JP2008281816A - 光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コア部96及びミラー87,88が配置された第1の領域Aの両側に配置され、光信号の伝送に寄与しない第2の領域Bに対応する部分の光導波路本体85を貫通し、発光素子13の端子111又は受光素子14の端子114と接続される貫通ビア91,92を設けると共に、発光素子13及び受光素子14と対向する側の第1の領域Aに対応する部分の光導波路本体85を、発光素子13及び受光素子14と対向する側の第2の領域Bに対応する部分の光導波路本体85よりも突出させた。
【選択図】図8
Description
前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、前記ミラー形成工程後に、前記第1の貫通孔と対向する貫通孔を有した前記第2のクラッド層を形成する第2のクラッド層形成工程と、前記第1及び第2の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、前記光導波路にビルドアップ構造体を形成するビルドアップ構造体形成工程と、前記ビルドアップ構造体形成工程後、前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法が提供される。
図8は、本発明の第1の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。
図27は、本発明の第2の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。図27において、第1の実施の形態の光電気混載基板10と同一構成部分には同一符号を付す。
図28は、本発明の第3の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。図28において、第1の実施の形態の光電気混載基板10と同一構成部分には同一符号を付す。
11,141,142 配線基板
12,144,145 光導波路
13 発光素子
14 受光素子
15,16 アンダーフィル樹脂
21,153,154 基板本体
21A,29A,39A,121A,123A,191A 上面
21B,57A,69A 下面
22〜24,91,92 貫通ビア
31〜33,42〜44,61〜63,72〜74,164,165,172,173 ビア
25〜27,35〜37,46〜48,53〜55,65〜67,76〜78,167,168,175,176 配線
29,39,57,69,163,171 絶縁層
51,81,178,181 ソルダーレジスト
51A,81A,81B,81C,181A,185,186,188,189 開口部
85 光導波路本体
87,88 ミラー
91,92 貫通ビア
95 第1のクラッド層
96,153 コア部
95A,96A,97A,97B,98A,98B,99A,99B,163A,163B,171A,181B 面
97 第2のクラッド層
98,99,125 コア材
101,102 溝部
101A,102A 傾斜面
104,105,107,108 貫通孔
111,114 端子
112 発光部
115 受光部
121 金属板
123,191,192 金属膜
127,128 アライメントマーク
147,148 第1のコネクタ
147A,148A 挿入部
149 第2のコネクタ
151 光ファイバ
154 クラッド部
161 ビルドアップ構造体
A 第1の領域
B 第2の領域
D1,D2 距離
E1,E2 中心位置
G1,I1,J1,K1 実際の距離,
G,I,J,K 最適な距離
H 高さの差
L1,L2 切断位置
M1〜M3 厚さ
θ1,θ2 角度
Claims (8)
- 発光素子及び/又は受光素子と対向する第1のクラッド層と、第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路であって、
前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第1の領域と、前記第1の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第2の領域とを有し、
前記第2の領域に対応する部分の前記光導波路本体を貫通し、前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを設けると共に、
前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第1の領域に対応する部分の前記光導波路本体を、前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第2の領域に対応する部分の前記光導波路本体よりも突出させたことを特徴とする光導波路。 - 前記第1のクラッド層を前記第1の領域に対応する部分の前記光導波路本体にのみ設けたことを特徴とする請求項1記載の光導波路。
- 前記貫通ビアの両端面を、前記第2の領域に対応する部分の前記光導波路本体の両面と略面一にしたことを特徴とする請求項1又は2記載の光導波路。
- 発光素子及び/又は受光素子と対向する第1のクラッド層と、第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路の製造方法であって、
前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第1の領域と、前記第1の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第2の領域とを有し、
前記第1の領域に対応する部分の金属板上に、前記第1のクラッド層を形成する第1のクラッド層形成工程と、
前記第2の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第1のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記第1のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、
前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第2の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第1の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、
前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、
前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
前記ミラー形成工程後に、前記第1の貫通孔と対向する第2の貫通孔を有した前記第2のクラッド層を形成する第2のクラッド層形成工程と、
前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、
前記金属板及び金属膜除去工程後、前記第1及び第2の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記金属板及び金属膜除去工程では、前記金属板及び前記金属膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項4記載の光導波路の製造方法。
- 発光素子及び/又は受光素子と対向する第1のクラッド層と、第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーとを備えた光導波路と、
積層された絶縁層、ビア、及び配線を有するビルドアップ構造体と、を備えた光電気混載基板の製造方法であって、
前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第1の領域と、前記第1の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第2の領域とを有し、
前記第1の領域に対応する部分の金属板上に、前記第1のクラッド層を形成する第1のクラッド層形成工程と、
前記第2の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第1のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記第1のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、
前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第2の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第1の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、
前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、
前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
前記ミラー形成工程後に、前記第1の貫通孔と対向する貫通孔を有した前記第2のクラッド層を形成する第2のクラッド層形成工程と、
前記第1及び第2の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、
前記光導波路にビルドアップ構造体を形成するビルドアップ構造体形成工程と、
前記ビルドアップ構造体形成工程後、前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法。 - 前記貫通ビアは、前記ビルドアップ構造体形成工程において形成されることを特徴とする請求項6記載の光電気混載基板の製造方法。
- 前記金属板及び金属膜除去工程では、前記金属板及び前記金属膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項6又は7記載の光電気混載基板の製造方法。
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