JP2008270417A - 半導体装置の製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングシート等の剥離不良を生じることなく、薄型化された半導体チップを安定してピックアップできる半導体装置の製造装置を提供すること。
【解決手段】マウンタ１は、ウェハ支持面１ａ内に、水平移動可能なスライダ２を備える。スライダ２の両側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃを、その直近内側の部分よりも高く形成する。スライダ２のチップ支持面２ａ上にピックアップ対象の半導体チップ６を配置した後、スライダ２の両側縁２ｂ，２ｂに沿ってウェハ支持面１ａに形成された吸引溝１１と、スライダ２のガイド面１３に形成された吸引孔１４とに負圧を生成する。半導体チップ６のチップ支持面２ａ上の部分と、半導体チップ６のスライダ２の側縁２ｂ及び端縁２ｃよりも外側の部分との間に形成される屈曲部６ａの曲率が増大し、半導体チップ６の復元力Ｆが増大して、半導体チップ６の縁部がダイシングシート８から効果的に剥離する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造工程において、ダイシング工程を経た後のウェハから半導体チップをピックアップするための半導体装置の製造装置に関する。

従来より、例えばフラッシュメモリ等の半導体装置の製造工程では、ウェハの表面部分に回路パターンを作り込んだ後、裏面に貼付したダイシングシートを介してウェハを保持し、表面側からダイシングを行って半導体チップを形成する。ダイシングの後、ピックアップ装置によってダイシングシートから各半導体チップを剥がしてピックアップする。

半導体チップのピックアップ装置としては、従来、ウェハのダイシングシートが貼付された裏面側を筒状ホルダーで支持すると共に、ピックアップ対象の半導体チップの表面をアームで吸着し、筒状ホルダーの上端に形成された吸引口でダイシングシートを吸引するものがある（例えば、特許文献１参照）。吸引によって半導体チップの中央部のダイシングシート部分を剥がした後、アームを上昇させて半導体チップをダイシングシートからピックアップする。

他の半導体チップのピックアップ装置としては、負圧を発生する複数の吸引溝をウェハの載置台に形成したものがある（例えば、特許文献２参照）。載置台にダイシングシートが接する状態で搭載されたウェハについて、ピックアップ対象の半導体チップに対応する複数の吸引溝に、半導体チップの周縁部から中央部に向かって負圧を順次生成することにより、半導体チップの姿勢変化を招くことなく半導体チップからダイシングシートを剥がすようにしている。全吸引溝に対応するダイシングシートの部分を剥がした後、真空吸引チャックにより、半導体チップをダイシングシートからピックアップしている。

他の半導体チップのピックアップ装置としては、ウェハのダイシングシート貼付面を支持すると共に複数の吸引口が設けられた吸着駒と、この吸着駒の中央部に組み込まれて半導体チップのダイシングシート側を突き上げる３つのブロックとを備えたものがある（例えば、特許文献３参照）。３つのブロックは、平面視において、ピックアップ対象の半導体チップの周縁よりも内側に位置するように、中央側に向かって順次配置されている。吸着駒とブロックとの隙間と各ブロック相互の隙間は、負圧を生成する吸引溝に形成されている。吸着駒及び３つのブロックの上面にダイシングシートを介してウェハを支持し、吸引口及び吸引溝に生成した負圧によってダイシングシートを吸引しながら、３つのブロックを外側から中央側に順次突出させることにより、半導体ウェハの割れを防止しつつ半導体チップをダイシングシートから剥がすようにしている。

最近、フラッシュメモリのメモリ容量増大等の要請に応えるべく、実装における半導体チップの多層化が進みつつあり、これに伴って半導体チップの薄型化が進みつつある。半導体チップの薄型化は、ウェハの表面部分に回路パターンを形成した後、ウェハの裏面研削を行うことによって実現される。裏面研削により薄型化されたウェハは割れや欠けが生じ易いため、裏面研削の際にウェハの表面に形成した回路保護用コーティングを、裏面研削後のダイシング及びピックアップ工程においても利用して破損防止を図っている。ダイシング工程では、ウェハの裏面にダイシングシートを貼付し、回路保護用コーティングとウェハを表面側からレーザーダイシングによって小片化している（例えば、特許文献４参照）。ピックアップ工程では、回路パターンならびにチップ自体の破損を防止するため、突き上げピンを使用しないニードルレスピックアップ方式のピックアップ装置が用いられている。

このような薄型の半導体チップのピックアップに用いられるピックアップ装置としては、半導体チップを支持する支持体をスライドさせるスライド式のピックアップ装置が提案されている（例えば、特許文献５参照）。

図２（ａ）は、スライド式のピックアップ装置を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、このピックアップ装置を示す平面図である。図３は、ピックアップ装置のスライダ２の近傍部分を拡大して示した断面図である。このピックアップ装置は、ウェハ５を支持するウェハ支持面１ａが上面に形成されたマウンタ１と、このマウンタ１のウェハ支持面１ａ内に設けられたスライダ２と、スライダ２の側縁２ｂに沿ってウェハ支持面１ａに形成された吸引溝１１とを備える。吸引溝１１は、マウンタ１内に形成された減圧路１２を介して、図示しない吸引ポンプに接続されている。スライダ２を水平移動自在に支持するガイド部１３には、減圧路１２と連通する吸引孔１４が設けられている。

このピックアップ装置は、ウェハ５の裏面側をウェハ支持面１ａで支持する。ウェハ５の表面には回路保護用コーティング７が形成されていると共に、裏面にはダイシングシート８が貼付されている。コーティング７及びウェハ５には、ダイシング工程で形成されたダイシング溝１５が設けられている。

吸引溝１１と吸引孔１４に負圧を生成することにより、スライダ２の側縁２ｂと端縁２ｃに隣接する半導体チップ６の縁部から、ダイシングシート８を剥がす（図３参照）。半導体チップ６の裏面に沿ってスライダ２を図２の矢印Ｓ方向に水平移動させることにより、スライダ２の端縁２ｃ近傍に形成されるダイシングシート８の剥離部分を水平方向に拡張して、半導体チップ６の裏面の全部からダイシングシート８を剥がすようにしている。ダイシングシート８が剥がされた半導体チップ６は、図３のように表面が吸着コレット４で吸着されて、上方にピックアップされる。
特開平２−１３７３５２号公報 特開平１１−５４５９４号公報 特開２００５−１１７０１９号公報 特開２００６−２８６９００号公報 特開２００４−６３７９９号公報

しかしながら、上記スライド式のピックアップ装置は、薄型化された半導体チップの裏面からダイシングシートを剥がす際に剥離不良が生じるおそれがある。すなわち、図４の断面図に示すように、吸引溝１１に負圧が生成されると、半導体チップ６の縁部が、ダイシングシート８と共に溝側に引き寄せられる。半導体チップ６の厚みが比較的大きい場合は、半導体チップ６の端部に生じる復元力が比較的大きいので、引き寄せられたダイシングシート８から半導体チップ６の縁部が分離する。しかしながら、半導体チップ６が薄型化されている場合は半導体チップ６の復元力が比較的小さいので、ダイシングシート８と共に半導体チップ６の縁部が溝側に引き寄せられたまま弓なり状に湾曲し、ダイシングシート８から半導体チップ６の縁部が分離せず、剥離不良が生じてしまう。このような半導体チップの薄型化に伴う剥離不良は、負圧を利用して半導体チップと粘着シートの分離を行うものであれば、スライダ式以外のピックアップ装置にも広く起こりうる。

そこで、本発明の課題は、ダイシングシート等の剥離不良を生じることなく、薄型化された半導体チップを安定してピックアップできる半導体装置の製造装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、請求項１の半導体装置の製造装置は、可撓性を有するシートに貼り付けられてダイシングされたウェハから半導体チップをピックアップする半導体装置の製造装置において、上記ウェハを支持するウェハ支持面を有するウェハ台と、上記ウェハ台に設けられ、上記半導体チップのシート側を支持するチップ支持面を有するチップ台と、上記チップ台のチップ支持面の周縁外側に負圧を生成する負圧生成部とを備え、上記チップ台のチップ支持面は、周縁の少なくとも一部が上記半導体チップの周縁よりも内側に位置しており、かつ、周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されていることを特徴としている。

上記構成によれば、ウェハ台のウェハ支持面にウェハが支持されると共に、チップ台のチップ支持面にピックアップ対象の半導体チップのシート側が支持される。この状態で、負圧生成部によってチップ支持面の周縁外側に負圧が生成され、これにより、半導体チップ及びシートの部分であってチップ支持面の周縁外側に対応する部分が、チップ支持面上の部分に対して屈曲する。ここで、チップ支持面の周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されているので、半導体チップ及びシートの屈曲部の曲率が従来よりも大きくなる。これにより、半導体チップに生じる応力が従来よりも大きくなり、応力に対応する復元力が大きくなるので、半導体チップのチップ支持面の端縁外側の部分をシートから効果的に分離できる。したがって、従来のようなシートの剥離不良を効果的に防止できる。

請求項２の半導体装置の製造装置は、請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部の少なくとも一部に隣接する溝を有する。

上記実施形態によれば、上記チップ支持面の周縁部の少なくとも一部を、容易な構造によって直近内側の部分よりも高く形成できる。

請求項３の半導体装置の製造装置は、請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部よりも内側が低い擂鉢状に形成されている。ここで「擂鉢状」は一例であって、チップ支持面の形状は擂鉢状に限定されるものではない。チップ支持面のほぼ全面がフラットであっても、請求項１の構成を具備してその中央領域に負圧を導入可能であれば本発明を適用可能である。

上記実施形態によれば、半導体チップの被支持部分が、擂鉢状のチップ支持面に沿って湾曲することにより、この半導体チップの被支持部分と、半導体チップのチップ支持面よりも外側部分との間に形成される屈曲部の曲率を効果的に増大できる。したがって、半導体チップの屈曲部の復元力を効果的に増大して、シートから半導体チップを効果的に分離することができる。

請求項４の半導体装置の製造装置は、請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部の少なくとも一部が、上記ウェハ台のウェハ支持面の上記チップ台の隣接部よりも高く形成されている。

上記実施形態によれば、チップ支持面の周縁外側に負圧が生成されるに伴い、半導体チップの周縁部よりも外側の部分を、効果的にウェハ支持面側に屈曲させることができる。

請求項５の半導体装置の製造装置は、請求項１乃至４のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台は、上記チップ支持面の周縁部が上記半導体チップの被支持面に沿ってスライド駆動されるように形成されている。

上記実施形態によれば、チップ支持面の周縁外側に負圧が生成されるに伴い、チップ支持面の端縁外側に対応する半導体チップ及びシートの部分が屈曲され、このチップ支持面の端縁外側の半導体チップの部分がシートから分離する。この状態でチップ台がスライド駆動されることにより、半導体チップとシートとの分離部分が半導体チップの被支持面に沿って拡大される。チップ台の端縁が半導体チップの被支持面の全範囲を横切ることにより、半導体チップの被支持面の全部をシートから分離できる。

請求項６の半導体装置の製造装置は、請求項１乃至４のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台に、上記チップ支持面から先端が突出して半導体チップを突き上げる突き上げ部材を備える。

上記実施形態によれば、チップ支持面の周縁外側に対応する半導体チップとシートを分離した後、突き上げ部材によって半導体チップの全部を容易にシートから分離できる。上記突き上げ部材としては、棒状のものやブロック状のものを用いることができるが、半導体チップの破損を防止するため、半導体チップに接触する接触面を広く形成するのが好ましい。

請求項７の半導体装置の製造装置は、請求項１乃至６のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、上記チップ台のチップ支持面に負圧を生成する支持面負圧生成部を備える。

上記実施形態によれば、チップ支持面に負圧を生成することにより、当該チップ支持面上に半導体チップ及びシートを密着させて、この半導体チップのチップ支持面の周縁外側の部分を、半導体チップのチップ支持面上の部分に対して大きな曲率で屈曲させることができる。したがって、半導体チップの屈曲部の復元力を効果的に増大して、チップ支持面の周縁外側の半導体チップの部分を効果的にシートから分離できる。

請求項８の半導体装置の製造装置は、請求項１乃至７のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、上記半導体チップの厚みが１００μ以下である。

上記実施形態によれば、多層化に対応する薄型の半導体チップについて、割れや欠け等の不都合を防止しつつ、剥離不良が生じることなくシートからピックアップできる。

請求項９の半導体装置の製造方法は、可撓性を有するシートに貼り付けられてダイシングされたウェハを準備する工程と、周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されたチップ支持面を有するウェハ支持面上に、上記ウェハを載置する工程と、上記チップ支持面の周縁の少なくとも一部が、ピックアップすべき半導体チップの周縁よりも内側に位置するように位置合わせを行う工程と、上記チップ支持面の周縁外側に負圧を与えることにより、上記シートを半導体チップの周縁部から剥がす工程とを備えることを特徴としている。

上記構成によれば、ウェハ支持面にウェハが支持され、チップ支持面にピックアップ対象の半導体チップのシート側が支持される。この状態で、チップ支持面の周縁外側に負圧を与えることにより、半導体チップ及びシートの部分であってチップ支持面の周縁外側に対応する部分が、チップ支持面上の部分に対して屈曲する。ここで、チップ支持面の周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されているので、半導体チップ及びシートの屈曲部の曲率が従来よりも大きくなる。これにより、半導体チップの屈曲部に生じる応力が従来よりも大きくなり、応力に対応する復元力が大きくなるので、シートから半導体チップが効果的に分離する。したがって、従来のようなシートの剥離不良を効果的に防止できる。

本発明の半導体装置の製造装置によれば、シートが貼付されたウェハに形成された半導体チップを、周縁部の少なくとも一部がその直近内側の部分よりも高く形成されたチップ支持面で支持することにより、この支持面上の半導体チップ及びシートの部分と、支持面の周縁外側の半導体チップ及びシートの部分との間を従来よりも大きい曲率で屈曲することができ、半導体チップの復元力を増大でき、したがって、剥離不良を招くことなく半導体チップとシートを分離できる。その結果、多層化に対応する薄型の半導体チップを、割れや欠け等の不都合を防止しつつピックアップできる。

以下、本発明に係る半導体装置の製造装置の実施の形態について説明する。図１は、本発明の半導体装置の製造装置としての半導体チップのピックアップ装置が備えるスライダの近傍部分を示す断面図である。図２は、従来のピックアップ装置を示すものであるが、本発明のピックアップ装置の基本的な構成を説明するために便宜的に援用する。

このピックアップ装置は、ウェハ支持面１ａが上面に形成されたウェハ台としてのマウンタ１と、このマウンタ１のウェハ支持面１ａ内に、長手方向に水平移動可能に設けられたチップ台としてのスライダ２を備える。このスライダ２は、略円形のウェハ支持面１ａの略中心から径方向に延在するように配置されている。このスライダ２は、長手方向に延びる両側縁２ｂ，２ｂが、ピックアップすべき半導体チップよりも小さい寸法に形成されている。図２（ｂ）において、ピックアップ対象となる半導体チップの配置位置Ｃを破線で示している。

マウンタ１のウェハ支持面１ａには、スライダ２の両側縁２ｂ，２ｂに沿って吸引溝１１が形成されている。この吸引溝１１は、マウンタ１内に形成された減圧路１２を介して、図示しない吸引ポンプに接続されている。マウンタ１のウェハ支持面１ａは、径方向内側ほど低い擂鉢状に形成されている。

スライダ２の表面は、ピックアップ対象の半導体チップ６を支持するチップ支持面２ａに形成されている。このチップ支持面２ａは、図１に一部が示されるように、横断面において側縁２ｂ，２ｂの上端が最も高い一方、中央部が最も低い擂鉢状に形成されている。また、図示しないが、側縁２ｂ，２ｂの間に連なる端縁２ｃも側縁２ｂ，２ｂと同じ高さに形成されており、この端縁２ｃからスライド方向側に向かうにつれて、側縁２ｂ，２ｂの間の中央部と同じ標高まで下っている。なお、チップ支持面２ａは、側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃから中央に向かうにつれて下る傾斜面で形成されてもよい。また、チップ支持面２ａは、側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃから内側に所定距離をおいて溝が形成されていてもよい。あるいは、側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃの上端をナイフエッジ状に形成してもよい。要は、スライダ２の側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃの上端部分の少なくとも一部を、その直近内側の部分よりも高く形成すればよい。スライダの側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃは、ウェハ支持面１ａのスライダ２に隣接する部分よりも高く形成している。

マウンタ１の吸引溝１１，１１間は、ウェハ支持面１ａに対して溝状に形成されてスライダ２を水平移動自在に支持するガイド部１３になっている。このガイド部１３の表面に、減圧路１２と連通された吸引孔１４が開口している。

上記構成のピックアップ装置は、以下のように動作する。
まず、マウンタ１のウェハ支持面１ａ上にウェハ５を配置する。このウェハ５は、多層化に対応する半導体チップとするために、裏面研削によって厚みが１００μ以下に形成されている。回路パターンが形成された表面に、裏面研削時に形成された回路保護用コーティングが残存している。また、ダイシング工程で貼付されたダイシングシート８が裏面を覆っている。ダイシング工程では、レーザ又はダイシングソーによってコーティング７とウェハ５が切断され、複数の半導体チップ６がダイシングシート８上に貼り付けられた状態になっている。１５は、ダイシング工程で形成されたダイシング溝である。このダイシングシート８上からピックアップすべき半導体チップ６が、図２（ｂ）の破線位置となるように、マウンタ１の支持面１ａ上におけるウェハ５の位置が調整される。

引き続いて、図示しない吸引ポンプを起動し、減圧路１２を通して吸引溝１１に負圧を生成する。これにより、図１に示すように、チップ支持面２ａの両側縁２ｂ，２ｂよりも外側にある半導体チップ６、コーティング７及びダイシングシート８の部分が、吸引溝１１側に屈曲する。ここで、スライダ２のチップ支持面２ａが擂鉢状に形成されていて、側縁２ｂ，２ｂ及び端縁２ｃが直近内側の部分よりも高く形成されているので、半導体チップ６の支持面２ａ上の部分と、半導体チップ６の側縁２ｂ外側の部分との間に形成される屈曲部の曲率が、従来よりも大きくなる。これにより、半導体チップ６に屈曲に伴って生じる応力が従来よりも大きくなり、この応力に対応して生じる復元力Ｆが従来よりも大きくなる。その結果、吸引溝１１側に屈曲したダイシングシート８から、半導体チップ６の側縁２ｂ外側の部分を確実に剥がすことができ、従来のように剥離不良の発生を防止できる。

さらに、減圧溝１２を減圧した状態で、スライダ２を長手方向に矢印Ｓで示すように水平移動させる。これに伴って、スライダ２の端縁２ｃ外側に、吸引孔１４を介して負圧が与えられ、このスライダ２の端縁２ｃよりも外側にある半導体チップ６、コーティング７及びダイシングシート８の部分が、吸引孔１４側に屈曲する。このスライダ２の端縁２ｃもまた、スライダ２の移動側に隣接する直近内側の部分よりも高く形成されているので、半導体チップ６の支持面２ａ上の部分と、支持面２ａの端縁２ｃ外側の部分との間に形成される屈曲部の曲率が従来よりも大きい。したがって、半導体チップ６に屈曲に伴って生じる応力が従来よりも大きくなって、従来よりも大きい復元力が得られるので、吸引孔１４側に屈曲したダイシングシート８から半導体チップ６の端縁２ｃ外側の部分を確実に剥がすことができる。この半導体チップ６の端縁２ｃ外側の部分における剥離は、スライダ２が半導体チップ６の裏面に沿って矢印Ｓの方向に水平移動することにより、半導体チップ６の裏面の全てに拡張される。その結果、半導体チップ６を、効果的かつ確実に、ダイシングシート８から剥がすことができる。半導体チップ６の剥離が完了すると、吸着コレットによって半導体チップ６の表面側を覆うコーティング７の表面を吸着し、半導体チップ６を上方にピックアップする。

以上のように、本実施形態の半導体チップのピックアップ装置によれば、薄型化されて厚みが１００μｍ以下のウェハ５について、割れや欠けを生じることなく、半導体チップ６をダイシングシート８から確実かつ効果的に剥がしてピックアップすることができる。特に、高密度実装型パッケージに使用される厚さ２０〜３０μｍの半導体チップは、ダイシングシートと共に湾曲しやすく、屈曲したときの応力（復元力）が極めて小さいことから、本実施形態のピックアップ装置によりピックアップするのが有効である。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更を加え得ることは勿論である。例えば、ウェハ５の表面に回路保護用コーティング７が設けられていたが、このコーティング７は無くてもよい。

また、本実施形態のピックアップ装置は、ピックアップ対象の半導体チップの裏面を水平方向に移動するスライダを備えたスライダ式であったが、半導体チップの裏面を突き上げピンによって上方に突き上げる形式や、半導体チップの裏面を多段式のブロックによってテレスコープ状に押し上げる形式であってもよい。要は、半導体チップの裏面を支持する支持部の周縁の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されていることにより、負圧生成に伴って半導体チップに高い応力（復元力）が生じるように構成されていればよい。

また、スライダ２のチップ支持面２ａに、支持面負圧生成部としての溝や孔を形成し、この溝や孔に負圧を生成することにより、半導体チップ６の裏面側をチップ支持面２ａ上に密着させてもよい。これにより、半導体チップ６の支持面２ａ上の部分と、半導体チップ６の周縁外側の部分との間の屈曲部６ａの曲率を効果的に増大させて、半導体チップ６の復元力Ｆを効果的に増大できる。

本発明の半導体チップのピックアップ装置が備えるスライダの近傍部分を示す断面図である。 図２（ａ）は従来のピックアップ装置を示す斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のピックアップ装置の平面図である。 従来のピックアップ装置のスライダの近傍部分を拡大して示した断面図である。 半導体チップの縁部が負圧によって溝側に引き寄せられた様子を示す断面図である。

符号の説明

１ マウンタ
１ａ ウェハ支持面
２ スライダ
２ａ チップ支持面
２ｂ 側縁
２ｃ 端縁
５ ウェハ
６ 半導体チップ
６ａ 半導体チップの屈曲部
７ 回路保護用コーティング
８ ダイシングシート

Claims (9)

1. 可撓性を有するシートに貼り付けられてダイシングされたウェハから半導体チップをピックアップする半導体装置の製造装置において、
   上記ウェハを支持するウェハ支持面を有するウェハ台と、
   上記ウェハ台に設けられ、上記半導体チップのシート側を支持するチップ支持面を有するチップ台と、
   上記チップ台のチップ支持面の周縁外側に負圧を生成する負圧生成部とを備え、
   上記チップ台のチップ支持面は、周縁の少なくとも一部が上記半導体チップの周縁よりも内側に位置しており、かつ、周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部の少なくとも一部に隣接する溝を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部よりも内側が低い擂鉢状に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
4. 請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台のチップ支持面は、上記周縁部の少なくとも一部が、上記ウェハ台のウェハ支持面の上記チップ台の隣接部よりも高く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
5. 請求項１乃至４のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台は、上記チップ支持面の周縁部が上記半導体チップの被支持面に沿ってスライド駆動されるように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
6. 請求項１乃至４のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台に、上記チップ支持面から先端が突出して半導体チップを突き上げる突き上げ部材を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
7. 請求項１乃至６のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、
   上記チップ台のチップ支持面に負圧を生成する支持面負圧生成部を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
8. 請求項１乃至７のうちのいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置において、
   上記半導体チップの厚みが１００μ以下であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
9. 可撓性を有するシートに貼り付けられてダイシングされたウェハを準備する工程と、
   周縁部の少なくとも一部が、その直近内側の部分よりも高く形成されたチップ支持面を有するウェハ支持面上に、上記ウェハを載置する工程と、
   上記チップ支持面の周縁の少なくとも一部が、ピックアップすべき半導体チップの周縁よりも内側に位置するように位置合わせを行う工程と、
   上記チップ支持面の周縁外側に負圧を与えることにより、上記シートを半導体チップの周縁部から剥がす工程と
   を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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