TW201709549A - 具有圖案化結構之藍寶石基板 - Google Patents

具有圖案化結構之藍寶石基板 Download PDF

Info

Publication number
TW201709549A
TW201709549A TW105110719A TW105110719A TW201709549A TW 201709549 A TW201709549 A TW 201709549A TW 105110719 A TW105110719 A TW 105110719A TW 105110719 A TW105110719 A TW 105110719A TW 201709549 A TW201709549 A TW 201709549A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sapphire substrate
cavities
patterned structure
range
angle
Prior art date
Application number
TW105110719A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI626762B (zh
Inventor
許功憲
邱正宇
許明森
陳俊宏
李俊億
Original Assignee
光鋐科技股份有限公司
嘉德晶光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 光鋐科技股份有限公司, 嘉德晶光電股份有限公司 filed Critical 光鋐科技股份有限公司
Publication of TW201709549A publication Critical patent/TW201709549A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI626762B publication Critical patent/TWI626762B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02428—Structure
    • H01L21/0243—Surface structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種具有圖案化結構之藍寶石基板，其包括藍寶石基底；形成在藍寶石基底表面上的複數個空腔；和模板層。複數個空腔以彼此間隔預定距離週期性地排列，且複數個空腔中的每一個空腔具有底部表面和頂部開口。複數個空腔中的每一個空腔包括至少第一和第二傾斜表面，且第一和第二傾斜表面分別以相對於複數個空腔的底部表面之第一和第二角度傾斜。

Description

具有圖案化結構之藍寶石基板
本發明有關於一種藍寶石基板，特別是一種具有圖案化結構之藍寶石基板，其可用於紫外光發光二極體 (UV-LED)。
近年來，紫外光發光二極體 (UV-LED)由於其在於如空氣或水的淨化、消毒、醫用光線療法的廣泛應用，已經吸引相當多的關注。高品質的氮化鋁(AlN)層通常用為藍寶石基板和氮化鋁鎵(AlGaN)層之間的關鍵模板層，用以成長AlGaN系列(AlGaN-based)UV-LED。然而，平面藍寶石基板上的AlN層通常會因為氮化鋁和藍寶石之間的大晶格不匹配和熱膨脹不匹配，而遭受到非常高的貫穿差排缺陷(threading dislocation densities, TDDs)。為了實現高效率的UV-LED，低貫穿差排缺陷之AlN層的發展是非常重要的，因為在多量子井中的TDDs作為非輻射複合中心。
已開發各種方法來減少TDDs，而減少TDDs的方法之一是側向磊晶成長(lateral epitaxial overgrowth, LEO)技術。LEO-AlN層通常成長於圖案化藍寶石基板(PSS)上，其可以減少TDDs在LEO-AlN層的數量。然而，在PSS上的LEO-AlN層需要用於LEO-AlN層之大的聚結厚度並且大大增加了磊晶時間和成本。此外，通常會在成長於PSS上的LEO-AlN層中觀察到嚴重的粗糙度，這可能會影響AlGaN系列 UV-LED的後續生長。
在先前技術所公開的上述資訊僅用於增強對本發明背景的理解，因此它可能包含未形成已為這個國家之本領域的通常知識者已知的資訊之先前技術的陳述。
鑑於現有技術的缺點，本發明的主要目的是提供具有圖案化結構之藍寶石基板，以實現更薄的用於模板層之聚結厚度，及降低成長在藍寶石基板上的模板層的粗糙度。
為了達到上述目的，本發明提供具有圖案化結構的藍寶石基板，其包括藍寶石基底；形成在藍寶石基底表面上的複數個空腔；和設置在藍寶石基底上的模板層。複數個空腔以彼此間隔預定距離週期性地排列，且複數個空腔中的每一個空腔具有底部表面和頂部開口。複數個空腔中的每一個空腔包括至少第一和第二傾斜表面，且第一和第二傾斜表面分別以相對於複數個空腔的底部表面之第一和第二角度傾斜。
較佳地，第一角度小於第二角度，其中第一角度是在30至90度之間的範圍內，而第二角度是在75至90度之間的範圍內。
較佳地，預定距離是在0.5至5μm之間的範圍內。
較佳地，複數個空腔中的每一個空腔的底部表面的寬度介於0.1至4.5μm的範圍內。
較佳地，複數個空腔中的每一個空腔的頂部開口的寬度介於0.5至5μm的範圍內。
較佳地，複數個空腔中的每一個空腔之間的邊界的寬度是在0.001至1μm之間的範圍內。
較佳地，複數個空腔中的每一個空腔的高度是在0.1至5μm之間的範圍內。
較佳地，從底部表面至第一傾斜表面和第二傾斜表面之間界面的高度在0.05至4.5μm之間的範圍內。
較佳地，複數個空腔係以六方最密堆積設置。
較佳地，模板層的材料選自由氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁鎵銦(AlGaInN)和氮化鎵(GaN)所組成之群組。
較佳地，模板層的厚度是在1至15μm之間的範圍內，而模板層的表面粗糙度是在0.001至0.5μm之間的範圍內。
以上，本發明的具有圖案化結構之藍寶石基板具有以下一個或多個優點：
(1) 透過利用以六方最密堆積設置的複數個空腔，本發明能夠明顯減少成長在藍寶石基板100上之模板層中的TDDs，從而達成於藍寶石基板上製造的高效率UV-LEDs。
(2)透過利用具有至少兩個傾斜表面之空腔，本發明能夠實現更薄的用於模板層之聚結厚度並減小成長於藍寶石基板上的模板層之表面粗糙度，從而減少製造UV-LED的磊晶時間和成本。
本發明的例示性實施例從下面提供的詳細描述和從本發明的各種實施例的附圖中以更充分地理解，然而，其中，不應該將本發明限制到具體的實施例中，而是實施例僅只於解釋和理解。為了闡明例示性實施例的描述，於全部圖式中相同的符號標記將用以表示相同或相似的部分。
請參考第1A圖至第1F圖和第2圖，第1A圖至第1F圖是示出根據本發明較佳實施例之用於製造具有圖案化結構之藍寶石基板的過程之截面圖。第2圖是示出根據本發明較佳實施例之圖案化結構之藍寶石基板的俯視圖。
根據本發明較佳實施例之用於製造具有經圖案化結構之藍寶石基板100的過程，採用奈米壓印方法作為例示，但本發明不限於此。
首先，將紫外線固化樹脂20旋轉塗佈於藍寶石基底10上(第1A圖)，並將模具30設置在藍寶石基底10上(第1B圖)。模具30具有將要複製到(轉印到)紫外線固化樹脂20之模板圖案。模具30是由允許UV光傳輸之如透明石英或聚合物材料製成。接著，將壓力施加到模具30(第1C圖)。當施加壓力時，照射UV光穿透模具30，紫外線固化樹脂20經由UV固化反應(第1D圖)固化。此後，移除模具30，留下紫外線固化樹脂20的圖案於藍寶石基底10上(第1E圖)，其中圖案是在模具30的模板圖案的複製品。因此，獲得具有蝕刻模板之藍寶石基底10，其中蝕刻模板具有圖案化的紫外線固化樹脂20。圖案化的紫外線固化樹脂20被用作為蝕刻模板以透過藉由控制蝕刻選擇性的光刻和蝕刻技術，來圖案化藍寶石基底10。於移除圖案化的紫外線固化樹脂20後，於藍寶石基底10的表面上形成具有至少兩個傾斜表面的複數個空腔40(即圖案化結構)(第1F圖為沿第2圖的線 A-A'的藍寶石基板100的橫截面圖)。因此，獲得具有圖案化結構的藍寶石基板100，且模板層(例如，AlN層；參照第4圖)於隨後成長在藍寶石基板100上，以用於製造AlGaN系列 UV-LED。
複數個空腔40以彼此間隔預定距離P週期性地排列。在較佳實施例中，預定距離P可以是在為約0.5至5μm的範圍內。複數個空腔40中的每一個空腔具有底部表面44和頂部開口。在較佳實施例中，底部表面44和頂部開口具有圓形形狀，但本發明不限於此。在較佳實施例中，複數個空腔40中的每一個空腔的底部表面44的寬度W底 可以介於約0.1至4.5μm的範圍內，而複數個空腔40中的每一個空腔的頂部開口的寬度W頂 可以介於約0.5至5μm的範圍內。
複數個空腔40中的每一個空腔進一步包括至少第一傾斜表面41和第二傾斜表面42，而第一傾斜面41和第二傾斜面42分別以相對於複數個空腔40的底部表面44第一角度θ1 和第二角度θ2 地傾斜，其中，第一角度θ1 小於第二角度θ2 (即，第一傾斜面41相對於底部表面44的斜率小於第二傾斜面42相對於底部表面44的斜率)。在較佳實施例中，第一角度θ1 可以在約30至90度之間的範圍內，並且第二角度θ2 可以在約75至90度之間的範圍內。在較佳實施例中，複數個空腔40中的每一個空腔的高度h2 可以在約0.1至5μm之間的範圍內，而從底部表面44至第一傾斜表面41和第二傾斜表面42之間的界面的高度h1 可以在約0.05至4.5μm之間的範圍內。本發明不限於僅兩個傾斜表面，複數個空腔40可設計成三個或更多的傾斜表面。
在較佳實施例中，複數個空腔40可以六方最密堆積設置，且複數個空腔40中的每一個空腔之間的邊界B的寬度可以在約0.001至1μm之間的範圍內。透過這種限制，可顯著減少成長在藍寶石基板100上之模板層中的TDDs，從而提高製造於本發明的藍寶石基板100上的UV-LEDs之效率。
請參考第3圖，第3圖是根據本發明較佳實施例之具有圖案化結構之藍寶石基板的空腔之橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)圖。可以清楚地觀察到形成於藍寶石基底10表面上的複數個空腔40。
請參考第4圖，第4圖是根據本發明較佳實施例之成長於圖案化結構之藍寶石基板上之AlN層的橫截面SEM圖。在較佳實施例中，模板層的材料為AlN，但本發明不限於此。模板層材料也可以選自由AlN、AlGaN、AlGaN和GaN所組成之群組。
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)可以用於進行磊晶成長。三甲基鋁(Trimethylaluminum, TMAl)和氨(NH3 )可分別作為鋁源和氮源。在較佳實施例中，AlN層50可以在具有低V/III比之連續流下，於約1350至1400℃間之成長溫度範圍內成長，而它的成長速率是在約4至6μm/hr的範圍。在較佳實施例中， AlN層50的厚度可以在約1至15μm之間的範圍內，而AlN層50的表面粗糙度Ra可以是在約0.001至0.5μm之間的範圍內。透過利用具有至少兩個傾斜表面之複數個空腔40，本發明的藍寶石基板能夠實現更薄的用於AlN層50之聚結厚度並減少成長於藍寶石基板上的AlN層50表面粗糙度，從而減少製造UV-LED的磊晶時間和成本。
此外，從X射線的結果計算相應的TDDs為小於5×108 cm-2 。AlN層50的品質明顯比傳統的AlN層要好得多。
上文提及之圖式及詳細說明都僅以說明之目的呈現，並且不意圖定義或限制如下所述之申請專利範圍的例示性實施例的範圍。本技術領域之通常知識者將理解，各種修改和等效實施例皆為可能。因此，例示性實施例真正的技術保護範圍必須基於所附申請專利範圍的技術精神來確定。
10‧‧‧藍寶石基底 20‧‧‧紫外線固化樹脂 30‧‧‧模具 40‧‧‧空腔 41‧‧‧第一傾斜表面 42‧‧‧第二傾斜表面 44‧‧‧底部表面 50‧‧‧AlN層 100‧‧‧藍寶石基板 h1、h2‧‧‧高度 W底、W頂‧‧‧寬度 P‧‧‧預定距離 θ1‧‧‧第一角度 θ2‧‧‧第二角度 B‧‧‧邊界
以下，將參照附圖對本發明的實施例進行詳細說明，使得本發明所屬技術領域的通常知識者能夠瞭解本發明，其中：
第1A圖至第1F圖是示出根據本發明較佳實施例之用於製造具有圖案化結構之藍寶石基板的過程截面圖；
第2圖是示出根據本發明較佳實施例之具有圖案化結構之藍寶石基板的俯視圖；
第3圖是根據本發明較佳實施例之具有圖案化結構之藍寶石基板的空腔之橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)圖；及
第4圖是根據本發明較佳實施例之成長於具有圖案化結構之藍寶石基板上之AlN層的橫截面SEM圖。
10‧‧‧藍寶石基底
41‧‧‧第一傾斜表面
42‧‧‧第二傾斜表面
44‧‧‧底部表面
100‧‧‧藍寶石基板
h1、h2‧‧‧高度
W底、W頂‧‧‧寬度
P‧‧‧預定距離
θ1‧‧‧第一角度
θ2‧‧‧第二角度
B‧‧‧邊界

Claims (14)

  1. 一種具有圖案化結構之藍寶石基板，其包含： 一藍寶石基底； 複數個空腔，形成在該藍寶石基底一表面上； 一模板層，設置在該藍寶石基底上； 其中該複數個空腔以彼此間隔一預定距離週期性地排列，且該複數個空腔中的每一個空腔具有一底部表面和一頂部開口；以及 其中該複數個空腔中的每一個空腔包括至少一第一傾斜表面和一第二傾斜表面，且該第一傾斜表面和該第二傾斜表面分別以相對於該複數個空腔的該底部表面之一第一角度和一第二角度傾斜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該第一角度小於該第二角度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該第一角度是在30至90度之間的範圍內。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該第二角度是在75至90度之間的範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該預定距離是在0.5至5μm之間的範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該複數個空腔中的每一個空腔的該底部表面的寬度介於0.1至4.5μm的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該複數個空腔中的每一個空腔的該頂部開口的寬度介於0.5至5μm的範圍內。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該複數個空腔中的每一個空腔之間的一邊界的寬度是在0.001至1μm之間的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該複數個空腔中的每一個空腔的高度是在0.1至5μm之間的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中從該底部表面至該第一傾斜表面和該第二傾斜表面之間之界面的高度在0.05至4.5μm之間的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該複數個空腔係以六方最密堆積設置。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該模板層的材料選自由氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁鎵銦(AlGaInN)和氮化鎵(GaN)所組成之群組。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該模板層的厚度是在1至15μm之間的範圍內。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之具有圖案化結構之藍寶石基板，其中該模板層的表面粗糙度是在0.001至0.5μm之間的範圍內。
TW105110719A 2015-08-26 2016-04-06 具有圖案化結構之藍寶石基板 TWI626762B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/836,679 2015-08-26
US14/836,679 US9812322B2 (en) 2015-08-26 2015-08-26 Sapphire substrate with patterned structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201709549A true TW201709549A (zh) 2017-03-01
TWI626762B TWI626762B (zh) 2018-06-11

Family

ID=58095940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110719A TWI626762B (zh) 2015-08-26 2016-04-06 具有圖案化結構之藍寶石基板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9812322B2 (zh)
TW (1) TWI626762B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11101404B2 (en) * 2018-03-26 2021-08-24 Nichia Corporation Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
EP3696300A1 (de) 2019-02-18 2020-08-19 Aixatech GmbH Verfahren zur herstellung eines verbundmaterialkörpers insbesondere für die verwendung bei der herstellung von elektronischen oder optoelektronischen bauelementen

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
WO2005018008A1 (ja) * 2003-08-19 2005-02-24 Nichia Corporation 半導体素子
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
TW201027791A (en) * 2009-01-09 2010-07-16 Ubilux Optoelectronics Corp A manufacturing method of a semiconductor component that has uneven substrate
US8507304B2 (en) * 2009-07-17 2013-08-13 Applied Materials, Inc. Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
TWI430476B (zh) * 2010-05-24 2014-03-11 Huga Optotech Inc 半導體發光元件
TWI429030B (zh) * 2011-05-16 2014-03-01 Sino American Silicon Prod Inc 發光二極體基板與發光二極體
CN103403842A (zh) * 2011-08-09 2013-11-20 松下电器产业株式会社 氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法
JP5724819B2 (ja) * 2011-10-17 2015-05-27 日立金属株式会社 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子
US9184344B2 (en) * 2012-01-25 2015-11-10 Invenlux Limited Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same
JP5673581B2 (ja) * 2012-02-24 2015-02-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、ランプ、並びに、レチクル
JP5811009B2 (ja) * 2012-03-30 2015-11-11 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体
JP6020357B2 (ja) * 2013-05-31 2016-11-02 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体
JP5997373B2 (ja) * 2013-08-21 2016-09-28 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
US20170062655A1 (en) 2017-03-02
US9812322B2 (en) 2017-11-07
TWI626762B (zh) 2018-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9355840B2 (en) High quality devices growth on pixelated patterned templates
US9034739B2 (en) Semiconductor devices and fabrication methods
KR101354516B1 (ko) 장치의 제조 방법
CN110797442A (zh) 一种图形化衬底、led外延片及图形化衬底制备方法
US20090152565A1 (en) Pendeo epitaxial structures and devices
KR102120264B1 (ko) 발광 디바이스 및 발광 디바이스를 제조하기 위한 방법
US20130280893A1 (en) Method for production of selective growth masks using imprint lithography
JP2014078653A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法
JP2009054882A (ja) 発光装置の製造方法
JP7000163B2 (ja) 結晶基板上において、以下の材料：ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１つを用いて得られる窒化物の半極性層を得ることを可能にする方法
TWI464778B (zh) 具有奈米微構造基板的製備方法
US8482103B2 (en) Nitride semiconductor template and fabricating method thereof
TWI626762B (zh) 具有圖案化結構之藍寶石基板
CN108023002A (zh) 一种图形化衬底及其制作方法
JP2005183997A (ja) 発光素子用窒化物半導体テンプレートおよびその製造方法
CN103378218A (zh) 一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法
KR101391739B1 (ko) 사파이어 기판의 표면 패턴 형성 방법
CN103137797A (zh) 发光二极管的制备方法
Kim et al. Pretreatment by selective ion-implantation for epitaxial lateral overgrowth of GaN on patterned sapphire substrate
TWI644452B (zh) 具有圖樣化結構之藍寶石基板
US10903076B2 (en) Material selective regrowth structure and method
WO2019127422A1 (zh) 一种led结构及其制备方法
Sun et al. A Study on the fabrication of nanostructures with high aspect ratio and large area uniformity
TWI626767B (zh) Ultraviolet light-emitting diode and its substrate and the substrate thereof law
Hsueh et al. Performance of InGaN Light‐Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates with Modified Top‐Tip Cone Shapes