JP2008274417A - 積層銅箔及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来とは別異の粗化面構造をもつ銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を直接又は間接的に被覆するＮｉＳｎ合金層とを備えた積層銅箔であって、該ＮｉＳｎ合金層は最外層を形成すると共に複数の針状又は柱状の突起を有する積層銅箔である。該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は銅箔及びその製造方法に関し、とりわけリチウム二次電池用負極材、プリント配線板用材料及び電磁波シールド材といった樹脂との密着性が要求される用途に好適な粗化面を有する銅箔及びその製造方法に関する。

銅箔にはその製法から圧延銅箔と電解銅箔の２種類に大別され、用途に応じて使い分けられている。何れの銅箔においても樹脂等との良好な接着性が要求される場合がある。例えば、リチウム二次電池用の負極においては集電体としての銅箔と負極活物質の密着性が要求される。プリント配線板においては、銅張積層板を製造する段階において銅箔と絶縁基板の密着性が要求される。電磁波シールド材においても、銅箔にフィルムを貼り合わせる際にやはり密着性が要求される。

銅箔と樹脂の密着性を改善するために、予め粗化処理と呼ばれる銅箔表面に凹凸を形成する表面処理を施すことが一般に行われている。粗化処理の方法としては、ブラスト処理、粗面ロールによる圧延、機械研磨、電解研磨、化学研磨及び電着粒のめっき等の方法が知られており、これらの中でも特に電着粒のめっきは多用されている。この技術は、硫酸銅酸性めっき浴を用いて、銅箔表面に樹枝状又は小球状に銅を多数電着せしめて微細な凹凸を形成し、投錨効果によって密着性を向上させるというものである。

しかしながら、硫酸銅酸性めっき浴によって得られた粗化粒子は、不均一で粗度が高いという問題があった。粗化処理面が粗すぎると、プリント配線板の製造において、エッチング後にも絶縁基板上に銅が残留するため、ファインピッチ加工に適さない。リチウム二次電池の場合、特に理論容量の大きな合金系負極活物質を用いた負極では、集電体銅箔と負極活物質の密着性は現状の粗化による投錨効果だけでは不十分である。また、電磁波シールド材においては、効率を高めるために数十μｍ前後の微細パターンが形成されなければならないため、銅箔の表面粗度が小さく、剥離強度も低下されてはならないという特性が要求される。

そのため、例えば特開２００６−２９９２９１号公報においては、短時間で、粗化粒子の脱落危険性のない均一な粗化粒子が得られ、低粗度で、高い密着力を有し、薄箔に対する通箔性を向上させた銅箔を製造するのに適した表面処理方法（粗面化処理方法）を提供することを目的として、フェナントロリンやピリジル等の複素環式化合物を含有する硫酸酸性溶液を粗化処理液として用い、これに銅箔を限界電流密度以上で陰極処理することによって銅箔表面に銅の突起状電着物を形成する方法が記載されている。
特開２００６−２９９２９１号公報

上述した粗化処理方法を初めとして各種の粗化処理方法が知られているが、将来的な技術開発の可能性を広げる意味で、従来とは異質な方法によって銅箔を粗化処理する方法を提供しておくことは有用であると考えられる。そこで、本発明は、これまで提案されてきたものとは別異の粗化面構造をもつ銅箔を提供することを課題とする。また、本発明は、そのような粗化面構造をもつ銅箔の製造方法を提供することを別の課題とする。とりわけ、本発明は樹脂との高い密着性を有し、且つ、粗度の低い銅箔及びその製造方法を提供することを課題とする。

本発明者は偶然にも、銅箔上に順に形成されたＮｉとＳｎの２層めっきをリフロー処理した後に、表面の残留Ｓｎ層を電解除去して得られるＮｉＳｎ合金層の表面が、低粗度性と樹脂密着性を両立できることを見出した。ＮｉＳｎ合金層の断面をＳＥＭ観察すると長さが０．３〜１．５μｍ程度の多数の針状又は柱状の突起が形成されている。ＮｉＳｎ合金層の表面をＳＥＭ観察すると該突起が直径０．１〜２．０μｍ程度の多数の粒子のように見える。この表面構造が投錨効果を奏するものと考えられる。参考用に、残留Ｓｎ除去前のＮｉＳｎ合金層断面のＳＥＭ写真（倍率１０，０００倍）を図１に示す。

以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を直接又は間接的に被覆するＮｉＳｎ合金層とを備えた積層銅箔であって、該ＮｉＳｎ合金層は最外層を形成すると共に複数の針状又は柱状の突起を有する積層銅箔である。

本発明に係る積層銅箔の一態様においては、前記突起を表面からＳＥＭ観察したときに観察される前記突起の平均径は０．１〜２．０μｍである。

本発明に係る積層銅箔の別の一態様においては、前記突起を表面からＳＥＭ観察したときに観察される前記突起の存在密度は４〜１０個／μｍ²である。

本発明に係る積層銅箔の更に別の一態様においては、前記ＮｉＳｎ合金層の平均厚みは０．１〜０．８μｍである。

本発明に係る積層銅箔の別の一態様においては、前記銅又は銅合金箔基材と前記ＮｉＳｎ合金層との間にＮｉ層が形成されている。

本発明に係る積層銅箔の更に別の一態様においては、前記Ｎｉ層は平均厚みが０．２μｍ以上である。

本発明に係る積層銅箔の更に別の一態様においては、前記ＮｉＳｎ合金層の表面粗さＲａは０．０５〜３．０μｍである。

本発明は別の一側面において、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことを含む上記積層銅箔の製造方法である。

本発明に係る積層銅箔の製造方法の一態様においては、工程１で形成されるＮｉめっき層は平均厚みが１μｍ以上であり、Ｓｎめっき層は平均厚みが１μｍ以上であり、工程２で形成されるＮｉＳｎ合金層は平均厚みが０．１〜０．８μｍである。

本発明に係る積層銅箔の製造方法の別の一態様においては、前記拡散反応はリフロー処理によって生じる。

本発明に係る積層銅箔の製造方法の別の一態様においては、工程３は電解研磨により行われる。

本発明は更に別の一側面において、本発明に係る積層銅箔を用いたリチウム二次電池用負極、プリント配線板又は電磁波シールド材である。

本発明によって、従来とは別異の粗化面構造をもつ銅箔及びその製造方法が提供される。本発明に係る積層銅箔は樹脂との密着性を高くすることが可能であり、リチウム二次電池用負極材、プリント配線板用材料及び電磁波シールド材といった樹脂等との接着が要求される用途に適している。また、本発明に係る積層銅箔の表面に形成されたＮｉＳｎ合金層の突起は微細化が可能であるため、ファインピッチ加工にも対応することができる。

本発明に係る積層銅箔
本発明において「積層銅箔」とは、少なくとも１層の金属層が表面の少なくとも一部に積層されている銅又は銅合金箔のことをいう。本発明の積層銅箔に使用する銅又は銅合金箔基材は電解銅箔及び圧延銅箔の何れを用いてもよく、用途や要求特性に応じて適宜選択することができる。例えば、圧延銅箔は特に高強度や耐屈曲性が要求される場合に使用するとよい。リチウム二次電池負極の集電体として使用する場合、銅箔を薄肉化した方がより高容量の電池を得ることができるが、薄肉化すると強度低下による破断の危険性が生じることから、このような場合には電解銅箔よりも強度に優れている圧延銅箔を使用するのが好ましい。
銅又は銅合金箔基材に使用する銅又は銅合金の種類には特に制限はなく、用途や要求特性に応じて適宜選択すればよい。例えば、限定的ではないが、高純度の銅（無酸素銅やタフピッチ銅等）の他、Ｓｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｎｉ、Ｓｉ等を添加したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金、Ｃｒ、Ｚｒ等を添加したＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系銅合金のような銅合金が挙げられる。
銅又は銅合金箔基材の厚みも特に制限はなく、用途や要求特性に応じて適宜選択すればよい。一般的には１〜１００μｍであるが、リチウム二次電池負極の集電体として使用する場合、銅箔を薄肉化した方がより高容量の電池を得ることができ、プリント配線板のファインピッチ化を考えても銅箔は薄肉化することが好ましい。そのような観点から、典型的には２〜５０μｍ、より典型的には４〜２０μｍ程度である。

本発明の積層銅箔においては、銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部が直接又は間接的にＮｉＳｎ合金層で被覆されている。直接的に被覆されている場合とは銅又は銅合金箔基材表面に隣接してＮｉＳｎ合金層が設けられている場合であり、間接的に被覆されている場合とは銅又は銅合金箔基材表面とＮｉＳｎ合金層の間に他の層が挟まれている場合である。他の層は一般的に金属層であり、典型的にはＮｉ層である。Ｎｉ層は耐食性を向上させる働きがある。

後述するように、本発明に係るＮｉＳｎ合金層は隣接するＮｉ層とＳｎ層の界面に拡散反応によって生成させることができるが、熱処理条件やＮｉ層の厚みに応じて熱処理後にＮｉ層が残留する場合と残留しない場合がある。Ｎｉ層が残留しない場合というのは、ＳｎがＮｉ層の厚みを超えて銅又は銅合金箔基材の方にも拡散している状態といえ、こうなってしまうと銅又は銅合金箔基材とＮｉＳｎ合金層の密着性が弱くなる。そこで、Ｎｉ層が残留するように、従って、Ｎｉ層がＮｉＳｎ合金層と銅又は銅合金箔基材の間に存在するようにするのが好ましい。このときに残留するＮｉ層の厚みは好ましくは０．２μｍ以上であり、より好ましくは０．５μｍ以上である。厚くなる分には支障はないが、得られる積層銅箔全体の厚みを抑える観点や経済性の観点から５．０μｍ以下とするのが一般的であり、２．０μｍ以下とするのが好ましい。

銅又は銅合金箔基材をＮｉＳｎ合金層で被覆する部分は必要に応じて選択すればよく、特に制限はないが、例えば銅又は銅合金箔基材の片面又は両面を被覆することができ、側面（厚み部分）も含めて全面を被覆することもできる。部分的に被覆する方法は当業者に知られている任意の技術を使用することができる。例えば、被覆しない部分をテープ等でマスキングし、残部をめっきする方法がある。

ＮｉＳｎ合金層は、本発明に係る積層銅箔の最外層を形成し、複数の針状又は柱状の突起を有する。かかる複数の突起が投錨効果を示し、樹脂との密着性向上に寄与する。これをＳＥＭで表面観察すると多数の粒子のように見える。突起の径が大きくなると粗度が高くなり、小さくなると粗度は低くなる。粗度は高すぎるとプリント配線板のファインピッチ化に不向きであり、低すぎると充分な投錨効果が得られず、樹脂との密着性が不充分となる。そこで、ＳＥＭで表面観察したときの該突起の平均径は好ましくは０．１〜２．０μｍであり、より好ましくは０．１〜１μｍであり、更により好ましくは０．２〜０．４μｍである。かかる範囲の平均径をもつ突起は脱落も生じ難い。本発明においては、突起の径とは、ＳＥＭで表面観察したときに一つ一つの突起の凸部を取り囲むことのできる最小円の直径のことであり、その平均値を突起の平均径とする。

該突起を表面からＳＥＭ観察したときに観察される前記突起の存在密度は一般的に４〜１０個／μｍ²であり、典型的には５〜９個／μｍ²であり、より典型的には５〜７個／μｍ²である。ＮｉＳｎ合金層をＮｉ層とＳｎ層の界面に拡散反応によって形成する場合、突起の存在密度は突起の径が大きくなると小さくなり、突起の径が小さくなると大きくなる傾向にある。

ＮｉＳｎ合金層をＮｉ層とＳｎ層の界面に拡散反応によって形成する場合、ＮｉＳｎ合金層が厚くなるにつれて針状又は柱状の突起同士が結合して一体化するため、突起が粗大化していく。この場合、プリント配線板のファインピッチ化には不向きとなる。一方、ＮｉＳｎ合金層が薄く、突起が未発達の状態にあるときは充分な投錨効果が得られず、樹脂との密着性が不充分となる。そのため、ＮｉＳｎ合金層の平均厚みは０．１〜０．８μｍであるのが好ましく、０．２〜０．６μｍであるのがより好ましい。本発明においては、ＮｉＳｎ合金層の平均厚みとは蛍光Ｘ線分析でＳｎ層の厚みとして測定された値をいう。ＮｉＳｎ層は針状又は柱状の突起の形態であるため、断面をＳＥＭにより観察しても厚みを客観的に測定するのが困難だからである。

本発明に係る積層銅箔のＮｉＳｎ合金層の表面粗さＲａを測定すると、一般に０．０５〜３．０μｍであり、典型的には０．１〜１．０μｍであり、より典型的には０．１〜０．５μｍである。表面粗さＲａが０．０５μｍ未満になると、粗化処理なしの銅箔と変わらず、投錨効果が得られないため密着性が不十分になる。一方、表面粗さＲａが３．０μｍを超えると、ファインピッチの微細加工に不向きとなる。

本発明に係る積層銅箔の製造方法
本発明に係る積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことを含む上記積層銅箔の製造方法によって製造可能である。

工程１における「Ｎｉめっき」にはＮｉめっきのほか、例えばＮｉ−Ｐｄ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｓｎ合金のようなニッケル合金めっきも含まれる。これらの中でもめっき速度が早い、コストが低い等の理由から特にＮｉめっきが好ましい。例示的には、電気ニッケルめっきや無電解ニッケルめっきのような湿式めっき、或いはＣＶＤやＰＶＤのような乾式めっきにより施すことができる。本発明では膜厚が数μｍと比較的厚いため、ＣＶＤやＰＶＤのような乾式めっきよりも成膜速度の速い湿式めっきが好ましい。また、液管理、コスト、時間等の観点から電気めっきがより好ましい。
工程１で施すＮｉめっき層の厚みは熱処理後にＮｉ層を残留させる観点から平均厚みで１μｍ以上とするのが好ましく、１．５μｍ以上とするのがより好ましい。Ｎｉめっき層が厚くなる分には特に支障はないが、積層銅箔全体の厚みを抑える観点や経済性の観点から５μｍ以下とするのが好ましく、３μｍ以下とするのがより好ましい。そこで、Ｎｉめっき層の平均厚みは好ましい一実施形態において１〜５μｍであり、より好ましい一実施形態において１．５〜３μｍである。

「Ｓｎめっき」はＮｉめっきの後に施され、例えば電気Ｓｎめっきや無電解Ｓｎめっきのような湿式めっき、或いはＣＶＤやＰＶＤのような乾式めっきにより施すことができる。本発明では膜厚が数μｍと比較的厚いため、ＣＶＤやＰＶＤのような乾式めっきよりも成膜速度の速い湿式めっきが好ましい。また、液管理、コスト、時間等の観点から電気めっきがより好ましい。Ｓｎめっき層の厚みは薄すぎると熱処理後にＳｎ層が表面に残留せず、ＮｉＳｎ合金層が表面にまで達することとなる。こうなると針状又は柱状の突起構造をもつＮｉＳｎ合金層は得られない。そこで、工程１で施すＳｎめっき層の厚みは後に除去することも考慮して１μｍ以上とするが好ましく、１．５μｍ以上とするのがより好ましい。Ｓｎめっき層が厚くなる分には特に支障はないが、後に除去する分が増加して無駄になるため４μｍ以下とするのが好ましく、３μｍ以下とするのがより好ましい。そこで、Ｓｎめっき層の平均厚みは好ましい一実施形態において１〜４μｍであり、より好ましい一実施形態において１．５〜３μｍである。

上記のようにして得られたＮｉめっき層及びＳｎめっき層に熱を加えるとその界面に拡散反応が生じて針状又は柱状の突起を複数有するＮｉＳｎ合金層を形成することができる（工程２）。加熱温度はＮｉとＳｎの拡散反応が生じる温度であれば制限はないが、あまり低いと拡散反応に長時間を要し、逆に高すぎるとＮｉＳｎ合金層の成長が速くなって層厚の制御が困難となる。そこで、一般にはＳｎの融点である２３２℃から５００℃までの温度で行うリフロー処理が好ましい。典型的には２５０〜４００℃の温度でリフロー処理を行う。目安として、３００℃×３０ｓｅｃとして加熱したときのＮｉＳｎ合金層の厚みは約０．３μｍとなる。ＮｉＳｎ合金層の好ましい厚みは先述したとおりである。
針状又は柱状の突起は加熱の際の温度及び時間を変化させることによって成長の度合いを制御することが可能であり、微細な構造を求める場合には低温で短時間加熱し、粗大な構造を求める場合には高温で長時間加熱すればよい。

工程３では、表面に残留しているＳｎ層を除去する。これによって、工程２で形成された針状又は柱状の突起を露出することができる。Ｓｎの除去方法としては、特に制限はないが、硫酸等の酸化剤を含有する研磨液に浸漬して溶かす化学研磨や、これに更に電流を流して電解研磨する方法がある。研磨液に単に浸漬する方法ではＳｎがなくなるところがわかり難いため、Ｓｎが残留する場合や、逆にＮｉＳｎ層まで溶かしてしまう場合がある。その点、電解除去では、酸に浸漬することは同じだが、電流をかけることによってＳｎが溶けきってＮｉＳｎ層が表れるタイミングが、電圧をモニターすることで容易に判断可能である。例えば、一定電流で電圧をモニターしていると、急激にＳｎが溶け終わった時点で急激に電圧が変化する。その変化が終了した直後に電流を停止することで、Ｓｎのみを除去することが可能である。そのため、電解研磨により残留Ｓｎ層を除去するのが好ましい。

工程１〜３を経て得られた積層銅箔は、その最外層に針状又は柱状の突起を複数有するＮｉＳｎ合金層を備えることとなる。本発明に係る積層銅箔は公知の任意の手段によって各種の用途に使用可能であり、例えばリチウム二次電池用負極集電体、プリント配線板又は電磁波シールド材に使用することができる。

以下、本発明の実施例を記載するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

例：Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０
試験片としてＣｕ−３．０Ｎｉ−０．６５Ｓｉ−０．１５Ｍｇの組成を有する６０ｍｍ×４５ｍｍ×１８μｍの寸法の銅合金箔基材（日鉱金属社製圧延銅箔：品名Ｃ７０２５）を用意した。該試験片をアルカリ脱脂及び酸洗した後に、スルファミン酸浴中で基材全面にＮｉめっきを行い、次いでメタンスルホン酸浴中で基材全面にＳｎめっきを行った。試験条件を表１に示す。但し、Ｎｏ．５に関してはＳｎめっき厚を変えるために４Ａ／ｄｍ²×１２ｓｅｃの条件としてＳｎめっきを行った。Ｎｏ．６に関してはＮｉめっき厚を変えるために５Ａ／ｄｍ²×３０ｓｅｃの条件としてＮｉめっきを行った。

その後、該試験片をフラックス液に浸漬することで表面酸化層を除去した後に、該試験片をホットプレートの上に乗せて熱処理を行った。加熱温度を２３２℃以上とした場合はリフロー処理となる。熱処理後、該試験片を電解液（コクールＲ−５０）に浸漬して表面の残留Ｓｎ層を除去した。残留Ｓｎ層の除去には電気化学測定装置（型式ＨＺ−３０００、北斗電工）を使用した。カソードとしてＳＵＳ板を用い、参照極には標準電極を用いずカソードと同じＳＵＳ板に繋いだ。アノードとして試験片をセットし、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ²の一定電流を電圧が４００ｍＶ変化するまで流してＳｎを除去した。これらの試験条件を表２に示す。
また、リフロー条件を変更させてＮｉＳｎ層の形態に与える影響を調べた。リフロー条件と試験結果は表３に示した。

例：Ｎｏ．１１
この例では試験片としてＣｕ−３．０Ｎｉ−０．６５Ｓｉ−０．１５Ｍｇの組成を有する６０ｍｍ×４５ｍｍ×１８μｍの寸法の銅合金箔基材（日鉱金属社製圧延銅箔：品名Ｃ７０２５）を用意した。該試験片をアルカリ脱脂及び酸洗した後に、硫酸銅浴中で基材全面にＣｕめっきを行った。Ｃｕめっきは下地めっき２．３Ａ／ｄｍ²×１１８ｓｅｃ、粗化めっき４．６Ａ／ｄｍ²×７７ｓｅｃ、カブセめっき２．３Ａ／ｄｍ²×９４ｓｅｃの順で実施した。

Ｎｉ層及びＳｎ層の平均厚み測定
リフロー処理前のＮｉ層及びＳｎ層は試験片の断面をＳＥＭ観察することで測定した。具体的には倍率１０，０００倍として観察される観察視野：横幅４μｍ×縦幅４μｍ（縦方向＝厚み方向）のＳＥＭ像について、横幅全体を１として端から順に０、１／４、２／４、３／４及び１の距離のところでそれぞれ厚みを測定し、観察視野２箇所の平均値を平均厚みとした。

ＮｉＳｎ合金層の平均厚み測定
Ｎｉ−Ｓｎの合金層の厚さは、電解にてＳｎ層のみを除去した後、蛍光Ｘ線分析でＳｎ層の厚みとして測定された数値とした。測定に用いた装置はＳＩＩ社製型式ＳＥＡ５１００である。

ＮｉＳｎ層に形成された突起の平均径
試験片の表面ＳＥＭ写真（倍率１０，０００倍）から４μｍ×４μｍの範囲を任意に４箇所選択し、その中の凸部の径をすべて測定し、その平均値を平均径とした。ここで、凸部の径とは、該凸部を取り囲むことのできる最小円の直径のことを指す。例示的に、図２にＮｏ．２のＳＥＭ写真を、図３にＮｏ．８のＳＥＭ写真を掲載する。

ＮｉＳｎ層に形成された突起の平均密度
試験片の表面ＳＥＭ写真（倍率１０，０００倍）から４μｍ×４μｍの範囲を任意に４箇所選択し、その中の突起の数を数え、その平均値を平均密度とした。

ＮｉＳｎ合金層の表面粗さＲａ
表面粗さの測定はＪＩＳＢ０６０１に準拠して三鷹光器社製型式ＮＨ−３非接触式三次元測定装置を用いて行った。カットオフは０．２５ｍｍ、測定長さは１．２５ｍｍで測定した。

ピール強度
実施例Ｎｏ．１〜１１に市販のポリイミド前駆体ワニス（宇部興産株式会社製、商品名Ｕ−ワニス−Ａ）を用いて、下記の条件でポリイミド製膜した。
ポリイミド塗布厚み：３０μｍ
溶媒乾燥：１３０℃、３０分、大気下
樹脂硬化：３５０℃、１５分、Ａｒ雰囲気下
長さ１００ｍｍ、幅５ｍｍのサイズに試料を切り出し、ＪＩＳＣ６４７１に規定される方法に従って、短辺の端から銅箔を剥離し、その応力を測定した。引き剥がし角度は９０°、引き剥がし速度は５０ｍｍ／ｍｉｎで行った。ピール強度が１．０Ｎ／ｍｍ以上の場合を○とし、１．０Ｎ／ｍｍ未満の場合を×とした。

ファインピッチ適正
ファインピッチ適正は十点平均粗さＲｚ_JISの測定をＪＩＳＢ０６０１に準拠して三鷹光器社製型式ＮＨ−３非接触式三次元測定装置を用いて行った。カットオフは０．２５ｍｍ、測定長さは１．２５ｍｍで測定した。Ｒｚが１．５μｍ未満を○、１．５μｍ以上２．０μｍ未満を△、２．０μｍ以上を×とした。

容量維持率
（１）負極活物質層としてＳｎＣｕ合金を使用した場合
Ｎｏ．１〜１１のＮｉＳｎ合金層上に、以下に示す条件で湿式めっきを行ってＳｎＣｕ合金からなる負極活物質層を形成し、対極に金属リチウムを用いて充放電試験を実施した。充放電条件は電流密度０．５ｍＡ／ｃｍ²、充電３ｍＶ（ｖｓ Ｌｉ／Ｌｉ＋）、放電２．０Ｖ（ｖｓ Ｌｉ／Ｌｉ＋）で２０サイクルまでの充放電とした。１サイクル目放電容量に対する２０サイクル目の放電容量を容量維持率（％）とした。
＜湿式めっき条件＞
電極：Ｐｔ−Ｔｉ
浴組成：石原薬品製 ＨＴＣ５１６
浴温：２５℃
電流密度：７Ａ／ｄｍ²
膜厚：３μｍ
めっき組成：Ｓｎ：６３質量％、Ｃｕ：３７質量％

（２）負極活物質層としてＳｎＣｏ合金を使用した場合
Ｎｏ．１〜１１のＮｉＳｎ合金層上に、以下に示す条件で湿式めっきを行ってＳｎＣｏ合金からなる負極活物質層を形成し、対極に金属リチウムを用いて充放電試験を実施した。充放電条件は（１）と同様とした。
＜湿式めっき条件＞
電極：カーボン
浴組成：日本化学産業製 ピロアロイＳＣ
浴温：５５℃
電流密度：２Ａ／ｄｍ²
膜厚：３μｍ
めっき組成：Ｓｎ：６５質量％、Ｃｏ：３５質量％

考察
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４では、突起形態が適切に制御されているため、密着性及びファインピッチ適正が共に優れていた。
Ｎｏ．５では、リフロー前のＳｎ層が薄すぎたために、リフロー処理によって試験片の滑らかな最表面にまでＮｉＳｎ層が成長し、Ｓｎ層が残留しなかった。そのため、針状又は柱状の突起構造が得られず、充分な密着性が得られなかった。また、ファインピッチ適正もやや不充分であった。
Ｎｏ．６では、リフロー前のＮｉ層が薄すぎたために、リフロー処理によってもＮｉＳｎ層が充分に発達せず、充分な密着性が得られなかった。
Ｎｏ．７では、加熱温度が低かったために、ＮｉＳｎ層が成長しなかった。その結果、充分な密着性が得られなかった。
Ｎｏ．８では、加熱温度が高く、ＮｉＳｎ合金層が過剰に成長したために、ファインピッチ適正が得られなかった。
Ｎｏ．９では、加熱時間が長く、ＮｉＳｎ合金層が過剰に成長したために、ファインピッチ適正が得られなかった。
Ｎｏ．１０では、加熱時間が短かったために、ＮｉＳｎ層が成長しなかった。その結果、充分な密着性が得られなかった。
Ｎｏ．１１では、電着粒の径が過大なため、ファインピッチ適正が得られなかった。
容量維持率については、負極活物質層としてＳｎＣｕ合金を使用した場合には従来のＣｕ粗化めっきと比べて向上が見られないものの、ＳｎＣｏ合金を使用した場合には容量維持率が向上した。

残留Ｓｎ除去前のＮｉＳｎ合金層断面の一例を示すＳＥＭ写真である。 Ｎｏ．２の試験片について、ＮｉＳｎ合金層表面のＳＥＭ写真（倍率１０，０００）である。 Ｎｏ．８の試験片について、ＮｉＳｎ合金層表面のＳＥＭ写真（倍率３，５００）である。

Claims (12)

1. 銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を直接又は間接的に被覆するＮｉＳｎ合金層とを備えた積層銅箔であって、該ＮｉＳｎ合金層は最外層を形成すると共に複数の針状又は柱状の突起を有する積層銅箔。
2. 前記突起を表面からＳＥＭ観察したときに観察される前記突起の平均径は０．１〜２μｍである請求項１記載の積層銅箔。
3. 前記突起を表面からＳＥＭ観察したときに観察される前記突起の存在密度は４〜１０個／μｍ²である請求項１又は２記載の積層銅箔。
4. 前記ＮｉＳｎ合金層の平均厚みは０．１〜０．８μｍである請求項１〜３何れか一項記載の積層銅箔。
5. 前記銅又は銅合金箔基材と前記ＮｉＳｎ合金層との間にＮｉ層が形成されている請求項１〜４何れか一項記載の積層銅箔。
6. 前記Ｎｉ層は平均厚みが０．２μｍ以上である請求項５記載の積層銅箔。
7. 前記ＮｉＳｎ合金層の表面粗さＲａは０．０５〜３．０μｍである請求項１〜６何れか一項記載の積層銅箔。
8. 銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に熱処理によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことを含む請求項１〜７何れか一項記載の積層銅箔の製造方法。
9. 工程１で形成されるＮｉめっき層は平均厚みが１μｍ以上であり、Ｓｎめっき層は平均厚みが１μｍ以上であり、工程２で形成されるＮｉＳｎ合金層は平均厚みが０．１〜０．８μｍである請求項８記載の製造方法。
10. 前記熱処理はリフロー処理である請求項８又は９記載の製造方法。
11. 工程３は電解研磨により行われる請求項８〜１０何れか一項記載の製造方法。
12. 請求項１〜７の何れか一項に記載の積層銅箔を用いたリチウム二次電池用負極、プリント配線板又は電磁波シールド材。