f上に設置する。なお、この装置1の基板台9f及びモールド保持部15に保持されたモールド3は、予め水平に調整されている。この状態から、図3に示すように、基板5が液面下に十分に没するまで、樹脂導入口9cから十分な量の液体樹脂Sを導入し、基板5がチャンバー本体9b底部に溜まった液体樹脂Sによって浸漬された状態とする(浸漬工程)。ここで、上記液体樹脂9としては、紫外線硬化性樹脂の液体である東洋合成工業アクリル系樹脂PAK−01が好適に用いられる。
次に、図4に示すように、チャンバー上蓋9aを下降させてチャンバー9内を気密し、ポンプP1により真空排気口9eを通じてチャンバー9内を真空引きする(真空引き工程)。その後、調整可動部13aを調整してモールド保持部15の位置調整を行い、モールド3の凹凸面を基板5の表面に押し付ける(型押工程)。このとき、モールド3と基板5との間に存在する液体樹脂Sは、押し付けられたモールド3の凹凸パターンに追従して円滑に流動し、凹凸パターンの隅々にまで充填される。次に、この状態で、図5に示すように、モールド保持部15のUVランプ15aから紫外線Lを照射して、液体樹脂Sを硬化させる。モールド3は、紫外線を透過させる石英製であるので、UVランプ15aから発せられた紫外線Lは、モールド3を透過し、モールド3と基板5との間に挟まれた液体樹脂Sに照射される。そして、この位置における液体樹脂Sが、紫外線Lを受け硬化することで、この硬化部が基板5上のレジスト層21を構成する。このように形成されたレジスト層21には、モールド3の凹凸パターンが転写されたレジストパターンが形成される。
次に、図6に示すように、樹脂排出口9dから液体樹脂Sを排出し、図7に示すように、梁13を上昇させて、形成されたレジスト層21からモールド3を離間させる。その後、チャンバー本体9bに洗浄液を注入して基板5及びレジスト層21に残留する液体樹脂Sを洗浄除去した後、乾燥窒素を吹きかけて乾燥させ
る。以上のような処理により、モールド5の凹凸パターンが転写されたレジスト層21を、基板5上に形成することができる。
る。以上のような処理により、モールド5の凹凸パターンが転写されたレジスト層21を、基板5上に形成することができる。
このような加工方法によれば、レジスト層21の原料としての樹脂Sが、液体の状態でモールド3と基板5とで挟み込まれるので、この液体樹脂Sがモールドの凹凸パターンに沿って円滑に流動し、凹凸パターンに確実に追従しながら隅々にまで充填されることになる。また、型押工程の前の真空引き工程において、予めチャンバー9内が真空引きされるので、型押工程における基板5とモールド3との間の樹脂Sの気泡の発生が抑えられる。以上の結果、基板5上のレジスト層21に再現される凹凸パターンの不良が抑制される。
続いて、図8を参照しながら、レジスト層21が形成された後の基板5の処理について説明する。図8では、基板5が完全に平坦ではないことを前提とし、基板5の表面粗さを誇張して表している。なお、商業的に提供されるGaAsやInP等の化合物半導体基板の表面粗さは5μm程度であり、シリコン基板の表面粗さは1μm程度である。
上述したように、装置1による加工によって、モールド3の凹凸パターンがレジスト層21に確実に転写され(図8(a)参照)、基板5及びレジスト層21の洗浄を経て、欠陥が少ないレジスト層21が基板5上に形成される(図8(b)参照)。その後、レジスト層21の凸部にSi蒸着を施す(図8(c)参照)。このとき、基板5に対して斜め上方からの蒸着を行うことで、レジスト層21の凹部には蒸着されず凸部のみにSi蒸着マスク23が形成されるので、次のドライエッチング工程での良好な選択性が得られる。
次に、上記マスク23を利用して、レジスト層21の凹部に対応する部分を、酸素を用いたドライエッチングで除去する(図8(d)参照)。更に、メタンと水素との混合ガスを用い、レジスト層21が除去された部分に対し所定深さのドライエッチングを行う(図8(e)参照)。その後、有機溶剤を用いてレジスト層21を除去する(図8(f)参照)。以上のような処理によって、基板5の回折格子層5aに、均一な回折格子パターンを形成することができる。
続いて、上記処理との比較のため、基板5上にレジスト層を形成する際に従来のナノインプリント法を用いた場合の回折格子パターンの形成処理について、図9を参照しながら説明する。図9では、基板5及び基板5上に塗布された樹脂膜27が完全に平坦ではないことを前提とし、図8と同様に、基板5及び樹脂膜27の表面粗さを誇張して表している。
この処理においては、まず、スピンコートによって、厚膜樹脂やSOG(塗布型シリコン材料)といった材料からなる樹脂膜27が、基板5上に塗布される。このような樹脂膜27の厚さは1〜2μm程度しかなく、基板5表面の広い領域について平坦性を良くすることは困難であるので、樹脂膜27の表面粗さは、0.4μm程度となる。次に、基板5上に塗布されたこの樹脂膜27にモールド3が押し付けられ(図9(a)参照)、モールド3の凹凸パターンが樹脂膜27に転写される。このとき、樹脂膜27の表面の高低差により、低い部分にはモールド3が十分に押し付けられず、モールド3の凹凸パターンが十分に転写されない欠陥部分D1が発生する(図9(b)参照)。そして、この状態で樹脂膜27へのSi蒸着が施されると、本来はマスクが不必要な上記欠陥部分D1にまでマスク29が形成されてしまう(図9(c)参照)。
従って、このマスク29を利用して、酸素を用いたドライエッチング(図9(d)参照)及び、メタンと水素との混合ガスを用いたドライエッチング(図9(e)参照)を行ったとしても、回折格子層5aには、本来必要な凹凸が欠けてしまう欠陥箇所D2が発生する。従って、その後、有機溶剤を用いて樹脂膜27を除去すると、図9(f)に示す通り、回折格子層5aには、凹凸が欠けた部分D3が発生し、当該半導体基板5は不良品となってしまう。
なお、ここでは、樹脂膜27を厚くするために高粘性の樹脂を採用したり、スピンコートの回転数を小さくしたりすることも考えられるが、この場合、樹脂膜27の表面粗さが大きくなってしまうので、適切ではない。また、見かけの平坦性を良くするために、モールド3を高い圧力で基板5に押し付けることも考えられるが、基板5に欠陥が発生するおそれがあるため、適切ではない。
以上の比較で判るように、図8に示す処理によれば、図9に示す処理とは異なり、基板5自体の表面粗さが大きい場合であっても、均一な回折格子パターンが得られる。
続いて、図10及び図11を参照し、回折格子層5aに凹凸パターンが形成された後の基板5(図10(a)参照)の処理について説明する。なお、図10(a),(b)は、図8(a)〜(e)で示した基板5断面と同じ断面を示す図であり、図11(a)〜(d)は、その断面に直交する断面を示す図である。この基板5を、有機金属気相成長装置に導入し、回折格子層5a上にInP層31をオーバーグロウスする(図10(b)参照)。次に、図11(a)に示すように、共振器に対応する部分にSiNエッチングマスク33を形成し、所定の活性層幅になるようにBrメタノール液でエッチングする。
次に、再び有機金属気相成長装置に導入し、マスク33を選択成長マスクとして利用し、p型InPの埋込層37及びn型InPの埋込層39を順次形成する(図11(b)参照)。次に、マスク33を除去した後、有機金属気相成長装置に導入してコンタクト層41(図11(c)参照)を形成し、その後、絶縁膜43と、表面及び裏面の電極45,47とを形成する。そして、へき開によって所定の大きさのチップとし、端面を絶縁膜で被覆して半導体レーザ51が完成する(図11(d)参照)。
このように製造された半導体レーザ51は、図11(d)に示すように、Snドープされたn型InP基板5d上に設けられた、n型クラッド層5c、InGaAsPの多層超格子層(MQW)の活性層5b、及び上記のInGaAsPの回折格子層5aを備えている。そして、この半導体レーザ51は、n型クラッド層5c、活性層5b、回折格子層5a、及び上記InP層31が、上記の埋込層37,39に挟み込まれた構造を成している。このように、半導体レーザ51は、活性層5bに隣接する回折格子層5aを備えたいわゆる分布帰還型半導体レーザ(DFBレーザ)を構成している。
このように、製造された分布帰還型半導体レーザ51は、上述のとおり、均一な回折格子パターンを有しウエハ内での品質のバラツキも少ないので、不良率が低減され、高い歩留まりが得られる。
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、装置1におけるモールド3は、石英製に限られず、シリコン製やサファイア製のものを採用してもよい。
1…加工装置、3…モールド、5…半導体基板、9…チャンバー(加工室)、21…レジスト層、51…半導体レーザ(半導体デバイス)、S…液状の樹脂。
Claims (3)
- 凹凸パターンが形成されたモールドを用いて前記凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる基板の加工装置において、
前記基板が設置され前記レジスト層の材料である液状の樹脂が導入されて前記基板を浸漬させる加工室を備え、
前記基板を前記加工室に設置して前記液状の樹脂に浸漬させ、前記加工室内を真空引きすると共に、前記液状の樹脂に浸漬された状態の前記基板に前記モールドを押し付けることを特徴とする基板の加工装置。 - 凹凸パターンが形成されたモールドを用いて前記凹凸パターンが転写されたレジスト層を基板上に形成させる基板の加工方法において、
前記基板を加工室内に設置し、前記レジスト層の材料である液状の樹脂に前記基板を浸漬させる浸漬工程と、
前記加工室内を真空引きする真空引き工程と、
前記液状の樹脂に浸漬された状態の前記基板に前記モールドを押し付ける型押工程と、を備えたことを特徴とする基板の加工方法。 - 凹凸パターンが形成されたモールドを用いて前記凹凸パターンが転写されたレジスト層が形成された半導体基板から作製される半導体デバイスにおいて、
前記半導体基板は、加工室内に設置されて前記レジスト層の材料である液状の樹脂に浸漬され、前記加工室内が真空引きされ、前記液状の樹脂に浸漬された状態の前記半導体基板に前記モールドが押し付けられる処理を経て、表面に前記レジスト層が形成されることを特徴とする半導体デバイス。
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WO2013153613A1 (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | アイトリックス株式会社 | インプリント装置、加圧部材、及びインプリント製造方法 |
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