JP2008281816A - 光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、光信号の伝送損失を低減することのできる光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】コア部９６及びミラー８７，８８が配置された第１の領域Ａの両側に配置され、光信号の伝送に寄与しない第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５を貫通し、発光素子１３の端子１１１又は受光素子１４の端子１１４と接続される貫通ビア９１，９２を設けると共に、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第１の領域Ａに対応する部分の光導波路本体８５を、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５よりも突出させた。
【選択図】図８

Description

本発明は、光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法に係り、特に発光素子と受光素子との間の光信号の伝送を行う光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法に関する。

近年、情報通信の高速化に伴い、情報通信の媒体として、電気信号に変えて光が使用されている。このような光通信分野においては、光信号から電気信号への変換や電気信号から光信号への変換を行う必要や、光通信において光に対して変調等の各種処理を行う必要がある。このため、上記変換処理を行う光電気混載基板の開発が進められている。

図１は、従来の光電気混載基板の断面図である。

図１に示すように、従来の光電気混載基板２００は、配線基板２０１と、光導波路２０２と、発光素子２０３と、受光素子２０４と、アンダーフィル樹脂２０６，２０７とを有する。

配線基板２０１は、基板本体２１１と、貫通ビア２１２，２１３と、上部配線２１５，２１６，２２３，２２４と、絶縁層２１８，２３１と、ビア２２１，２２２，２３３，２３４と、ソルダーレジスト２２６，２３９と、下部配線２２８，２２９，２３６，２３７とを有する。

基板本体２１１は、板状とされたコア基板である。貫通ビア２１２，２１３は、基板本体２１１を貫通するように設けられている。貫通ビア２１２は、その上端部が上部配線２１５と接続されており、下端部が下部配線２２８と電気的に接続されている。貫通ビア２１３は、その上端部が上部配線２１６と接続されており、下端部が下部配線２２９と電気的に接続されている。

上部配線２１５，２１６は、基板本体２１１の上面２１１Ａに設けられている。絶縁層２１８は、上部配線２１５，２１６を覆うように、基板本体２１１の上面２１１Ａに設けられている。ビア２２１は、上部配線２１５上に配置された絶縁層２１８を貫通するように設けられている。ビア２２１の下端部は、上部配線２１５と接続されている。ビア２２２は、上部配線２１６上に配置された絶縁層２１８を貫通するように設けられている。ビア２２２の下端部は、上部配線２１６と接続されている。

上部配線２２３は、ビア２２１の形成位置に対応する部分の絶縁層２１８上に設けられている。上部配線２２３は、ビア２２１の上端部と接続されている。上部配線２２３は、発光素子２０３と電気的に接続されるパッド部２４１を有する。上部配線２２４は、ビア２２２の形成位置に対応する部分の絶縁層２１８上に設けられている。上部配線２２４は、ビア２２２の上端部と接続されている。上部配線２２４は、受光素子２０４と電気的に接続されるパッド部２４２を有する。

ソルダーレジスト２２６は、パッド部２４１，２４２を露出する開口部を有する。ソルダーレジスト２２６は、パッド部２４１，２４２を除いた部分の上部配線２２３，２２４を覆うように、絶縁層２１８上に設けられている。

下部配線２２８，２２９は、基板本体２１１の下面２１１Ｂに設けられている。絶縁層２３１は、下部配線２２８，２２９を覆うように、基板本体２１１の下面２１１Ｂに設けられている。ビア２３３は、下部配線２２８の下方に配置された絶縁層２３１を貫通するように設けられている。ビア２３３の上端部は、下部配線２２８と接続されている。ビア２３４は、下部配線２２９の下方に配置された絶縁層２３１を貫通するように設けられている。ビア２３４の上端部は、上部配線２２９と接続されている。

下部配線２３６は、ビア２３３の形成位置に対応する部分の絶縁層２３１の下面に設けられている。下部配線２３６は、ビア２３３の下端部と接続されている。下部配線２３６は、外部接続用パッド部２４５を有する。下部配線２３７は、ビア２３４の形成位置に対応する部分の絶縁層２３１の下面に設けられている。下部配線２３７は、ビア２３４の下端部と接続されている。下部配線２３７は、外部接続用パッド部２４６を有する。

ソルダーレジスト２３９は、外部接続用パッド部２４５，２４６を露出する開口部を有する。ソルダーレジスト２３９は、外部接続用パッド部２４５，２４６を除いた部分の下部配線２３６，２３７を覆うように、絶縁層２３１の下面に設けられている。

光導波路２０２は、接着剤により、ソルダーレジスト２２６上に接着されている。光導波路２０２は、クラッド層２５５、コア部２５６、及びクラッド層２５７が積層された光導波路本体２５１と、光導波路本体２５１の傾斜面２５１Ａに設けられたミラー２５３と、光導波路本体２５１の傾斜面２５１Ｂに設けられたミラー２５４とを有する。

図２は、図１に示す発光素子が接続された部分の光電気混載基板を拡大した断面図である。

図１及び図２を参照するに、発光素子２０３は、端子２６１と、光信号を照射する発光部２６２とを有する。端子２６１は、はんだ２６４によりパッド部２４１上に固定されている。発光部２６２は、コア部２５６に設けられた部分のミラー２５３と対向するように、ミラー２５３の上方に配置されている。発光部２６２から照射された光信号は、ミラー２５３によりコア部２５６に反射される。

光電気混載基板２００の特性としては、発光素子２０３と光導波路２０２との間における光信号の伝送損失が小さいことが重要である。発光素子２０３と光導波路２０２との間における光信号の伝送損失を小さくするためには、コア部２５６に設けられたミラー２５３の中心位置Ｓ_１（光軸中心位置）からパッド部２４１の中心位置までの距離Ｒ_１を所定の距離Ｒ_Ａにすると共に、発光部２６２からコア部２５６に設けられたミラー２５３の中心位置Ｓ_１（光軸中心位置）までの距離Ｎ_１を所定の距離Ｎ_Ａにすることが重要である。

図３は、図１に示す受光素子が接続された部分の光電気混載基板を拡大した断面図である。

図１及び図３を参照するに、受光素子２０４は、端子２６６と、光信号を照射する受光部２６７とを有する。端子２６６は、はんだ２６４によりパッド部２４２上に固定されている。受光部２６７は、コア部２５６に設けられた部分のミラー２５４と対向するように、ミラー２５４の上方に配置されている。受光部２６７は、ミラー２５４により反射された光信号を受光するためのものである。

光電気混載基板２００の特性としては、受光素子２０４と光導波路２０２との間における光信号の伝送損失が小さいことが重要である。受講素子２０４と光導波路２０２との間における光信号の伝送損失を小さくするためには、コア部２５６に設けられたミラー２５４の中心位置Ｓ_２（光軸中心位置）からパッド部２４２の中心位置までの距離Ｒ_２を所定の距離Ｒ_Ｂにすると共に、受光部２６７からコア部２５６に設けられたミラー２５４の中心位置（光軸中心位置）までの距離Ｎ_２を所定の距離Ｎ_Ｂにすることが重要である。

アンダーフィル樹脂２０６は、光信号を透過可能な透光性樹脂であり、発光素子２０３と配線基板２０１及び光導波路２０２との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂２０７は、光信号を透過可能な透光性樹脂であり、受光素子２０４と配線基板２０１及び光導波路２０２との隙間を充填するように設けられている。

図４〜図７は、従来の光電気混載基板の製造工程を示す図である。図４〜図７において、従来の光電気混載基板２００と同一構成部分には同一符号を付す。

図４〜図７を参照して、従来の光電気混載基板２００の製造方法について説明する。始めに、図４に示す工程では、周知の手法により、配線基板２０１を形成する。

次いで、図５に示す工程では、周知の手法により、光導波路２０２を形成する。具体的には、支持基板（具体的には、樹脂からなる基板）上に、クラッド層２５７、コア部２５６、及びクラッド層２５５を順次積層し、次いで、クラッド層２５７、コア部２５６、及びクラッド層２５５からなる構造体の両端部をダイシングブレードにより切断して、傾斜面２５１Ａ，２５１Ｂを形成し、次いで、傾斜面２５１Ａ，２５１Ｂに金属膜を成膜して、ミラー２５３，２５４を形成し、その後、支持基板を剥がすことにより、光導波路２０２を形成する。

次いで、図６に示す工程では、接着剤により、配線基板２０１のソルダーレジスト２２６上に、光導波路２０２を接着する。次いで、図７に示す工程では、発光素子２０３及び受光素子２０４を配線基板２０１に実装し、その後、アンダーフィル樹脂２０６，２０７を形成する。これにより、光電気混載基板２００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−２８１４７９号公報

しかしながら、従来の光電気混載基板２００では、発光素子２０３の端子２６１及び受光素子２０４の端子２６６を、光導波路２０２とは別体として製造された配線基板２０１のパッド部２４１，２４２に接続させていたため、ミラー２５３の中心位置Ｓ_１（光軸中心位置）からパッド部２４１の中心位置までの距離Ｒ_１、発光部２６２からミラー２５３の中心位置Ｓ_１（光軸中心位置）までの距離Ｎ_１、ミラー２５４の中心位置Ｓ_２（光軸中心位置）からパッド部２４２の中心位置までの距離Ｒ_２、及び受光部２６７からミラー２５４の中心位置Ｓ_２（光軸中心位置）までの距離Ｎ_２が、それぞれ所定の距離Ｒ_Ａ，Ｎ_Ａ，Ｒ_Ｂ，Ｎ_Ｂとなるように、光導波路２０２、発光素子２０３、及び受光素子２０４を配線基板２０１に精度良く配設することが困難であった。

そのため、発光素子２０３と光導波路２０２との間の光信号の伝送損失、及び受光素子２０４と光導波路２０２との間の光信号の伝送損失が大きくなってしまうという問題があった。

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、光信号の伝送損失を低減することのできる光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路であって、前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、前記第２の領域に対応する部分の前記光導波路本体を貫通し、前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを設けると共に、前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第１の領域に対応する部分の前記光導波路本体を、前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第２の領域に対応する部分の前記光導波路本体よりも突出させたことを特徴とする光導波路が提供される。

本発明によれば、第２の領域に対応する部分の光導波路本体を貫通し、発光素子の端子又は受光素子の端子と接続される貫通ビアを設けることにより、配線基板に発光素子又は受光素子を実装した場合と比較して、発光素子及び受光素子の最適な配設位置に対する実際に配置された発光素子及び受光素子の相対的な位置のずれ量を小さくすることが可能となる。これにより、発光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失、及び受光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

また、発光素子又は受光素子と対向する側の第１の領域に対応する部分の光導波路本体を、発光素子又は受光素子と対向する側の第２の領域に対応する部分の光導波路本体よりも突出させることにより、発光素子の光信号を照射する発光部と受光素子の光信号を受光する受光部とをミラーに近接させて配置する（言い換えれば、光導波路に近接させて配置する）ことが可能となる。これにより、発光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失、及び受光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

本発明の他の観点によれば、発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路の製造方法であって、前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、前記第１の領域に対応する部分の金属板上に、前記第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、前記第２の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第１のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記第１のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第２の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第１の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、前記ミラー形成工程後に、前記第１の貫通孔と対向する第２の貫通孔を有した前記第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と、前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、前記金属板及び金属膜除去工程後、前記第１及び第２の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、を含むことを特徴とする光導波路の製造方法が提供される。

本発明によれば、コア材をパターニングして、コア部と、ミラーが配設される傾斜面をコア部に形成する際に使用するアライメントマークとを同時に形成することにより、コア部とアライメントマークとを別々に形成した場合と比較して、光導波路の製造コストを低減することができる。

また、アライメントマークに基づいて、コア部を切断してコア部に傾斜面を形成することにより、精度良くコア部の所定の位置に傾斜面を形成することが可能となる。これにより、ミラーが形成される傾斜面の位置精度が向上するため、発光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失、及び受光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

本発明のその他の観点によれば、発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーとを備えた光導波路と、積層された絶縁層、ビア、及び配線を有するビルドアップ構造体と、を備えた光電気混載基板の製造方法であって、前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、前記第１の領域に対応する部分の金属板上に、前記第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、前記第２の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第１のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記第１のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第２の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第１の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、
前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、前記ミラー形成工程後に、前記第１の貫通孔と対向する貫通孔を有した前記第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と、前記第１及び第２の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、前記光導波路にビルドアップ構造体を形成するビルドアップ構造体形成工程と、前記ビルドアップ構造体形成工程後、前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、コア材をパターニングして、コア部と、ミラーが配設される傾斜面をコア部に形成する際に使用するアライメントマークとを同時に形成することにより、コア部とアライメントマークとを別々に形成した場合と比較して、光電気混載基板の製造コストを低減することができる。

また、アライメントマークに基づいて、コア部を切断してコア部に傾斜面を形成することにより、精度良くコア部の所定の位置に傾斜面を形成することが可能となる。これにより、ミラーが形成される傾斜面の位置精度が向上するため、発光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失、及び受光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

さらに、光導波路にビルドアップ構造体を形成することにより、光導波路とビルドアップ構造体とを別々に製造した場合と比較して、光電気混載基板の生産性を向上させることができる。

本発明によれば、発光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失、及び／又は受光素子と光導波路との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（第１の実施の形態）
図８は、本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。

図８を参照するに、第１の実施の形態の光電気混載基板１０は、配線基板１１と、光導波路１２と、発光素子１３と、受光素子１４と、アンダーフィル樹脂１５，１６とを有する。

配線基板１１は、基板本体２１と、貫通ビア２２〜２４と、配線２５〜２７，３５〜３７，４６〜４８，５３〜５５，６５〜６７，７６〜７８と、ビア３１〜３３，４２〜４４，６１〜６３，７２〜７４と、絶縁層２９，３９，５７，６９と、ソルダーレジスト５１，８１とを有する。

基板本体２１は、板状とされた基板である。貫通ビア２２〜２４は、基板本体２１を貫通するように設けられている。貫通ビア２２は、その上端部が配線２５と接続されており、下端部が配線５３と接続されている。貫通ビア２３は、その上端部が配線２６と接続されており、下端部が配線５４と接続されている。貫通ビア２４は、その上端部が配線２７と接続されており、下端部が配線５５と接続されている。

配線２５〜２７は、基板本体２１の上面２１Ａに設けられている。配線２５は、貫通ビア２２の上端部と接続されている。配線２６は、貫通ビア２３の上端部と接続されている。配線２７は、貫通ビア２４の上端部と接続されている。絶縁層２９は、配線２５〜２７を覆うように、基板本体２１の上面２１Ａに設けられている。

ビア３１は、配線２５上に配置された部分の絶縁層２９を貫通するように設けられている。ビア３１の下端部は、配線２５と接続されている。ビア３２は、配線２６上に配置された部分の絶縁層２９を貫通するように設けられている。ビア３２の下端部は、配線２６と接続されている。ビア３３は、配線２７上に配置された部分の絶縁層２９を貫通するように設けられている。ビア３３の下端部は、配線２７と接続されている。

配線３５〜３７は、絶縁層２９の上面２９Ａに設けられている。配線３５は、ビア３１の上端部と接続されている。配線３６は、ビア３２の上端部と接続されている。配線３７は、ビア３３の上端部と接続されている。絶縁層３９は、配線３５〜３７を覆うように、絶縁層２９の上面２９Ａに設けられている。

ビア４２は、配線３５上に配置された部分の絶縁層３９を貫通するように設けられている。ビア４２の下端部は、配線３５と接続されている。ビア４３は、配線３６上に配置された部分の絶縁層３９を貫通するように設けられている。ビア４３の下端部は、配線３６と接続されている。ビア４４は、配線３７上に配置された部分の絶縁層３９を貫通するように設けられている。ビア４４の下端部は、配線３７と接続されている。

配線４６〜４８は、絶縁層３９の上面３９Ａに設けられている。配線４６は、ビア４２の上端部と接続されている。配線４７は、ビア４３の上端部と接続されている。配線４８は、ビア４４の上端部と接続されている。

ソルダーレジスト５１は、絶縁層３９の上面３９Ａの一部、配線４６，４８の一部、及び配線４７を露出する開口部５１Ａを有する。開口部５１Ａは、光導波路１２が実装される領域である。

配線５３〜５５は、基板本体２１の下面２１Ｂに設けられている。配線５３は、貫通ビア２２の下端部と接続されている。配線５４は、貫通ビア２３の下端部と接続されている。配線５５は、貫通ビア２４の下端部と接続されている。絶縁層５７は、配線５３〜５５を覆うように、基板本体２１の下面２１Ｂに設けられている。

ビア６１は、配線５３の下面側に配置された部分の絶縁層５７を貫通するように設けられている。ビア６１の上端部は、配線５３と接続されている。ビア６２は、配線５４の下面側に配置された部分の絶縁層５７を貫通するように設けられている。ビア６２の上端部は、配線５４と接続されている。ビア６３は、配線５５の下面側に配置された部分の絶縁層５７を貫通するように設けられている。ビア６３の上端部は、配線５５と接続されている。

配線６５〜６７は、絶縁層５７の下面５７Ａに設けられている。配線６５は、ビア６１の下端部と接続されている。配線６６は、ビア６２の下端部と接続されている。配線６７は、ビア６３の下端部と接続されている。絶縁層６９は、配線６５〜６７を覆うように、絶縁層５７の下面５７Ａに設けられている。

ビア７２は、配線６５の下面側に配置された部分の絶縁層６９を貫通するように設けられている。ビア７２の上端部は、配線６５と接続されている。ビア７３は、配線６６の下面側に配置された部分の絶縁層６９を貫通するように設けられている。ビア７３の上端部は、配線６６と接続されている。ビア７４は、配線６７の下面側に配置された部分の絶縁層６９を貫通するように設けられている。ビア７４の上端部は、配線６７と接続されている。

配線７６〜７８は、絶縁層６９の下面６９Ａに設けられている。配線７６は、ビア７２の下端部と接続されている。配線７７は、ビア７３の下端部と接続されている。配線７８は、ビア７４の下端部と接続されている。

ソルダーレジスト８１は、配線７６〜７８の一部を覆うように、絶縁層６９の下面６９Ａに設けられている。ソルダーレジスト８１は、配線７６の下面の一部を露出する開口部８１Ａと、配線７７の下面の一部を露出する開口部８１Ｂと、配線７７の下面の一部を露出する開口部８１Ｃとを有する。開口部８１Ａ〜８１Ｃに露出された部分の配線７６〜７８は、光電気混載基板１０の外部接続用パッドとして機能する。

図９は、図８に示す光電気混載基板を拡大した断面図であり、図１０は、図９に示す光導波路の平面図であり、図１１は、図１０に示す光導波路のＣ−Ｃ線方向の断面図である。

図９〜図１１を参照するに、光導波路１２は、開口部５１Ａに露出された部分の配線４６〜４８上に接着されており、光導波路本体８５と、ミラー８７，８８と、貫通ビア９１，９２とを有する。光導波路本体８５は、コア部９６及びミラー８７，８８が配置され、光信号を伝送する第１の領域Ａと、第１の領域Ａの両側に配置され、光信号の伝送に寄与しない第２の領域Ｂと、第１のクラッド層９５と、コア部９６と、第２のクラッド層９７と、コア材９８，９９とを有する。

第１の領域Ａに対応する部分の光導波路本体８５は、第１のクラッド層９５、コア部９６、及び第２のクラッド層９７が積層された構成とされている。第１の領域Ａの一方の側に配置された第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５は、コア部９６と略厚さの等しいコア材９８と第２のクラッド層９７とが積層された構成とされている。第２の領域Ｂのうち、コア材９８が配設された部分の光導波路本体８５は、発光素子１３の端子１１１と接続される貫通ビア９１が配設される領域である。

第１の領域Ａの他方の側に配置された第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５は、コア部９６と略厚さの等しいコア材９９と第２のクラッド層９７とが積層された構成とされている。第２の領域Ｂのうち、コア材９９が配設された部分の光導波路本体８５は、受光素子１４の端子１１４と接続される貫通ビア９２が配設される領域である。

第１のクラッド層９５は、コア部９６の面９６Ａ及び第１の領域Ａに配設された部分の第２のクラッド層９７の面９７Ａのみを覆うように設けられている。つまり、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第１の領域Ａに対応する部分の光導波路本体８５は、発光素子１３の端子１１１が接続される貫通ビア９１と、受光素子１４の端子１１４が接続される貫通ビア９２とが配設される第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５よりも突出している。

このように、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第１の領域Ａに対応する部分の光導波路本体８５を、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５よりも突出させることにより、発光素子１３の後述する発光部１１２をミラー８７に近接させて配置することや、受光素子１４の後述する受光部１１５をミラー８８に近接させて配置する（言い換えれば、発光部１１２及び受光部１１５を光導波路１２の第１のクラッド層９５に近接させて配置する）ことが可能となる。

これにより、発光素子１３及び受光素子１４と光導波路１２との間における光信号の発散を抑制することが可能となるので、発光素子１３と光導波路１２の間の光信号の伝送損失、及び受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。発光素子１３の発光部１１２と第１のクラッド層９５との距離Ｄ_１は、例えば、５μｍとすることができる。また、受光素子１４の受光部１１５と第１のクラッド層９５との距離Ｄ_２は、例えば、５μｍとすることができる。第１のクラッド層９５の厚さＭ１は、例えば、１５μｍとすることができる。

コア部９６は、第１のクラッド層９５と第１の領域Ａに配置された部分の第２のクラッド層９７との間に複数設けられている。コア部９６は、光信号を伝送するためのものであり、第１の領域Ａに配置されている。コア部９６は、溝部１０１，１０２を有する。溝部１０１は、発光素子１３の下方に配置された部分のコア部９６に形成されている。溝部１０１は、ミラー８７が配設される傾斜面１０１Ａを有する。傾斜面１０１Ａは、コア部９６の面９６Ａとの成す角度θ_１が４５度となるように構成された面である。

溝部１０２は、受光素子１４の下方に配置された部分のコア部９６に形成されている。溝部１０２は、ミラー８８が配設される傾斜面１０２Ａを有する。傾斜面１０２Ａは、コア部９６の面９６Ａとの成す角度θ_２が４５度となるように構成された面である。コア部９６は、第１及び第２のクラッド層９５，９７よりも屈折率の大きいコア材により構成されている。コア部８２の厚さＭ２は、例えば、３５μｍとすることができる。また、コア部９６の配設ピッチは、例えば、２５０μｍとすることができる。

第２のクラッド層９７は、導電性接着剤（図示せず）により、開口部５１Ａに露出された配線４６〜４８上に接着されている。第２のクラッド層９７は、コア部９６に形成された溝部１０１，１０２を充填すると共に、コア部９６の面９６Ａとコア材９８，９９の面９８Ａ，９９Ａとを覆うように設けられている。第２のクラッド層９７は、第２の貫通孔である貫通孔１０４，１０５を有する。貫通孔１０４は、コア材９８の配設領域に対応する部分の第２のクラッド層９７を貫通するように形成されている。貫通孔１０４の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。貫通孔１０５は、コア材９９の配設領域に対応する部分の第２のクラッド層９７を貫通するように形成されている。貫通孔１０５の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。第２のクラッド層９７の厚さＭ３は、例えば、１５μｍとすることができる。

コア材９８は、発光素子１３の下方に配置された第２の領域Ｂに対応する部分の第２のクラッド層９７上に設けられている。コア材９８は、コア部９６を形成する際に用いるコア材と同一の材料であり、コア部９６の厚さＭ２と略等しい厚さとされている。コア材９８は、第１の貫通孔である貫通孔１０７を有する。貫通孔１０７は、貫通孔１０４と対向する部分のコア材９８を貫通するように形成されている。貫通孔１０７の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。

コア材９９は、受光素子１４の下方に配置された第２の領域Ｂに対応する部分の第２のクラッド層９７上に設けられている。コア材９９は、コア部９６を形成する際に用いるコア材と同一の材料であり、コア部９６の厚さＭ２と略等しい厚さとされている。コア材９９は、第１の貫通孔である貫通孔１０８を有する。貫通孔１０８は、貫通孔１０４と対向する部分のコア材９８を貫通するように形成されている。貫通孔１０８の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。

ミラー８７は、傾斜面１０１Ａに対応する部分のコア部９６に設けられている。ミラー８７は、発光素子１３から照射された光信号をコア部９６に反射するためのものである。ミラー８７としては、例えば、Ａｌ膜（厚さは、例えば、０．２μｍ）を用いることができる。

ミラー８８は、傾斜面１０２Ａに対応する部分のコア部９６に設けられている。ミラー８８は、光信号を受光素子１４に向けて反射するためのものである。ミラー８８としては、例えば、Ａｌ膜（厚さは、例えば、０．２μｍ）を用いることができる。

貫通ビア９１は、光導波路本体８５に形成された貫通孔１０４，１０７に設けられている。貫通ビア９１の上端部は、発光素子１３の端子１１１が接続されており、貫通ビア９１の下端部は、配線４６と電気的に接続されている。貫通ビア９１は、発光素子１３と配線４６とを電気的に接続するためのものである。

このように、発光素子１３の端子１１１が接続される貫通ビア９１を光導波路本体８５に設けることにより、コア部９６に設けられたミラー８７の中心位置Ｅ_１（光軸中心位置）から貫通ビア９１の中心位置までの実際の距離Ｇ_１とミラー８７の中心位置Ｅ_１（光軸中心位置）から貫通ビア９１の中心位置までの最適な距離Ｇとの差と、発光素子１３の発光部１１２からミラー８７の中心位置Ｅ_１までの実際の距離Ｉ_１と発光部１１２からミラー８７の中心位置Ｅ_１までの最適な距離Ｉとの差とを小さくすることが可能となるため、発光素子１３と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。最適な距離Ｇは、例えば、１５５μｍとすることができる。また、最適な距離Ｉは、例えば、３２．５μｍとすることができる。

貫通ビア９１の上端面は、コア材９８の面９８Ｂと略面一とされており、貫通ビア９１の下端部は、第２のクラッド層９７の下面と略面一とされている。言い換えれば、貫通ビア９１の両端面は、第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５の両面と略面一とされている。

このように、貫通ビア９１の両端面を第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５の両面と略面一にすることで、貫通ビア９１に発光素子１３の端子１１１を接続するときの接続信頼性を向上させることができる。

貫通ビア９２は、光導波路本体８５に形成された貫通孔１０５，１０８に設けられている。貫通ビア９２の上端部は、受光素子１４の端子１１４が接続されており、貫通ビア９２の下端部は、配線４８と電気的に接続されている。貫通ビア９２は、受光素子１４と配線４８とを電気的に接続するためのものである。

このように、受光素子１４の端子１１４が接続される貫通ビア９２を光導波路本体８５に設けることにより、コア部９６に設けられたミラー８８の中心位置Ｅ_２（光軸中心位置）から貫通ビア９２の中心位置までの実際の距離Ｊ_１とミラー８８の中心位置Ｅ_２（光軸中心位置）から貫通ビア９２の中心位置までの最適な距離Ｊとの差と、受光素子１４の発光部１１４からミラー８８の中心位置Ｅ_２までの実際の距離Ｋ_１と受光部１１５からミラー８８の中心位置Ｅ_２までの最適な距離Ｋとの差とを小さくすることが可能となるため、受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。最適な距離Ｊは、例えば、１５５μｍとすることができる。また、最適な距離Ｋは、例えば、３２．５μｍとすることができる。

貫通ビア９２の上端面は、コア材９９の上面９９Ｂと略面一とされており、貫通ビア９２の下端部は、第２のクラッド層９７の下面と略面一とされている。言い換えれば、貫通ビア９２の両端面は、第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５の両面と略面一とされている。

このように、貫通ビア９２の両端面を第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５の両面と略面一にすることで、貫通ビア９２に受光素子１４の端子１１４を接続するときの接続信頼性を向上させることができる。

発光素子１３は、ミラー８７及び貫通ビア９１の形成位置に対応する部分の光導波路１２上に配置されている。発光素子１３は、端子１１１と、光信号を照射する発光部１１２とを有する。端子１１１は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９１上に固定されている。発光部１１２は、ミラー８７の中心位置Ｅ_１（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８７の上方に配置されている。発光素子１３としては、例えば、面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。

受光素子１４は、ミラー８８及び貫通ビア９２の形成位置に対応する部分の光導波路１２上に配置されている。受光素子１４は、端子１１４と、光信号を照射する受光部１１５とを有する。端子１１４は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９２上に固定されている。受光部１１５は、ミラー８８の中心位置Ｅ_２（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８８の上方に配置されている。受光素子１４としては、例えば、フォトダイオード素子（ＰＤ）を用いることができる。

アンダーフィル樹脂１５は、発光素子１３と光導波路１２との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１６は、受光素子１４と光導波路１２との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１５，１６としては、光信号を透過可能な透光性樹脂を用いることができる。

本実施の形態の光電気混載基板によれば、コア部９６及びミラー８７，８８が配置され、光信号を伝送する第１の領域Ａの両側に配置された第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５に、発光素子１３の端子１１１と接続される貫通ビア９１と、受光素子１４の端子１１４と接続される貫通ビア９２とを設けることにより、配線基板１１に発光素子１３及び受光素子１４を実装した場合と比較して、発光素子１３及び受光素子１４の最適な配設位置に対する実際に配置された発光素子１３及び受光素子１４の相対的な位置のずれ量を小さくすることが可能となる。これにより、発光素子１３と光導波路１２との間の光信号の伝送損失、及び受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

また、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第１の領域Ａに対応する部分の光導波路本体８５を、発光素子１３及び受光素子１４と対向する側の第２の領域Ｂに対応する部分の光導波路本体８５よりも突出させることにより、発光素子１３の発光部１１２をミラー８７に近接させて配置することが可能になると共に、受光素子１４の受光部１１５とをミラー８８に近接させて配置することが可能となるため、発光素子１３と光導波路１２との間の光信号の伝送損失、及び受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

図１２〜図２４は、本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図であり、図２５は、図１６に示す構造体の平面図であり、図２６は、図１７に示す構造体の平面図である。図１２〜図２６において、第１の実施の形態の光電気混載基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図２６において、Ｌ_１，Ｌ_２は、ダイシングブレードがコア部９６を切断する位置（以下、「切断位置Ｌ_１，Ｌ_２」とする）を示している。

図１２〜図２６を参照して、第１の実施の形態の光電気混載基板１０の製造方法について説明する。始めに、図１２に示す工程では、周知の手法により、配線基板１１を形成する。次いで、図１３に示す工程では、コア部９６及びミラー８７，８８が形成される第１の領域Ａと、第１の領域Ａの両側に配置された第２の領域Ｂとを有した金属板１２１を準備する。金属板１２１は、光導波路１２を形成する際の支持基板である。金属板１２１としては、例えば、Ｃｕ板を用いることができる。

このように、光導波路１２を形成する際の支持基板として、金属板１２１を用いることにより、後述する図２１に示す工程において、不要となった金属板１２１をエッチング法（具体的には、例えば、ウエットエッチング法）により除去することができる。

次いで、図１４に示す工程では、第１の領域Ａに対応する部分の金属板１２１の上面１２１Ａに、第１のクラッド層９５を形成する（第１のクラッド層形成工程）。具体的には、シート状のクラッド材を貼り付け、クラッド材を露光及び現像することで、第１のクラッド層９５を形成する。第１のクラッド層９５の厚さＭ１は、例えば、１５μｍとすることができる。

次いで、図１５に示す工程では、金属板１２１に給電層とする電解めっき法により、第２の領域Ｂに対応する部分の金属板１２１の上面１２１Ａに金属膜１２３を形成する（金属膜形成工程）。このとき、金属膜１２３の上面１２３Ａが第１のクラッド層９５の面９５Ａと略面一となる（金属膜１２３の厚さがクラッド層９５の厚さＭ１と略等しくなる）ように、金属膜１２３を形成する。

次いで、図１６に示す工程では、図２５に示すように、第１のクラッド層９５の面９５Ａと金属膜１２３の上面１２３Ａの一部とを覆うように、コア材１２５を形成する（コア材形成工程）。コア材１２５は、後述する図１７に示す工程において、パターニングされることにより、コア部９６及びコア材９８，９９となるものである。コア材１２５の厚さは、例えば、３５μｍとすることができる。

次いで、図１７に示す工程では、図１６に示すコア材１２５をパターニングして、図２６に示すように、コア部９６と、コア部９６に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成する際に使用するアライメントマーク１２７，１２８と、コア材９８に貫通孔１０７と、コア材９９に貫通孔１０８とを同時に形成する（コア部形成工程）。コア材１２５のパターニングは、コア材１２５を露光及び現像処理することで行う。アライメントマーク１２７，１２８は、第１の領域Ａに配置された部分の第１のクラッド層９５の面９５Ａ上に形成する。コア部９６の厚さＭ２は、例えば、３５μｍとすることができる。貫通孔１０７，１０８の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。

このように、コア部９６を形成するコア部形成工程において、コア部９６と、コア部９６に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成する際に使用するアライメントマーク１２７，１２８とを同時に形成することにより、コア部９６とアライメントマーク１２７，１２８とを別々に形成した場合と比較して、光導波路１２の製造コストを低減することができる。

次いで、図１８に示す工程では、ダイシングブレードにより、アライメントマーク１２７，１２８に基づいて得られる切断位置Ｌ_１，Ｌ_２を切断して、複数のコア部９６にＶ字形状とされた溝部１０１，１０２を形成する。これにより、複数のコア部９６に、傾斜面１０１Ａ，１０２Ａが形成される（傾斜面形成工程）。傾斜面１０１Ａ，１０２Ａは、コア部９６の面９６Ａとの成す角度θ_１，θ_２が４５度となるように形成する。

このように、アライメントマーク１２７，１２８に基づいて、ダイシングブレードにより複数のコア部９６を切断してコア部９６に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成することにより、精度良く所定の位置に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成することが可能となる。これにより、ミラー８７，８８が形成される傾斜面１０１Ａ，１０２Ａの位置精度が向上するため、発光素子１３と光導波路１２との間の光信号の伝送損失、及び受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

次いで、図１９に示す工程では、コア部９６の傾斜面１０１Ａにミラー８７を形成すると共に、コア部９６の傾斜面１０２Ａにミラー８８を形成する（ミラー形成工程）。具体的には、例えば、傾斜面１０１Ａ，１０２ＡにＡｌ膜（厚さは、例えば、０．２μｍ）を成膜することでミラー８７，８８を形成する。

次いで、図２０に示す工程では、貫通孔１０７と対向する貫通孔１０４と貫通孔１０８と対向する貫通孔１０５とを有した第２のクラッド層９７を、第１のクラッド層９５、コア部９６、コア材９８，９９、及びアライメントマーク１２７，１２８を覆うように形成する（第２のクラッド層形成工程）。第２のクラッド層９７の厚さＭ３は、例えば、１５μｍとすることができる。また、貫通孔１０４，１０５の直径は、例えば、７０μｍとすることができる。

次いで、図２１に示す工程では、エッチング法により、金属板１２１及び金属膜１２３を除去する（金属板及び金属膜除去工程）。これにより、光導波路本体８５が形成される。金属板１２１及び金属膜１２３は、例えば、ウエットエッチングにより除去することができる。

次いで、図２２に示す工程では、貫通孔１０４，１０７に貫通ビア９１を形成すると共に、貫通孔１０５，１０８に貫通ビア９２を形成する（貫通ビア形成工程）。これにより、光導波路１２が形成される。

次いで、図２３に示す工程では、ソルダーレジスト５１の開口部５１Ａから露出された部分の配線４６〜４８上に光導波路１２を接着する。光導波路１２を接着する際に使用する接着剤としては、例えば、導電性接着剤を用いることができる。

次いで、図２４に示す工程では、はんだ（図示せず）により貫通ビア９１上に発光素子１３の端子１１１を固定すると共に、発光素子１３と光導波路１２との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１５を形成する。次いで、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９２上に受光素子１４の端子１１４を固定すると共に、受光素子１４と光導波路１２との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１６を形成する。これにより、第１の実施の形態の光電気混載基板１０が製造される。アンダーフィル樹脂１５，１６としては、例えば、光透過性樹脂を用いることができる。

本実施の形態の光導波路の製造方法によれば、コア部９６を形成するコア部形成工程において、コア部９６と、コア部９６に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成する際に使用するアライメントマーク１２７，１２８とを同時に形成することにより、コア部９６とアライメントマーク１２７，１２８とを別々に形成した場合と比較して、光導波路１２の製造コストを低減することができる。

また、アライメントマーク１２７，１２８に基づいて、ダイシングブレードにより複数のコア部９６を切断してコア部９６に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成することにより、精度良く所定の位置に傾斜面１０１Ａ，１０２Ａを形成することが可能となる。これにより、ミラー８７，８８が形成される傾斜面１０１Ａ，１０２Ａの位置精度が向上するため、発光素子１３と光導波路１２との間の光信号の伝送損失、及び受光素子１４と光導波路１２との間の光信号の伝送損失を低減することができる。

（第２の実施の形態）
図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。図２７において、第１の実施の形態の光電気混載基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図２７を参照するに、第２の実施の形態の光電気混載基板１４０は、配線基板１４１，１４２と、光導波路１４４，１４５と、第１のコネクタ１４７，１４８と、第２のコネクタ１４９と、複数の光ファイバ１５１と、発光素子１３と、受光素子１４と、アンダーフィル樹脂１５，１６とを有する。

配線基板１４１は、板状とされた基板本体１５３に第１の実施の形態で説明した貫通ビア２２，２３と、配線２５，２６，３５，３６，４６，４７，５３，５４，６５，６６，７６，７７と、ビア３１，３２，４２，４３，６１，６２，７２，７３と、絶縁層２９，３９，５７，６９と、ソルダーレジスト５１，８１（但し、開口部５１Ａ，８１Ｃを構成から除く）とを設けた構成とされている。

配線基板１４２は、板状とされた基板本体１５４に第１の実施の形態で説明した貫通ビア２３，２４と、配線２６，２７，３６，３７，４７，４８，５４，５５，６６，６７，７７，７８と、ビア３２，３３，４３，４４，６２，６３，７３，７４と、絶縁層２９，３９，５７，６９と、ソルダーレジスト５１，８１（但し、開口部５１Ａ，８１Ａを構成から除く）とを設けた構成とされている。

光導波路１４４は、配線基板１４１の配線４６，４７上に接着されている。光導波路１４４は、第１のクラッド層９５と、コア部９６と、第２のクラッド層９７と、コア材９８と、ミラー８７と、貫通ビア９１とを有する。光導波路１４４は、第１の実施の形態で説明した図２２に示す光導波路１２の中心位置よりも左側に位置する部分の構造体と同様な構成とされている。

光導波路１４５は、配線基板１４２の配線４７，４８上に接着されている。光導波路１４５は、第１のクラッド層９５と、コア部９６と、第２のクラッド層９７と、コア材９９と、ミラー８８と、貫通ビア９２とを有する。光導波路１４５は、第１の実施の形態で説明した図２２に示す光導波路１２の中心位置よりも右側に位置する部分の構造体と同様な構成とされている。

第１のコネクタ１４７は、配線基板１４１の配線４７上に接着されている。第１のコネクタ１４７は、光ファイバ１５１の先端部が挿入される挿入部１４７Ａを有する。第１のコネクタ１４８は、配線基板１４２の配線４７上に接着されている。第１のコネクタ１４７は、光ファイバ１５１の先端部が挿入される挿入部１４８Ａを有する。第１のコネクタ１４７，１４８は、第２のコネクタ１４９及び光ファイバ１５１の端部を装着するためのコネクタである。

第２のコネクタ１４９は、複数の光ファイバ１５１の両端部を露出した状態で、複数の光ファイバ１５１の位置を規制するためのコネクタである。

複数の光ファイバ１５１は、その両端部が露出された状態で、第２のコネクタ１４９により固定されている。複数の光ファイバ１５１の両端部のうち、一方の端部は、第１のコネクタ１４７の挿入部１４７Ａに挿入されており、他方の端部は、第１のコネクタ１４８の挿入部１４８Ａに挿入されている。複数の光ファイバ１５１は、光信号を伝送するコア部１５３と、コア部１５３の周囲を覆うように設けられたクラッド部１５４とを有する。複数の光ファイバ１５１は、光導波路１４４により伝送された光信号を光導波路１４５に伝送するためのものである。

発光素子１３は、ミラー８７及び貫通ビア９１の形成位置に対応する部分の光導波路１４４上に配置されている。発光素子１３の端子１１１は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９１上に固定されている。発光素子１３の発光部１１２は、ミラー８７の中心位置Ｅ_１（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８７の上方に配置されている。

受光素子１４は、ミラー８８及び貫通ビア９２の形成位置に対応する部分の光導波路１４５上に配置されている。受光素子１４の端子１１４は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９２上に固定されている。受光素子１４の受光部１１５は、ミラー８８の中心位置Ｅ_２（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８８の上方に配置されている。

アンダーフィル樹脂１５は、発光素子１３と光導波路１４４との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１６は、受光素子１４と光導波路１４５との隙間を充填するように設けられている。

上記構成とされた光電気混載基板１４０は、第１の実施の形態の光電気混載基板１０と同様な効果を得ることができる。また、上記説明した光導波路１４４，１４５は、第１の実施の形態で説明した光導波路１２と同様な手法により形成することができる。

（第３の実施の形態）
図２８は、本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。図２８において、第１の実施の形態の光電気混載基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図２８を参照するに、第３の実施の形態の光電気混載基板１６０は、第１の実施の形態の光電気混載基板１０に設けられた配線基板１１の代わりに、ビルドアップ構造体１６１を設けた以外は光電気混載基板１０と同様な構成とされている。

ビルドアップ構造体１６１は、絶縁層１６３，１７１と、ビア１６４，１６５，１７２，１７３と、配線１６７，１６８，１７５，１７６と、ソルダーレジスト１７８，１８１とを有する。

絶縁層１６３は、開口部１８５，１８６を有する。開口部１８５は、光導波路１２に設けられた貫通ビア９１と対向する部分の絶縁層１６３を貫通するように形成されている。開口部１８６は、光導波路１２に設けられた貫通ビア９２と対向する部分の絶縁層１６３を貫通するように形成されている。

ビア１６４は、開口部１８５に設けられている。ビア１６４は、その上端部が貫通ビア９１と電気的に接続されており、下端部が配線１６７と接続されている。ビア１６５は、開口部１８６に設けられている。ビア１６５は、その上端部が貫通ビア９２と電気的に接続されており、下端部が配線１６８と接続されている。ビア１６４，１６５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

配線１６７は、ビア１６４の形成位置に対応する部分の絶縁層１６３の面１６３Ｂに設けられている。配線１６８は、ビア１６５の形成位置に対応する部分の絶縁層１６３の面１６３Ｂに設けられている。配線１６７，１６８の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

絶縁層１７１は、配線１６７，１６８の一部を覆うように、絶縁層１６３の面１６３Ｂに設けられている。絶縁層１７１は、配線１６７の一部を露出する開口部１８８と、配線１６８の一部を露出する開口部１８９とを有する。

ビア１７２は、開口部１８８に設けられている。ビア１７２は、その上端部が配線１６７と電気的に接続されており、下端部が配線１７５と接続されている。ビア１７３は、開口部１８９に設けられている。ビア１７３は、その上端部が配線１６８と電気的に接続されており、下端部が配線１７６と接続されている。ビア１７２，１７３の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

配線１７５は、ビア１７２の形成位置に対応する部分の絶縁層１７１の面１７１Ａに設けられている。配線１７６は、ビア１７３の形成位置に対応する部分の絶縁層１７１の面１７１Ａに設けられている。配線１７５，１７６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

ソルダーレジスト１７８は、配線１７５，１７６の一部を覆うように、絶縁層１７１の面１７１Ａに設けられている。ソルダーレジスト１７８は、配線１７５の一部を露出する開口部１７８Ａと、配線１７６の一部を露出する開口部１７８Ｂとを有する。

ソルダーレジスト１８１は、絶縁層１６３の面１６３Ａに設けられている。ソルダーレジスト１８１は、光導波路１２の配設領域に対応する部分の絶縁層１６３の面１６３Ａとビア１６４，１６５の上面とを露出する開口部１８１Ａを有する。

光導波路１２は、開口部１８１Ａに露出された部分の絶縁層１６３の面１６３Ａに配設されている。光導波路１２に設けられた貫通ビア９１は、ビア１６４と電気的に接続されている。光導波路１２に設けられた貫通ビア９２は、ビア１６５と電気的に接続されている。

発光素子１３は、ミラー８７及び貫通ビア９１の形成位置に対応する部分の光導波路１２上に配置されている。発光素子１３の端子１１７は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９１上に固定されている。発光素子１３の発光部１１２は、ミラー８７の中心位置Ｅ_１（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８８の上方に配置されている。

受光素子１４は、ミラー８８及び貫通ビア９２の形成位置に対応する部分の光導波路１２上に配置されている。受光素子１４の端子１１４は、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９２上に固定されている。受光素子１４の受光部１１５は、ミラー８８の中心位置Ｅ_２（光軸中心位置）と対向するように、ミラー８８の上方に配置されている。

アンダーフィル樹脂１５は、発光素子１３と光導波路１２との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１６は、受光素子１４と光導波路１２との隙間を充填するように設けられている。

上記構成とされた光電気混載基板１６０は、第１の実施の形態の光電気混載基板１０と同様な効果を得ることができる。

図２９〜図３７は、本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図である。図２９〜図３７において、第２の実施の形態の光電気混載基板１６０と同一構成部分には同一符号を付す。

図２９〜図３７を参照して、第３の実施の形態の光電気混載基板１６０の製造方法について説明する。

始めに、第１の実施の形態で説明した図１３〜図２０に示す工程と同様な処理を行って、図２０に示す構造体を形成する。次いで、図２９に示す工程では、金属膜１２３を給電層とする電解めっき法により、金属膜１２３の上面１２３Ａに金属膜１９１を形成する。このとき、金属膜１９１は、金属膜１９１の上面１９１Ａと第２のクラッド層９７の面９７Ｂとの高さの差Ｈがソルダーレジスト１８１と略等しくなるように形成する。金属膜１９１としては、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。

次いで、図３０に示す工程では、金属膜１９１の面１９１Ａにソルダーレジスト１８１を形成する。このとき、ソルダーレジスト１８１は、第２のクラッド層９７の面９７Ｂとソルダーレジスト１８１の面１８１とが略面一となるように形成する。

次いで、図３１に示す工程では、図３０に示す構造体上に開口部１８５，１８６を有した絶縁層１６３を形成する。このとき、開口部１８５は、開口部１０４と対向する部分の絶縁層１６３に形成し、開口部１８６は、開口部１０５と対向する部分の絶縁層１６３に形成する。

次いで、図３２に示す工程では、金属膜１２３を給電層とする電解めっき法により、開口部１０４，１０５，１０７，１０８，１８５，１８６を充填すると共に、絶縁層１６３の面１６３Ｂを覆うように、金属膜１９２を析出成長させる（貫通ビア形成工程及びビルドアップ構造体形成工程の一部）。これにより、貫通ビア９１，９２及びビア１６４，１６５が形成されると共に、貫通ビア９１，９２を備えた光導波路１２が製造される。金属膜１９２としては、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。

このように、ビルドアップ構造体１６１を形成する際に、光導波路１２に設けられた貫通ビア９１，９２を形成することにより、製造工程の数を少なくすることが可能となるため、光電気混載基板１６０の製造コストを低減することができる。なお、貫通ビア９１，９２とビア１６４，１６５とを別々に形成してもよい。

次いで、図３３に示す工程では、図３２に示す金属膜１９２をパターニングして、配線１６７，１６８を形成する。つまり、本実施の形態では、光導波路１２に直接、ビルドアップ構造体１６１の構成要素を形成する。

次いで、図３４に示す工程では、図３１〜図３３に示す工程と同様な処理を行って、図３３に示す構造体上に絶縁層１７１、ビア１８８，１８９、及び配線１７５，１７６を形成する。

次いで、図３５に示す工程では、図３４に示す構造体上に、開口部１７８Ａ，１７８Ｂを有したソルダーレジスト１７８を形成する。これにより、金属板１２１上に、光導波路１２と一体的に形成されたビルドアップ構造体１６１が製造される。なお、上記説明した図３０〜図３５に示す工程がビルドアップ構造体形成工程に相当する工程である。

次いで、図３６に示す工程では、エッチング法により、金属板１２１及び金属膜１２３，１９１を除去する（金属板及び金属膜除去工程）。具体的には、例えば、金属板１２１及び金属膜１２３，１９１をウエットエッチングにより除去する。

次いで、図３７に示す工程では、はんだ（図示せず）により貫通ビア９１上に発光素子１３の端子１１１を固定すると共に、発光素子１３と光導波路１２との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１５を形成する。次いで、はんだ（図示せず）により、貫通ビア９２上に受光素子１４の端子１１４を固定すると共に、受光素子１４と光導波路１２との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１６を形成する。これにより、第３の実施の形態の光電気混載基板１６０が製造される。

本実施の形態の光電気混載基板の製造方法によれば、光導波路１２にビルドアップ構造体１６１を形成することにより、光導波路１２とビルドアップ構造体１６１とを別々に製造した場合と比較して、光電気混載基板１６０の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態の光導波路の製造方法は、第１の実施の形態で説明した光導波路１２の製造方法と同様な効果を得ることができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、光信号の伝送損失を低減することのできる光導波路及びその製造方法、及び光電気混載基板の製造方法に適用可能である。

従来の光電気混載基板の断面図である。 図１に示す発光素子が接続された部分の光電気混載基板を拡大した断面図である。 図１に示す受光素子が接続された部分の光電気混載基板を拡大した断面図である。 従来の光電気混載基板の製造工程を示す図（その１）である。 従来の光電気混載基板の製造工程を示す図（その２）である。 従来の光電気混載基板の製造工程を示す図（その３）である。 従来の光電気混載基板の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。 図８に示す光電気混載基板を拡大した断面図である。 図９に示す光導波路の平面図である。 図１０に示す光導波路のＣ−Ｃ線方向の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その５）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その７）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その８）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その９）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１０）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１３）である。 図１６に示す構造体の平面図である。 図１７に示す構造体の平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その５）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その７）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その８）である。 本発明の第３の実施の形態に係る光電気混載基板の製造工程を示す図（その９）である。

符号の説明

１０，１４０，１６０ 光電気混載基板
１１，１４１，１４２ 配線基板
１２，１４４，１４５ 光導波路
１３ 発光素子
１４ 受光素子
１５，１６ アンダーフィル樹脂
２１，１５３，１５４ 基板本体
２１Ａ，２９Ａ，３９Ａ，１２１Ａ，１２３Ａ，１９１Ａ 上面
２１Ｂ，５７Ａ，６９Ａ 下面
２２〜２４，９１，９２ 貫通ビア
３１〜３３，４２〜４４，６１〜６３，７２〜７４，１６４，１６５，１７２，１７３ ビア
２５〜２７，３５〜３７，４６〜４８，５３〜５５，６５〜６７，７６〜７８，１６７，１６８，１７５，１７６ 配線
２９，３９，５７，６９，１６３，１７１ 絶縁層
５１，８１，１７８，１８１ ソルダーレジスト
５１Ａ，８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，１８１Ａ，１８５，１８６，１８８，１８９ 開口部
８５ 光導波路本体
８７，８８ ミラー
９１，９２ 貫通ビア
９５ 第１のクラッド層
９６，１５３ コア部
９５Ａ，９６Ａ，９７Ａ，９７Ｂ，９８Ａ，９８Ｂ，９９Ａ，９９Ｂ，１６３Ａ，１６３Ｂ，１７１Ａ，１８１Ｂ 面
９７ 第２のクラッド層
９８，９９，１２５ コア材
１０１，１０２ 溝部
１０１Ａ，１０２Ａ 傾斜面
１０４，１０５，１０７，１０８ 貫通孔
１１１，１１４ 端子
１１２ 発光部
１１５ 受光部
１２１ 金属板
１２３，１９１，１９２ 金属膜
１２７，１２８ アライメントマーク
１４７，１４８ 第１のコネクタ
１４７Ａ，１４８Ａ 挿入部
１４９ 第２のコネクタ
１５１ 光ファイバ
１５４ クラッド部
１６１ ビルドアップ構造体
Ａ 第１の領域
Ｂ 第２の領域
Ｄ_１，Ｄ_２ 距離
Ｅ_１，Ｅ_２ 中心位置
Ｇ_１，Ｉ_１，Ｊ_１，Ｋ_１ 実際の距離，
Ｇ，Ｉ，Ｊ，Ｋ 最適な距離
Ｈ 高さの差
Ｌ_１，Ｌ_２ 切断位置
Ｍ１〜Ｍ３ 厚さ
θ_１，θ_２ 角度

Claims (8)

1. 発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路であって、
   前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、
   前記第２の領域に対応する部分の前記光導波路本体を貫通し、前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを設けると共に、
   前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第１の領域に対応する部分の前記光導波路本体を、前記発光素子又は前記受光素子と対向する側の前記第２の領域に対応する部分の前記光導波路本体よりも突出させたことを特徴とする光導波路。
2. 前記第１のクラッド層を前記第１の領域に対応する部分の前記光導波路本体にのみ設けたことを特徴とする請求項１記載の光導波路。
3. 前記貫通ビアの両端面を、前記第２の領域に対応する部分の前記光導波路本体の両面と略面一にしたことを特徴とする請求項１又は２記載の光導波路。
4. 発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーと、を備えた光導波路の製造方法であって、
   前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域に対応する部分の金属板上に、前記第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、
   前記第２の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第１のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、
   前記第１のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、
   前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第２の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第１の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、
   前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、
   前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
   前記ミラー形成工程後に、前記第１の貫通孔と対向する第２の貫通孔を有した前記第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と、
   前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、
   前記金属板及び金属膜除去工程後、前記第１及び第２の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
5. 前記金属板及び金属膜除去工程では、前記金属板及び前記金属膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項４記載の光導波路の製造方法。
6. 発光素子及び／又は受光素子と対向する第１のクラッド層と、第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に設けられ、光信号を伝送するコア部とを有した光導波路本体と、前記光信号を反射するミラーとを備えた光導波路と、
   積層された絶縁層、ビア、及び配線を有するビルドアップ構造体と、を備えた光電気混載基板の製造方法であって、
   前記光導波路本体は、前記コア部及び前記ミラーが配置され、前記光信号を伝送する第１の領域と、前記第１の領域の両側に配置され、前記光信号の伝送に寄与しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域に対応する部分の金属板上に、前記第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、
   前記第２の領域に対応する部分の前記金属板上に、前記第１のクラッド層の厚さと略等しい厚さを有した金属膜を形成する金属膜形成工程と、
   前記第１のクラッド層及び前記金属膜の上面を覆うようにコア材を形成するコア材形成工程と、
   前記コア材をパターニングして、前記コア部と、前記ミラーが配設される傾斜面を前記コア部に形成する際に使用するアライメントマークと、前記第２の領域に対応する部分の前記コア材を貫通する第１の貫通孔と、を同時に形成するコア部形成工程と、
   前記アライメントマークに基づいて、前記コア部を切断して、前記コア部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、
   前記コア部の傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
   前記ミラー形成工程後に、前記第１の貫通孔と対向する貫通孔を有した前記第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と、
   前記第１及び第２の貫通孔に前記発光素子の端子又は前記受光素子の端子と接続される貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、
   前記光導波路にビルドアップ構造体を形成するビルドアップ構造体形成工程と、
   前記ビルドアップ構造体形成工程後、前記金属板及び前記金属膜を除去する金属板及び金属膜除去工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
7. 前記貫通ビアは、前記ビルドアップ構造体形成工程において形成されることを特徴とする請求項６記載の光電気混載基板の製造方法。
8. 前記金属板及び金属膜除去工程では、前記金属板及び前記金属膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項６又は７記載の光電気混載基板の製造方法。

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