JP2008263184A - 構造体及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 気密低下を抑制し、外部に効率良く熱放散させることができる構造体及び電子装置を提供すること提供すること。
【解決手段】 本実施形態にかかる構造体は、電子部品が搭載されるべき領域を有する第１基板と、該第１基板の側面に直接的または間接的に接合される側面を有する第２基板とを備えた回路基板を備える。さらに、前記回路基板上には、電子部品が搭載されるべき前記領域を取り囲む枠体が配置される。前記枠体は前記第１基板と前記第２基板との境界を横断する。
また、本発明の他の実施形態にかかる電子装置は、前記構造体と、前記第１基板の前記領域に載置された電子部品と、を具備したものである。
【選択図】図２

Description

本発明は構造体及び電子装置に関する。

従来、電子部品収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）として、底板と、底板の四隅に配置された導体ブロックと、囲壁部材とを備えるものが知られていた（例えば、特許文献１参照）。
特開平５−１４４９７６号公報

しかしながら、上記従来のパッケージでは、導体ブロックを底板の四隅に嵌め込んで接合する構造であるため、底板の四隅に導体ブロックと底板との熱膨張差による応力が作用し易かった。そのため、底板の四隅がクラック等によって破損し、底板の内外を貫通するクラックが生じてパッケージ内部の気密が損なわれ易いという問題点があった。

一方、熱放散が主として金属部材の下側から行なわれるが、近時の発熱量の多い電子部品を金属部材に搭載する場合、金属部材の面積が限られるので、電子部品から発生する熱を外部に効率良く熱放散させるには不十分であるという問題点があった。

本発明は、上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、気密低下を抑制し、外部に効率良く熱放散させることができる構造体及び電子装置を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本実施形態にかかる構造体は、電子部品が搭載されるべき領域を有する第１基板と、該第１基板の側面に直接的または間接的に接合される側面を有する第２基板とを備えた回路基板を備える。さらに、前記回路基板上には、電子部品が搭載されるべき前記領域を取り囲む枠体が配置される。前記枠体は前記第１基板と前記第２基板との境界を横断する。

また、本発明の他の実施形態にかかる電子装置は、前記構造体と、前記第１基板の前記領域に載置された電子部品と、を具備したものである。

本実施形態に係る電子装置は、第１基板上に電子部品が搭載されているため、第１基板から電子装置外部へ放熱させることができる。また、第１基板が導電材料によって形成されている場合、第１基板は電極として兼用できる上、導電材料は一般的に熱伝導率が良いので電子部品の熱を吸収しやすく、放熱効果が高い。それゆえ、枠体内部の領域で電子部品の熱が篭ることを抑制し、電子装置を長期にわたり安定的に動作させることができる。

本発明の一実施形態を示す構造体及び該構造体を有する電子装置について、以下詳細に説明する。

図２Ａに示すように、本実施形態に係る電子装置は、搭載部1dを有する回路基板１および回路基板１上に配置される枠体２を有する構造体１０と、回路基板１上に配置された電子部品３とを備えている。回路基板１は、電子部品３が搭載される第１基板１ａと、該第１基板１ａに並設される第２基板１ｂとを有する。また、枠体２は、回路基板１上に配置されるとともに、電子部品３の搭載部１ｄを取り囲むものである。さらに、この枠体２は、第１基板１ａと第２基板１ｂとの境界を横断する。

本実施形態に係る電子装置は、第１基板１ａ上に電子部品３が搭載されているため、第１基板１ａから電子装置外部へ放熱させることができる。また、第１基板１ａが導電材料によって形成されている場合、第１基板１ａは電極として兼用できる上、導電材料は一般的に熱伝導率が良いので電子部品の熱を吸収しやすく、放熱効果が高い。それゆえ、枠体２内部の領域で電子部品３の熱が篭ることを抑制し、電子装置を長期にわたり安定的に動作させることができる。

電子装置がインバータの一部を構成する場合に、電子部品３に高電圧、高電流が印加されても、電子部品３の熱を良好に外部に放出できる。したがって、安定した動作が可能なインバータを提供することができる。

以下、本実施形態に係る各構成要素について詳細に説明する。
（回路基板）
本実施形態に係る電子装置の回路基板１を図１Ａに示す。ここで回路基板１は、上面に電子部品３の搭載部１ｄを有する第１基板１ａと、並設される第２基板１ｂとを有している。第１基板１ａの側面１ｍは、第２基板１ｂの側面に直接的または間接的に接合されている。

（第１基板）
本実施形態においては、第１基板１ａは、導電性を有している。このため、第１基板１ａは電極として機能することができる。回路基板１の製造工程が簡略化できる。また、導電材料は一般的に熱伝導率が良いので、第１基板１ａは電子部品３の熱を吸収しやすい。

第１基板１ａに用いられる導電材料としては、例えば、銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），ステンレス鋼（ＳＵＳ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，又はＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料を用いることができる。これらの金属材料は、放熱性に優れている。

また、第１基板１ａに用いられる導電材料として、Ｃｕ−Ｗ複合材，Ｃｕ−Ｍｏ複合材，Ｃｕ−ダイヤモンド複合材，アルミニウム（Ａｌ）−ダイヤモンド複合材，又はアルミニウム（Ａｌ）−炭化珪素（ＳｉＣ）複合材等の複合材を用いても良い。これらの複合材料を用いた場合、優れた放熱性を得られることに加え、複合材料の含有比率を調整することによって熱膨張係数の値を変化させることができる。それゆえ、第１基板１ａの熱膨張係数を、後述する第２基板１ｂの熱膨張係数に近似させ易くなり、熱膨張係数差に起因する回路基板１内の熱応力を低減することが容易となる。

第１基板１ａは、金属材料からなる場合、例えば金属インゴットを従来周知の圧延加工や金属加工によって形成される。

また、第１基板の他の実施形態を図３Ａに示す。第１基板１１’ａは、枠体２よりも外側に突出する突出部１１’ｅを有することが好ましい。この場合、電子部品１３’から第１基板１１’ａに吸収された熱は、突出部１１’ｅまで伝熱することによって枠体１２’の外側まで良好に伝わる。それゆえ、第１基板１１’ａの搭載部１１’ｄの温度を低減し、電子部品１３’を良好に機能させることができる。また、突出部１１’ｅは、第２基板１１’ｂの端部よりも外側に位置することが好ましい。例えば、第１基板１１’ａの方が第２基板１１’ｂよりも熱伝導率が高い部材を用いれば、電子部品１３’の直下に位置する第１基板１１’ａで、発熱した電子部品１３’に起因した熱集中を抑制できる。

また、突出部１１’ｅは、貫通穴１１’ｆを有することが好ましい。回路基板１１’を外部電気回路基板に固定する際に、貫通穴１１’ｆにネジ等の固定具を挿通することができるからである。また、電子部品１３’から回路基板１１’に伝熱した際、枠体１２’で固定されていない突出部１１’ｅは変形し易い。それゆえ、突出部１１’ｅは、熱膨張に起因する応力を緩和することができる。なお、貫通穴１１’ｆに固定具を挿通すれば、固定具を介して熱を外部電気回路基板に放熱させることができる。

（第２基板）
本実施形態において、第２基板１ｂは、セラミックス、樹脂、又はガラス等、種々の絶縁材料が用いられる。セラミックスとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体，又はガラスセラミックス等を用いることができる。

また、樹脂材料としては、エポキシ樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，または液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。

ガラスとしては、バリウム珪酸ガラス，ホウ珪酸ガラス，またはアルミノ珪酸ガラス等を用いることができる。

セラミックスは樹脂材料と比較して抗折強度が大きいため、第２基板１ｂをセラミックスにより形成する場合、第２基板１ｂのクラックの発生を低減できる。また、第２基板１ｂは、第１基板１ａ及び電極１ｃと熱膨張係数の差が小さい材料により形成されることが好ましい。さらに、Ａｌ２Ｏ３質焼結体から成る第２基板１ｂとした場合には、耐電圧性および耐絶縁性の点でより好ましく、第１基板１ａと電極１ｃとの間に加わる電圧が高くなっても第２基板１ｂの表面に沿面放電が生じるのを抑制できる。また、第２基板１ｂの製造工程においても、予め所定形状に形成したセラミックグリーンシートを用いることができる。セラミックグリーンシートは、一般的に剛性が低いため、金型打ち抜き加工を施した際、金属や樹脂と比較して切断面に凹凸が生じにくい。それゆえ、第１基板１ａと第２基板１ｂとの接触面積を増加させることができる。その結果、回路基板１が熱膨張した場合であっても、第１基板１ａと第２基板１ｂとの接触面で応力集中を抑制できる。

第２基板１ｂが、樹脂からなる場合は、金型を用いたモールディング成型が可能となり、大量生産が出来る点で好ましい。

また、第２基板の他の実施形態を図１Ｂに示す。第２基板１１’ｂ_１及び第２基板１１’ｂ_２は、電極として機能するスルーホール導体を有している。スルーホール導体は、第１基板１１’ａ上の電子部品１３’とボンディングワイヤ４等を介して電気的に接続することができる。

また、スルーホール導体の上下面に電極として機能し、スルーホール導体の断面積よりも面積が広い金属パッド１１’ｉを設けておくことが好ましい。その結果、電子部品１３’と金属パッド１１’ｉとのワイヤボンディングの際に作業性が向上する。また、第２基板１１’ｂの下面に前記金属パッド１１’ｉが設けられていれば、リード等の外部接続端子と回路基板１１’とを電気的に接続する際に作業性が向上する。

これらスルーホール導体及び金属パッド１１’ｉを含む電極は、第２基板１１’ｂと熱膨張係数の調節を行い易い、Ｃｕ−Ｗ複合材，Ｃｕ−Ｍｏ複合材，Ｃｕ−ダイヤモンド複合材，Ａｌ−ダイヤモンド複合材，又はＡｌ−ＳｉＣ複合材から成ることが好ましい。
第２基板１１’bは、上述したように、その側面が第１基板１１’ａの側面に直接的または間接的に接合されている。

本実施形態において、第２基板１ｂが樹脂により形成されている場合、次のような方法で第１基板１１’ａと直接接合することができる。すなわち、まず、樹脂の前駆体の状態でシート状に形成する。次に、該シートの側面に第１基板１ａの側面を当接させ、両者を接着させる。最後にシートを硬化させ、第１基板１ａと第２基板１ｂが接合される。このように、第２基板１ｂは、第１基板１ａと第２基板１ｂとの接着剤としての機能も兼ねる。この場合、第１基板１ａと第２基板１ｂとの間に接着剤を別途介在させなくともよいため、回路基板１全体で部品点数を減らすことができる。

一方、第２基板１ｂがセラミック基板からなる場合、次のような方法で第１基板１ａと接合させることができる。すなわち、まず第１基板１ａとなるべき第１セラミックグリーンシートと、第２基板１ｂとなるべき第２セラミックグリーンシートとを準備する。次に、第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとを当接させる。最後に第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとを当接させた状態で焼成する。以上により、第１基板１ａと第２基板１ｂとの直接接合ができる。

また、第１基板１ａの側面と第２基板１ｂの側面とを間接的に接合する場合、第１基板１ａと第２基板１ｂとの間に接着剤を介在させ、両者を接合する。この方法は、第１基板１ａや第２基板１ｂが接着作用のない材料で形成されている場合に特に有用である。また接着剤が応力の緩衝材となり、回路基板の強度を強化できるという利点もある。なお、接着剤としてロウ材を使用する場合は、第１基板１ａもしくは第２基板１ｂの一方の基板の側面に金属層を設け、該金属層と他方の基板の側面との間にロウ材を介して接合すればよい。なお、金属層としては、Ｎｉ，金（Ａｕ）、Ａｇ−Ｃｕ−チタン（Ｔｉ）の金属を用いることができる。

また、第１基板１ａの下面は、第２基板１ｂの下面と同一平面上に位置していることが好ましい。この場合、外部電気回路基板上に回路基板１を表面実装する際に、回路基板と外部電気回路基板との間の距離がほぼ均一になるため、回路基板から外部電気回路基板への放熱に関して、領域毎の放熱ムラが小さくなる。

例えば、図１Ａに示す回路基板１の構成では、第２基板１ｂの上面は、第１基板１ａの上面よりも低く位置していることが好ましい。この場合、第１基板１ａと電極１ｃとの間に配されたボンディングワイヤ４は、その周囲の沿面距離が増加するため、電気絶縁性が向上する。

また、図１Ｂに示すように、第２基板１１’ｂは、第１基板１１’ａと接する側面の角部に、面取り部１１’ｇが設けられていることが好ましい。この構成により、第２基板１１’ｂと第１基板１１’ａとを接合するためにロウ材を用いた場合において、面取り部１１’ｇにロウ材のフィレットを形成し易いため、第２基板１１’ｂと第１基板１１’ａとの接合強度を向上させることができる。また、ロウ材のフィレットが応力の緩衝材となり、回路基板１１’の強度をさらに強化できるという利点がある。

（回路基板の変形例）
次に、回路基板１の第１変形例を図１Ｂに示す。

本変形例における回路基板１１’は、第２基板１１’ｂを複数備えている。第１基板１１’ａの一方の側面と第２基板１１’ｂ１の側面とを接合する。また第１基板１１’ａの他方の側面と第２基板１１’ｂ２の側面とを接合する点で回路基板１と相違している。この場合、例えば第２基板１１’ｂに電極として機能するスルーホール導体や金属パッド１１’ｉを設ければ、回路基板１１’の多端子化が可能となるため好ましい。

なお、第１基板１１’ａおよび第２基板１１’ｂの材料については基本的に上記実施形態と同様の材料を使用することができる。

次に、回路基板１の第２変形例を図１Ｃに示す。
本変形例における回路基板１０１’は、開口部を有する枠状の第２基板１０１’ｂを複数備えている。また第２基板１０１’ｂの開口部を塞ぐように電極１０１’ｃを接合する点で回路基板１と相違している。なお、第１基板１０１’ａと電極１０１’ｃとは接触していない。
この場合、第１基板１０１’ａに金属を使用した場合であっても、電子部品１０３’と電極１０１’ｃとの間に、第２基板１０１’ｂの厚み分の段差を有することから、電子部品１０３’と電極１０１’ｃとの間の沿面距離が増加し、第１基板１０１’ａと電極１０１’ｃとの電気絶縁性を向上させることができる。

なお、第１基板１０１’ａおよび第２基板１０１’ｂの材料については基本的に上記実施形態と同様の材料を使用することができる。

回路基板１の第３変形例を図１Ｄに示し、第４変形例を図１Ｅに示す。

本変形例における回路基板１’は、十字形状を有し、電子部品３’が搭載される第１基板１’ａと、該第１基板１’ａの四隅に配置される複数の第２基板１’ｂと、を有している。また、第１基板１’ａと第２基板１’ｂとで長方形を形成するように両者が配置されている。すなわち、回路基板１’は、少なくとも第１基板１’ａの形状と第２基板１’ｂの数とが回路基板１と相違している。
本変形例においては、複数の第２基板１’ｂがそれぞれ電極を有しているため、回路基板１の電極の数を増加させることができ、回路基板１の多端化が容易となる。なお、図１Ｄと図１Ｅとは、枠体２’の形状の点で異なる。
第１基板１’ａおよび第２基板１’ｂの材料については基本的に上記実施形態と同様の材料を使用することができる。
第２基板１’ｂは、本実施形態よりも第１基板１’ａと接合される部位が増加する。すなわち、第２基板１’ｂと第１基板１’ａとをロウ材を介して接合する場合に、第２基板１’ｂのロウ材を有する側面が増加する。それゆえ、第２基板１’ｂにおいて、緩衝材として利用可能なロウ材が増加するため、回路基板１’の強度を一層強化できるという利点を有する。

（枠体）
本実施形態にかかる枠体２は、回路基板１上に配置され、電子部品が搭載されるべき領域を取り囲むものである。上述した回路基板１と枠体２とで構造体を構成する。

本実施形態を示す構造体を図２Ａに示す。図２Ａは、図１Ａに示す回路基板１に枠体２を設けたものである。

以下、本実施形態にかかる構造体について図２Ａに基づき説明する。

枠体２は、第１基板１ａと第２基板１ｂとの境界を横断するように配置されている。なお、枠体２は、回路基板１との絶縁を確保するため、セラミックスやガラス、樹脂等の絶縁材料により形成することが好ましい。

枠体２の幅は、第１基板１ａと第２基板１ｂとの境界部位の幅の方が、他の部位の幅よりも広いことが好ましい。この場合、例えば第１基板１ａと第２基板１ｂとの熱膨張係数差により、境界部位に応力集中しても、境界部位の枠体２で、上記応力集中を緩和できる。その結果、回路基板１がクラック等によって破損するのを抑制できる。

枠体２は、第１基板１ａ又は前記第２基板１ｂと同じ材料である場合は、枠体２と同じ材料からなる基板の接触面積を広げることが好ましい。この場合、同じ材料であれば、熱膨張係数差により生じる応力を抑制できるため、枠体２と回路基板１との間で剥離が生じることを抑制し、両者を強固に接合することができる。

また、枠体２は、第１基板１ａ及び第２基板１ｂよりも熱膨張係数の小さいものである場合、回路基板１が熱膨張しても、枠体２で回路基板１の熱膨張を抑制する。それゆえ、構造体の変形を抑制し、電子部品３の位置ずれを抑制できる。特に電子部品３は、光半導体素子を有するものである際に有効であり、光半導体素子の光学軸合わせを安定させることができる。

さらに、枠体２は、第１基板１ａと第２基板１ｂとの中間の熱膨張係数を有することが好ましい。この場合、構造体が熱膨張した場合であっても、枠体２が緩衝材として作用することにより、構造体に残留応力が生じることを抑制できる。その結果、構造体の信頼性を向上させることができる。

例えば、第１基板１ａを銅（Ｃｕ）、第２基板１ｂをセラミックスとすれば、枠体２は、それらの中間の熱膨張係数を有する銅−タングステン複合材、銅−モリブデン複合材、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属材料を用いることができる。

枠体２及び第２基板１ｂがセラミックスからなる場合、従来周知のセラミックグリーンシート積層法などにより、枠体２と第２基板１ｂとを一体に形成することができる。すなわち、まず第２基板１ｂになるべき第１セラミックグリーンシートと第２基板１ｂに隣接する治具を準備する。次に第１セラミックグリーンシートと離型材を塗布した治具との上面に、その境界を横断するように枠体２となるべき第２セラミックグリーンシートを載置する。最後にこれらを焼成することにより、第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとを一体に形成することができる。なお、治具と枠体２とは離型材によって安易に剥離させることができる。その後、第１基板１ａと、第２基板１ｂ及び枠体２とをロウ材等で接合すれば、本実施形態にかかる構造体を得ることができる。

この場合、回路基板１と枠体２との間に間隙が形成される領域は、第１基板１ａと枠体２との間となるため、構造体の気密性が低下することを抑制できる。

次に、構造体の第１変形例を図３Ａに示す。図３Ａは、図１Ｂに示す回路基板１１’に枠体１２’を設けたものである。

また、構造体の第２変形例を図４Ａに示す。図４Ａは、図１Ｃに示す回路基板１０１’に枠体１０２’を設けたものである。

（電子部品および電子部品の封止構造）
本実施形態は、電子部品３に３０Ａ以上の電流が流れる場合、特に有効である。すなわち、３０Ａ以上の電流が電子部品３に流れ、電子部品３が発熱した場合であっても、外部への熱放散を良好なものにできる。それゆえ、安定した電子部品３の動作を得ることができる。

また、電子部品３は、ＳｉＣ半導体を有するものであることが好ましい。この構成によれば、従来のＳｉ半導体によりＳｉＣ半導体の方が発熱量を抑制できる。それゆえ、従来よりも大電流を電子部品３に流した場合であっても、発熱を抑制できるため、電子部品３の動作を一層安定したものとできる。

なお、第１基板１ａの搭載部１ｄに電子部品３を載置する方法は、例えば第１基板１ａの搭載部１ｄ上に電子部品３をガラス，樹脂，又はロウ材等から成る接着剤を介して接着固定すればよい。ここで、該接着剤中に熱伝導性の高い銅粒子等を備えていれば、熱放散性をより一層向上させることができる。

かかる電子部品３は、図５Ａの場合、樹脂７等の封止材料により気密封止することが好ましい。封止材料として樹脂７を用いる場合、例えばエポキシ樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，液晶ポリマー樹脂，又はシリコーン樹脂等を用いることができる。樹脂７は、図５Ａに示すように、回路基板１と、電極１ｃと電気的に接続された電極を有する電子部品３と、回路基板１の上面に電子部品３と、を覆うように被着させることが好ましい。

この構成によれば、電子部品３を封止するために、枠体２上に配置される蓋体を必ずしも設ける必要がなくなる。この場合、電子装置の内部空間を小型化できる。勿論、電子部品３の封止性をより高めるため、樹脂７に加えて蓋体を枠体上に別途設けても良い。
（電子部品の封止構造の変形例）
電子部品３を気密封止する手法の変形例として、樹脂７に代えて蓋体５を用いることができる。

すなわち、図５Ｂに示すように、蓋体５を枠体３上に配置し、蓋体５と枠体３および回路基板１とで気密空間を形成し、電子部品３を封止している。

蓋体５の形状は、図５Ｂに示すように、空間５ａを有する形状であってもよいし、図２Ｂ、図３Ｂ、または図４Ｂに示すように、平板状であってもよい。

蓋体５は、絶縁材料および導電材料のいずれであっても良いが、封止性の高い材料が好ましい。例えば、絶縁材料としては、Ａｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス、又は樹脂等が用いられる。

蓋体５が導電材料からなる場合、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，又はＳＵＳ等の金属材料を用いることができる。この場合、蓋体５によって外部からのノイズをシールドできるという利点がある。図１Ｃに示す構造では、回路基板１と蓋体５とを接合する接着剤６が絶縁性のものに限定されず、半田等の導電性のものを用いてもよい。

枠体２と蓋体５との接合は、接着剤６を介して行われる。接着剤６としては、例えばエポキシ樹脂等の樹脂を主成分とする接着剤や、鉛（Ｐｂ）入りガラス，ソルダーガラス等のガラスを主成分とする絶縁性のある接着剤、半田等が用いられる。接着剤の材料は、蓋体５や枠体２の材料に応じて適宜選択される。
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能である。
例えば、上記実施形態において、パッケージの平面形状は矩形状に限られず、どのような形状であっても良い。例えば、図３Ａ，図４Ａにおいて、回路基板を平面視して、その外周に円弧状となる部位を有することが好ましく、回路基板１に応力が加わった場合であっても、円弧部分で応力緩和が可能となる。

また、第１基板１ａおよび第２基板１ｂの接合面、および第２基板１ｂおよび電極１ｃの接合面は、平面状に限られるものではなく、第１基板１ａおよび第２基板１ｂの側面にそれぞれ凹部または凸部を設け、両者を嵌合させるようにしても良い。この場合、第１基板１ａと第２基板１ｂの接合強度が高まるという利点がある。

図１Ａは本発明の一実施形態に係る電子装置の回路基板の斜視図である。 図１Ｂは回路基板の第１の変形例を示す斜視図である。 図１Ｃは回路基板の第２の変形例を示す斜視図である。 図１Ｄは回路基板の第３の変形例を示す平面図である。 図１Ｅは回路基板の第４の変形例を示す平面図である。 図２Ａは構造体の斜視図であり、図２Ｂは図２Ａに示す構造体のＸ−Ｘ’断面図である。 図３Ａは構造体の第１の変形例を示す斜視図であり、図３Ｂは図３Ａに示す構造体のＹ−Ｙ’断面図である。 図４Ａは構造体の第２の変形例を示す斜視図であり、図４Ｂは図４Ａに示す構造体のＺ−Ｚ’断面図である。 図５Ａは図１Ａに示す電子装置を示す断面図であり、図５Ｂは電子部品の封止構造の変形例を示す断面図である。

符号の説明

１：回路基板
１ａ：第１基板
１ｂ：第２基板
１ｃ：電極
１ｄ：電子部品搭載領域
２：枠体
３：電子部品
４：ボンディングワイヤ
５：蓋体
７：樹脂

Claims (23)

1. 電子部品が搭載されるべき領域を有する第１基板と、該第１基板の側面に接合される側面を有する第２基板とを備えた回路基板と、
   前記回路基板上に配置され、電子部品が搭載されるべき前記領域を取り囲む枠体と、を備え、前記枠体は前記第１基板と前記第２基板との境界を横断することを特徴とする構造体。
2. 前記第１基板は金属、前記第２基板は絶縁材料からなる請求項１に記載の構造体。
3. 前記第１基板は、前記枠体の外側端部よりも外側に突出する突出部を有する
   請求項１に記載の構造体。
4. 前記枠体と前記第２基板とが一体に形成されている
   請求項１に記載の構造体。
5. 前記第２基板を複数備え、前記第１基板の両側に前記第２基板が配置されている
   請求項１に記載の構造体。
6. 前記第１基板は、平面視において、その平面形状が十字形である
   請求項１に記載の構造体。
7. 前記第２基板は、スルーホール導体を有する請求項１に記載の構造体。
8. 前記スルーホール導体は、銅−タングステン複合材，銅−モリブデン複合材，銅−ダイヤモンド複合材，アルミニウム−ダイヤモンド複合材，またはアルミニウム−炭化珪素複合材のいずれかからなる
   請求項７に記載の構造体。
9. 側面を有する金属基体からなる電極を備え、該側面は、前記第２基板の他の側面と直接的または間接的に接合されている
   請求項１に記載の構造体。
10. 前記第２基板は、前記第１基板と前記金属基体との間に配置されている
    請求項９に記載の構造体。
11. 前記電極は、前記第２基板の上面又は下面に設けられた
    請求項９に記載の構造体。
12. 前記電極は、銅−タングステン複合材，銅−モリブデン複合材，銅−ダイヤモンド複合材，アルミニウム−ダイヤモンド複合材，またはアルミニウム−炭化珪素複合材のいずれかからなる
    請求項１１に記載の構造体。
13. 前記第１基板の下面は、前記第２基板の下面と同一平面上に位置している
    請求項１に記載の構造体。
14. 前記第１基板は、前記第２基板の端部よりも外側に突出する突出部を有する
    請求項１に記載の構造体。
15. 前記第１基板は、前記突出部に貫通穴を有する
    請求項１４に記載の構造体。
16. 前記第１基板の上面は、前記第２基板の上面よりも高く位置している
    請求項１に記載の構造体。
17. 前記第１基板は、銅−タングステン複合材，銅−モリブデン複合材，銅−ダイヤモンド複合材，アルミニウム−ダイヤモンド複合材，またはアルミニウム−炭化珪素複合材のいずれかからなる
    請求項１に記載の構造体。
18. 請求項１に記載の構造体と、
    前記搭載部に載置された電子部品と、
    を具備した電子装置。
19. 前記電子部品は、３０Ａ以上の電流が流れるものである
    請求項１８に記載の電子装置。
20. 前記電子部品は、ＳｉＣ半導体を有するものである
    請求項１８に記載の電子装置。
21. 前記電子装置は、インバータの一部を構成するものである
    請求項１８に記載の電子装置。
22. 請求項１８に記載の電子装置であって、
    前記電子部品上に取着され、前記電子部品を気密封止するための樹脂をさらに具備した
    電子装置。
23. 請求項１８に記載の電子装置であって、
    前記枠体上面に前記枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体をさらに具備した
    電子装置。

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