CN105340376A - 电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆 - Google Patents

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Abstract

提供耐腐蚀性良好、低成本的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆。[课题]在由金属箔1形成的基材的一个面或两面形成有Sn-Ni合金层2，在该Sn-Ni合金层的表面形成有氧化物3，Sn-Ni合金层含有20-80质量%Sn，厚度为30-500nm，距最表面的深度设为Xnm，通过XPS进行深度方向分析，Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为Xo时，30nm≧Xo≧0.5nm，且区间[0,Xo]中满足0.4≧∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≧0.05。

Description

电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆
技术领域
本发明涉及层合有树脂层或树脂膜、用于电磁波屏蔽材料的金属箔，使用该金属箔的电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆。
背景技术
镀Sn被膜具有耐腐蚀性优异、且焊接性良好从而接触电阻低的特征。因此，例如作为车载电磁波屏蔽材料的复合材料，在铜等的金属箔上镀Sn使用。
上述的复合材料采用以下结构：在由铜或铜合金箔形成的基材的一个面上层合树脂层或膜，在另一面上形成镀Sn被膜(参照专利文献1)。
还开发了在铝或铝合金箔的表面形成锌置换镀层、镍电镀层、或锡电镀层，由此使耐湿性、耐腐蚀性得到改善的多层镀层铝(合金)箔(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开WO2009/144973号
专利文献2：日本特开2013-007092号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
车载电磁波屏蔽材料要求对汽车的排气中所含NOX、SOX的耐腐蚀性和对盐水的耐腐蚀性。Sn镀层柔软，因此即使表面腐蚀而形成氯化物或氧化物，与对象材料接触则氯化物等容易被削去，新的纯Sn在表面露出。因此Sn镀层的耐腐蚀性优异，即使在腐蚀环境下也可以保持低接触电阻。
但是Sn容易形成扩散层，因此长期使用时Sn镀层中的Sn完全形成合金，不残留纯Sn，耐腐蚀性降低。因此为了确保长期耐腐蚀性，必须加厚Sn镀层的厚度，这使得成本提高。
本发明为解决上述课题而成，其目的在于提供耐腐蚀性良好、低成本的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆。
解决课题的方案
本发明人经过各种研究，通过在金属箔的表面形成Sn-Ni合金层，并在Sn-Ni合金层的表面形成含有Sn和Ni的氧化物，成功地获得了低成本、耐腐蚀性良好的电磁波屏蔽用金属箔。
为实现上述目的，本发明的电磁波屏蔽用金属箔中，在由金属箔形成的基材的一个面或两面形成有Sn-Ni合金层，在该Sn-Ni合金层的表面形成有氧化物，所述Sn-Ni合金层含有20-80质量%Sn，厚度为30-500nm，距最表面的深度设为Xnm，通过XPS进行深度方向分析，Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为Xo时， 30nm≧Xo≧0.5nm，且区间[0, Xo]中满足0.4≧∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≧0.05。
优选所述Sn-Ni合金层进一步含有选自P、W、Fe和Co的1种以上的元素。
优选所述Sn-Ni合金层含有10质量%以下的所述基材的构成元素。
优选在所述Sn-Ni合金层和所述基材之间形成由下列层构成的基底层：由Ni形成的金属层、或由Ni与P、W、Fe、Co或Zn形成的合金层。
优选所述基材由金、银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金形成。
优选所述基材为铝或铝合金，在所述基材和所述基底层之间形成Zn层。
本发明的电磁波屏蔽材料中，在所述电磁波屏蔽用金属箔的一个面上层合有树脂层。
优选所述树脂层为树脂膜。
本发明的屏蔽电缆由所述电磁波屏蔽材料屏蔽。
发明效果
根据本发明，可获得耐腐蚀性良好、低成本的电磁波屏蔽用金属箔。
附图说明
图1是表示本发明的实施方案的电磁波屏蔽用金属箔的断面图。
图2是表示本发明的实施方案的电磁波屏蔽材料的断面图。
图3是表示实施例1的试样的基于STEM的断面图像的图。
图4是表示实施例1的试样的基于STEM的线分析(line analysis)结果的图。
图5是表示实施例1的试样的基于XPS的分析结果的图。
具体实施方式
如图1(b)所示，本发明的实施方案的电磁波屏蔽用金属箔10具有由金属箔形成的基材1、和在基材1的一个面上形成的Sn-Ni合金层2。Sn-Ni合金层2的表面形成有氧化物3。氧化物3通常为层状，但氧化物3的厚度较薄时，也可能不形成完全的层。
(基材)
基材1只要是发挥电磁波屏蔽效果的导电性高的金属即可。基材1可举出：金、银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金等的箔，通常为铜或铝的箔。
基材1的形成方法没有特别限定，例如可压延制造，也可以通过电镀形成箔。还可以在后述电磁波屏蔽材料的树脂层或树脂膜的表面进行干式镀覆，将基材1成膜。
基材1的厚度可考虑电磁波屏蔽的目标频率和集肤效应(skin effect)来确定。具体来说，优选设为将构成基材1的元素的电导率和目标频率代入下式(1)得到的集肤深度(skin depth)以上。例如使用铜箔作为基材1、目标频率为100MHz时，集肤深度为6.61μm，因此将基材1的厚度设为约7μm以上为宜。基材1的厚度加厚，则柔软性和加工性差，原料成本也增加，因此设为100μm以下。基材1的厚度更优选4-50μm，进一步优选5-25μm。
d：集肤深度(μm)
f：频率(GHz)
σ：导体的电导率(S/m)
μ：导体的磁导率(H/m)。
使用铜箔作为基材1时，铜箔的种类没有特别限定，典型的可以以压延铜箔或电解铜箔的形式使用。通常电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴或氰化铜镀浴中电解析出在钛或不锈钢的转鼓上来制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工和热处理来制造。
作为压延铜箔，可以使用纯度99.9%以上的无氧铜(JIS-H3100(C1020))或韧铜(JIS-H3100(C1100))。作为铜合金箔，可根据所要求的强度、导电性使用公知的铜合金。公知的铜合金例如可举出： 0.01-0.3%含锡铜合金、0.01-0.05%含银铜合金，特别是作为导电性优异的材料，常使用Cu-0.12%Sn、Cu-0.02%Ag。例如压延铜箔可以使用电导率为5%以上的铜合金。电解铜箔可以使用公知的材料。
另外，作为铝箔，可以使用纯度99.0%以上的铝箔。作为铝合金箔，可以根据所要求的强度、电导率使用公知的铝合金。公知的铝合金例如可举出：含0.01-0.15% Si和0.01-1.0%Fe的铝合金、含1.0-1.5% Mn的铝合金。
(Sn-Ni合金层)
Sn-Ni合金层2含有20-80质量%Sn。Sn-Ni合金层2与其它Sn合金(例如Sn-Cu合金)层相比，对NOX、SOX的耐腐蚀性高，并且比较便宜。
Sn-Ni合金层中的Sn的比例低于20质量%，则合金层的耐腐蚀性降低。而Sn的比例超过80质量%，则加热导致合金层表面氧化物的形成过度进展，氧化物容易增厚，氧化物中Ni的比例容易升高。
Sn-Ni合金层2优选为Ni3Sn、Ni3Sn2或Ni3Sn4的金属间化合物。这些金属间化合物与非平衡合金层相比，耐腐蚀性良好。
优选Sn-Ni合金层的厚度为30-500nm，优选50-300nm，进一步优选75-150nm。Sn-Ni合金层的厚度低于30nm，则对盐水和NOX、SOX气体的耐腐蚀性不足。而Sn-Ni合金层的厚度超过500nm，变得过厚，则Sn-Ni合金层的刚性升高，产生裂隙，耐腐蚀性降低，同时成本升高。
需说明的是，Sn-Ni合金层、基底层的厚度是对电磁波屏蔽用金属箔的断面试样进行利用STEM(扫描透射式电子显微镜)的线分析而求出。所分析的指定元素是Sn、Ni、P、W、Fe、Co、Zn、C、S、O和基材中所含的元素。将述指定元素的合计设为100%，对各层中各元素的比例(wt%)进行分析(加速电压：200kV，测定间隔：2nm)。
如图4所示，以含有5wt%以上Sn、且含有5wt%以上Ni的层作为Sn-Ni合金层，在图4上求出其厚度(与线分析的扫描距离对应)。以位于Sn合金层的下层一侧、Sn低于5wt%且含有5wt%以上Ni的层作为基底层，在图上求出其厚度。
在3个视野中进行STEM的测定，以3个视野×5处的平均值作为各层的厚度。
Sn-Ni合金层2进一步含有选自P、W、Fe、和Co的1种以上的元素(称为“C元素群”)，则Sn-Ni合金层的耐腐蚀性提高，因此优选。Sn-Ni合金层中的C元素群的合计比例优选1-40质量%，进一步优选5-30质量%。
可以在形成Sn-Ni合金层时，使C元素群含有在Sn-Ni合金层本身中。还可以使C元素群含在基底层中，另一方面形成不含有C元素群的Sn-Ni合金层，并通过所需的热处理使C元素群扩散到Sn-Ni合金层中。还可以使C元素群含在基底层中，另一方面就形成不含有C元素群的Sn-Ni合金层，这种情况下，在高温下使用电磁波屏蔽用金属箔时，C元素群扩散至Sn-Ni合金层中。
(氧化物)
Sn-Ni合金层2的表面形成氧化物3。氧化物对NOX、SOX的耐腐蚀性与Sn-Ni合金层2相比更高，因此耐腐蚀性提高。
不过氧化物变得过厚，则电磁波屏蔽用金属箔的初期接触电阻增加。而且，氧化物并不限为一定要是层状，因此如下规定氧化物的厚度。
即，如图5所示，距最表面的深度设为Xnm，通过XPS(X射线光电子能谱分析法)进行深度方向分析，Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)， Ao(X)=0时的X设为Xo。Xo是自最表面起沿深度方向在氧浓度为0时的深度，因此表示氧化物的厚度，如果是30nm≧Xo≧0.5nm，则氧化物的厚度适当。如果Xo＜0.5nm，则氧化物的厚度变薄，如上所述耐腐蚀性降低。而Xo＞30nm时，初期的接触电阻增加。
氧化物含有Sn和Ni，氧化物中Ni相对于Sn的比例过高，则接触电阻高的Ni的比例增加，电磁波屏蔽用金属箔的接触电阻也增加。氧化物中Ni相对于Sn的比例过低，则耐腐蚀性降低。
因此，通过图5的XPS，在区间[0, Xo]中求出∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX，以该值作为氧化物中Ni相对于Sn的原子比例(以下称为“Ni比”)。如果是0.4≧∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≧0.05，则氧化物中Ni相对于Sn的比例适当。Ni比低于0.05，则耐腐蚀性降低，Ni比超过0.4，则接触电阻增加。
∫ANi(X)dX是图5中区间[0, Xo]中的ANi(X)(图5中以虚线表示的曲线)与横轴之间的面积，与氧化物中的Ni的量成比例。同样，∫ASn(X)dX是区间[0, Xo]中的ASn(X)(图5中以粗线表示的曲线)与横轴之间的面积，与氧化物中的Sn的量成比例。
优选在基材1和Sn-Ni合金层2之间形成基底层。基底层可防止基材1的成分向Sn-Ni合金层2扩散，合金层的耐腐蚀性进一步提高。基底层含有50质量%以上Ni。
(Sn-Ni合金层的形成方法)
Sn-Ni合金层可以通过合金镀覆(湿式镀覆)、使用构成合金层的合金靶的溅射、使用构成合金层的成分的蒸镀等形成。
还可如图1(a)所示，例如首先在基材1的一个面形成由Ni构成的第1层21，在第1层21的表面形成由Sn构成的第2层31，然后热处理，使第1层21和第2层31的元素合金化，形成图1(b)所示的Sn-Ni合金层2。这种情况下，宜控制各层的厚度，使得热处理后第1层21作为Ni基底层残留。热处理的条件没有特别限定，例如可以为120-500℃下2秒-10小时左右。
除湿式镀覆之外，基底层、Sn-Ni合金层2还可通过蒸镀、PVD、CVD等形成。
另外使用铝或铝合金箔作为基材时，作为用于将基底层进行镀Ni的基底镀覆，可以在基底层和基材1之间形成锌置换镀层。
(Sn和Ni的氧化物的形成方法)
通过图1(a)所示的热处理获得Sn-Ni合金层时，可在热处理时同时形成氧化物。不过热处理气氛中的氧浓度超过2%，则氧化物过度生长，可能使得Xo＞30nm。而热处理气氛中的氧浓度低于0.1%，则氧化物层形成不充分，可能使得Xo＜0.5nm，因此优选热处理气氛中的氧浓度为0.1至2%以下。热处理的温度和时间没有特别限定，例如可以是80-230℃下1-15小时左右。加热温度超过230℃，则Sn熔融，形成液相，合金化剧烈进行，因此氧化物未充分形成，Xo低于0.5nm。而加热温度超过230℃，则在形成Sn-Ni合金层后仍为高温状态，因此Ni的氧化进展，氧化物的Ni比可能超过0.4。
在通过合金镀覆(湿式镀覆)、使用合金靶的溅射、使用构成合金层的成分的蒸镀等形成Sn-Ni合金层时，在形成Sn-Ni合金层后，以上述气氛、温度和时间进行热处理，由此可形成氧化物。
接着参照图2，对本发明的实施方案的电磁波屏蔽材料100进行说明。电磁波屏蔽材料100是将电磁波屏蔽用金属箔10与在该金属箔10的一个面上的树脂层或树脂膜4层合而形成的。
树脂层例如可以使用聚酰亚胺等树脂，树脂膜例如可以使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)的膜。树脂层或树脂膜可以通过粘合剂粘合在金属箔上，也可以不使用粘合剂，而将熔融树脂流延(casting)在金属箔上、或将膜热压接在金属箔上。还可以使用通过PVD或CVD直接将铜或铝的层作为基材在树脂膜上形成而得的膜；或通过PVD或CVD将铜或铝的薄层作为导电层在树脂膜上形成，然后通过湿式镀覆在该导电层上较厚地形成金属层得到的金属化(metallized)膜。
树脂层或树脂膜可使用公知的材料。树脂层或树脂膜的厚度没有特别限定，例如可优选使用1-100μm，更优选3-50 μm的材料。使用粘合剂时，粘合层的厚度例如可设为10μm以下。
从材料轻薄化的观点考虑，优选电磁波屏蔽材料100的厚度为1.0mm以下，更优选为0.01-0.5mm。
通过将电磁波屏蔽材料100卷绕在电缆的外侧，可得到屏蔽电缆。
[实施例]
接着给出实施例，进一步详细说明本发明，但本发明并不限于它们。
(基材)
使用厚度8μm的压延铜箔(JX日矿日石金属制造，型号C1100)作为压延铜箔。
使用厚度8μm的未粗化处理的电解铜箔(JX日矿日石金属制造，型号JTC箔)作为电解铜箔。
使用厚度8μm的金属化CCL(MAQUINAS金属制造，产品名“MAQUINAS(マキナス)”)作为Cu金属化膜。
使用厚度12μm的铝箔(Sun Aluminum Industries Co., Ltd(サン・アルミニウム工業社)制造)作为铝箔。
使用在厚度12μm的PET膜(东洋纺织公司制造)上通过真空蒸镀形成6μm铝的材料作为Al金属化膜。
(各层的形成)
在上述基材的一个面上形成基底层和Sn-Ni合金层。表1、表2示出各层的形成方法。也包含进行以下热处理的情形，基底层、Sn-Ni合金层和氧化物的组成和厚度是进行了热处理等之后的最终状态下的值。
表1、表2中，“镀覆”是指：在按照图1(a)所示的方法依次镀覆第1层(Ni层)21、第2层(Sn层)31，然后在表1、表2所示的条件下进行热处理。热处理全部在氮气氛下进行。此时的热处理炉的氧浓度是表1、表2所示的值。表1、表2中，“合金镀覆”是指通过合金镀覆形成了Sn-Ni合金层。
在实施例17-20中，作为第1层21，代替Ni层，实施表1、表2所示组成的Ni合金镀覆(在Ni中加入了C元素群的组成)。于是，通过热处理形成Sn-Ni合金层时， Ni合金镀层作为基底层残留在Sn-Ni合金层的下层。另外，热处理时， Ni以外的元素(P、W、Fe、Co)也自基底层扩散，形成含有3种成分的Sn-Ni合金层。
实施例13、14中，通过置换镀覆，在由铝形成的基材上形成Zn层，然后在Zn层上依次施加Ni的基底层、Sn镀层，进一步通过热处理形成Sn-Ni合金层。
比较例8中，通过置换镀覆在铝箔上形成Zn层，然后在Zn层上镀覆Ni的基底层，在基底层上施加Sn镀层，但不进行热处理。
各镀层在以下条件下形成。
Ni镀层：硫酸Ni浴(Ni浓度：20g/L，电流密度：2-10A/dm2)
Sn镀层：苯酚磺酸Sn浴(Sn浓度：40g/L，电流密度：2-10A/dm2)
Zn置换镀层：锌酸盐浴(Zn浓度：15g/L)
Ni-Sn：焦磷酸盐浴(Ni浓度10g/L，Sn浓度10g/L，电流密度：0.1-2A/dm2)
Ni-P：硫酸浴(Ni浓度：20g/L，P浓度：20g/L，电流密度：2-4A/dm2)
Ni-W：硫酸浴(Ni浓度：20g/L，W浓度：20g/L，电流密度：0.1-2A/dm2)
Ni-Fe：硫酸浴(Ni浓度：20g/L，Fe浓度：10g/L，电流密度：0.1-2A/dm2)
Ni-Co：硫酸浴(Ni浓度：20g/L，Co浓度：10g/L，电流密度：0.1-2A/dm2)
表1、表2中，“溅射”是依次溅射Ni、Sn，然后热处理。
表1、表2中，“合金溅射”是溅射Ni而形成基底层，然后使用Sn- Ni合金的靶材进行溅射，形成Sn- Ni合金层。
通过合金溅射成膜的层是合金层本身的组成，为了形成氧化物而进行热处理。
溅射、合金溅射按以下条件进行。
溅射装置：间歇式溅射装置(ULVAC(アルバック)公司，型号MNS-6000)
溅射条件：极限真空度(ultimate vacuum)1.0×10-5Pa，溅射压0.2Pa，溅射电功率50W
靶：Ni(纯度3N)、Sn(纯度3N)、Ni-Sn(分别为(按照质量%) Ni:Sn=85:15、75:25、60:40、27:73、15:85)。
(Sn- Ni合金层、基底层的鉴定和厚度的测定)
对于所得电磁波屏蔽用金属箔的断面试样，通过STEM(扫描透射式电子显微镜，日本电子株式会社制造，JEM-2100F)进行线分析，判定层构成。所分析的指定元素是Sn、Ni、C元素群(P、W、Fe、Co)、Zn、C、S、O和基材中所含的元素。将上述指定元素的合计设为100%，分析各层中各元素的比例(wt%)(加速电压：200kV，测定间隔：2nm)。
如图4所示，以含有5wt%以上Sn、且含有5wt%以上Ni的层作为Sn-Ni合金层，在图4上(与线分析的扫描距离对应)求出其厚度。以位于Sn合金层的下层一侧、Sn低于5wt%且含有5wt%以上Ni的层作为基底层，在图上求出其厚度。STEM的测定在3个视野下进行，以3个视野×5处的平均值作为各层的厚度。
(氧化物的厚度Xo和Ni比的测定)
对于所得电磁波屏蔽用金属箔的断面试样，通过XPS(ULVAC-PHI(アルバック・ファイ)公司制造，5600MC)，一边用离子束切削表面，一边分析Sn、Ni、O(氧)的原子浓度(加速电压3kV，溅射率1.8nm/分钟)。通过上述方法，由图5所示的XPS图求出氧化物的厚度Xo和Ni比。
(接触电阻和耐腐蚀性的评价)
对于所得电磁波屏蔽用金属箔的Sn-Ni合金层一侧的面，分别测定气体腐蚀试验前后Sn-Ni合金层一侧最表面的接触电阻。
接触电阻的测定是使用日本山崎精机株式会社制造的电触点模拟装置CRS-1、通过四端子法测定。探针：金探针，接触负荷：20gf，偏置电流：10mA，滑动距离：1mm
气体腐蚀试验按照IEC60512-11-7的试验方法4(温度：25℃，湿度：75%，H2S浓度：10ppb，NO2浓度：200ppb，C12浓度：10ppb，SO2浓度：200ppb，试验时间7天)。
接触电阻按以下基准评价。
◎：接触电阻低于10mΩ
○：接触电阻为10 mΩ以上但低于100 mΩ
×：接触电阻为100 mΩ以上
气体腐蚀试验前的接触电阻表示初期的接触电阻，气体腐蚀试验后的接触电阻表示耐腐蚀性。如果气体腐蚀试验前后的接触电阻的评价均为○，则在实际应用上没有问题。
各实施例和比较例中，由各层厚度和组成计算Sn、Ni、P、W、Fe、Co、Cu的每1m2的附着重量，由金属价格估算试样的成本。成本在规定阈值以下的评价为○，超过阈值的评价为×。
所得结果示于表1、表2。
由表1、表2可知，在基材的表面具有Sn-Ni合金层、具有氧化物的各实施例中，初期接触电阻低，气体腐蚀试验后耐腐蚀性也优异。
图3、图4分别是实施例1的试样利用STEM的断面图像、以及利用STEM的线分析结果。断面图像中的X层、Y层由线分析的结果可知分别为Sn-Ni合金层、Ni层。
图5是实施例1的试样利用XPS的分析结果。
另一方面，在氧浓度超过2%的气氛下进行热处理的比较例1的情况下，Xo超过30nm，氧化物增厚，因此初期接触电阻升高。
在氧浓度低于0.1%的气氛下进行热处理的比较例2的情况下，Xo低于0.5nm，氧化物变薄，因此耐腐蚀性差。
Sn-Ni合金中Sn浓度超过80质量%的比较例3的情况下，氧化物的Ni比低于0.05，耐腐蚀性差。
Sn-Ni合金中Sn浓度低于20质量%的比较例4的情况下，氧化物的Ni比超过0.4，初期接触电阻升高。
Sn-Ni合金层的厚度低于30nm的比较例5的情况下，耐腐蚀性差。
Sn-Ni合金层的厚度超过500nm的比较例6的情况下，表面产生裂隙，耐腐蚀性差，同时成本升高。
形成Sn-Cu合金代替Sn-Ni合金的比较例7的情况下，耐腐蚀性差。
形成纯Sn层代替Sn-Ni合金的比较例8、10的情况下，成本升高。
热处理的温度超过230℃的比较例9的情况下，在Sn的熔点以上的温度下合金化进展，因此氧化物的Ni比超过0.4，初期接触电阻升高。
符号说明
1 金属箔
2 Sn- Ni合金层
3 氧化物
4 树脂层或树脂膜
10 电磁波屏蔽用金属箔
100 电磁波屏蔽材料。

Claims (9)

1. 电磁波屏蔽用金属箔，其中，在由金属箔形成的基材的一个面或两面形成有Sn-Ni合金层，在该Sn-Ni合金层的表面形成有氧化物，
所述Sn-Ni合金层含有20-80质量%Sn，厚度为30-500nm，
距最表面的深度设为Xnm，通过XPS进行深度方向分析，
Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为X0时，30nm≧Xo≧0.5nm，且区间[0, Xo]中满足0.4≧∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≧0.05。
2. 权利要求1所述的电磁波屏蔽用铜箔，其中，所述Sn-Ni合金层进一步含有选自P、W、Fe和Co的1种以上的元素。
3. 权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用铜箔，其中，所述Sn-Ni合金层含有10质量%以下的所述基材的构成元素。
4. 权利要求1-3中任一项所述的电磁波屏蔽用金属箔，其中，在所述Sn-Ni合金层和所述基材之间形成基底层，所述基底层由下列层构成：由Ni形成的金属层，或由Ni与P、W、Fe、Co或Zn形成的合金层。
5. 权利要求1-4中任一项所述的电磁波屏蔽用金属箔，其中，所述基材由金、银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金形成。
6. 权利要求1-5中任一项所述的电磁波屏蔽用金属箔，其中，所述基材为铝或铝合金，在所述基材和所述基底层之间形成Zn层。
7. 电磁波屏蔽材料，其中，在权利要求1-6中任一项所述的电磁波屏蔽用金属箔的一个面上层合有树脂层。
8. 权利要求7所述的电磁波屏蔽材料，其特征在于：所述树脂层为树脂膜。
9. 屏蔽电缆，其由权利要求7或8所述的电磁波屏蔽材料屏蔽。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107018648A (zh) * 2017-06-02 2017-08-04 深圳天珑无线科技有限公司 屏蔽罩及其制备方法、电子装置
TWI640423B (zh) * 2016-03-31 2018-11-11 Ｊｘ金屬股份有限公司 Electromagnetic wave shielding material
CN109599211A (zh) * 2017-09-25 2019-04-09 矢崎总业株式会社 2芯线屏蔽电缆和线束

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5887305B2 (ja) 2013-07-04 2016-03-16 Ｊｘ金属株式会社 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材、及びシールドケーブル
US10221487B2 (en) 2014-05-30 2019-03-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Metal foil for electromagnetic shielding, electromagnetic shielding material and shielded cable
WO2015181969A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 Jx日鉱日石金属株式会社 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル
JP6278922B2 (ja) * 2015-03-30 2018-02-14 Ｊｘ金属株式会社 電磁波シールド材
CN207800582U (zh) * 2015-06-19 2018-08-31 株式会社村田制作所 模块
JP6397806B2 (ja) * 2015-09-11 2018-09-26 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN110494597A (zh) * 2017-03-31 2019-11-22 古河电气工业株式会社 镀敷线棒材及其制造方法以及使用其形成的电缆、电线、线圈和弹簧构件
US11382245B2 (en) 2019-03-01 2022-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Ultra-thin conductor based semi-transparent electromagnetic interference shielding
JP7160024B2 (ja) * 2019-12-20 2022-10-25 株式会社村田製作所 電子部品
CN116783664A (zh) * 2021-02-18 2023-09-19 住友电气工业株式会社 差动信号传输用电缆

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005281794A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Jfe Steel Kk 樹脂被覆錫合金めっき鋼板
JP2008274417A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Nikko Kinzoku Kk 積層銅箔及びその製造方法
JP2010236041A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Nippon Mining & Metals Co Ltd Ｓｎ又はＳｎ合金めっき被膜、及びそれを有する複合材料
CN102046854A (zh) * 2008-05-30 2011-05-04 Jx日矿日石金属株式会社 Sn或Sn合金镀敷被膜、具有该被膜的复合材料、以及复合材料的制备方法
EP2484812A1 (en) * 2009-09-30 2012-08-08 JX Nippon Mining & Metals Corporation Coating film of sn or sn alloy formed by plating and composite material having same
CN102812792A (zh) * 2010-03-30 2012-12-05 Jx日矿日石金属株式会社 电磁波屏蔽用复合体
JP2013007092A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 多層めっきアルミニウム又はアルミニウム合金箔
CN102985252A (zh) * 2010-07-15 2013-03-20 Jx日矿日石金属株式会社 铜箔复合体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4033611B2 (ja) * 2000-07-28 2008-01-16 メック株式会社 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法
US6943288B1 (en) * 2004-06-04 2005-09-13 Schlegel Systems, Inc. EMI foil laminate gasket
JP5475196B2 (ja) * 2012-01-13 2014-04-16 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 銅箔複合体、並びに成形体及びその製造方法
JP5966874B2 (ja) * 2012-01-27 2016-08-10 Tdk株式会社 構造体、及びそれを含む電子部品、プリント配線板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005281794A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Jfe Steel Kk 樹脂被覆錫合金めっき鋼板
JP2008274417A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Nikko Kinzoku Kk 積層銅箔及びその製造方法
CN102046854A (zh) * 2008-05-30 2011-05-04 Jx日矿日石金属株式会社 Sn或Sn合金镀敷被膜、具有该被膜的复合材料、以及复合材料的制备方法
JP2010236041A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Nippon Mining & Metals Co Ltd Ｓｎ又はＳｎ合金めっき被膜、及びそれを有する複合材料
EP2484812A1 (en) * 2009-09-30 2012-08-08 JX Nippon Mining & Metals Corporation Coating film of sn or sn alloy formed by plating and composite material having same
CN102812792A (zh) * 2010-03-30 2012-12-05 Jx日矿日石金属株式会社 电磁波屏蔽用复合体
CN102985252A (zh) * 2010-07-15 2013-03-20 Jx日矿日石金属株式会社 铜箔复合体
JP2013007092A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 多層めっきアルミニウム又はアルミニウム合金箔

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640423B (zh) * 2016-03-31 2018-11-11 Ｊｘ金屬股份有限公司 Electromagnetic wave shielding material
CN107018648A (zh) * 2017-06-02 2017-08-04 深圳天珑无线科技有限公司 屏蔽罩及其制备方法、电子装置
CN109599211A (zh) * 2017-09-25 2019-04-09 矢崎总业株式会社 2芯线屏蔽电缆和线束

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Publication number Publication date
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US9485894B2 (en) 2016-11-01

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